JPH01296652A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH01296652A JPH01296652A JP12747188A JP12747188A JPH01296652A JP H01296652 A JPH01296652 A JP H01296652A JP 12747188 A JP12747188 A JP 12747188A JP 12747188 A JP12747188 A JP 12747188A JP H01296652 A JPH01296652 A JP H01296652A
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Classifications
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、低圧トランスファモールド法による樹脂封止
型半導体装置の製造方法に関する。
型半導体装置の製造方法に関する。
（従来の技術）
従来の低圧トランスファモールド法による樹脂封止型半
導体装置の製造方法を第２図を参照して説明する。第２
図において、２はリードフレーム、４はそのリードフレ
ーム２に搭載された半導体チップ、６は半導体チップ４
の電極とリードフレーム２の所要箇所との間をワイヤボ
ンディングする金属細線、８は上下に２分割されたモー
ルド金型である。このモールド金型８は上金型８ａと下
金型８ｂとで構成されている。なお、図中の８ ｃ、
８ ｄはそれぞれ上金型８ａと下金型８ｂにおける型当
たり面であり、２ａはリードフレーム２のタイバ一部で
ある。
導体装置の製造方法を第２図を参照して説明する。第２
図において、２はリードフレーム、４はそのリードフレ
ーム２に搭載された半導体チップ、６は半導体チップ４
の電極とリードフレーム２の所要箇所との間をワイヤボ
ンディングする金属細線、８は上下に２分割されたモー
ルド金型である。このモールド金型８は上金型８ａと下
金型８ｂとで構成されている。なお、図中の８ ｃ、
８ ｄはそれぞれ上金型８ａと下金型８ｂにおける型当
たり面であり、２ａはリードフレーム２のタイバ一部で
ある。
まず、あらかじめ金属細線６でワイヤボンディングした
半導体チップ４付きのリードフレーム２を、モールド金
型８に図示のように組み込むとともに、そのモールド金
型８を型締めする。次に、そのモールド金型８のキャビ
ティ中に、約１８０℃の温度に加熱されて流動状態にあ
るタブレット状のモールド樹脂を約５０〜１００ｋｇ／
ｃｍ２の圧力下で圧入してのちそれを固化させる。その
固化ののちに、モールド金型８からリードフレーム２を
取り出す。
半導体チップ４付きのリードフレーム２を、モールド金
型８に図示のように組み込むとともに、そのモールド金
型８を型締めする。次に、そのモールド金型８のキャビ
ティ中に、約１８０℃の温度に加熱されて流動状態にあ
るタブレット状のモールド樹脂を約５０〜１００ｋｇ／
ｃｍ２の圧力下で圧入してのちそれを固化させる。その
固化ののちに、モールド金型８からリードフレーム２を
取り出す。
（発明が解決しようとする課題）
このようにして、樹脂封止型半導体装置を製造する従来
例においては、モールド樹脂が流動状態で、かつ相当の
圧力下でモールド金型のキャビティ中に圧入されろこと
、モールド金型もそのモールド樹脂によりそれと同じ程
度の温度に加熱されていて、その熱により形状歪みが生
じていること、ならびに、リードフレームの厚みのバラ
ツキとか、そのリードフレームを圧延したりそれにバン
チング穴を形成する時にその表面上の傷が付いているこ
となどにより、モールド樹脂がキャビテイ外から流出す
ることを防止するための前記両全型８ａ。
例においては、モールド樹脂が流動状態で、かつ相当の
圧力下でモールド金型のキャビティ中に圧入されろこと
、モールド金型もそのモールド樹脂によりそれと同じ程
度の温度に加熱されていて、その熱により形状歪みが生
じていること、ならびに、リードフレームの厚みのバラ
ツキとか、そのリードフレームを圧延したりそれにバン
チング穴を形成する時にその表面上の傷が付いているこ
となどにより、モールド樹脂がキャビテイ外から流出す
ることを防止するための前記両全型８ａ。
