JP2000131695A

JP2000131695A - 液晶装置の製造方法

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Publication number: JP2000131695A
Application number: JP30768298A
Authority: JP
Inventors: Hiromi Saito; 広美斉藤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1998-10-28
Filing date: 1998-10-28
Publication date: 2000-05-12
Anticipated expiration: 2018-10-28
Also published as: JP3707269B2

Abstract

(57)【要約】【課題】配向素材がシール部分、実装部分などに付着
して不良を招くことを防止するとともに、生産性を向上
させ、製造コストを低減することのできる液晶装置の製
造方法を提供する。【解決手段】パネル基板１０上の配向膜１２に斜めに
イオン照射することによって配向膜１２に配向処理を施
した（ａ）後、マスク１３を設置した状態でイオン照射
によって配向膜１２の不要部分を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶装置の製造方法
に係り、特に、基板の内面を配向処理するための配向膜
に関する工程技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶装置としての例えば液晶表示
パネルを製造する場合には、２枚のパネル基板の内面上
に配線、電極構造、アクティブ素子などを形成し、その
上に有機又は無機素材からなる配向膜を形成する。配向
膜は２枚のパネル基板の間に挟持される液晶層に接触し
て液晶分子を所定方向に配向させる機能を有するもので
ある。

【０００３】配向膜としては種々のものが存在するが、
最もよく使われているものとしては、ポリイミド樹脂や
ポリビニルアルコールなどの有機素材からなるものであ
る。これらの有機素材からなる配向膜においては、多く
の場合、パネル基板の内面上に塗布した後、乾燥や焼成
によって硬化させることによって形成される。配向膜を
形成した後には、ラビング処理などの配向処理を施す必
要がある。

【０００４】従来、きわめて良く知られた配向処理法と
して、配向膜の表面を繊維や織物などによって所定方向
に擦るラビング法がある。しかしながら、この方法は機
械的に配向膜の表面を擦るものであるため、ラビング時
に発塵しやすいことからラビング後に洗浄工程が必要と
なり、塵埃が残留すると液晶特性を悪化させるととも
に、ラビングにより静電気が発生し易いため、静電気に
より液晶配向に乱れが生じたり、ＴＦＴ（薄膜トランジ
スタ）素子や２端子型非線形素子などのアクティブ素子
が破壊される恐れがある。

【０００５】そこで、上記ラビング法以外の配向処理方
法が種々提案されている。この種の配向処理法として
は、配向膜の表面に対して所定方向に直線偏光した紫外
線を照射する方法や、イオンビームや紫外線を配向膜表
面に対して傾斜させて照射する方法などが知られてい
る。

【０００６】上記配向処理の前提となる配向膜を形成す
る方法としては、基板上にフレキソ印刷などによって選
択的に配向膜素材を塗布し、その後、乾燥若しくは焼成
を行う方法が主流となっている。これは、基板表面にお
ける液晶封入領域のすぐ外側には、後に基板貼り合わせ
工程においてシール材を塗布するため、シール材を基板
上に高い密着性をもって塗布するには配向膜を除去する
ことが必要となるためである。また、シール部分の外側
には液晶駆動用のＩＣやフレキシブル回路基板などを実
装する部分があり、この部分もまた配向膜を除去する必
要がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
に配向素材を印刷によって選択的に基板の内面上に塗布
する方法においては、塗布時の手間がかかり製造コスト
の削減が困難であるとともに、印刷のにじみ等によって
シール部分やＩＣ実装部分に配向素材が付着してしまう
恐れがあり、パネル基板の貼り合わせ強度不足、ＩＣの
実装不良などが発生する可能性がある。また、ＴＦＴ基
板のように段差の大きい基板においては印刷によるムラ
等が生じ配向不良になる可能性がある。

【０００８】一方、基板上に配向素材を全面塗布した後
に配向膜の不要部分を除去する方法においては、配向素
材の塗布自体は容易でありコストもかからないが、基板
外周部の配向膜を除去するための工程に手間がかかり、
全体としての製造コストは印刷法による場合よりも不利
になるという問題点がある。

【０００９】そこで本発明は上記問題点を解決するもの
であり、その課題は、配向素材がシール部分、実装部分
などに付着して不良を招くことを防止するとともに、生
産性を向上させ、製造コストを低減することのできる液
晶装置の製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明が講じた手段は、２枚の基板間に液晶を配置し
てなる液晶装置の製造方法において、前記基板の少なく
とも一方の内面上に形成された配向膜の表面にイオン照
射を施して配向させる配向処理工程と、前記配向膜の不
要部分をイオン照射によって選択的に除去する配向膜除
去工程とを備えていることを特徴とする。

