JPH01298059A - Pztの製造方法 - Google Patents

Pztの製造方法

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JPH01298059A
JPH01298059A JP63128621A JP12862188A JPH01298059A JP H01298059 A JPH01298059 A JP H01298059A JP 63128621 A JP63128621 A JP 63128621A JP 12862188 A JP12862188 A JP 12862188A JP H01298059 A JPH01298059 A JP H01298059A
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powder
pzt
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calcined
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JP63128621A
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English (en)
Inventor
Muneo Yorinaga
宗男 頼永
Masahiro Tomita
正弘 富田
Akira Fujii
章 藤井
Hirosuke Makino
太輔 牧野
Masataka Naito
正孝 内藤
Shinichi Shirasaki
信一 白崎
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National Institute for Research in Inorganic Material
Denso Corp
Original Assignee
National Institute for Research in Inorganic Material
NipponDenso Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)の製造方法
に関する。PZTは、二成分系PZT(一般式PbZr
0a−PbTi○3で表される)あるいは三成分系PZ
T(一般式PbZr0.−P b T i 03  P
 b (Ml/3 N bビyz) 03  :但し、
MはMg、Zn又はNi、あるいは一般式PbZr03
P bT i Os  P b (Yl/□Nb+y□
)0.で表される)があるが、圧電特性に優れ、アクチ
ュエータ、センサとして広範囲の分野で利用されている
〔従来の技術〕
従来、PZTは、工業的には原料粉末(酸化鉛粉末、酸
化ジルコニウム粉末、酸化チタン粉末等)を混合し、仮
焼し、得られた粉末を成形後焼結する、いわゆる乾式法
によって製造されている。
しかし、これら原料粉末の特性が十分でない場合には、
粉末特性の良いPZT粉末を得ることは難しい。
例えばZr(ジルコニウム)は、特に凝集し易いことが
知られており、単分散したサブミクロン級の粉末特性の
良いものを得ることは難しい。このような凝集した原料
粉末を使用して乾式法でPZT粉末を作成しても、その
平均粒径はせいぜい2μm程度で、これを焼結しても焼
結性がよく、高密度でかつ高性能なPZT磁器を得るこ
とは難しい。
(発明が解決しようとする課題〕 本発明は、PZTの乾式法による合成における欠点を解
消すべくなされたもので、その目的は、原料粉末の一部
(Zr成分)を多段湿式法によって分散性の優れたサブ
ミクロン級の変成酸化物粉末となし、残部原料を単なる
乾式法によって、変成酸化物粉末に添加することによっ
て、サブミクロン級の易焼結性で均一なPZT粉末とし
、さらにこれを焼結して高密度でかつ高性能のPZTi
ff器を製造する方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明者等は、
鋭意研究の結果、次の製造方法を見出した。
PZTを構成するZr(ジルコニウム)成分の必要全量
を含む溶液(被変成成分溶液)及び残りの金属成分の少
なくとも一種の必要全量でない適量を含む溶液(変成成
分溶液)を作成する。
次いで、これら二種の溶液を二つの段階に分けて沈殿形
成液と順次混合して均密沈殿を作るか、あるいは二種の
溶液から別個に沈殿形成液を混合して沈殿を形成後混合
することにより、均密沈殿を作り、得られた均密沈殿を
洗浄、乾燥後、4゜0〜1400℃で仮焼し、変成酸化
