JPS63151672A - ジルコン酸チタン酸鉛系圧電磁器の製造方法 - Google Patents
ジルコン酸チタン酸鉛系圧電磁器の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、一般式がPbZrO3−PbTiO3で表わ
されるジルコン酸チタン酸鉛(以下これをPZTと略す
)及び一般式がPbZr0:+−PbTiO:+−Pb
(M+z+ Nbzzs)03(但し、MはMg、Zn
、Niの少なくとも1種、pbの一部は13a、Sr、
Caの少なくとも1種で置換可能)3成分系ジルコン酸
チタン酸鉛(以下これを三成分系PZTと略す)圧電磁
器の製造方法に関するものである。
されるジルコン酸チタン酸鉛(以下これをPZTと略す
)及び一般式がPbZr0:+−PbTiO:+−Pb
(M+z+ Nbzzs)03(但し、MはMg、Zn
、Niの少なくとも1種、pbの一部は13a、Sr、
Caの少なくとも1種で置換可能)3成分系ジルコン酸
チタン酸鉛(以下これを三成分系PZTと略す)圧電磁
器の製造方法に関するものである。
PZT及び3成分系PZTは、圧電特性に優れ、アクチ
ュエータ、センサとして広範囲の分野で利用されている
。
ュエータ、センサとして広範囲の分野で利用されている
。
鉛の一部をランタニド元素で置換したPZT及び3成分
系PZT磁器の構成成分である酸化物(酸化鉛、酸化ジ
ルコニウム、酸化チタン等)を単独の原料粉末を使用し
、混合して、乾式法でPZT磁器粉末を作製すると、平
均粒径は1〜2μm以上のものとなる。この程度の粒度
の粉末を使用しても、高密度且つ高度な機能を有するp
zTiff器及び3成分系磁器を得ることは難しい。
系PZT磁器の構成成分である酸化物(酸化鉛、酸化ジ
ルコニウム、酸化チタン等)を単独の原料粉末を使用し
、混合して、乾式法でPZT磁器粉末を作製すると、平
均粒径は1〜2μm以上のものとなる。この程度の粒度
の粉末を使用しても、高密度且つ高度な機能を有するp
zTiff器及び3成分系磁器を得ることは難しい。
本発明は、前記のランタニド元素で鉛の一部を置換した
PZT及び3成分系PZTm器の乾式法による合成にお
ける欠点を解消すべくなされたものであり、その目的は
、分散性の良いサブミクロン級の変成ジルコニア原料粉
末を作製し、該粉末を用いて単なる乾式法によって易焼
結性且つ高嵩密度のPZT及び3成分系磁器粉末を合成
し、更にこれら粉末を焼結して高性能且つ高密度のPZ
T及び3成分系PZT磁器を製造する方法を提供するも
のである。
PZT及び3成分系PZTm器の乾式法による合成にお
ける欠点を解消すべくなされたものであり、その目的は
、分散性の良いサブミクロン級の変成ジルコニア原料粉
末を作製し、該粉末を用いて単なる乾式法によって易焼
結性且つ高嵩密度のPZT及び3成分系磁器粉末を合成
し、更にこれら粉末を焼結して高性能且つ高密度のPZ
T及び3成分系PZT磁器を製造する方法を提供するも
のである。
本発明者らは前記目的を達成すべく鋭意研究の結果、ラ
ンクニド元素で鉛の一部を置換したPZT及び3成分系
PZTfff器の乾式法による製造過程に於いて、ラン
タニド元素で鉛の一部を置換したPZTiff器粉末を
構酸粉末ジルコニウム以外の少なくとも一金屈成分の適
量とジルコニウム溶液とを含有する溶液において加水分
解反応を行なってゾルを生成すると系の不均一のためZ
r含有粒子の凝集が起こりにくくなり、その後乾燥を行
ない、700〜1300℃で仮焼すると、凝集の極めて
少ないサブミクロン級の粉末(変成ジルコニア粉末)と
なし得ることが分った。これを原料とし、目的とするラ
ンタニド元素で鉛の一部を置換したPZTまたは3成分
系PZT磁器の残りの構成成分の化合物を乾式法によっ
て混合すれば、サブミクロン級の粉末特性の優れた原料
粉末が容易に得られ、これを成型して焼結すると、焼結
助剤なしに極めて高密度のPZTまたは3成分系磁器が
容易に得られることを究明し得た。この知見に基いて本
発明を完成した。
ンクニド元素で鉛の一部を置換したPZT及び3成分系
PZTfff器の乾式法による製造過程に於いて、ラン
タニド元素で鉛の一部を置換したPZTiff器粉末を