【００１１】この手段によれば、イオン照射によって配
向膜の配向処理と不要部分の除去とを共に行うことがで
きるので、印刷法において問題となる周囲部分への配向
素材の付着を回避できると同時に、製造時の手間を低減
して生産性を高めることができ、液晶装置の品位低下を
抑制しながら製造コストの低減を図ることが可能であ
る。イオン照射においては、比較的小さい照射エネルギ
ーにて所定の配向処理を施すことができ、また、比較的
大きな照射エネルギーとすることによって配向膜を簡単
に除去することができる。照射するイオン種としてはＡ
ｒなどの不活性ガスイオンがある。

【００１２】請求項１において、前記配向膜除去工程に
おいては、イオン源と前記配向膜の表面との間に、前記
配向膜の必要部分を覆い隠すマスクを配置してイオンビ
ームを照射することが好ましい。マスクによって配向膜
の必要部分を覆い隠すため、イオンビームの照射による
配向膜の必要部分へのダメージや配向処理状態の乱れを
防止することができる。マスクはイオンを遮断するため
に金属などのイオンを透過しないものが好ましい。

【００１３】請求項１又は請求項２において、前記配向
膜除去工程においては、前記配向膜の表面に対して交差
する方向からイオンビームを照射することが好ましい。
配向膜除去工程では、イオンビームを配向膜の表面に対
して交差、好ましくはほぼ直交する方向から照射するこ
とにより、マスクずれなどによる配向膜の必要部分に対
するダメージを与えにくく、除去パターンを高精度に管
理できるとともに、照射イオンの照射インパクトを高め
ることにより除去速度を高めることができる。

【００１４】請求項１から請求項３までのいずれか１項
において、前記配向膜除去工程においては、イオン源と
前記配向膜を備えた前記基板とを前記配向膜の表面に対
してほぼ平行な方向に相対移動させながらイオン照射を
行うことが好ましい。この手段によれば、配向膜の除去
速度の場所的な均一性を確保できる。

【００１５】請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記配向膜除去工程において、イオン電流密度が１５μ
Ａ／ｃｍ^２以上２５μＡ／ｃｍ^２であり、イオン照射時
間が２０秒以上の場合、イオン加速速度が１０００Ｖ以
上１５００Ｖ以下であることが好ましい。かかる構成に
よれば、基板の表面構造に損傷を与えることなく配向膜
をほぼ完全に除去することができる。

【００１６】請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記配向膜除去工程において、イオン加速電圧が１５０
Ｖ以上２５０Ｖ以下であり、イオン照射時間が２０秒以
上の場合、イオン電流密度（μＡ／ｃｍ^２）が１００以
上１５０以下であることが好ましい。かかる構成によれ
ば、基板の表面構造に損傷を与えることなく配向膜をほ
ぼ完全に除去することができる。

【００１７】請求項１のいずれか一項において、前記配
向膜除去工程において、イオン電流密度が１５μＡ／ｃ
ｍ^２以上２５μＡ／ｃｍ^２であり、イオン加速電圧が１
５０Ｖ以上２５０Ｖ以下の場合、イオン照射時間が１０
０秒以上であることが好ましい。かかる構成によれば、
基板の表面構造に損傷を与えることなく配向膜をほぼ完
全に除去することができる。

【００１８】請求項１乃至請求項６のいずれか一項にお
いて、前記配向処理工程において、前記配向膜の法線に
対してイオン加速電圧１００〜２００Ｖチャンバー真空度１０^−１〜１０^−４ｔｏｒｒイオン照射角度４０〜５０度（より好ましくは４５
〜５０度）の照射条件でイオン照射することが好まし
い。かかる構成によれば、プレチルト角が高く、配向秩
序を高めることが可能である。

【００１９】請求項１から請求項７までのいずれか一項
において、前記配向処理工程及び前記配向膜除去工程の
前に、前記基板の内面上に前記配向膜を全面塗布する工
程を備えていることが好ましい。配向膜を基板上に全面
塗布することによって塗布工程を簡略化することがで
き、生産性を高めることが可能である。例えば、比較的
手間のかからないスピンコート法を用いることができ
る。