物粉末を作成する。この変成酸化物粉末は凝集の極めて
少ないサブミクロン級の粉末となる。
これを原料とし、目的とするPZT組成を得るため、残
りの化合物粉末を乾式法によって混合し、仮焼するサブ
ミクロン級の粉末特性(焼結性、嵩密度)の優れたPZ
T粉末が得られ、これを成形、焼結すると理論密度に近
い高密度のPZT磁器が得られる。
〔第1実施例〕 四塩化チタン水溶液(0,751mol / 42濃度
)43、57 ccとオキシ硝酸ジルコニウム水溶液(
0,873moj2 / l濃度)150ccとを作成
し、用意した。ここで、四塩化チタン水溶液は、PZT
を構成するTi成分の必要全量でなく、適量を含んでお
り、一方オキシ硝酸ジルコニウム水溶液はPZTを構成
するZr成分の必要全量を含んでいる。
次に、四塩化チタン水溶液を攪拌している6N−アンモ
ニア水(沈殿形成液)12中に徐々に添加してTi”の
水酸化物沈殿を形成し、その後攪拌を続行しつつオキシ
硝酸ジルコニウムを添加してTi”とZ r 40の水
酸化物の均密沈殿を生成させた。これを洗浄、乾燥後、
11oo″Cで仮焼して(T io、z Z ra、a
) Oz組成の変成酸化物粉末を作成した。この粉末の
平均粒径は、0.28μmでほとんど単分散状態であっ
た。
変成酸化物粉末4.1983gと市販のTie2微粒子
(PZTを構成するTi成分の残量を含む)1.254
9g、PbO粉末(平均粒径1.5μm)11、16 
g 、  S mzoy微粒子0.2739 gをボー
ルミルで一昼夜混合粉砕した後、750℃で1時間仮焼
して、ランタニド元素であるSmでpbの一部を置換し
た (P bo、qss Smo、o:+)(Z r o、
sb T io、4n)03組成のPZT粉末を得た。
この粉末の平均粒径は0.35μmで単分散粒子であっ
た。
この粉末を1t/CIIIの圧力で成型した後、12o
 o ’cで1時間、鉛蒸気・酸素ガス共存雰囲気下で
焼結した。
得られた磁器の密度は、7.84で理論密度にかなり近
い値であった。
また、Sm、o3の代わりに、L a zox 、 N
 d z03 、GdzO:+等のランタニド元素の酸
化物を用いて同様の工程でPZTを各々作成した結果、
Sm、03の場合とほぼ同様の結果を得た。
比較例1 市販のPbO,SmzOi 、Ti0z 、Zr0z、
粉末をP bo、q55.  Smo、o:+ (Z 
r o、sb T f 0.44)03の組成になるよ
うに混合した。この混合物をボールミルで一昼夜混合し
た後、850℃で2時間仮焼した。得られた粉末をIt
/c+flの圧力で成型した後、1200°0で1時間
鉛蒸気、酸素ガス共存雰囲気下で焼結した。得られた磁
器の密度は7.2程度であった。
なお、仮焼して得られた粉末は、大きな凝集体からなり
、平均粒径は特定できなかった。
〔第2実施例〕 第1実施例と同様にして、(T i Oo、z Z r
 o、s)0□組成の変成酸化物粉末を作成し、この変
成酸化物粉末2.8639 g、市販のTi○2微粉末
1゜1985g、PbO粉末11.16g、NbzOs
微粒子0.8861 g、 MgO微粒子0.1344
 gをボールミルで一昼夜混合した後、750℃で1時
間仮焼して0.2 P b (Mg+z:+N bzz
:+) 03−0.4P b Z r O30,4P 
b T iO、JMi成の3成分系PZT粉末を得た。
この平均粒径は0.32μmであった。この粉末をit
/CrMの圧力で成型した後、1200℃で1時間鉛蒸
気、酸素ガス共存雰囲気下士焼結した。得られた磁器の
密度は、理論密度に極めて近かった。
また、MgOの代わりにZnO,NiOを用し)で同様
の工程で、3成分系PZTを各々作成した結果、MgO
の場合とほぼ同様の結果を得た。
比較例2 市販のPbO,NbtOs 、Zr0z 、MgO粉末
を0.2 P b (M g 0+/3N bzz*)
 Ox  0.4PbTiO:+−0,4PbZrO:
+の組成になるように混合した。この混合物をボールミ
ルで一昼夜混合した後、800℃で2時間仮焼した。得
られた粉末をit/c+fTt’成型し、鉛蒸気、酸素
力゛ス共存雰囲気下、1200℃で1時間焼結した。得
られた磁器の密度は7.2程度であった。
なお、仮焼して得られた粉末は大きな凝縮体からなり、
平均粒径は特定できなかった。
〔第3実施例〕 第1実施例と同様にして(Z r o、eT io、z
) Ox変成酸化物粉末を作成し、この変成酸化物粉末
と、市販のTiO□微粒子、PbO粉末、YzO:+ 
、 N b zo−、、S r COhの各微粒子を0
.02 P b (Yl/ZNb+/z)Ox  0.