構酸粉末ジルコニウム以外の少なくとも一金屈成分の適
量とジルコニウム溶液とを含有する溶液において加水分
解反応を行なってゾルを生成すると系の不均一のためZ
r含有粒子の凝集が起こりにくくなり、その後乾燥を行
ない、700〜1300℃で仮焼すると、凝集の極めて
少ないサブミクロン級の粉末(変成ジルコニア粉末)と
なし得ることが分った。これを原料とし、目的とするラ
ンタニド元素で鉛の一部を置換したPZTまたは3成分
系PZT磁器の残りの構成成分の化合物を乾式法によっ
て混合すれば、サブミクロン級の粉末特性の優れた原料
粉末が容易に得られ、これを成型して焼結すると、焼結
助剤なしに極めて高密度のPZTまたは3成分系磁器が
容易に得られることを究明し得た。この知見に基いて本
発明を完成した。
本発明の要旨は次の三つの工程の組み合わせにある。
(1)ランタニド元素で鉛の一部を置換したPZTまた
は3成分系磁器を構成するジルコニウム以外の少なくと
も一成分を、ゾルの凝集を抑制するに足る適量を選び、
ジルコニウムを含有する溶液を作り、加水分解反応を行
なってゾルを生成し、乾燥後700〜1300℃で仮焼
する工程。この工程では、ゾル生成中の凝集が避けられ
、またPLZT 。
は3成分系磁器を構成するジルコニウム以外の少なくと
も一成分を、ゾルの凝集を抑制するに足る適量を選び、
ジルコニウムを含有する溶液を作り、加水分解反応を行
なってゾルを生成し、乾燥後700〜1300℃で仮焼
する工程。この工程では、ゾル生成中の凝集が避けられ
、またPLZT 。
PZTなどの製造にも使用することができる変成ジルコ
ニアが製造される。
ニアが製造される。
(2) (1)の工程で得られた仮焼物と、目的とする
ランクニド元素で鉛の一部を置換したPZTまたは3成
分系PZT磁器の残りの構成成分の化合物を混合して5
00〜1300’Cで仮焼する工程。この工程では、残
りの成分の添加によって所望の化合物組成が得られる。
ランクニド元素で鉛の一部を置換したPZTまたは3成
分系PZT磁器の残りの構成成分の化合物を混合して5
00〜1300’Cで仮焼する工程。この工程では、残
りの成分の添加によって所望の化合物組成が得られる。
(3)得られた仮焼粉末を成型して700〜15oo℃
で焼結する工程。ジルコニウム溶液を作製するための化
合物としては、オキシ塩化ジルコニウム、オキシ硝酸ジ
ルコニウム、塩化ジルコニウム、及び硝酸ジルコニウム
が挙げられる。ジルコニウム溶液の溶媒としては上記化
合物を溶解させる水またはアルコールを用いる。上記化
合物はすべて水に可溶であり、オキシ塩化ジルコニウム
、塩化ジルコニウムおよび四塩化チタンはエタノールに
可溶である。さらに、ジルコニウム溶液の加水分解反応
は加熱状態(100℃前後)で行なうことができる。ゾ
ル体はろ過および洗浄により回収する。
で焼結する工程。ジルコニウム溶液を作製するための化
合物としては、オキシ塩化ジルコニウム、オキシ硝酸ジ
ルコニウム、塩化ジルコニウム、及び硝酸ジルコニウム
が挙げられる。ジルコニウム溶液の溶媒としては上記化
合物を溶解させる水またはアルコールを用いる。上記化
合物はすべて水に可溶であり、オキシ塩化ジルコニウム
、塩化ジルコニウムおよび四塩化チタンはエタノールに
可溶である。さらに、ジルコニウム溶液の加水分解反応
は加熱状態(100℃前後)で行なうことができる。ゾ
ル体はろ過および洗浄により回収する。
ジルコニウム含を溶液に溶解されるランタニド元素で鉛
の一部を置換したP、27m器または3成分系PZTの
構成成分の種類とその量は、ジルコニア粉末の凝集を有
効に抑制し得るものが好ましい。
の一部を置換したP、27m器または3成分系PZTの
構成成分の種類とその量は、ジルコニア粉末の凝集を有
効に抑制し得るものが好ましい。
本発明の方法においては、ゾル成分の組合せに於いて種
々の変形が可能である。例えば、(P’b。
々の変形が可能である。例えば、(P’b。
Sa) (Zr、Ti)Os 、で表わされるPZT磁
器に於いて、オキシ硝酸ジルコニウム水溶液と硝酸サマ
リウム(Sm(NO,I)z)の水溶液を混合したもの
がら7、r4+とSII+1を含むゾルを得ても良い。
器に於いて、オキシ硝酸ジルコニウム水溶液と硝酸サマ