８ｂの型当たり面８ｃ 、８ｄに当接しているリードフ
レーム２の部分に樹脂パリが薄く形成される。
レーム２の部分に樹脂パリが薄く形成される。
このような樹脂パリは、半導体装置の外部リード部にメ
ツキ処理を施す工程において、メツキが着かなくなると
いう不具合を来す。そのため、従来例では、そのメツキ
処理工程の前段階として樹脂パリ取り工程を必要として
いた。
ツキ処理を施す工程において、メツキが着かなくなると
いう不具合を来す。そのため、従来例では、そのメツキ
処理工程の前段階として樹脂パリ取り工程を必要として
いた。
かかる樹脂パリ取りとしては、電解法、水圧法、砂やく
るみの殻を用いた液体ホーニング法、ショツトブラスト
法、ブラシ掛は法などの各種の方法があるものの、リー
ドフレームと樹脂パリとの接着性が良好であるために、
その樹脂パリ取り作業が困難であり、その樹脂パリ取り
の手直しとか検査などに相当な人手と時間とを費やさざ
るを得ないという問題があった。しかも、これまでの樹
脂パリ取り法は、それが効果的であればあるほど、半導
体装置の樹脂封止部も損傷されてしまう可能性が高いと
いう問題もあった。
るみの殻を用いた液体ホーニング法、ショツトブラスト
法、ブラシ掛は法などの各種の方法があるものの、リー
ドフレームと樹脂パリとの接着性が良好であるために、
その樹脂パリ取り作業が困難であり、その樹脂パリ取り
の手直しとか検査などに相当な人手と時間とを費やさざ
るを得ないという問題があった。しかも、これまでの樹
脂パリ取り法は、それが効果的であればあるほど、半導
体装置の樹脂封止部も損傷されてしまう可能性が高いと
いう問題もあった。
このような問題に対し、金型精度を向上させてその金型
の面圧の増大・均一化など、樹脂パリの発生しにくいよ
うな方法も考えられたが、単なる面圧の増大ではリード
フレームの変形とかモールド金型の耐久性の問題を派生
するなど、結局は、上記の問題も含め、今のところ、未
だ実用的見地から見て十分なものはなかった。
の面圧の増大・均一化など、樹脂パリの発生しにくいよ
うな方法も考えられたが、単なる面圧の増大ではリード
フレームの変形とかモールド金型の耐久性の問題を派生
するなど、結局は、上記の問題も含め、今のところ、未
だ実用的見地から見て十分なものはなかった。
本発明は、少なくとも樹脂パリの発生しやすい箇所であ
る、モールド金型の型当たり面に対向するリードフレー
ム部分に、モールド樹脂に対する密着性・接着性に乏し
く、しかも、半田メツキとか半田液浸漬処理といった外
部リード部への半田被覆処理を容易に行うことのできる
金またはパラジウムの皮膜を形成処理することにより、
樹脂パリの発生をほぼ完全に抑制して上記の問題を一挙
に解消することを目的としている。
る、モールド金型の型当たり面に対向するリードフレー
ム部分に、モールド樹脂に対する密着性・接着性に乏し
く、しかも、半田メツキとか半田液浸漬処理といった外
部リード部への半田被覆処理を容易に行うことのできる
金またはパラジウムの皮膜を形成処理することにより、
樹脂パリの発生をほぼ完全に抑制して上記の問題を一挙
に解消することを目的としている。
（課題を解決するための手段）
前記目的を達成するために、本発明の製造方法において
は、半導体チップを搭載したリードフレームを上下に２
分割されたモールド金型を用いて型締めし、このモール
ド金型のキャビティ中にモールド樹脂を流動状態でかつ
所定圧力下で圧入してのち固化させるにあたり、少なく
とも前記型締めの状態において前記モールド金型の型当
たり面に当接する部分に所定の膜厚の金またはパラジウ
ムの皮膜を形成したリードフレームを用いたことを特徴
としている。
は、半導体チップを搭載したリードフレームを上下に２
分割されたモールド金型を用いて型締めし、このモール
ド金型のキャビティ中にモールド樹脂を流動状態でかつ
所定圧力下で圧入してのち固化させるにあたり、少なく
とも前記型締めの状態において前記モールド金型の型当
たり面に当接する部分に所定の膜厚の金またはパラジウ
ムの皮膜を形成したリードフレームを用いたことを特徴
としている。
（作用）
少なくともモールド金型の型当たり面に当接するリード
フレーム部分に金またはパラジウムの皮膜を形成したか
ら、その全皮膜によりそのリードフレーム部分表面の傷
を隠すことができるとともに、その金またはパラジウム