43PbTiOt   0.55PbZ r Owl 
+0.5wt%Nb20S(pbの12.5moffi
%はSr置換)となるように秤量し、これらをボールミ
ルで一昼夜混合し、その後800℃で5時間仮焼して所
定の組成の固溶体の粉末を形成させるようにする。この
固溶体粉末の平均粒径は0.32μmであった・ このような粉末を用いて強誘電体磁器組成物の試料を作
成するようにするもので、上記粉末を500kg/CT
Aの圧力で成型してサンプルを構成し、このサンプルを
酸素雰囲気でかつ鉛蒸気が存在する状態で1160℃で
2時間焼成する。この焼成によって得られた焼成体のサ
ンプルの比重は、7゜69と高いものであった。
比較例3 市販のPbO粉末、TiO2,Zr0z 、Y2O:+
 、Nb2O5,5rCOz微粒子を0.02 P b
(Y、7□Nb+z□)C1a  0.43PbTiO
30,55P b Z r O3+0.5wt%N b
20.(P bの12.5mo1%はSr置換)となる
よう秤量し、これらをボールミルで一昼夜混合した後、
800 ’Cで5時間仮焼して固溶体粉末を形成する。
ここで、この粉末の平均粒径は1.8μmであった。
そして、この粉末を500kg/Cl1lで成型してサ
ンプルを形成し、このサンプルを酸素雰囲気でかつ鉛蒸
気が存在する状態で1300℃で2時間焼成した。この
焼成体の比重は7.38と低いものであった。
〔第4実施例〕 被変成成分溶液であるオキシ硝酸ジルコニウム水溶液(
0,873mol / 1濃度)300ccと変成成分
溶液である五塩化ニオビウム水溶液(0,751mof
/fi4度)38.75ccを作成し、用意した。
ここで、オキシ硝酸ジルコニウム水溶液は、PZTを構
成するための必要全量のZr成分を含み、五塩化ニオビ
ウム水溶液は必要全量でなく、適量のNb成分を含む。
次に、オキシ硝酸ジルコニウム水溶液を攪拌している6
N−アンモニア水(沈殿形成液)142中に徐々に添加
してZr”の水酸化物沈殿を形成後、攪拌を続行しつつ
五塩化ニオビウム水溶液を添加してZr’°とNb”の
水酸化物の均密沈殿を生成させた。これを洗浄、乾燥し
た後、1100’Cで仮焼して(Nbo、+Zro、、
)02.05組成の変成酸化物粉末を作成した。この粉
末は、粒径0.3μmのサブミクロン級の粒子であった
この変成酸化物粉末2.760 g、市販のTiO□微
粉末1.598g、PbO粉末11.16g、NbzO
3微粒子0.5907 g、 MgO微粒子0.134
4gを実施例1と同様の方法で0.2Pb(M已、7゜
Nbzz3)Oa  0.4PbZrO30,4PbT
i03組成の3成分系PZT磁器を作成した結果、得ら
れた磁器の密度は、理論密度に極めて近かった。
〔第5実施例] 第1実施例と同様に四塩化チタン水溶液とオキシ硝酸ジ
ルコニウム水溶液を作成し、用意した。
次に四塩化チタン水溶液を攪拌している6N−アンモニ
ア水1i中に徐々に添加してTi”の水酸化物沈殿を形
成した。また、別の容器を用いてオキシ硝酸ジルコニウ
ム水溶液を攪拌している6N−アンモニア水ll中に徐
々に添加してZr”の水酸化物沈殿を形成した。
ついで、両方の水酸化物沈殿を含む溶液を攪拌しながら
混合し、Ti”とz r4+の水酸化物の均密沈殿を生
成させた。これを洗浄、乾燥後、1100゛Cで仮焼し
て(T i o、z Z r (1,11) Oz組成
の変成酸化物粉末を作成した。この粉末の平均粒径は、
0.28μmでほとんど単分散状態であった。
以下第1実施例と同様にPZT粉末を作成し、これを用
いてPZTra器を作成した。
得られた磁器の密度は7.84で、理論密度に近い値で
あった。