リウム(Sm(NO,I)z)の水溶液を混合したもの
がら7、r4+とSII+1を含むゾルを得ても良い。
また、オキシ塩化ジルコニウム水溶液と四塩化チタン水
溶液との混合液からZ r 4 +とT3−を含むゾル
を得、これと別個に、硝酸鉛(pb (NO3) z)
水溶液と硝酸サマリウムの水溶液から、Zr以外の少な
くとも2種の成分であるpb”と8m3 +を含むゾル
を得、これら2つのゾルをそれぞれ乾燥仮焼して得た酸
化物粉末と、目的とするPZTの構成成分の不足分を加
えて、磁器を作製しても良い、またオキシ塩化ジルコニ
ウム水溶液と四塩化チタン水溶液との混合液からZ r
4 ”lとT i ’ ”のゾルを得、これと別個にオ
キシ塩化ジルコニウム水溶液と硝酸サマリウム水溶液と
の混合液からZr”とSm”のゾルを得、これら二つの
ゾルをそれぞれ仮焼して得た酸化物粉末と、目的とする
PZTの構成成分の不足分を加えて、磁器を作製しても
よい。
溶液との混合液からZ r 4 +とT3−を含むゾル
を得、これと別個に、硝酸鉛(pb (NO3) z)
水溶液と硝酸サマリウムの水溶液から、Zr以外の少な
くとも2種の成分であるpb”と8m3 +を含むゾル
を得、これら2つのゾルをそれぞれ乾燥仮焼して得た酸
化物粉末と、目的とするPZTの構成成分の不足分を加
えて、磁器を作製しても良い、またオキシ塩化ジルコニ
ウム水溶液と四塩化チタン水溶液との混合液からZ r
4 ”lとT i ’ ”のゾルを得、これと別個にオ
キシ塩化ジルコニウム水溶液と硝酸サマリウム水溶液と
の混合液からZr”とSm”のゾルを得、これら二つの
ゾルをそれぞれ仮焼して得た酸化物粉末と、目的とする
PZTの構成成分の不足分を加えて、磁器を作製しても
よい。
また、オキシ塩化ジルコニウム水溶液と四塩化チタン水
溶液との混合液からZr’°とT3−を含むゾルを得、
これと別個にZr以外の1種の成分であるSmを含有す
る硝酸サマリウムの水溶液からSm”を含むゾルを得て
、このゾルと沈殿体をそれぞれ仮焼して得た酸化物粉末
と、目的とするPZTの構成成分の不足分を加えて磁器
を作製しても良い。
溶液との混合液からZr’°とT3−を含むゾルを得、
これと別個にZr以外の1種の成分であるSmを含有す
る硝酸サマリウムの水溶液からSm”を含むゾルを得て
、このゾルと沈殿体をそれぞれ仮焼して得た酸化物粉末
と、目的とするPZTの構成成分の不足分を加えて磁器
を作製しても良い。
さらに、本発明における3成分PZTの作製法において
も、ゾルの組合せに於いて種々の変形が可能である。例
えば、PPbZrol−PbTi0z−Pb(I/IN
bzzz) 03、(MはMg、 Z n、 N t’
+の内1種)で表わされる3成分系PZT磁器に於いて
、オキシ硝酸ジルコニウム水溶液と硝酸鉛の水溶液を混
合したものからz r4*とPb”のゾルを得ても良い
。また、オキシ塩化ジルコニウム水溶液と四塩化チタン
水溶液との混合液から、Z r 4 +とT3−のゾル
を得、これと別個に、五塩化ニオビウム水溶液と硝酸鉛
の水溶液から、Zr以外の少なくとも2種の成分である
Nb’″″とPbhのゾルを得、これら2つのゾルをそ
れぞれ仮焼して得た酸化物粉末と、目的とする3成分系
PZTの構成成分の不足分を加えて、磁器を作製しても
良い。またオキシ塩化ジルコニウム水溶液と四塩化チタ
ン水溶液との混合液からz 、4*とT i ’ ”の
ゾルを得、これと別個にオキシ塩化ジルコニウム水溶液
と五塩化ニオビウム水溶液との混合液がらZr”とNb
”のゾルを得、これら二つのゾルをそれぞれ仮焼して得
た酸化物粉末と、目的とするPZTの構成成分の不足分
を加えて、磁器を作製してもよい。
も、ゾルの組合せに於いて種々の変形が可能である。例
えば、PPbZrol−PbTi0z−Pb(I/IN
bzzz) 03、(MはMg、 Z n、 N t’
+の内1種)で表わされる3成分系PZT磁器に於いて
、オキシ硝酸ジルコニウム水溶液と硝酸鉛の水溶液を混
合したものからz r4*とPb”のゾルを得ても良い
。また、オキシ塩化ジルコニウム水溶液と四塩化チタン
水溶液との混合液から、Z r 4 +とT3−のゾル
を得、これと別個に、五塩化ニオビウム水溶液と硝酸鉛
