JPH01296612A - 半導体結晶の製造方法 - Google Patents
半導体結晶の製造方法Info
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- JPH01296612A JPH01296612A JP12786488A JP12786488A JPH01296612A JP H01296612 A JPH01296612 A JP H01296612A JP 12786488 A JP12786488 A JP 12786488A JP 12786488 A JP12786488 A JP 12786488A JP H01296612 A JPH01296612 A JP H01296612A
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Landscapes
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- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
量子細線、或いは量子箱を有する化合物半導体結晶の製
造方法に関し、 レーザ素子、高移動度トランジスタに於いて電子の閉じ
込め効果が高度に得られる量子細線、或いは量子箱を有
する化合物半導体結晶の製造方法の提供を目的とし、 化合物半導体基板の結晶面を、該基板の結晶成長軸方向
より所定の角度（θ’）（ＩＱけて研磨、或いはエツチ
ングして、階段状の結晶成長面を予め露出させ、該露出
した結晶成長面上に第１結晶層を形成し、更に該第１結
晶層上に該第１結晶層とエネルギーバンドギャップの異
なる第２結晶層を形成し、前記第１結晶層と第２結晶層
を基板上に繰り返し積層形成することで、前記基板の結
晶成長面に形成されたエネルギーバンドギャップの狭い
結晶層がエネルギーバンドギャップの広い他の結晶層で
囲まれた構造の量子細線を有する結晶を形成することで
構成する。
造方法に関し、 レーザ素子、高移動度トランジスタに於いて電子の閉じ
込め効果が高度に得られる量子細線、或いは量子箱を有
する化合物半導体結晶の製造方法の提供を目的とし、 化合物半導体基板の結晶面を、該基板の結晶成長軸方向
より所定の角度（θ’）（ＩＱけて研磨、或いはエツチ
ングして、階段状の結晶成長面を予め露出させ、該露出
した結晶成長面上に第１結晶層を形成し、更に該第１結
晶層上に該第１結晶層とエネルギーバンドギャップの異
なる第２結晶層を形成し、前記第１結晶層と第２結晶層
を基板上に繰り返し積層形成することで、前記基板の結
晶成長面に形成されたエネルギーバンドギャップの狭い
結晶層がエネルギーバンドギャップの広い他の結晶層で
囲まれた構造の量子細線を有する結晶を形成することで
構成する。
本発明は量子細線、或いは量子箱を有する半導体結晶の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
半絶縁性のガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板上に、不純物
を添加しない高純度のＧａＡｓ層と、Ｎ型の不純物を添
加したアルミニウム・ガリウム・砒素（ＡｆｆｉＧａＡ
ｓ ）層を積層形成し、該積層形成した結晶層上に電流
を流すためのソースおよびドレイン電極とその電流を制
御するためのゲート電極を設けた構造の高電子移動度ト
ランジスタ（ＨＥＭＴ）は周知である。
を添加しない高純度のＧａＡｓ層と、Ｎ型の不純物を添
加したアルミニウム・ガリウム・砒素（ＡｆｆｉＧａＡ
ｓ ）層を積層形成し、該積層形成した結晶層上に電流
を流すためのソースおよびドレイン電極とその電流を制