の皮膜の形成されたリードフレーム部分は、他のリード
フレーム部分よりもその厚みが早くなっている。
フレーム部分に金またはパラジウムの皮膜を形成したか
ら、その全皮膜によりそのリードフレーム部分表面の傷
を隠すことができるとともに、その金またはパラジウム
の皮膜の形成されたリードフレーム部分は、他のリード
フレーム部分よりもその厚みが早くなっている。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。第１図は本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法
の説明に供する図であり、第２図と対応する部分には同
一の符号を付している。本実施例においては、基本的に
は従来例のそれと同様にして、半導体チップ４を搭載し
たリードフレーム２を上金型８ａと下金型８ｂとに２分
割されたモールド金型８を用いて型締めし、このモール
ド金型８のキャビティ中にモールド樹脂を流動状態でか
つ所定圧力下で圧入してのち固化させるようにしている
。
。第１図は本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法
の説明に供する図であり、第２図と対応する部分には同
一の符号を付している。本実施例においては、基本的に
は従来例のそれと同様にして、半導体チップ４を搭載し
たリードフレーム２を上金型８ａと下金型８ｂとに２分
割されたモールド金型８を用いて型締めし、このモール
ド金型８のキャビティ中にモールド樹脂を流動状態でか
つ所定圧力下で圧入してのち固化させるようにしている
。
そして、本実施例の製造方法において特徴とするのは、
前記型締めの状態においてリードフレーム２のタイバ一
部２ａを含め、モールド金型８の４型当たり而８ｃ 、
８ｄに当接するリードフレーム部分２ｂ、あるいはリー
ドフレーム２の全体に０゜１−１０μｍ１好ましくは１
〜５μｍの膜厚の金またはパラジウムの皮膜ＩＯを形成
したことにある。
前記型締めの状態においてリードフレーム２のタイバ一
部２ａを含め、モールド金型８の４型当たり而８ｃ 、
８ｄに当接するリードフレーム部分２ｂ、あるいはリー
ドフレーム２の全体に０゜１−１０μｍ１好ましくは１
〜５μｍの膜厚の金またはパラジウムの皮膜ＩＯを形成
したことにある。
本実施例では、タイバ一部２ａを含め、モールド金型８
の型当たり面８ｃ 、８ｄに当接するリードフレーム部
分２ｂに金またはパラジウムの皮膜ＩＯを形成したから
、その皮膜１０によりそのリードフレーム部分２ｂ表面
の傷を隠すことができるとともに、その皮膜ｌＯが形成
されたリードフレーム部分２ｂは、他のリードフレーム
部分よりもその厚みが厚くなっている。したがって、モ
ールド金型８を型締めしたときに、リードフレーム２の
変形などを来すことなく、その面圧の増大・均一化を図
って、樹脂パリの付着を抑制することができる。また、
本実施例においては、金型精度が高い場合では樹脂パリ
の付着は皆無であるが、金型精度が低いために、そのリ
ードフレーム部分２ｂの皮膜１０に樹脂パリが付着した
としても、モールド樹脂に対するその皮膜ＩＯの密着性
・接着性は乏しいので、その付着した樹脂パリを脱脂お
よび洗浄等の適宜の手段で容易に除去することができる
。したがって、この場合でも特別の樹脂パリ取り工程を
設ける必要がない。さらに、皮膜ｌＯは直接その上から
半田皮膜形成処理をすることができ、また、皮膜ＩＯを
剥離除去してから半田皮膜形成処理をすることができる
。
の型当たり面８ｃ 、８ｄに当接するリードフレーム部
分２ｂに金またはパラジウムの皮膜ＩＯを形成したから
、その皮膜１０によりそのリードフレーム部分２ｂ表面
の傷を隠すことができるとともに、その皮膜ｌＯが形成
されたリードフレーム部分２ｂは、他のリードフレーム
部分よりもその厚みが厚くなっている。したがって、モ
ールド金型８を型締めしたときに、リードフレーム２の
変形などを来すことなく、その面圧の増大・均一化を図
って、樹脂パリの付着を抑制することができる。また、
本実施例においては、金型精度が高い場合では樹脂パリ
の付着は皆無であるが、金型精度が低いために、そのリ
ードフレーム部分２ｂの皮膜１０に樹脂パリが付着した
としても、モールド樹脂に対するその皮膜ＩＯの密着性