の水溶液から、Zr以外の少なくとも2種の成分である
Nb’″″とPbhのゾルを得、これら2つのゾルをそ
れぞれ仮焼して得た酸化物粉末と、目的とする3成分系
PZTの構成成分の不足分を加えて、磁器を作製しても
良い。またオキシ塩化ジルコニウム水溶液と四塩化チタ
ン水溶液との混合液からz 、4*とT i ’ ”の
ゾルを得、これと別個にオキシ塩化ジルコニウム水溶液
と五塩化ニオビウム水溶液との混合液がらZr”とNb
”のゾルを得、これら二つのゾルをそれぞれ仮焼して得
た酸化物粉末と、目的とするPZTの構成成分の不足分
を加えて、磁器を作製してもよい。
また、オキシ硝酸ジルコニウム溶液と四塩化チタン水溶
液との混合液がら、7. r4 *とTi4°のゾルを
得、これと別個に、Mの硝酸化合物(M (NO3)
z)の水溶液からMトを含むゾルを得る。
液との混合液がら、7. r4 *とTi4°のゾルを
得、これと別個に、Mの硝酸化合物(M (NO3)
z)の水溶液からMトを含むゾルを得る。
Zr”とT i ’ ”のゾルと、M”の沈殿体をそれ
ぞれ仮焼して得た酸化物粉末と目的とする3成分系PZ
Tの構成成分の不足分を加えて磁器を作製しても良い。
ぞれ仮焼して得た酸化物粉末と目的とする3成分系PZ
Tの構成成分の不足分を加えて磁器を作製しても良い。
得られたゾルの仮焼温度は、700〜1300℃である
。仮焼温度が700℃より低いと凝集が顕著に起り、1
300℃を越えると粒子が粗大化する傾向がある。この
様にして得られた粉末に、目的とするランタニド元素で
鉛の一部を置換したPZT及び3成分系PZT構成成分
の不足分を加えて混合する。もちろん、ジルコニア及び
ジルコニアに添加した成分の不足分も補充する必要があ
る。この場合、いずれの化合物粉末(主として酸化物)
の粒度はサブミクロン級のものを使用する。
。仮焼温度が700℃より低いと凝集が顕著に起り、1
300℃を越えると粒子が粗大化する傾向がある。この
様にして得られた粉末に、目的とするランタニド元素で
鉛の一部を置換したPZT及び3成分系PZT構成成分
の不足分を加えて混合する。もちろん、ジルコニア及び
ジルコニアに添加した成分の不足分も補充する必要があ
る。この場合、いずれの化合物粉末(主として酸化物)
の粒度はサブミクロン級のものを使用する。
ただ、酸化鉛粉末は粗大粒径のものを使用しても得られ
るPZT及び3成分系PZT粉末の特性に殆んど影響を
与えない。
るPZT及び3成分系PZT粉末の特性に殆んど影響を
与えない。
これら混合物の仮焼温度は、固相反応が、はぼまたは完
全に完了する最低温度以上で、顕著な粒子成長が生じな
い最高温度範囲内であることが必要があり、500〜1
300℃がよい。
全に完了する最低温度以上で、顕著な粒子成長が生じな
い最高温度範囲内であることが必要があり、500〜1
300℃がよい。
このようにして得られた粉末を成型して焼結する。焼結
温度は、その構成成分の種類によって異なるが、一般的
に700〜1500℃の範囲である。
温度は、その構成成分の種類によって異なるが、一般的
に700〜1500℃の範囲である。
700℃より低いと焼結が不充分であり、1500”C
を越えると粒子が粗大化したり、あるいは構成成分の揮
発が起る。
を越えると粒子が粗大化したり、あるいは構成成分の揮
発が起る。
実施例1
四塩化チタン水溶液(0,751mol / 1濃度)
43.57 ccとオキシ塩化ジルコニウム水溶液(0
,873mol / l t1度) 150 ccとを
混合した。この混合水溶液を100℃で100時間保持
することによって加水分解を行い、Ti←とZr’+を
含むゾルを得た。
43.57 ccとオキシ塩化ジルコニウム水溶液(0
,873mol / l t1度) 150 ccとを
混合した。この混合水溶液を100℃で100時間保持
することによって加水分解を行い、Ti←とZr’+を
含むゾルを得た。
これを洗浄、乾燥した後1100℃で仮焼して(Tie
、 zZro、 5)Ot粉末を作製した。この粉末サ
ブミクロン級であった。
、 zZro、 5)Ot粉末を作製した。この粉末サ
ブミクロン級であった。
該粉末4.1981 g 、市販のTiO2微粉末1.