(他の実施例〕 第5実施例では、Tiを用いてZrの変成酸化物粉末を
作成したが、四塩化チタン水溶液の代わりにオキシ硝酸
鉛(P b (NO3) り水溶液を用い、Pbを用い
て変成酸化物粉末を作成してもよい。また、四塩化チタ
ン水溶液の代わりにオキシ硝酸サマリウム(S m (
N 03) 3)水溶液を用いて変成酸化物粉末を作成
してもよい。
なお、ランタンド元素で鉛の一部を置換したPZTまた
は3成分系PZTTi器においては、その焼結性や特性
を改善するために、一般に微量の助剤を添加するのが通
例である。これらの助剤は湿式部分の工程で溶液の形と
して、または乾式的に適宜添加すればよい。ランタニド
元素で鉛の一部を置換したPZT及び3成分PZT磁器
の構成成分の化合物の水またはアルコール溶液を作成す
るための化合物としては、それらの硫酸塩、硝酸塩、塩
化物、オキシ硝酸塩、オキシ塩化物、水酸化物、酸化物
、ギ酸塩、しゅう酸塩、炭酸塩及び金属などが挙げられ
る。これらが水またはアルコールに可溶でないときは適
宜鉱酸等を加えて可溶とすることができる。
湿式部分の工程は原則として水溶液またはアルコールン
容液で行うが、アルコキンド?容7夜で行ってもよい。
沈殿形成液の試薬としては、例えば、アンモニア、炭酸
アンモニウム、苛性アルカリ、しゅう酸、しゅう酸アン
モニウムなどの他、アミン類、水酸化テトラメチルアン
モン、尿素などの有機試薬が挙げられる。しかし、これ
に限定されるものではない。
湿式部分の工程の沈殿形成に用いる沈殿形成液の種類は
一つのプロセスにおいても一種に限定されるものではな
い。
また沈殿形成を沈殿形成液を用いない方法、例えば加水
分解法、噴霧分解法等によって行ってもよい。
変成酸化物粉末を作成するために添加される変成成分の
種類と量は、該変成成分の添加によって得られる変成酸
化物粉末の凝集を抑制して得られるものであることが必
要であるが、この他にPZTに共通して含まれる成分で
あることが好ましい。
このことによって変成酸化物粉末からPZT粉末を単な
る乾式法によって製造し得るからである。
変成酸化物粉未作成のための仮焼温度は400〜140
0 ’Cであることが好ましい。400℃より低いと凝
集が起こり易くなり、1400 ’Cを越えると粒子が
粗大化する傾向がある。このようにして得られた変成酸
化物粉末に、目的とするランタンド元素での鉛の一部を
置換したPZTまたは3成分PZT組成を達成するため
に必要な成分の全量に相当する化合物粉末を混合する。
この場合、添加混合する化合物粉末は、市販されている
サブミクロン級のものであることが好ましい。
ただし、Pb0(酸化鉛)粉末は十分粗大なものであっ
ても、得られる粉末の特性には悪い影響を与えない。
なお、変成酸化物粉未作成のための仮焼温度は、固相反
応が、はぼまたは完全に完了する最低温度以上で、顕著
な粒子成長が生じない最高温度範囲内であることが必要
であり、400〜1400℃がよい。
焼結温度は、その構成成分の種類によって異なるが、−
船釣に700〜1500℃の範囲である。
700℃より低いと焼結が不十分であり、1500℃を
超えると粒子が粗大化したり、あるいは構成成分の揮発
が起こる。
〔発明の効果] 本発明の方法によると、PZTの構成成分の二種以上を
含む変成酸化物粉末(例えばチタンで変成したジルコニ
ウム粉末)は、はぼ単分散したサブミクロン級の均一粒
子として得られる。それは多段に沈殿を形成させるので
、この沈殿は多相の高度に相互に分散した状態となり、
その結果、乾燥工程、仮焼工程で凝集しにくくなるため
である。
この粉末を使用することによって、以後型なる乾式法に
よって容易にサブミクロン級の易焼結性、高嵩密度のP
