JP2001133793A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示素子を提供する。
【解決手段】 お互い対向するように備えられている上
下基板、前記二枚の基板上部に各々順次に形成された電
極と配向膜、前記二枚の基板上に形成された配向膜間に
挿入されている液晶層及び前記二枚の基板間の間隔を制
御するスペーサを含む液晶表示素子において、前記スペ
ーサの表面にイオン吸収物質よりなるコーティング膜が
形成されていることを特徴とする。これにより、液晶セ
ル内のイオンや汚染物質発生に従う不都合な結果を未然
に防止できるようになって信頼性が向上する。即ち、液
晶の配向特性が変わって画像表示によごれが生じる現象
を防止できるだけでなく、液晶の比抵抗減少を防止でき
て漏話現象が発生することとコントラストが低下される
ことを予防できるようになる。
下基板、前記二枚の基板上部に各々順次に形成された電
極と配向膜、前記二枚の基板上に形成された配向膜間に
挿入されている液晶層及び前記二枚の基板間の間隔を制
御するスペーサを含む液晶表示素子において、前記スペ
ーサの表面にイオン吸収物質よりなるコーティング膜が
形成されていることを特徴とする。これにより、液晶セ
ル内のイオンや汚染物質発生に従う不都合な結果を未然
に防止できるようになって信頼性が向上する。即ち、液
晶の配向特性が変わって画像表示によごれが生じる現象
を防止できるだけでなく、液晶の比抵抗減少を防止でき
て漏話現象が発生することとコントラストが低下される
ことを予防できるようになる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子に係
り、より詳細には経時変化（a change on standingまた
はa change with the passage of time）に関係なくコ
ントラスト特性に優れ、画像表示の品質に優れるだけで
なく、漏話（crosstalk）現象がなくて信頼性が向上し
た液晶表示素子に関する。
り、より詳細には経時変化（a change on standingまた
はa change with the passage of time）に関係なくコ
ントラスト特性に優れ、画像表示の品質に優れるだけで
なく、漏話（crosstalk）現象がなくて信頼性が向上し
た液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は外部ソースから光を受け
て像（image）を示す受光素子であって、消費電力が他
のディバイスに比べて非常に少なく、超小型から大型ま
で各種サイズの生産が可能で、表示パターンを多様化で
きるという利点があって表示装置分野で非常に重要な位
置を占めている。
て像（image）を示す受光素子であって、消費電力が他
のディバイスに比べて非常に少なく、超小型から大型ま
で各種サイズの生産が可能で、表示パターンを多様化で
きるという利点があって表示装置分野で非常に重要な位
置を占めている。
【０００３】一般的な液晶表示素子は、相互対向するよ
うに設けられた上、下部基板とこの基板上に上、下部電
極と配向膜が順次形成され、この配向膜間には液晶層が
形成される。
うに設けられた上、下部基板とこの基板上に上、下部電
極と配向膜が順次形成され、この配向膜間には液晶層が
形成される。
【０００４】前述したような液晶表示素子において、液
晶の配列は外部の電圧印加の有無によって変化し、この
ような液晶の配列変化に従って液晶表示素子に流入され
る外部の光が遮断及び透過される。即ち、前記液晶表示
素子に電圧が印加されれば液晶層に電界が形成される。
その結果、液晶は一定方向に配向し、液晶が配向するか
否かによって表示素子の液晶内部に流入する外部の光が
遮断または透過されてディスプレイスクリーン膜に像が
具現される。
晶の配列は外部の電圧印加の有無によって変化し、この
ような液晶の配列変化に従って液晶表示素子に流入され
る外部の光が遮断及び透過される。即ち、前記液晶表示
素子に電圧が印加されれば液晶層に電界が形成される。
その結果、液晶は一定方向に配向し、液晶が配向するか
否かによって表示素子の液晶内部に流入する外部の光が
遮断または透過されてディスプレイスクリーン膜に像が
具現される。
【０００５】ところが、このような液晶表示素子は、作
動時間が経つにつれて配向膜やシーリング部材からホコ
リのような汚染物質、イオンが発生し、液晶表示素子の
コントラスト特性が低下し、漏話現象を引き起こす。こ
の他にも液晶の配向特性が変化して画像によごれが生じ
る問題点がある。
動時間が経つにつれて配向膜やシーリング部材からホコ