2549 g 。
2549 g 。
pbo粉末11.16g、Smz03微粒子0.273
9 gをボールミルで一昼夜混合した後、750℃で1
時間仮焼して、Pbo、 qss Sago、 as(
Zro、 5aTio、 ah)Os P Z T粉
末を得た。この平均粒径は約0.42μmであった。
9 gをボールミルで一昼夜混合した後、750℃で1
時間仮焼して、Pbo、 qss Sago、 as(
Zro、 5aTio、 ah)Os P Z T粉
末を得た。この平均粒径は約0.42μmであった。
この粉末をIt/ajで成型した後、1200’Cで1
時間鉛蒸気、酸素ガス共存雰囲気下で焼結した。得られ
た磁器の密度は、理論密度にかなり近いものであった。
時間鉛蒸気、酸素ガス共存雰囲気下で焼結した。得られ
た磁器の密度は、理論密度にかなり近いものであった。
また、So+201 (7)代わりに、Lat、s +
NdzOz +GdgOs等のランタニド元素の酸化物
を用いて同様の工程でPZTを各々作製した結果Sm、
0.の場合とほぼ同様の結果を得た。
NdzOz +GdgOs等のランタニド元素の酸化物
を用いて同様の工程でPZTを各々作製した結果Sm、
0.の場合とほぼ同様の結果を得た。
比較例1
市販(7)PbO+5IIzOs 4i0t 、 Zr
0t +粉末をPbo、 qss 5llla、 os
(Zro、 5iTia、 ah)Osの組成になるよ
うに混合した。この混合物をボールミルで一昼夜混合し
た後、850℃で2時間仮焼した。得られた粉末をit
/−で成型した後、1200℃で1時間鉛蒸気、酸素ガ
ス共存雰囲気下で焼結した。得られた磁器の密度は7.
2程度であった。
0t +粉末をPbo、 qss 5llla、 os
(Zro、 5iTia、 ah)Osの組成になるよ
うに混合した。この混合物をボールミルで一昼夜混合し
た後、850℃で2時間仮焼した。得られた粉末をit
/−で成型した後、1200℃で1時間鉛蒸気、酸素ガ
ス共存雰囲気下で焼結した。得られた磁器の密度は7.
2程度であった。
尚、仮焼して得られた粉末は、大きな凝集体からなり、
平均粒径は特定できなかった。
平均粒径は特定できなかった。
実施例2
四塩化チタン水溶液(0,751…ol/l濃度)43
.57 ccとオキシ塩化ジルコニウム水溶液(0,8
73n+ol / I Wri度) 150 ccとを
混合した。この混合水溶液を100℃で100時間保持
することによって加水分解反応を行い、T3−とZr4
11を含むゾルを得た。これを洗浄、乾燥した後110
0℃で仮焼して(Tio、zZro、s)O□粉末を作
製した。この粉末はサブミクロン級であった。
.57 ccとオキシ塩化ジルコニウム水溶液(0,8
73n+ol / I Wri度) 150 ccとを
混合した。この混合水溶液を100℃で100時間保持
することによって加水分解反応を行い、T3−とZr4
11を含むゾルを得た。これを洗浄、乾燥した後110
0℃で仮焼して(Tio、zZro、s)O□粉末を作
製した。この粉末はサブミクロン級であった。
該粉末2.8639 g 、市販のTi1t微粉末1.