ZT粉末が得られる。従来、乾式法によってはせいぜい
2μm程度の粉末しか得られなかった現状において、こ
のことは画期的なことである。更にこのようなサブミク
ロン級の単分散PZT粉末を成形・焼結することによっ
てほぼ理論密度に近い高密度のPZTが得られる。
このような効果のほか、次のような効果も得られる。
(1)仮焼によって得られたままの変成酸化物粉末は、
多少の凝集が認められる場合があるが、そのa集めは極
めて弱いので、これを成分化合物とボールミル等での混
合粉砕過程で容易に単分散状態となし得る。従って、変
成酸化物を仮焼したままで市場に供給し得られ、それだ
けPZT粉末の低コスト化が達成される。
(2)本発明の方法で得られるPZT粉末は仮焼によっ
て単分散状態で得られるもので、粉砕工程を省略しても
十分易焼結性で且っ高嵩□密度のものとなし得る。
(3)極めて高密度が要求されるPZTにおいて、HI
Pやホットプレスなどの操作を必要とせず、単なる常圧
焼結によって理論密度に近いセラミックスを得ることが
できる。
(4)本発明で得られる変成酸化物粉末は十分な均−性
を有し、これに乾式法で混合、仮焼して得られるPZT
粉末は従来の共沈法やアルコキシド法由来のものに匹敵
する均一性を有する。
代理人弁理士  岡 部   隆

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)PZTを構成するZr成分の必要全量を含む溶液
    及び残りの金属成分の少なくとも一種の必要全量でない
    適量を含む溶液を作成し、 前記溶液の一方から沈殿を形成し、次いで前記溶液の他
    方を混合して少なくとも二種の成分を含む均密沈殿を形
    成し、 得られた均密沈殿を洗浄、乾燥後、400〜1400℃
    で仮焼して変成酸化物粉末を作成し、この変成酸化物粉
    末と、PZT組成の残りの構成成分の化合物粉末を乾式
    混合して500〜1300℃で仮焼し、 得られた仮焼粉末を成形し700〜1500℃で焼成す
    ることを特徴とするPZTの製造方法。
  2. (2)PZTを構成するZr成分の必要全量を含む溶液
    及び残りの金属成分の少なくとも一種の必要全量でない
    適量を含む溶液を作成し、 前記溶液の一方の沈殿形成液から沈殿を形成し、前記溶
    液の他方と沈殿形成液とから沈殿を形成し、これらを混
    合して少なくとも二種の成分を含む均密沈殿を形成し、
    得られた均密沈殿を洗浄、乾燥後、400〜1400℃
    で仮焼し、変成酸化物粉末を作成し、 この変成酸化物粉末と、PZT組成の残りの構成成分の
    化合物粉末を乾式混合して500〜1300℃で仮焼し
    、 得られた仮焼粉末を成形し700〜1500℃で焼成す
    ることを特徴とするPZTの製造方法。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61106456A (ja) * 1984-10-29 1986-05-24 科学技術庁無機材質研究所長 高密度pzt系圧電セラミツクスの製造法
JPS62187116A (ja) * 1986-02-08 1987-08-15 Natl Inst For Res In Inorg Mater 低温焼結性pzt系圧電セラミツクス粉末の製造方法
JPS63156057A (ja) * 1986-12-19 1988-06-29 科学技術庁無機材質研究所長 高密度ペロブスカイトセラミックスの製造法

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