リのような汚染物質、イオンが発生し、液晶表示素子の
コントラスト特性が低下し、漏話現象を引き起こす。こ
の他にも液晶の配向特性が変化して画像によごれが生じ
る問題点がある。
【０００６】これをより具体的に説明すれば、誘電率が
高い極性液晶を使用する場合、この極性液晶物質がシー
リング部材を一部溶解して液晶層とシーリング部材の境
界面でイオンが発生し、これにより液晶物質の純度が低
下する。
高い極性液晶を使用する場合、この極性液晶物質がシー
リング部材を一部溶解して液晶層とシーリング部材の境
界面でイオンが発生し、これにより液晶物質の純度が低
下する。
【０００７】また、前記配向膜は、基板上にポリイミド
のような有機高分子物質よりなる薄膜を形成し硬化した
後、前記結果物を特殊形態の布でラビングして液晶分子
の配向方向を制御するラビング法により主に形成され
る。ところが、ラビング時使われた特殊形態の布から微
細粒子または繊維素が抜け出て汚染物質が発生し、ラビ
ング時に発生する静電気によって薄膜トランジスタが損
傷されて、液晶表示素子の性能を低下させる問題点があ
る。
のような有機高分子物質よりなる薄膜を形成し硬化した
後、前記結果物を特殊形態の布でラビングして液晶分子
の配向方向を制御するラビング法により主に形成され
る。ところが、ラビング時使われた特殊形態の布から微
細粒子または繊維素が抜け出て汚染物質が発生し、ラビ
ング時に発生する静電気によって薄膜トランジスタが損
傷されて、液晶表示素子の性能を低下させる問題点があ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
問題点を解決して経時変化に関係なくコントラスト特性
に優れただけでなく、画像表示によごれが生じなく漏話
現象が発生しなくて信頼性が改善された液晶表示素子を
提供することにある。
問題点を解決して経時変化に関係なくコントラスト特性
に優れただけでなく、画像表示によごれが生じなく漏話
現象が発生しなくて信頼性が改善された液晶表示素子を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明では、お互い対向するように備えられている上
下基板、前記二枚の基板上部に各々順次に形成された電
極と配向膜、前記二枚の基板上に形成された配向膜間に
挿入されている液晶層及び前記二枚の基板間の間隔を制
御するスペーサを含む液晶表示素子において、前記スペ
ーサの表面にイオン吸収物質よりなるコーティング層ま
たは膜が形成されていることを特徴とする液晶表示素子
を提供する。
に本発明では、お互い対向するように備えられている上
下基板、前記二枚の基板上部に各々順次に形成された電
極と配向膜、前記二枚の基板上に形成された配向膜間に
挿入されている液晶層及び前記二枚の基板間の間隔を制
御するスペーサを含む液晶表示素子において、前記スペ
ーサの表面にイオン吸収物質よりなるコーティング層ま
たは膜が形成されていることを特徴とする液晶表示素子
を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の望ましい実施例に対して詳細に説明する。
発明の望ましい実施例に対して詳細に説明する。
【００１１】液晶表示素子で応答速度、コントラスト、
視野角のような特性は液晶層の厚さと密接な関係があ
る。従って、使用する液晶物質の光学特性に合わせてそ
の液晶層の厚さを正確に設定することが非常に重要であ
る。もし液晶層の厚さを一定に制御できなければ画像に
よごれが発生して表示品質がだいぶ低下する。このよう
な液晶層の厚さ、即ち、セルギャップを適切に制御する
役割を担うのがスペーサである。本発明では、このよう
なスペーサの表面にイオン吸収物質層を形成して配向膜
やシーリング部材からのイオンやホコリなどの汚染物質
を吸収、除去しようとすることにその特徴がある。
視野角のような特性は液晶層の厚さと密接な関係があ
る。従って、使用する液晶物質の光学特性に合わせてそ
の液晶層の厚さを正確に設定することが非常に重要であ
る。もし液晶層の厚さを一定に制御できなければ画像に
よごれが発生して表示品質がだいぶ低下する。このよう
な液晶層の厚さ、即ち、セルギャップを適切に制御する
役割を担うのがスペーサである。本発明では、このよう
なスペーサの表面にイオン吸収物質層を形成して配向膜
やシーリング部材からのイオンやホコリなどの汚染物質
を吸収、除去しようとすることにその特徴がある。
【００１２】また、本発明の液晶表示素子では配向膜が
イオン吸収物質を含有する場合もある。ここでイオン吸
収物質としては、液晶セル内で発生するイオンを吸収、
除去できる物質であれば全て使用可能である。イオン吸