1985 g 。
1985 g 。
pbo粉末11.16g、 NbzOs微粒子0.88
61 g 、 MgO徽粒子粒子0344gをボールミ
ルで一昼夜混合した後、750℃で1時間仮焼して0.
2 Pb(Mg+zs Nbtzs)Oz−0,4Pb
Zr03−0.4PbTiOi 3成分系PZT粉末を
得た。
61 g 、 MgO徽粒子粒子0344gをボールミ
ルで一昼夜混合した後、750℃で1時間仮焼して0.
2 Pb(Mg+zs Nbtzs)Oz−0,4Pb
Zr03−0.4PbTiOi 3成分系PZT粉末を
得た。
この平均粒径は約0.39μmであった。この粉末をi
t/cdで成型した後、1200℃で1時間鉛蒸気、酸
素ガス共存雰囲気下で焼結した。得られた磁器の密度は
、理論密度に極めて近かった。
t/cdで成型した後、1200℃で1時間鉛蒸気、酸
素ガス共存雰囲気下で焼結した。得られた磁器の密度は
、理論密度に極めて近かった。
また、MgOの代わりにZnO,NiO用いて同様の工
程で、3成分系PZTを各々作製した結果、MgOの場
合とほぼ同様の結果を得た。
程で、3成分系PZTを各々作製した結果、MgOの場
合とほぼ同様の結果を得た。
比較例2
市販のPbO,NbzOs、Ti0z 、 Zr0z
、 MgO粉末を0.2Pb (Mg−+zJbzzs
) 0:l−0,4PbTi0i−0,4PbZrOs
の組成になるように混合した。この混合物をボールミル
で一昼夜混合した後、800℃で2時間仮焼した。得ら
れた粉末を1t/aJで成型し、鉛蒸気、酸素ガス共存
雰囲気下、1200℃で1時間焼結した。
、 MgO粉末を0.2Pb (Mg−+zJbzzs
) 0:l−0,4PbTi0i−0,4PbZrOs
の組成になるように混合した。この混合物をボールミル
で一昼夜混合した後、800℃で2時間仮焼した。得ら
れた粉末を1t/aJで成型し、鉛蒸気、酸素ガス共存
雰囲気下、1200℃で1時間焼結した。
得られた磁器の密度は7.2程度であった。
尚、仮焼して得られた粉末は大きな′a集体からなり、
平均粒系は特定できなかった。
平均粒系は特定できなかった。
実施例3
オキシ塩化ジルコニウム水溶液(0,873mol/
1濃度)300ccと5塩化ニオビウム水溶液(0,7
51mol/2濃度) 38.75 ccとを混合した
。この混合水溶液を100℃で100時間保持すること
によって加水分解反応を行い、Nb”とZr 4 *を
含むゾルを得た。
1濃度)300ccと5塩化ニオビウム水溶液(0,7
51mol/2濃度) 38.75 ccとを混合した
。この混合水溶液を100℃で100時間保持すること
によって加水分解反応を行い、Nb”とZr 4 *を
含むゾルを得た。
これを洗浄、乾燥した後1100℃で仮焼して(Nbo
、 +Zro、 9.)0□、。5粉末を作製した。こ
の粉末はサブミクロン級の粒子であった。
、 +Zro、 9.)0□、。5粉末を作製した。こ
の粉末はサブミクロン級の粒子であった。
該粉末2.760 g、市販のTi01微粉末1.59
8 gpbo粉末11.16 g 、 Nb、0.微粒
子0.5907.MgO微粒子0.1344gを実施例
1と同様の方法で0.2Pb(Mg+zJbzzz)O
z−0,4PbZrO3−0,4PbTiO33成分系
PZT磁器を作製した結果、得られた磁器の密度は、理
論密度に極めて近かった。
8 gpbo粉末11.16 g 、 Nb、0.微粒
子0.5907.MgO微粒子0.1344gを実施例
1と同様の方法で0.2Pb(Mg+zJbzzz)O
z−0,4PbZrO3−0,4PbTiO33成分系
PZT磁器を作製した結果、得られた磁器の密度は、理
論密度に極めて近かった。
本発明の方法によると、第1工程によりランタニド元素
で鉛の一部を置換したPZT磁器の構成成分の一種以上
を含むジルコニア粉末(変成ジルコニア粉末)は、二次
粒子の極めて少ないサブミクロン粒子となし得、これを
使用することによって、以後通常の圧粉と焼結工程によ
る単なる乾式法によって、容易にサブミクロン級のPZ
Tまたは3成分系PZT磁器粉末が得られ、更にこれを
原料として理論密度に極めて近い高密度の磁器が得られ
る、優れた効果を奏し得られる。そのほか次のような効
果も奏し得られる。
で鉛の一部を置換したPZT磁器の構成成分の一種以上
を含むジルコニア粉末(変成ジルコニア粉末)は、二次
粒子の極めて少ないサブミクロン粒子となし得、これを
使用することによって、以後通常の圧粉と焼結工程によ
る単なる乾式法によって、容易にサブミクロン級のPZ
Tまたは3成分系PZT磁器粉末が得られ、更にこれを
原料として理論密度に極めて近い高密度の磁器が得られ
る、優れた効果を奏し得られる。そのほか次のような効
果も奏し得られる。
(1)仮焼によって得られる変成ジルコニア粉末が十分
分散されたものが得られるため、仮焼物の粉砕工程を特
に必要としないで、原料粉末として供結し得られる。
分散されたものが得られるため、仮焼物の粉砕工程を特
に必要としないで、原料粉末として供結し得られる。
(2)該仮焼変成ジルコニア粉末から乾式法で得られる
ランタニド元素で鉛の一部を置換したPZTおよび3成
分系PZT磁器粉末も単分散状態で得られ、従って粉砕
工程を除いても、十分易焼結性且つ高嵩密度の特性を有
する。
ランタニド元素で鉛の一部を置換したPZTおよび3成
分系PZT磁器粉末も単分散状態で得られ、従って粉砕
工程を除いても、十分易焼結性且つ高嵩密度の特性を有