・接着性は乏しいので、その付着した樹脂パリを脱脂お
よび洗浄等の適宜の手段で容易に除去することができる
。したがって、この場合でも特別の樹脂パリ取り工程を
設ける必要がない。さらに、皮膜ｌＯは直接その上から
半田皮膜形成処理をすることができ、また、皮膜ＩＯを
剥離除去してから半田皮膜形成処理をすることができる
。
（発明の効果）
以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
少なくともモールド金型の型当たり面に対向するリード
フレーム部分に、モールド樹脂に対する密着性・接着性
に乏しく、しかも、半田メツキとか半田液浸漬処理とい
った外部リード部への半田被覆処理を容易に行うことの
できる金またはパラジウムの皮膜を形成したから、樹脂
パリの発生をほぼ完全に抑制することができ、その結果
、外部リード部への半田皮膜形成処理が容易となって半
導体装置の品質の向上を図ることができるとともに、樹
脂パリ取り工程を特別に設ける必要もないから、その樹
脂パリ取り作業とかその検査に要した人員を省略するこ
とで、その生産性を大幅に向上させることができろ。
少なくともモールド金型の型当たり面に対向するリード
フレーム部分に、モールド樹脂に対する密着性・接着性
に乏しく、しかも、半田メツキとか半田液浸漬処理とい
った外部リード部への半田被覆処理を容易に行うことの
できる金またはパラジウムの皮膜を形成したから、樹脂
パリの発生をほぼ完全に抑制することができ、その結果
、外部リード部への半田皮膜形成処理が容易となって半
導体装置の品質の向上を図ることができるとともに、樹
脂パリ取り工程を特別に設ける必要もないから、その樹
脂パリ取り作業とかその検査に要した人員を省略するこ
とで、その生産性を大幅に向上させることができろ。
第１図は本発明の詳細な説明に供するモールド金型とど
のモールド金型によりモールドされる半導体装置との概
略化断面図、第２図は第１図に対応する従来例に係る概
略化断面図である。 ２・・・リードフレーム、４・・・半導体チップ、６・
・・金属細線、８・・・モールド金型、ｌＯ・・・金ま
たはパラジウムの皮膜。 図中、同一符号は同一部分または相当部分を示している
。
のモールド金型によりモールドされる半導体装置との概
略化断面図、第２図は第１図に対応する従来例に係る概
略化断面図である。 ２・・・リードフレーム、４・・・半導体チップ、６・
・・金属細線、８・・・モールド金型、ｌＯ・・・金ま
たはパラジウムの皮膜。 図中、同一符号は同一部分または相当部分を示している
。
Claims (1)
- （１）半導体チップを搭載したリードフレームを上下に
２分割されたモールド金型を用いて型締めし、このモー
ルド金型のキャビティ中にモールド樹脂を流動状態でか
つ所定圧力下で圧入してのち固化させることにより樹脂
封止型半導体装置を製造する方法であって、 少なくとも前記型締めの状態において前記モールド金型
の型当たり面に当接する部分に所定の膜厚の金またはパ
ラジウムの皮膜を形成したリードフレームを用いたこと
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12747188A JPH01296652A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12747188A JPH01296652A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01296652A true JPH01296652A (ja) | 1989-11-30 |
Family
ID=14960747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12747188A Pending JPH01296652A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01296652A (ja) |
-
1988
- 1988-05-24 JP JP12747188A patent/JPH01296652A/ja active Pending
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