【００２０】請求項１から請求項８までのいずれか一項
において、前記配向処理工程と前記配向膜除去工程とを
同一のイオン照射装置内にて連続的に行うことが望まし
い。両工程を同一のイオン照射装置内で連続的に行うこ
とによって、更なる生産性の向上、並びに、管理及び作
業労力の削減を図ることができる。

【００２１】請求項１から請求項９までのいずれか一項
において、前記配向処理工程を行ってから前記配向膜除
去工程を行う場合がある。両工程の順序を逆にすること
も可能である。

【００２２】請求項１から請求項１０までのいずれか一
項において、前記配向処理工程においては、前記配向膜
の表面に対し所定方位に向けて所定角度傾斜させた方向
からイオンビームを照射することが好ましい。この場
合、イオン照射による配向処理条件としては、後述する
実施形態において詳細に述べる各条件を採用することが
望ましい。

【００２３】次に、２枚の基板間に液晶を配置してなる
液晶装置の製造方法において、前記基板の少なくとも一
方の内面上に形成された配向膜の表面にイオン照射を施
すイオン照射工程を有し、該イオン照射工程において
は、イオンビーム若しくは前記基板を走査して、前記配
向膜の必要部分に配向処理を行うとともに前記配向膜の
不要部分をイオン照射によって選択的に除去することを
特徴とする。この手段によれば、イオンビームの照射条
件を変えるだけで配向膜の必要部分には配向処理を施す
とともに配向膜の不要部分を除去することができるの
で、配向膜に対する配向処理と不要部分の除去とを一工
程にて行うことができる。

【００２４】請求項１３において、前記配向膜の必要部
分に対してはイオンビームの照射強度若しくは照射量を
少なく、前記配向膜の不要部分に対しては照射強度若し
くは照射量を多くした条件で照射を行うことが好まし
い。この場合、以下の実施例の記載のような条件で配向
膜の不要部分に対するイオン照射を行うことによって、
通常の配向膜を充分に除去することができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】次に、本発明に係る液晶装置の製
造方法の実施形態について詳細に説明する。図１は本実
施形態の製造工程を模式的に示した説明図（ａ）及び
（ｂ）である。本実施形態においては、まず、パネル基
板１０の表面に配線、電極、アクティブ素子などの所要
の表面構造１１を形成した後に、配向素材をスピンコー
ト法などによってパネル基板１０の内面上に全面的に塗
布する。配向素材としては、可溶性タイプのポリイミド
素材、重合硬化を必要とするポリイミド素材、ポリアミ
ック酸タイプのポリイミド素材などを用いることができ
る。可溶性タイプのポリイミド素材は塗布したまま配向
処理を施すことができる。その他の配向素材は通常、乾
燥や焼成によって硬化させる。

【００２６】可溶性タイプのポリイミド素材としては、

【００２７】

【化１】

【００２８】

【化２】

【００２９】などの主鎖を持つものが、高い電圧保持
率、均一な液晶配向及び高いプレチルト角を実現するた
めに特に適している。

【００３０】また、ポリアミック酸タイプのポリイミド
素材としては、

【００３１】

【化３】

【００３２】の主鎖部の構造を備えたものがある。

【００３３】上記のようにして表面上に配向膜１２を形
成したパネル基板１０をイオン照射装置のチャンバー内
に導入した。そして、チャンバー内部を真空にして、イ
オン源２１からＡｒイオンを放出させ、加速電極２２に
よって加速して照射した。

【００３４】このイオン照射は配向膜１２に配向処理を
施すためのものである。このときの真空度は５×１０
^−３ｔｏｒｒであり、イオン照射角度はθ＝４５°であ
り、加速電圧１００Ｖ、電流密度２０μＡ／ｃｍ^２の
条件でＡｒイオンを照射した。また、この照射条件で、
パネル基板１０を図示矢印の方向（すなわち、パネル基
板１０のパネル面に平行な（含まれる）方向であって、
イオン源２１がパネル面に対して傾斜している方位に向
かう方向）に１ｃｍ／秒の速度で移動（走査）させなが
ら配向処理を実施した。もちろん、パネル基板１０の代
わりにイオン源２１を走査してもよい。

【００３５】配向処理におけるイオン照射の条件は、図
２に示すイオン加速電圧と液晶分子のプレチルト角及び
配向秩序度との関係（イオンの照射角度を４５°とした
場合のデータである。）、図３に示す照射角度とプレチ
ルト角及び配向秩序度との関係（イオン加速電圧を１０
０Ｖとした場合のデータである。）、図４に示す真空度
と配向秩序度との関係（照射角度を４５°、イオン加速
電圧を１００Ｖとし、イオン照射口から配向膜１２まで
の距離をＬとしたときのデータである。）などから最適
化されることが好ましい。

【００３６】ここで、プレチルト角は配向膜１２に接す
る液晶分子の角度であり、「液晶応用」（岡野光治／小
林駿介共編）第６３頁に記載されている磁界電位法を
用いて１８０°配向処理方向が異なるアンチパラレル液
晶セルで測定を行ったものである。配向秩序度は、同書
第２８頁に記載されているＧＨ（ゲストホスト）液晶を
用いて測定を行ったものであり、少なくとも１ｃｍ^２以
上の面積範囲において平均をとったものである。イオン
加速電圧としては、プレチルト角を高く、配向秩序度を
高くするために、１００Ｖ以上、２００Ｖ以下であるこ
とが好ましい。また同様に、プレチルト角と配向秩序度
の観点から、イオンの照射角度θは４０〜５０°、特に
４５〜５０°であることが好ましい。さらに、イオン照
射時の真空度が１０^−１〜１０^−４torrであり、しか
も、イオン照射口から配向膜１２までの距離Ｌが１ｍｍ
以上３００ｍｍ以下であることが好ましい。

【００３７】特に、液晶表示装置としては、配向膜１２
の配向処理後の厚さが１０〜１００ｎｍの範囲内である
ことが、配向膜による電圧降下の影響を少なくし、しか
も、充分な配向規制力を確保するために好ましい。

【００３８】次に、上述のように配向処理された配向膜
１２に対して、図１（ｂ）に示すように例えば、金属製
のマスク１３をセットしてほぼ垂直方向からイオン照射
を行う。この工程は、上記のパネル基板１０の表面上か
ら不要な配向膜１２を除去するための配向膜除去工程で
ある。このときのイオン加速電圧としては、配向処理を
施す必要がないとともに、短時間で配向膜１２の除去を
行うためには１０００Ｖ以上であることが好ましい。特
に、１０００Ｖ以上１５００Ｖ以下であることが配向膜
１２の除去速度を実用的な範囲にするとともに、表面構
造１１へのダメージを与えない観点から望ましい。

【００３９】配向膜のイオンビームによる除去は、イオ
ンビームを主として配向膜を除去したい部分を中心に照
射できるようにイオン源２１とパネル基板１０とを相対
的に走査して行うことが好ましい。このようにすること
によって、配向膜１２の不要部分を均一に除去すること
ができる。

【００４０】この工程では、イオンビームを配向膜１２
の表面に対して垂直方向から照射することによって、配
向膜１２とマスク１３との間隔が存在しても、マスク１
３の平面パターンに対して精度良く一致した範囲で配向
膜１２を除去できるとともに、イオンによる配向膜の除
去効率を高めることができ、迅速に工程を完了させるこ
とができる。

【００４１】図８には、イオン照射時のイオン加速電圧
を変化させた場合の上記配向膜の除去率（％）を測定し
た結果を示す。ここでは、一例として配向膜の厚さは約
５００オングストロームである。イオン電流密度は約２
０μＡ／ｃｍ^２、イオン照射時間は約２０秒である。
尚、ここで記載のイオン照射時間とは所定の個所に実質
にイオンが照射される時間を示す。従って、イオン照射
する場合は所定の幅を有するイオンビームを走査させな
がら所定の個所を２０秒照射しても良いし、あるいはイ
オンビームを走査させずに一度に所定の個所にビームを
２０秒照射させても良い。この図から分かるように、イ
オン加速電圧が１０００Ｖ以上であれば配向膜をほぼ完
全に除去できる。また、イオン加速電圧は１５００Ｖ以
下であると基板の表面構造に損傷を与えずに配向膜を除
去することができる。尚、イオン電流密度は１５μＡ／
ｃｍ^２以上２５μＡ／ｃｍ^２以下であり、イオン照射時
間が２０秒以上であればほぼ同様な結果が得られた。