する。
(3)極めて高密度のものを要求されるランタニド元素
で鉛の一部を置換したPZTおよび3成分系磁器をホッ
トプレスやHIP (熱間ガス圧焼結)などの操作を省
略して単なる固相焼結によってかつ焼結助剤を必ずしも
必要とせずして、理論密度に極めて近い高密度のものが
得られる。
で鉛の一部を置換したPZTおよび3成分系磁器をホッ
トプレスやHIP (熱間ガス圧焼結)などの操作を省
略して単なる固相焼結によってかつ焼結助剤を必ずしも
必要とせずして、理論密度に極めて近い高密度のものが
得られる。
(4) (1!れた粉末特性を有する変成ジルコニア粉
末を大量生産することにより、高性能PZTおよび3成
分系磁器を極めて安価に供給し得る。
末を大量生産することにより、高性能PZTおよび3成
分系磁器を極めて安価に供給し得る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(1)PbZrO_3−PbTiO_3で表わされ
、鉛の一部をランタニド元素(但し、La、Ce、Pr
、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Py、Ho、
Er、Tm、Yp、Luのうち少なくとも一種)で置換
した、ジルコン酸チタン酸鉛磁器を構成するジルコニウ
ム以外の少なくとも一金属成分の適量とジルコニウムと
を含有する溶液を作り、加水分解反応を行なってゾルを
生成し、ゾル体を乾燥後700〜1300℃で仮焼する
工程、 (2)この仮焼物と、目的とするジルコン酸チタン酸鉛
組成の残りの構成成分の化合物を混合して500〜13
00℃で仮焼する工程、 (3)得られた仮焼粉末を成型して700〜1500℃
で焼結する工程とからなることを特徴とするジルコン酸
チタン酸鉛磁器の製造方法。 2、前記工程(1)において、ジルコニウムと、ランタ
ニド元素で鉛の一部を置換したジルコン酸チタン酸鉛を
構成するジルコニウム以外の少なくとも一成分からなる
ゾルと、前記ゾルとは組成が異なりかつ少なくとも2成
分を含むゾルとを作製する特許請求の範囲第1項記載の
方法。 3、前記のランタニド元素で鉛の一部を置換したジルコ
ン酸チタン酸鉛磁器を構成する一金属成分を含む溶液を
作製し、加水分解を行なって生成したゾルを、前記(2
)工程において、残りの構成成分として用いる特許請求
の範囲第1項記載の方法。 4、(1)PbZrO_3−PbTiO_3−PbMO
_3(但し、MはMg、Zn、Ni、Nbの少なくとも
1種)で表わされる3成分系ジルコン酸チタン酸鉛磁器
を構成するジルコニウム以外の少なくとも一金属成分の
適量と、ジルコニウムとを含有する溶液を作り、加水分
解反応を行なってゾルを生成し、乾燥後ゾルを700〜
1300℃で仮焼する工程、 (2)この仮焼物と、目的とする3成分系ジルコン酸チ
タン酸鉛組成の残りの構成成分の化合物を、混合して5
00〜1300℃で仮焼する工程、(3)得られた仮焼
粉末を成型して700〜1500℃で焼結する工程とか
らなることを特徴とする3成分系ジルコン酸チタン酸鉛
、磁器の製造方法。 5、前記(1)工程において、ジルコニウムと3成分系
ジルコン酸チタン酸鉛を構成するジルコニウム以外の少
なくとも一成分からなるゾルと、前記ゾルとは組成が異
なりかつ少なくとも2成分を含むゾルとを、加水分解に
より、作製する特許請求の範囲第4項記載の方法。 6、前記3成分系ジルコン酸チタン酸鉛系磁器を構成す
るジルコニウム以外の一成分を含む溶液を作製し、加水
分解を行なって生成したゾルを前記(2)工程において
、残りの構成成分として用いる特許請求の範囲第4項ま
たは第5項の何れか1項に記載の方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61298905A JPH0818871B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | ジルコン酸チタン酸鉛系圧電磁器の製造方法 |
US07/418,740 US4990324A (en) | 1986-12-17 | 1989-10-04 | Method for producing two-component or three-component lead zirconate-titanate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61298905A JPH0818871B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | ジルコン酸チタン酸鉛系圧電磁器の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63151672A true JPS63151672A (ja) | 1988-06-24 |
JPH0818871B2 JPH0818871B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=17865683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61298905A Expired - Lifetime JPH0818871B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | ジルコン酸チタン酸鉛系圧電磁器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0818871B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01164734A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-28 | Nippon Denso Co Ltd | 圧電磁器組成物 |