収物質の具体的な例として、イオン交換樹脂（商品名：
アンバライト樹脂（amberite resin）、セファデックス
樹脂（sephadex resin）、販売会社： Aldrich）、ク
ロロメチル化（chloromethylated）スチレン／ジビニル
ベンゼンコポリマー（商品名：メリフィルドぺプチド樹
脂（merrifield’s peptide resin）、販売会社：Aldri
ch）及びシリカゲル中で選択された一つ以上である。
イオン吸収物質を含有する場合もある。ここでイオン吸
収物質としては、液晶セル内で発生するイオンを吸収、
除去できる物質であれば全て使用可能である。イオン吸
収物質の具体的な例として、イオン交換樹脂（商品名：
アンバライト樹脂（amberite resin）、セファデックス
樹脂（sephadex resin）、販売会社： Aldrich）、ク
ロロメチル化（chloromethylated）スチレン／ジビニル
ベンゼンコポリマー（商品名：メリフィルドぺプチド樹
脂（merrifield’s peptide resin）、販売会社：Aldri
ch）及びシリカゲル中で選択された一つ以上である。
【００１３】以下、添付した図１を参照して、本発明に
係る液晶表示素子の一例を説明する。
係る液晶表示素子の一例を説明する。
【００１４】図１を参照すれば、液晶表示素子は上下基
板１１、１１’がお互い対向設置され、上部基板１１の
上部にはカラーフィルター層１２が形成される。そして
上部基板１１上のカラーフィルター層１２の上部と下部
基板１１’の上部にはＩＴＯ電極１３、１３’が各々形
成されていて、このＩＴＯ電極１３、１３’の上部には
液晶の配向のための配向膜１４、１４’が各々形成され
ている。そして前記ＩＴＯ電極１３、１３’上の配向膜
１４、１４’間には液晶層１５が形成されていて、上下
基板１１、１１’間の間隔を維持して液晶層１５の厚さ
を所定範囲内に調節するスペーサ１６がある。このと
き、上下基板１１、１１’はシーリング部材１８によっ
て接合されている。
板１１、１１’がお互い対向設置され、上部基板１１の
上部にはカラーフィルター層１２が形成される。そして
上部基板１１上のカラーフィルター層１２の上部と下部
基板１１’の上部にはＩＴＯ電極１３、１３’が各々形
成されていて、このＩＴＯ電極１３、１３’の上部には
液晶の配向のための配向膜１４、１４’が各々形成され
ている。そして前記ＩＴＯ電極１３、１３’上の配向膜
１４、１４’間には液晶層１５が形成されていて、上下
基板１１、１１’間の間隔を維持して液晶層１５の厚さ
を所定範囲内に調節するスペーサ１６がある。このと
き、上下基板１１、１１’はシーリング部材１８によっ
て接合されている。
【００１５】このような構成を有する液晶表示素子で
は、前記スペーサ１６の表面にはイオン吸収物質層１７
がコーティングされている。イオン吸収物質層１７の厚
さは特別に限定されてはいないが、５００乃至１５００
Åであることが望ましい。そして、配向膜１４、１４’
にはイオン吸収物質が含まれる場合もある。このように
スペーサ表面にイオン吸収物質層を形成し、イオン吸収
物質が含まれた配向膜を形成すれば、配向膜１４、１
４’と上下基板１１、１１’を接合して密封するシーリ
ング部材１８からのイオン物質、その他の汚染物質を効
率的に吸収、除去できる。
は、前記スペーサ１６の表面にはイオン吸収物質層１７
がコーティングされている。イオン吸収物質層１７の厚
さは特別に限定されてはいないが、５００乃至１５００
Åであることが望ましい。そして、配向膜１４、１４’
にはイオン吸収物質が含まれる場合もある。このように
スペーサ表面にイオン吸収物質層を形成し、イオン吸収
物質が含まれた配向膜を形成すれば、配向膜１４、１
４’と上下基板１１、１１’を接合して密封するシーリ
ング部材１８からのイオン物質、その他の汚染物質を効
率的に吸収、除去できる。
【００１６】スペーサ１６周囲にコーティングされたイ
オン吸収物質膜１７は、イオン吸収物質０．５乃至５質
量％を溶媒に分散させた組成物をコーティング及び乾燥
して形成される。ここで溶媒としては、イオン吸収物質
を溶解及び／または分散できるものであれば全て使用で
きる。
オン吸収物質膜１７は、イオン吸収物質０．５乃至５質
量％を溶媒に分散させた組成物をコーティング及び乾燥
して形成される。ここで溶媒としては、イオン吸収物質
を溶解及び／または分散できるものであれば全て使用で
きる。
【００１７】イオン吸収物質が含まれた配向膜は、配向
膜形成用高分子のポリイミド、溶媒及びイオン吸収物質
を混合した組成物をコーティング及び乾燥した後、これ