【００４２】図９には、イオン照射時のイオン電流密度
を変化させた場合の上記と同じ配向膜の除去率（％）を
測定した結果を示す。ここで、イオン加速速度は約２０
０Ｖ、イオン照射時間は約２０秒である。この図から分
かるように、イオン電流密度が１００μＡ／ｃｍ^２以上
であると配向膜をほぼ完全に除去できる。また、イオン
電流密度が１５０μＡ／ｃｍ^２以下であると基板の表面
構造に損傷を与えずに配向膜を除去できる。尚、イオン
加速電圧は１５０Ｖ以上２５０Ｖ以下、イオン照射時間
は２０秒以上であればほぼ同様な結果が得られた。

【００４３】図１０には、イオン照射時の基板表面のイ
オン照射時間の平均値を変化させた場合の上記と同じ配
向膜の除去率（％）を測定した結果を示す。ここで、イ
オン加速電圧は約２００Ｖ、イオン電流密度は約２０μ
Ａ／ｃｍ^２である。イオン照射時間が１００秒を越える
とほぼ完全に配向膜が除去できる。尚、イオン加速電圧
は１５０Ｖ以上２５０Ｖ以下、イオン電流密度は１５μ
Ａ／ｃｍ^２以上２５μＡ／ｃｍ^２の場合同様な結果が得
られた。

【００４４】基板上の配向膜に配向処理を施すと共に、
配向膜の不要部分を除去する方法としては、上記の説明
にあるように配向処理工程と、配向膜除去工程とを順次
に行っていく方法の他に、イオンビームを走査していく
際に、配向膜の必要部分にはイオン照射による配向処理
を施し、配向膜の不要部分にはイオン照射による膜除去
処理を施すことによって、一工程で配向膜の処理をする
方法がある。この方法は、配向膜の必要部分に対するイ
オン照射条件と、不要部分に対するイオン照射条件とを
異ならせることによって実施できる。このときの配向膜
の必要部分に対するイオン照射条件は上述の配向処理工
程にて説明した条件を採用でき、配向膜の不要部分に対
するイオン照射条件は上述の配向膜の除去工程に対する
説明部分で記述した条件を採用できる。

【００４５】なお、イオンビームの走査はイオンビーム
と基板のいずれを移動させることによっても行うことが
できる。また、このときの走査手順としては、基板上の
配向膜の必要部分のみをまとめて先に走査した後にイオ
ン照射条件を切り換えて配向膜の不要部分をまとめて走
査することも可能であり、或いは、配向膜上にイオンビ
ームを順次に走査していく際に、配向膜の必要部分の表
面上にイオンビームが照射される期間と不要部分の表面
上にイオンビームが照射されている期間とでイオンビー
ムの照射条件を繰り返し切り換えるように制御すること
も可能である。

【００４６】図５は、パネル基板１０の平面図である。
パネル基板１０の内部に一点鎖線で示された矩形領域は
液晶表示領域１０Ａであって、配向膜１２に対して配向
処理を施す必要のある領域である。この液晶表示領域１
０Ａの外側には図示点線で示すようにシール材が塗布さ
れる予定のシール領域１０Ｂであり、このシール領域１
０Ｂには配向膜１２の素材や溶剤などが付着するとシー
ルの接着強度が低下するため、配向膜１２を完全に除去
する必要のある領域である。シール領域１０Ｂのさらに
外側には駆動用ＩＣやフレキシブル配線基板などを実装
する外部領域１Ｃであり、この領域においても、実装不
良を防止するために配向膜１２を完全に除去する必要が
ある。したがって、上記の図１（ｂ）に示す工程では、
マスク１３によって図５に示す液晶表示領域１０Ａにあ
る配向膜１２の表面を完全に覆い隠し、液晶表示領域１
０Ａの表面にイオンが照射されないようにして、シール
領域１０Ｂ及び外部領域１０Ｃの配向膜１２を完全に除
去する。

【００４７】本実施形態は、特に、液晶プロジェクタな
どの投射型表示装置のライトバルブに用いる高精細な液
晶パネルを製造する場合に特に効果的である。高精細な
液晶パネルでは配向不良などの影響が大きいとともに、
塵埃などの存在によって表示品位が大きく損なわれると
ともに、シール領域や外部領域から配向素材を完全にな
くすことが印刷法などでは困難であるからである。

【００４８】図６は、本実施形態を適用したＴＦＴ素子
を備えたアクティブマトリクス型の液晶パネルの素子基
板上の表面構造の平面パターンを示し、図７は図６のＸ
−Ｘ線に沿って切断した基板断面構造を示すものであ
る。素子基板上には走査線１０１とデータ線１０３が縦
横にそれぞれ並列するように形成され、走査線１０１は
画素毎に形成されたＴＦＴ１０４のゲートに接続され、
ＴＦＴ１０４のソースはデータ線１０３に接続されてい
る。ＴＦＴ１０４のドレインは画素電極１０６に電気的
接続されているとともに蓄積容量１０５に電気的接続さ
れている。蓄積容量１０５は容量線１０２に接続されて
いる。この蓄積容量１０５を形成する方法としては、容
量線１０２の代わりに前段の走査線１０１との間に接続
してもよい。ＴＦＴ１０４は図６に斜線にて示す領域に
延在し、ソース１０４１はデータ線１０３に対して開口
部１０４１ａにて導電接続され、ゲート１０４２は走査
線１０１と交差して図示しない薄い絶縁膜を介して対向
する。ドレイン１０４３は開口部１０４３ａを介して画
素電極１０６と導電接続される。これらの構造から延在
した下電極１０４０は容量線１０２と絶縁層を介して平
面的に重なり、上記蓄積容量１０５を構成している。蓄
積容量１０５は、公知のように電荷のリークに対して画
素電極１０６の電位を長時間保持するためのものであ
る。

【００４９】図６に示すような素子基板上に配向膜を形
成し、配向処理を行う場合、従来のラビング法では、素
子基板上の表面構造の凹凸（例えば配線部分が凸部とな
る。）によって凸部の際部などにおいて配向が充分にな
されない場合があり、配向不良が発生する可能性があ
る。特に、投射型表示装置に用いられる高精細な液晶パ
ネルでは配向不良の部分が大きく画質に影響する。

【００５０】これに対して、本実施形態では、ラビング
による発塵や洗浄の必要性をなくすことができ、表面の
凹凸による配向不良の有無にも無縁である（４０〜５０
°の傾斜角でイオンを照射しても配線の凹凸による影響
はほとんど発生しないため、配向不良も抑制できる。）
から、支障なく製造することができる。そして、イオン
照射によって配向膜の配向処理と、不要部分の除去の２
つの処理を行うことができるので、生産性が向上し、製
造コストも低減できる。

【００５１】上記実施形態では、配向処理のためのイオ
ン照射工程と、不要部分除去のためのイオン照射工程と
を連続して行っているが、必ずしも連続して行う必要は
なく、両工程の間に他の処理を挟んだり、或いは、両工
程の間で一旦真空を解除してもよい。また、両工程の順
序を逆にして行ってもよい。

【００５２】上記両工程を同じ装置内にて連続して行う
には、イオン照射装置内にマスクを交換したり、マスク
を繰り出したり待避させたりする機構と、イオンビーム
の照射方向とパネル基板のパネル面との角度を変える機
構とを設ける必要がある。この場合、イオン照射条件と
しては、両工程においてそれぞれ最適な条件で行うこと
が望ましい。例えば、不要な配向膜除去工程では４０〜
５０°の傾斜角のままでも、電圧、電流密度、時間（送
り速度）、真空度、イオン種の調整により除去が可能で
ある。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、イ
オン照射によって配向膜の配向処理と不要部分の除去と
を共に行うことができるので、印刷法において問題とな
る周囲部分への配向素材の付着を回避できると同時に、
製造時の手間を低減して生産性を高めることができ、液
晶装置の品位低下を抑制しながら製造コストの低減を図
ることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る液晶装置の製造方法の実施形態に
おける配向処理工程を示す模式的な説明図（ａ）及び配
向膜除去工程を示す模式的な説明図（ｂ）である。