WO1992002471A1 (es) * | 1990-07-30 | 1992-02-20 | Ercros S.A. | Procedimiento para la preparacion de materiales ceramicos piezoelectricos de pztn |
EP0631319A1 (en) * | 1993-06-23 | 1994-12-28 | SHARP Corporation | Dielectric thin film device and manufacturing method thereof |
US5593495A (en) * | 1994-06-16 | 1997-01-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing thin film of composite metal-oxide dielectric |
JP2006265071A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Nec Tokin Corp | 圧電材料とその製造方法およびそれを用いた圧電素子 |
CN115254610A (zh) * | 2022-08-02 | 2022-11-01 | 浙江元集新材料有限公司 | 一种用于加工覆铜板用陶瓷粉料的微细分级机叶轮及其制作方法 |
CN115894020A (zh) * | 2022-12-23 | 2023-04-04 | 佛山仙湖实验室 | 一种高压电系数的pmnzt基压电陶瓷及其制备方法和应用 |
-
1986
- 1986-12-17 JP JP61298905A patent/JPH0818871B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01164734A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-28 | Nippon Denso Co Ltd | 圧電磁器組成物 |
WO1992002471A1 (es) * | 1990-07-30 | 1992-02-20 | Ercros S.A. | Procedimiento para la preparacion de materiales ceramicos piezoelectricos de pztn |
EP0631319A1 (en) * | 1993-06-23 | 1994-12-28 | SHARP Corporation | Dielectric thin film device and manufacturing method thereof |
US5578845A (en) * | 1993-06-23 | 1996-11-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dielectric thin film device with lead erbium zirconate titanate |
US5593495A (en) * | 1994-06-16 | 1997-01-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing thin film of composite metal-oxide dielectric |
JP2006265071A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Nec Tokin Corp | 圧電材料とその製造方法およびそれを用いた圧電素子 |
CN115254610A (zh) * | 2022-08-02 | 2022-11-01 | 浙江元集新材料有限公司 | 一种用于加工覆铜板用陶瓷粉料的微细分级机叶轮及其制作方法 |
CN115254610B (zh) * | 2022-08-02 | 2023-09-15 | 浙江元集新材料有限公司 | 一种用于加工覆铜板用陶瓷粉料的微细分级机叶轮及其制作方法 |
CN115894020A (zh) * | 2022-12-23 | 2023-04-04 | 佛山仙湖实验室 | 一种高压电系数的pmnzt基压电陶瓷及其制备方法和应用 |
CN115894020B (zh) * | 2022-12-23 | 2023-12-19 | 佛山仙湖实验室 | 一种高压电系数的pmnzt基压电陶瓷及其制备方法和应用 |
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---|---|
JPH0818871B2 (ja) | 1996-02-28 |
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---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |