JPS5943090B2 - 樹脂封止形半導体装置の成形装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の成形装置Info
- Publication number
- JPS5943090B2 JPS5943090B2 JP7986279A JP7986279A JPS5943090B2 JP S5943090 B2 JPS5943090 B2 JP S5943090B2 JP 7986279 A JP7986279 A JP 7986279A JP 7986279 A JP7986279 A JP 7986279A JP S5943090 B2 JPS5943090 B2 JP S5943090B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- burr
- cavity
- lead
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、樹脂封止形半導体装置の成形装置に係り、
特に半導体素子とリード線のこの半導体素子への接続部
とを樹脂封止する際に、除去容易なバリを形成する成形
装置に関するものである。
特に半導体素子とリード線のこの半導体素子への接続部
とを樹脂封止する際に、除去容易なバリを形成する成形
装置に関するものである。
樹脂封止形半導体装置の一例としての小電力ダイオード
は、第１図の断面図に示すように、丸いリード線１ａと
他の丸いリード線Ｉｂとの間に半導体素子２をろう付け
などで取り付けた後、封止樹脂３によつて封止して製造
しており、この樹脂封止には、量産性、作業性および使
用材料の低価格性などの点から、一般にトランスファ成
形法が多用されている。このトランスファ成形法による
樹脂封止の態様について、第１図に示した小電力ダイオ
ードを対象に、第２図Ａ−Ｃおよび第３図を参照して説
明する。第２図Ａは従来の成形装置による小電力ダイオ
ードの樹脂封止状態を示す平面図、第２図ＢおよびＣは
それぞれ第２図Ａの■Ｂ〜■Ｂ線および■Ｃ−■Ｃ線に
おける断面図、第３図は従来の成形装置により樹脂封止
された小電力ダイオードのバリ発生状態を示す斜視図で
ある。まず、前記したように、リード線１ａ、ｌｂ、半
導体素子２を包括する封止部分４は、トランスファ金型
の上型５と下型６とで形成されるキャビティＴ内に配さ
れており、注入樹脂８は下型６に溝加工されているラン
ナー９を通つて封止されるのであるが、リード線１ａ、
リード゛線ｌｂとこれを挟持する両型５、６のリードガ
イド１４との間に隙間１０を生じ、キャビティＴに注入
される樹脂８がこの隙間１０から外部ににじみ出て、樹
脂バ１月１ａ、Ｉｌｂとなり、この樹脂バ１月１ａ、Ｉ
ｌｂがリード線１ａ、Ｉｂをソケットなどに挿入接続し
て使用するときに邪魔になり、また実装する場合の半田
付け不良等を生じて品質低下をきたすおそれがあつた。
は、第１図の断面図に示すように、丸いリード線１ａと
他の丸いリード線Ｉｂとの間に半導体素子２をろう付け
などで取り付けた後、封止樹脂３によつて封止して製造
しており、この樹脂封止には、量産性、作業性および使
用材料の低価格性などの点から、一般にトランスファ成
形法が多用されている。このトランスファ成形法による
樹脂封止の態様について、第１図に示した小電力ダイオ
ードを対象に、第２図Ａ−Ｃおよび第３図を参照して説
明する。第２図Ａは従来の成形装置による小電力ダイオ
ードの樹脂封止状態を示す平面図、第２図ＢおよびＣは
それぞれ第２図Ａの■Ｂ〜■Ｂ線および■Ｃ−■Ｃ線に
おける断面図、第３図は従来の成形装置により樹脂封止
された小電力ダイオードのバリ発生状態を示す斜視図で
ある。まず、前記したように、リード線１ａ、ｌｂ、半
導体素子２を包括する封止部分４は、トランスファ金型
の上型５と下型６とで形成されるキャビティＴ内に配さ
れており、注入樹脂８は下型６に溝加工されているラン
ナー９を通つて封止されるのであるが、リード線１ａ、
リード゛線ｌｂとこれを挟持する両型５、６のリードガ
イド１４との間に隙間１０を生じ、キャビティＴに注入
される樹脂８がこの隙間１０から外部ににじみ出て、樹
脂バ１月１ａ、Ｉｌｂとなり、この樹脂バ１月１ａ、Ｉ
ｌｂがリード線１ａ、Ｉｂをソケットなどに挿入接続し
て使用するときに邪魔になり、また実装する場合の半田
付け不良等を生じて品質低下をきたすおそれがあつた。
従来、このような樹脂バ１月１ａ、Ｉｌｂを除去するた
めに、第４図の斜視図に示すとおり、ノズル１２からく
るみ粒やガラスビーズ１３を噴射させるようにしたショ
ットブラストによる方法が、一般的に採用されているが
、くるみ粒、ガラスビーズの使用寿命が短かく、かつ多
量に用いるために費用の増加を招くほか、噴射の際の粉
塵飛散による作業環壊の悪化とか、粉塵処理装置が必要
であるなどの不利があり、さらに樹脂の表面と、リード
線１ａ、ｌｂをくるみ粒やガラスビーズ１３の噴射で傷
をつけることもあり、さらにくるみ粒に含まれる油脂に
より、リード線１ａ，１ｂの表面に油膜を生じ、リード
線１ａ，１ｂに半田がつきにくい等の欠点があつた。
めに、第４図の斜視図に示すとおり、ノズル１２からく
るみ粒やガラスビーズ１３を噴射させるようにしたショ
ットブラストによる方法が、一般的に採用されているが
、くるみ粒、ガラスビーズの使用寿命が短かく、かつ多
量に用いるために費用の増加を招くほか、噴射の際の粉
塵飛散による作業環壊の悪化とか、粉塵処理装置が必要
であるなどの不利があり、さらに樹脂の表面と、リード
線１ａ、ｌｂをくるみ粒やガラスビーズ１３の噴射で傷
をつけることもあり、さらにくるみ粒に含まれる油脂に
より、リード線１ａ，１ｂの表面に油膜を生じ、リード
線１ａ，１ｂに半田がつきにくい等の欠点があつた。
また、このようなことから、樹脂封止時にバリ発生のな
いようにすればよいと考えるのが当然であり、そのため
には上型・下型間のリードガイド１４に挟持されるリー
ド線１ａ，１ｂの嵌め合い公差を零にし、これによつて
隙間を無くせばよいのであるが、一般に生産性の面で、
多数の半導体装置を丁度に封止成形するため、多数のリ
ード線１ａ，１ｂを挟持することとなり、リード線１ａ
，１ｂの直径のばらつきに加えて、リード線１ａ，１ｂ
の表面に半導体素子２とのろう付け性を良くするための
メツキがなされていて、そのメツキの厚さのばらつきも
あり、しかも金型自体の精度のばらつきなどもあつて、
到底、商業的規模では実現し得ないものであつた。
いようにすればよいと考えるのが当然であり、そのため
には上型・下型間のリードガイド１４に挟持されるリー
ド線１ａ，１ｂの嵌め合い公差を零にし、これによつて
隙間を無くせばよいのであるが、一般に生産性の面で、
多数の半導体装置を丁度に封止成形するため、多数のリ
ード線１ａ，１ｂを挟持することとなり、リード線１ａ
，１ｂの直径のばらつきに加えて、リード線１ａ，１ｂ
の表面に半導体素子２とのろう付け性を良くするための
メツキがなされていて、そのメツキの厚さのばらつきも
あり、しかも金型自体の精度のばらつきなどもあつて、
到底、商業的規模では実現し得ないものであつた。
この発明は、従来のこのような実情に鑑み、簡申な装置
構成により、発生する樹脂バリを除去しやすいようにし
た成形装置を提供することを目的としたものである。
構成により、発生する樹脂バリを除去しやすいようにし
た成形装置を提供することを目的としたものである。
すなわち、半導体素子に電気的に接続されたリード線の
半導体素子への接続部を樹脂封止するための成形装置を
、上記リード線の周囲に発生するバリを厚くすると共に
、そのバリが簡単に除去できるように、バリに切欠きを
形成するように構成することである。以下、この発明に
係わる成形装置の一実施例につき第５図Ａ−Ｃ、第６図
および第７図を参照して詳細に説明する。
半導体素子への接続部を樹脂封止するための成形装置を
、上記リード線の周囲に発生するバリを厚くすると共に
、そのバリが簡単に除去できるように、バリに切欠きを
形成するように構成することである。以下、この発明に
係わる成形装置の一実施例につき第５図Ａ−Ｃ、第６図
および第７図を参照して詳細に説明する。
第５図Ａはこの発明による成形装置の一実施例による小
電力ダイオードの樹脂封止状態を示す平面図、第５図Ｂ
は第５図ＡのＶＢ−ＶＢ線における断面図、第５図Ｃは
第５図ＡのＶＣ−ＶＣ線における断面図、第６図および
第７図はこの実施例の成形装置によつて樹脂封止された
小電力ダイオードのバリ発生状態を示す要部斜視図であ
る。
電力ダイオードの樹脂封止状態を示す平面図、第５図Ｂ
は第５図ＡのＶＢ−ＶＢ線における断面図、第５図Ｃは
第５図ＡのＶＣ−ＶＣ線における断面図、第６図および
第７図はこの実施例の成形装置によつて樹脂封止された
小電力ダイオードのバリ発生状態を示す要部斜視図であ
る。
実施例の成形装置は従来装置ど概略構造は似ているので
、異なつている部分を重点的に説明する。まず、上型５
と下型６で丸いリード線１ａ，１ｂを挟持しているリー
ドガイド１４があり、さらにリードガイド１４の幅寸法
、すなわちリード線１ａが延出する方向の寸法１は数／
１０ｍｍ程度である。リードガイド１４によつて半導体
素子２がキヤビテイ７である円柱部の中心に来るように
なつている。これは従来装置も同様である。また、キヤ
ビテイ７より両端に延出する方向に、リードガイド１４
と連結してなる空洞部１５が、それぞれ上型５、下型６
に設けられている。前記空洞部１５の上型５、下型６間
の寸法は少なくともりードガイド１４の寸法より大きい
値となつている。さらに、第５図Ｃに示すように、上型
５、下型６の空洞部１５にそれぞれ突起１６が設けられ
ている。また、空洞部１５と連結するリードガイド１４
と同様の役目をするリードガイド１４７が、リード線１
ａがさらに延出する方向に設けられている。いま実施例
装置によつて、小電力ダイオードを樹脂封止する場合、
前記した従来装置の場合と同様にリード線１ａ，１ｂ、
半導体素子２を包括する封止部分４は、トランスフア金
型の上型５と下型６とで形成されるキヤビテイ７内に配
されており、注入樹脂８は下型６に溝加工されているラ
ンナー９を通つて、キヤビテイ７に充填される。
、異なつている部分を重点的に説明する。まず、上型５
と下型６で丸いリード線１ａ，１ｂを挟持しているリー
ドガイド１４があり、さらにリードガイド１４の幅寸法
、すなわちリード線１ａが延出する方向の寸法１は数／
１０ｍｍ程度である。リードガイド１４によつて半導体
素子２がキヤビテイ７である円柱部の中心に来るように
なつている。これは従来装置も同様である。また、キヤ
ビテイ７より両端に延出する方向に、リードガイド１４
と連結してなる空洞部１５が、それぞれ上型５、下型６
に設けられている。前記空洞部１５の上型５、下型６間
の寸法は少なくともりードガイド１４の寸法より大きい
値となつている。さらに、第５図Ｃに示すように、上型
５、下型６の空洞部１５にそれぞれ突起１６が設けられ
ている。また、空洞部１５と連結するリードガイド１４
と同様の役目をするリードガイド１４７が、リード線１
ａがさらに延出する方向に設けられている。いま実施例
装置によつて、小電力ダイオードを樹脂封止する場合、
前記した従来装置の場合と同様にリード線１ａ，１ｂ、
半導体素子２を包括する封止部分４は、トランスフア金
型の上型５と下型６とで形成されるキヤビテイ７内に配
されており、注入樹脂８は下型６に溝加工されているラ
ンナー９を通つて、キヤビテイ７に充填される。
さらに注人樹脂８は成形圧力によつて、リード線１ａ，
１ｂとこれらを挟持する上型５、下型６のリードガイド
１４との間に生じている隙間１０を通つて、空洞部１５
に注入される。さらに注入樹脂８が空洞部１５に充満さ
れると、リードガイド１４／にも注入され、樹脂封止後
の小電力ダイオードは第６図に示すようになる。
１ｂとこれらを挟持する上型５、下型６のリードガイド
１４との間に生じている隙間１０を通つて、空洞部１５
に注入される。さらに注入樹脂８が空洞部１５に充満さ
れると、リードガイド１４／にも注入され、樹脂封止後
の小電力ダイオードは第６図に示すようになる。
従つて、リードガイド１４とリード線１ａとの隙間１０
によつて発生した薄いバリ１９はリードガイド１４の幅
寸法１となり、さらに空洞部１５に注入された樹脂は厚
いバリ１８を形成する。そして上型５、下型６の空洞部
１５に設けられた突起１６によつて、厚いバリ１８は金
型の突起１６に位置する場所に切欠き１７を有すること
になる。さらに、リードガイド１４′とリード嘱１ａと
のスキマ１０によつて発生したバリは薄いバｌ川９とな
る。すなわち、第６図に示すように、厚いバリ１８、薄
いバリ１９となつて、バリが発生するのであるが、成形
樹脂の種類、成形温度、圧力等の成形条件によつては、
第７図に示すように、空洞部１５に注入樹脂８が十分に
充満されないこともある。樹脂成形後厚いバリ１８を図
示しない機械的な装置によつて押し付けると、厚いバｌ
月８に形成された切り欠き１７のため、簡単に厚いバ１
川８が除去されると共に、厚いバＩ川８に連結している
薄いバリ１９も取り除かれる場合が多い。
によつて発生した薄いバリ１９はリードガイド１４の幅
寸法１となり、さらに空洞部１５に注入された樹脂は厚
いバリ１８を形成する。そして上型５、下型６の空洞部
１５に設けられた突起１６によつて、厚いバリ１８は金
型の突起１６に位置する場所に切欠き１７を有すること
になる。さらに、リードガイド１４′とリード嘱１ａと
のスキマ１０によつて発生したバリは薄いバｌ川９とな
る。すなわち、第６図に示すように、厚いバリ１８、薄
いバリ１９となつて、バリが発生するのであるが、成形
樹脂の種類、成形温度、圧力等の成形条件によつては、
第７図に示すように、空洞部１５に注入樹脂８が十分に
充満されないこともある。樹脂成形後厚いバリ１８を図