【図２】同実施形態における配向膜へのイオン照射にお
いて、イオン加速電圧に対する液晶のプレチルト角及び
配向秩序度の変化を示すグラフである。

【図３】同実施形態における配向膜へのイオン照射にお
いて、照射角度に対するプレチルト角及び配向秩序度の
変化を示すグラフである。

【図４】同実施形態における配向膜へのイオン照射にお
いて、真空度に対する配向秩序度の変化をイオン照射口
から配向膜までの距離Ｌ毎に示すグラフである。

【図５】パネル面上の各領域を示すためのパネル基板の
平面図である。

【図６】液晶パネルの素子基板上の表面構造の平面パタ
ーンを示す拡大平面図である。

【図７】図６のＸ−Ｘ線に沿って切断した場合の素子基
板の断面構造を示す拡大断面図である。

【図８】イオン照射時のイオン加速電圧を変化させた場
合の配向膜の除去率を示すグラフである。

【図９】イオン照射時のイオン電流密度を変化させた場
合の配向膜の除去率を示すグラフである。

【図１０】イオン照射時のイオン照射時間を変化させた
場合の配向膜の除去率を示すグラフである。

【符号の説明】

１０パネル基板１１表面構造１２配向膜１３マスク２１イオン源２２加速電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】２枚の基板間に液晶を配置してなる液晶
装置の製造方法において、前記基板の少なくとも一方の
内面上に形成された配向膜の表面にイオン照射を施して
配向させる配向処理工程と、前記配向膜の不要部分をイ
オン照射によって選択的に除去する配向膜除去工程とを
備えていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】請求項１において、前記配向膜除去工程
においては、イオン源と前記配向膜の表面との間に、前
記配向膜の必要部分を覆い隠すマスクを配置してイオン
ビームを照射することを特徴とする液晶装置の製造方
法。
【請求項３】請求項１又は請求項２において、前記配
向膜除去工程においては、前記配向膜の表面に対して交
差する方向からイオンビームを照射することを特徴とす
る液晶装置の製造方法。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれか一項におい
て、前記配向膜除去工程において、イオン電流密度が１
５μＡ／ｃｍ^２以上２５μＡ／ｃｍ^２であり、イオン照
射時間が２０秒以上の場合、イオン加速速度が１０００
Ｖ以上１５００Ｖ以下であることを特徴とする液晶装置
の製造方法。
【請求項５】請求項１乃至３のいずれか一項におい
て、前記配向膜除去工程において、イオン加速電圧が１
５０Ｖ以上２５０Ｖ以下であり、イオン照射時間が２０
秒以上の場合、イオン電流密度（μＡ／ｃｍ^２）が１０
０以上１５０以下であることを特徴とする液晶装置の製
造方法。
【請求項６】請求項１乃至３のいずれか一項におい
て、前記配向膜除去工程において、イオン電流密度が１
５μＡ／ｃｍ^２以上２５μＡ／ｃｍ^２であり、イオン加
速電圧が１５０Ｖ以上２５０Ｖ以下の場合、イオン照射
時間が１００秒以上であることを特徴とする液晶装置の
製造方法。
【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれか一項に
おいて、前記配向処理工程において、前記配向膜の法線
に対して以下の条件でイオン照射を行うことを特徴とす
る液晶装置の製造方法。イオン加速電圧１００〜２００Ｖチャンバー真空度１０^−１〜１０^−４ｔｏｒｒイオン照射角度４０〜５０度
【請求項８】請求項１から請求項７までのいずれか一
項において、前記配向膜除去工程においては、イオン源
と前記配向膜を備えた前記基板とを前記配向膜の表面に
対してほぼ平行な方向に相対移動させながらイオン照射
を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項９】請求項１から請求項８までのいずれか一
項において、前記配向処理工程及び前記配向膜除去工程
の前に、前記基板の内面上に前記配向膜を塗布する工程
を備えていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１０】請求項１から請求項９までのいずれか
一項において、前記配向処理工程と前記配向膜除去工程
とを同一のイオン照射装置内にて連続的に行うことを特
徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１１】請求項１から請求項１０までのいずれ
か一項において、前記配向処理工程を行ってから前記配
向膜除去工程を行うことを特徴とする液晶装置の製造方
法。
【請求項１２】請求項１から請求項１１までのいずれ
か一項において、前記配向処理工程においては、前記配
向膜の表面に対し所定方位に向けて所定角度傾斜させた
方向からイオンビームを照射することを特徴とする液晶
装置の製造方法。
【請求項１３】２枚の基板間に液晶を配置してなる液
晶装置の製造方法において、前記基板の少なくとも一方
の内面上に形成された配向膜の表面にイオン照射を施す
イオン照射工程を有し、該イオン照射工程においては、
イオンビーム若しくは前記基板を走査して、前記配向膜
の必要部分に配向処理を行うとともに前記配向膜の不要
部分をイオン照射によって選択的に除去することを特徴
とする液晶装置の製造方法。
【請求項１４】請求項１３において、前記配向膜の必
要部分に対してはイオンビームの照射強度若しくは照射
量を少なく、前記配向膜の不要部分に対しては照射強度
若しくは照射量を多くした条件で照射を行うことを特徴
とする液晶装置の製造方法。