を配向することによって形成される。このとき配向膜の
配向方法は特に限定されてはいないが、本発明ではラビ
ング処理法を使用する。そして配向膜形成用組成物内で
のイオン吸収物質の含量は、配向膜組成物の総質量を基
準として、０．５乃至５質量％範囲で調節することが望
ましい。
膜形成用高分子のポリイミド、溶媒及びイオン吸収物質
を混合した組成物をコーティング及び乾燥した後、これ
を配向することによって形成される。このとき配向膜の
配向方法は特に限定されてはいないが、本発明ではラビ
ング処理法を使用する。そして配向膜形成用組成物内で
のイオン吸収物質の含量は、配向膜組成物の総質量を基
準として、０．５乃至５質量％範囲で調節することが望
ましい。
【００１８】本発明の液晶表示装置では一般的なスペー
サを全て使用できる。例えば無機質スペーサ、プラスチ
ックスペーサを全て使用できる。
サを全て使用できる。例えば無機質スペーサ、プラスチ
ックスペーサを全て使用できる。
【００１９】以上述べたように、液晶セル内に挿入する
スペーサ表面にイオン吸収物質層をコーティングしたり
及び／または配向膜にイオン吸収物質を含有させれば、
経時的な液晶の配向特性の変化を最小化できる。その結
果、画像表示の品質、コントラスト特性及び漏話フリー
特性が経時変化によって影響されないため、液晶表示素
子の信頼性が向上する。
スペーサ表面にイオン吸収物質層をコーティングしたり
及び／または配向膜にイオン吸収物質を含有させれば、
経時的な液晶の配向特性の変化を最小化できる。その結
果、画像表示の品質、コントラスト特性及び漏話フリー
特性が経時変化によって影響されないため、液晶表示素
子の信頼性が向上する。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、液晶セル内のイオンや
汚染物質発生に従う不都合な結果を未然に防止できるよ
うになって信頼性が向上する。即ち、液晶の配向特性が
変わって画像表示によごれが生じる現象を防止できるだ
けでなく、液晶の比抵抗減少を防止できて漏話現象の発
生とコントラストの低下を予防できるようになる。
汚染物質発生に従う不都合な結果を未然に防止できるよ
うになって信頼性が向上する。即ち、液晶の配向特性が
変わって画像表示によごれが生じる現象を防止できるだ
けでなく、液晶の比抵抗減少を防止できて漏話現象の発
生とコントラストの低下を予防できるようになる。
【図１】本発明の一実施例に係る液晶表示素子の構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
１１、１１’…上下基板 １２…カラーフィルター層 １３、１３’…ＩＴＯ電極 １４、１４’…配向膜 １５…液晶層 １６…スペーサ １７…イオン吸収物質層 １８…シーリング部材
Claims (3)
- 【請求項１】 お互い対向するように備えられている上
下基板、前記二枚の基板上部に各々順次に形成された電
極と配向膜、前記二枚の基板上に形成された配向膜間に
挿入されている液晶層及び前記二枚の基板間の間隔を制
御するスペーサを含む液晶表示素子において、 前記スペーサの表面にイオン吸収物質よりなるコーティ
ング層が形成されていることを特徴とする液晶表示素
子。 - 【請求項２】 前記配向膜がイオン吸収物質を含んでい
ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。 - 【請求項３】 前記イオン吸収物質がイオン交換樹脂、
クロロメチル化スチレン／ジビニルベンゼンコポリマー
及びシリカゲルよりなる群から選択された一つ以上でな
されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載
の液晶表示素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990041051A KR100637115B1 (ko) | 1999-09-22 | 1999-09-22 | 액정표시소자 |
| KR99P41051 | 1999-09-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001133793A true JP2001133793A (ja) | 2001-05-18 |
Family
ID=19612711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000287098A Pending JP2001133793A (ja) | 1999-09-22 | 2000-09-21 | 液晶表示素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6493058B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001133793A (ja) |
| KR (1) | KR100637115B1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030053017A1 (en) * | 2001-09-20 | 2003-03-20 | Hongqin Shi | Thin cell gap microdisplays with optimum optical properties |
| US7299805B2 (en) | 2002-06-07 | 2007-11-27 | Marctec, Llc | Scaffold and method for implanting cells |
| US20050249899A1 (en) * | 2004-05-06 | 2005-11-10 | Bonutti Peter M | Biodegradable packaging material |
| KR20070079184A (ko) * | 2006-02-01 | 2007-08-06 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101348760B1 (ko) | 2007-01-20 | 2014-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 이온 포착 구조를 구비한 액정표시패널 및 이를 포함한액정표시장치 |
| CN103820130B (zh) * | 2014-01-21 | 2015-07-08 | 北京京东方显示技术有限公司 | 液晶取向剂、液晶取向层及其制备方法、液晶显示面板 |
| JP2022129556A (ja) * | 2021-02-25 | 2022-09-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
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| JPH02264926A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-29 | Seiko Epson Corp | 液晶装置 |
| JPH06110064A (ja) * | 1991-01-08 | 1994-04-22 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
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Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03164713A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 強誘電性液晶電気光学装置とその作製方法 |
| GB2281709B (en) * | 1993-09-14 | 1998-04-08 | Fujitsu Ltd | Biodegradable resin moulded article |
| US5503932A (en) * | 1993-11-17 | 1996-04-02 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Organic-inorganic composite particles and production process therefor |
| DE69838927T2 (de) * | 1997-06-12 | 2009-02-26 | Sharp K.K. | Anzeigevorrichtung mit vertical ausgerichtetem Flüssigkristall |
| JP4168488B2 (ja) * | 1998-08-28 | 2008-10-22 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1999
- 1999-09-22 KR KR1019990041051A patent/KR100637115B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
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