示しない機械的な装置によつて押し付けると、厚いバｌ
月８に形成された切り欠き１７のため、簡単に厚いバ１
川８が除去されると共に、厚いバＩ川８に連結している
薄いバリ１９も取り除かれる場合が多い。
従つて、第８図に示すように、バリとして小電力ダイオ
ードに残るのは薄いバリ１９の幅寸法１より小さい寸法
、例えばＯ〜０．３ｍ７！ｌ程度バリのみとなり、小電
力ダイオードとして、バリが支障となることは全くない
。なお、上記の実施例では、突起を上型、下型にそれぞ
れ１個設けたが、複数個でも良い。
ードに残るのは薄いバリ１９の幅寸法１より小さい寸法
、例えばＯ〜０．３ｍ７！ｌ程度バリのみとなり、小電
力ダイオードとして、バリが支障となることは全くない
。なお、上記の実施例では、突起を上型、下型にそれぞ
れ１個設けたが、複数個でも良い。
またリードガイドを１寸法の幅にわたつて一様にしたが
、キヤビテイ部より空洞部に向つて円錐状に形成して、
発生した厚いバリを除くとき、樹脂封止部と薄いバリＯ
連結部で折損するようにしても良い。さらに空洞部へ注
人樹脂が確実に人るように、リードガイド部にキヤビテ
イ部と空洞部に局部的に連絡する注人樹脂の通路を設け
ても良ぃ。また、上記の実施例では、空洞部のリード線
が延長する外側にもリードガイドを設けたが、このリー
ドガイドは金型に設けられなくても良い。
、キヤビテイ部より空洞部に向つて円錐状に形成して、
発生した厚いバリを除くとき、樹脂封止部と薄いバリＯ
連結部で折損するようにしても良い。さらに空洞部へ注
人樹脂が確実に人るように、リードガイド部にキヤビテ
イ部と空洞部に局部的に連絡する注人樹脂の通路を設け
ても良ぃ。また、上記の実施例では、空洞部のリード線
が延長する外側にもリードガイドを設けたが、このリー
ドガイドは金型に設けられなくても良い。
要するに、金型に空洞部を設けて、厚いバリを発生させ
そのバリにクラツクが発生しやすいように、切り欠きを
形成するようにした成形装置であればよい。さらに、上
記の実施例においては、小電力ダイオードを樹脂封止す
る成形装置について述べたが、樹脂封止される半導体装
置は小電力ダイオードに限られるわけではなく、半導体
素子が封止されている樹脂封止部から導出されるリード
線を有する各種の半導体装置を樹脂封止する成形装置に
、この発明は広く適用することができるものである。
そのバリにクラツクが発生しやすいように、切り欠きを
形成するようにした成形装置であればよい。さらに、上
記の実施例においては、小電力ダイオードを樹脂封止す
る成形装置について述べたが、樹脂封止される半導体装
置は小電力ダイオードに限られるわけではなく、半導体
素子が封止されている樹脂封止部から導出されるリード
線を有する各種の半導体装置を樹脂封止する成形装置に
、この発明は広く適用することができるものである。
以上詳述したように、この発明による成形装置によれば
、樹脂封止部より延出するリード線の周囲に発生するバ
リを、樹脂封止部に接近している部分を薄くし、さらに
この薄いバリと連結してなる厚いバリを発生させ、しか
もこの厚いバリには、リード線の延出する方向と平行に
切り欠き形成するので、発生した厚いバリを簡単に取り
除くことができる。従つて、バリを取り除くために必要
なくるみ粒等の材料が不要となるばかりでなく、粉塵飛
散による作業環境の悪化など全くない。さらに、この発
明による成形装置によつて発生したバリは、簡単な手工
具によつて、押圧するのみで、取り除くことが可能であ
るため、シヨツトブラスト等によつてリード線の表面、
樹脂の表面を傷つけることもなく、また、前述したよう
な油脂によつてリード線に半田がつきにくい等の欠点も
全くなく、歩留の向上が期待できる。
、樹脂封止部より延出するリード線の周囲に発生するバ
リを、樹脂封止部に接近している部分を薄くし、さらに
この薄いバリと連結してなる厚いバリを発生させ、しか
もこの厚いバリには、リード線の延出する方向と平行に
切り欠き形成するので、発生した厚いバリを簡単に取り
除くことができる。従つて、バリを取り除くために必要
なくるみ粒等の材料が不要となるばかりでなく、粉塵飛
散による作業環境の悪化など全くない。さらに、この発
明による成形装置によつて発生したバリは、簡単な手工
具によつて、押圧するのみで、取り除くことが可能であ
るため、シヨツトブラスト等によつてリード線の表面、
樹脂の表面を傷つけることもなく、また、前述したよう
な油脂によつてリード線に半田がつきにくい等の欠点も
全くなく、歩留の向上が期待できる。
第１図の樹脂封止形半導体装置の一例としての小電力ダ
イオードの断面図、第２図Ａは従来の成形装置による小
電力ダイオードの樹脂封止状態を示す平面図、第２図Ｂ
およびＣはそれぞれ第２図ＡのＢ−Ｂ線およびＣ−Ｃ線
における断面図、第３図はこの従来の成形装置により樹
脂封止された小電力ダイオードのバリ発生状態を示す斜
視図、第４図は従来のバリ取り手段を示す斜視図、第５
図Ａはこの発明による成形装置ａ）一実施例による小電
力ダイオードの樹脂封止状態を示す平面図、第５図Ｂお
よびＣはそれぞれ第５図ＡのＶＢ−ＶＢ線およびＣ−Ｃ
瞬における断面図、第６図および第７図は実施例装置に
よつで樹脂封止された小電力ダイオードのバリ発生状態
を示す要部斜視図、第８図は実施例装置により樹脂封止
されバリを除去された後の小電力ダイオードの要部斜視
図である。 図において、１ａ，１ｂはリード線、２は半導体素子、
３は封止樹脂、４は封止部分、５は上型、６は下型、７
はキヤビテイ、１４はリードガイド、１５は空洞音Ｖ）
．１６は突起、１７は切り欠き、１８は厚いバリ、１９
は薄いバリである。
イオードの断面図、第２図Ａは従来の成形装置による小
電力ダイオードの樹脂封止状態を示す平面図、第２図Ｂ
およびＣはそれぞれ第２図ＡのＢ−Ｂ線およびＣ−Ｃ線
における断面図、第３図はこの従来の成形装置により樹
脂封止された小電力ダイオードのバリ発生状態を示す斜
視図、第４図は従来のバリ取り手段を示す斜視図、第５
図Ａはこの発明による成形装置ａ）一実施例による小電
力ダイオードの樹脂封止状態を示す平面図、第５図Ｂお
よびＣはそれぞれ第５図ＡのＶＢ−ＶＢ線およびＣ−Ｃ
瞬における断面図、第６図および第７図は実施例装置に
よつで樹脂封止された小電力ダイオードのバリ発生状態
を示す要部斜視図、第８図は実施例装置により樹脂封止
されバリを除去された後の小電力ダイオードの要部斜視
図である。 図において、１ａ，１ｂはリード線、２は半導体素子、
３は封止樹脂、４は封止部分、５は上型、６は下型、７
はキヤビテイ、１４はリードガイド、１５は空洞音Ｖ）
．１６は突起、１７は切り欠き、１８は厚いバリ、１９
は薄いバリである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子とリード線のこの半導体素子への接続部
とを樹脂封止して樹脂封止部を形成するものにおいて、
上記樹脂封止部から延出するリード線に上記樹脂封止部
に近接した部分の薄いバリとこの薄いバリの外側にてこ
れに連結し上記リード線と平行な切り欠きを有する厚い
バリとを発生するようにした樹脂封止形半導体装置の成
形装置。 ２ トランスファ成形用の金型に樹脂封止部形成用のキ
ャビティと薄いバリ形成用のリードガイドと厚いバリ形
成用の空洞部を設け、この空洞部に切り欠き形成用の突
起を突出させたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の樹脂封止形半導体装置の成形装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7986279A JPS5943090B2 (ja) | 1979-06-22 | 1979-06-22 | 樹脂封止形半導体装置の成形装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7986279A JPS5943090B2 (ja) | 1979-06-22 | 1979-06-22 | 樹脂封止形半導体装置の成形装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS562642A JPS562642A (en) | 1981-01-12 |
| JPS5943090B2 true JPS5943090B2 (ja) | 1984-10-19 |
Family
ID=13702004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7986279A Expired JPS5943090B2 (ja) | 1979-06-22 | 1979-06-22 | 樹脂封止形半導体装置の成形装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943090B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6096794U (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-02 | 山本 昌夫 | 遠赤外線用輻射板 |
| JPS63493U (ja) * | 1986-06-18 | 1988-01-05 | ||
| JPH0186874U (ja) * | 1987-12-01 | 1989-06-08 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2532490B2 (ja) * | 1987-07-27 | 1996-09-11 | 松下電子工業株式会社 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
-
1979
- 1979-06-22 JP JP7986279A patent/JPS5943090B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6096794U (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-02 | 山本 昌夫 | 遠赤外線用輻射板 |
| JPS63493U (ja) * | 1986-06-18 | 1988-01-05 | ||
| JPH0186874U (ja) * | 1987-12-01 | 1989-06-08 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS562642A (en) | 1981-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2701649B2 (ja) | 半導体デバイスを封止する方法および装置 | |
| KR20120008086A (ko) | 반도체 장치 | |
| JPH0890605A (ja) | 樹脂封止用金型および半導体装置の製造方法 | |
| US5424577A (en) | Lead frame for semiconductor device | |
| US5422314A (en) | Lead frame and production method for producing semiconductor device using the lead frame | |
| JPH04102338A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JPS5943090B2 (ja) | 樹脂封止形半導体装置の成形装置 | |
| JPS60180126A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0246134B2 (ja) | ||
| JPS61269338A (ja) | 樹脂封止半導体装置およびその製造に用いるモ−ルド型 | |
| JPH02122555A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01123426A (ja) | 樹脂封止型電子部品の製造方法 | |
| JPS59143334A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4055988B2 (ja) | チップインダクタの製造方法及び装置 | |
| JPH04276648A (ja) | 電子部品製造用フレーム、およびこれを用いた電子部品製造方法、ならびにこの製造方法により製造された電子部品 | |
| JPS5841661B2 (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| JP2014112714A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2522304B2 (ja) | 半導体素子収納パッケ−ジの製造方法 | |
| JPH04364766A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JPH01191459A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63157451A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPH0221581A (ja) | 表面実装用金属端子および素子の合成樹脂インサート成型方法並びに成型装置 | |
| JPS63287041A (ja) | 半導体素子収納パッケ−ジの製造方法 | |
| JP2714002B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2013042182A (ja) | 半導体装置の製造方法 |