御するためのゲート電極を設けた構造の高電子移動度ト
ランジスタ（ＨＥＭＴ）は周知である。
この半導体素子はエネルギーバンドギャップの異なる二
種類の結晶、即ちＧａＡｓとＡ Ｉ ＧａＡｓが接合面
を形成しており、この接合面でバンド幅の不連続が発生
し、このバンド幅の不連続が発生した箇所にＡ Ｉ Ｇ
ａＡｓ層にドープされたドナー不純物より発生した電子
が薄い層状を呈した二次元電子ガスとして発生し、この
二次元電子ガスが高純度のＧａＡｓ層に形成されている
ため、不純物の散乱を受けずに電子が高速で通過する。
種類の結晶、即ちＧａＡｓとＡ Ｉ ＧａＡｓが接合面
を形成しており、この接合面でバンド幅の不連続が発生
し、このバンド幅の不連続が発生した箇所にＡ Ｉ Ｇ
ａＡｓ層にドープされたドナー不純物より発生した電子
が薄い層状を呈した二次元電子ガスとして発生し、この
二次元電子ガスが高純度のＧａＡｓ層に形成されている
ため、不純物の散乱を受けずに電子が高速で通過する。
そしてこの二次元電子ガスを素子の電子の通路（チャネ
ル）として用いることで高速で動作する高電子移動度ト
ランジスタが形成される。
ル）として用いることで高速で動作する高電子移動度ト
ランジスタが形成される。
この二次元電子ガス層の厚さは電子の量子ノコ学的波長
に近接した通常１００人程変の厚さで、この二次元電子
ガス層内に電子が閉じ込められている。
に近接した通常１００人程変の厚さで、この二次元電子
ガス層内に電子が閉じ込められている。
ところで光ファイバのように、電子の量子力学的波長（
１００Å以下の波長）と同程度の極微細断面を有する空
間内に電子を閉じ込めたものを量子細線と称しており、
また前記微細断面を組み合わせて箱型形状の空間部とな
し、この箱型形状の空間部に電子を閉じ込めたものを量
子箱と称し、これらの量子細線、或いは量子箱を用いて
高電子移動度トランジスタや、半導体レーザ素子等を形
成すれば、前記した二次元電子ガス層と同様な電子の閉
じ込め効果が期待できる。
１００Å以下の波長）と同程度の極微細断面を有する空
間内に電子を閉じ込めたものを量子細線と称しており、
また前記微細断面を組み合わせて箱型形状の空間部とな
し、この箱型形状の空間部に電子を閉じ込めたものを量
子箱と称し、これらの量子細線、或いは量子箱を用いて
高電子移動度トランジスタや、半導体レーザ素子等を形
成すれば、前記した二次元電子ガス層と同様な電子の閉
じ込め効果が期待できる。
（従来の技術）
従来、前記した二次元電子ガス層の如き、電子を一次元
的に閉じ込める超薄膜構造を実現するための方法として
分子線エピタキシャル成長方法があるが、上記した電子
を二次元的に閉じ込める量子細線や、電子を三次元的に
閉じ込める量子箱を有する半導体結晶の形成方法に関し
ては、その形成方法が無いのが現状である。
的に閉じ込める超薄膜構造を実現するための方法として
分子線エピタキシャル成長方法があるが、上記した電子
を二次元的に閉じ込める量子細線や、電子を三次元的に
閉じ込める量子箱を有する半導体結晶の形成方法に関し
ては、その形成方法が無いのが現状である。
本発明は上記した問題点を解決し、簡単な方法で量子細
線、或いは量子箱を有する半導体結晶の製造方法の提供
を目的とする。
線、或いは量子箱を有する半導体結晶の製造方法の提供
を目的とする。
上記目的を達成する本発明の方法は、化合物半導体基板
上に段差を有する階段状の結晶面を露出させ、該露出し
た階段状の結晶面に第１結晶層を形成し、更にこの上に
第１結晶層とエネルギーバンドギャップの異なる第２結
晶層を形成し、前記第１結晶層と第２結晶層を順次積層
形成することで、前記基板の露出した結晶面の表面に形
成された第１．第２結晶層の内でエネルギーバンドギャ
ップの狭い結晶層がエネルギーバンドギャップの広い結
晶層で囲まれた量子細線を有する結晶を形成する。
上に段差を有する階段状の結晶面を露出させ、該露出し
た階段状の結晶面に第１結晶層を形成し、更にこの上に
第１結晶層とエネルギーバンドギャップの異なる第２結
晶層を形成し、前記第１結晶層と第２結晶層を順次積層
形成することで、前記基板の露出した結晶面の表面に形
成された第１．第２結晶層の内でエネルギーバンドギャ
ップの狭い結晶層がエネルギーバンドギャップの広い結
晶層で囲まれた量子細線を有する結晶を形成する。
更に前記露出した階段状の結晶面の長手方向側に段差を
設けた結晶面を形成し、該結晶上に第１結晶層を形成す
るとともに、その上に第１結晶層とエネルギーバンドギ
ャップの異なる第２結晶層を形成し、前記第１結晶層と
前記第２結晶層を繰り返して形成することでエネルギー
バンドギャップの狭い結晶層がエネルギーバンドギャッ
プの広い結晶層で囲まれた量子箱を有する結晶を形成す
る。
設けた結晶面を形成し、該結晶上に第１結晶層を形成す
るとともに、その上に第１結晶層とエネルギーバンドギ
ャップの異なる第２結晶層を形成し、前記第１結晶層と
前記第２結晶層を繰り返して形成することでエネルギー
バンドギャップの狭い結晶層がエネルギーバンドギャッ
プの広い結晶層で囲まれた量子箱を有する結晶を形成す
る。
本発明の方法は化合物半導体基板上に段差を有する階段
状の結晶面をエツチング、或いは研磨法で露出させ、該
露出した階段状の結晶面に第１基板結晶層を分子線エピ
タキシャル成長方法や、原子層エピタキシャル成長方法
で形成し、更にこのトに第１結晶層とエネルギーバンド
ギャップの異なる第２結晶層を形成し、前記第１結晶層
と第２結晶層を順次積層形成することで、前記基板の露
出した結晶面の表面に形成された第１．第２結晶層の内
でエネルギーバンドギャップの狭い結晶層がエネルギー
バンドギャップの広い結晶層で囲まれた量子細線を有す
る結晶が容易に形成できる。
状の結晶面をエツチング、或いは研磨法で露出させ、該
露出した階段状の結晶面に第１基板結晶層を分子線エピ
タキシャル成長方法や、原子層エピタキシャル成長方法
で形成し、更にこのトに第１結晶層とエネルギーバンド
ギャップの異なる第２結晶層を形成し、前記第１結晶層
と第２結晶層を順次積層形成することで、前記基板の露
出した結晶面の表面に形成された第１．第２結晶層の内
でエネルギーバンドギャップの狭い結晶層がエネルギー
バンドギャップの広い結晶層で囲まれた量子細線を有す
る結晶が容易に形成できる。
また前記露出した階段状の結晶面の長手方向側に更に段
差を設け、その上に第１結晶層を形成し、更にその上に
第１結晶層とエネルギーバンドギャップの異なる第２結
晶層を順次積層形成することで、第１．第２結晶層の内
、エネルギーバンドギャップの狭い結晶層で囲まれた量
子箱を有する結晶が容易に形成できる。
差を設け、その上に第１結晶層を形成し、更にその上に
第１結晶層とエネルギーバンドギャップの異なる第２結
晶層を順次積層形成することで、第１．第２結晶層の内
、エネルギーバンドギャップの狭い結晶層で囲まれた量
子箱を有する結晶が容易に形成できる。
以下、図面を用いながら本発明の実施例につき詳細に説
明する。
明する。
第１図（ａ）に示すように厚さが２００ μｍ程度のＧ
ａＡｓの結晶基板ｌを用意する。
ａＡｓの結晶基板ｌを用意する。
この結晶基板ｌの結晶面２は（１１１）面のオフアング
ル面であり、該結晶面２の面方位は＜１１１ ＞方向で
ある。矢印Ａは面方位、即ち＜１１１ ＞軸方向を示す
。この基板１を矢印Ｂ方向に所定角度θ。
ル面であり、該結晶面２の面方位は＜１１１ ＞方向で
ある。矢印Ａは面方位、即ち＜１１１ ＞軸方向を示す
。この基板１を矢印Ｂ方向に所定角度θ。
（２〜４５” ）傾けて研磨、或いはエツチングするこ
とで、結晶成長面３Ａ、３Ｂ・・・が露出される。矢印
Ｃは結晶成長面３Ａ、 ３Ｂ・・・に対して垂直方向を
示し、結晶成長面３Ａ、３Ｂの面方位である。
とで、結晶成長面３Ａ、３Ｂ・・・が露出される。矢印
Ｃは結晶成長面３Ａ、 ３Ｂ・・・に対して垂直方向を
示し、結晶成長面３Ａ、３Ｂの面方位である。
この結晶成長面３Ａ 、 ３Ｂ・・・が露出した状態の
基板１の断面図を第１図（ｂ）に示す。
基板１の断面図を第１図（ｂ）に示す。
図で３Ａ 、 ３Ｂ・・・は結晶成長面を示し、各結晶
成長面３Ａ、 ３Ｂの段差４、即ち格子間隔は数１０人
の程度であり、結晶成長面３Ａ、３Ｂを構成するＧａ、
或いはＡｓの原子５で形成された辺の短手方向の寸法！
、即ち原子間隔は数人の寸法である。
成長面３Ａ、 ３Ｂの段差４、即ち格子間隔は数１０人
の程度であり、結晶成長面３Ａ、３Ｂを構成するＧａ、
或いはＡｓの原子５で形成された辺の短手方向の寸法！
、即ち原子間隔は数人の寸法である。
次いで第１図（Ｃ）に示すように、この結晶成長面３Ａ
、３Ｂ・・・を有する基板１上に点線で示すような、Ａ
Ｉ ＧａＡｓよりなる結晶Ｎ６を分子線エピタキシャ
ル成長方法、ホットウォールエピタキシャル成長方法、
或いは原子層エピタキシャル成長方法等の手法を用いて
エピタキシャル成長する。
、３Ｂ・・・を有する基板１上に点線で示すような、Ａ
Ｉ ＧａＡｓよりなる結晶Ｎ６を分子線エピタキシャ
ル成長方法、ホットウォールエピタキシャル成長方法、
或いは原子層エピタキシャル成長方法等の手法を用いて
エピタキシャル成長する。
このエピタキシャル成長によって成長する結晶の成長方
向は、原子面３Ａ、３Ｂの表面に沿って、段差４が発生
する基板角７より矢印り方向に沿って成長する。
向は、原子面３Ａ、３Ｂの表面に沿って、段差４が発生
する基板角７より矢印り方向に沿って成長する。
このようにＡ Ｉ ＧａＡｓ層６が形成されたＧａＡｓ
基板１の状態を第１図（ｄ）に示す。
基板１の状態を第１図（ｄ）に示す。
更に図示しないが、Ａ Ｉ！ ＧａＡｓ層６が形成され
たＧａＡｓ基板１上にＧａＡｓ結晶層を前記した分子線
エピタキシャル成長方法、原子層エピタキシャル成長方
法、ホットウォールエピタキシャル成長方法等を用いて
順次成長する。
たＧａＡｓ基板１上にＧａＡｓ結晶層を前記した分子線
エピタキシャル成長方法、原子層エピタキシャル成長方
法、ホットウォールエピタキシャル成長方法等を用いて
順次成長する。
このようにすれば、ＧａＡｓ結晶層周囲がエネルギーバ
ンドギャップの大きなＡ Ｉ ＧａＡｓ結晶層６で囲ま
れた量子細線が容易に形成できる。
ンドギャップの大きなＡ Ｉ ＧａＡｓ結晶層６で囲ま
れた量子細線が容易に形成できる。
次いで第２図（ａ）より第２図（Ｃ）までを用いて量子
箱の形成方法に付いて述べる。
箱の形成方法に付いて述べる。
第２図（ａ）に示すように、ＧａＡｓ基板１１の階段状
に露出した結晶成長面１２．１３を構成する長手方向の
辺の所定の位置で、更に段差８をエツチング、或いは研
磨により形成する。この段差８は結晶成長面１２．１３
を構成する長手方向の辺に沿って１箇所設けられている
が、その段差の数は更に増加させて形成しても良い。
に露出した結晶成長面１２．１３を構成する長手方向の
辺の所定の位置で、更に段差８をエツチング、或いは研
磨により形成する。この段差８は結晶成長面１２．１３
を構成する長手方向の辺に沿って１箇所設けられている
が、その段差の数は更に増加させて形成しても良い。
このようにして結晶成長面１２＾、 １２Ｂ、 １３Ａ
、 １３Ｂを形成する。
、 １３Ｂを形成する。
次いで第２図（ａ）のｎ−ｎ ’線断面図の第２図（ｂ
）に示すように、このように形成した結晶成長面１２Ａ
。
）に示すように、このように形成した結晶成長面１２Ａ
。
１２Ｂ、 １３Ａ、 １３Ｂ上を有する基板１上に更に
八ｌ ＧａＡｓの結晶層１４を形成し、図示しないが＾
Ｉ ＧａＡｓ結晶層１４上に更にＧａＡｓ結晶層を形成
し、これ等ＡｆｆＧａ＾Ｓ結晶層１４とＧａＡｓ結晶層
とを交互に積層形成する。
八ｌ ＧａＡｓの結晶層１４を形成し、図示しないが＾
Ｉ ＧａＡｓ結晶層１４上に更にＧａＡｓ結晶層を形成
し、これ等ＡｆｆＧａ＾Ｓ結晶層１４とＧａＡｓ結晶層
とを交互に積層形成する。
このようにすれば、Ａ Ｉ ＧａＡｓ結晶層１４で囲ま
れたＧａＡｓの結晶層が容易に得られ、両者の結晶層は
エネルギーバンドギャップが異なるので、素子を動作さ
せる電子がこのＧａＡｓ結晶層に閉じ込められる量子箱
が容易に得られる。
れたＧａＡｓの結晶層が容易に得られ、両者の結晶層は
エネルギーバンドギャップが異なるので、素子を動作さ
せる電子がこのＧａＡｓ結晶層に閉じ込められる量子箱
が容易に得られる。
尚、上記した量子細線を用いた高移動度トランジスタ（
ＨＥＭＴ）の構造について第３図、並びに第３図の要部
拡大図の第４図を用いて説明する。
ＨＥＭＴ）の構造について第３図、並びに第３図の要部
拡大図の第４図を用いて説明する。
図示するように半絶縁性のＧａＡｓ基板２１を前記した
ように結晶成長軸より所定の角度傾けてエツチング形成
した結晶成長面２２Ａ、２２Ｂ・・・にＮ型のへ！Ｇａ
Ａｓ結晶層２３を分子線エピタキシャル成長方法、或い
は原子層エピタキシャル成長方法で形成した後、その上
に不純物原子を添加しないノンドープのＧａＡｓ結晶層
２４を分子線エピタキシャル成長方法、或いは原子層エ
ピタキシャル成長方法で形成した後、その上にＮ型のＡ
Ｉ ＧａＡｓ結晶層２５を形成後、該結晶層２５上に
ゲート電極２６、ドレイン電極２７、ソース電極２８を
形成してＨＨＭＴを形成する。
ように結晶成長軸より所定の角度傾けてエツチング形成
した結晶成長面２２Ａ、２２Ｂ・・・にＮ型のへ！Ｇａ
Ａｓ結晶層２３を分子線エピタキシャル成長方法、或い
は原子層エピタキシャル成長方法で形成した後、その上
に不純物原子を添加しないノンドープのＧａＡｓ結晶層
２４を分子線エピタキシャル成長方法、或いは原子層エ
ピタキシャル成長方法で形成した後、その上にＮ型のＡ
Ｉ ＧａＡｓ結晶層２５を形成後、該結晶層２５上に
ゲート電極２６、ドレイン電極２７、ソース電極２８を
形成してＨＨＭＴを形成する。
このようにすれば、従来の）ＩＥＭＴのようにＧａＡｓ
基板の上に形成したノンドープＧａＡｓ結晶層とＮ型の
Ａ Ｉ ＧａＡｓ結晶層の間に形成された二次元電子ガ
スの代わりに、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に形成されたＮ
型のＡ Ｉ ＧａＡｓ層とノンドープのＧａＡｓ層とが
積層形成された量子細線が形成されているので、この量
子細線に電子が閉じ込められて、これが基板上に沿って
流れるようになり、高速のトランジスタが得られる。
基板の上に形成したノンドープＧａＡｓ結晶層とＮ型の
Ａ Ｉ ＧａＡｓ結晶層の間に形成された二次元電子ガ
スの代わりに、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に形成されたＮ
型のＡ Ｉ ＧａＡｓ層とノンドープのＧａＡｓ層とが
積層形成された量子細線が形成されているので、この量
子細線に電子が閉じ込められて、これが基板上に沿って
流れるようになり、高速のトランジスタが得られる。
尚、本実施例では■−Ｖ族化合物半導体のＧａＡｓ基板
上にＡ Ｉ ＧａＡｓｊＷとＧａＡｓ結晶層を交互に積
層した構造を採ったが、基板にＩ［Ｉ−Ｖ族化合物半導
体のインジウム燐（ＩｎＰ）を用い、その上にインジウ
ム・ガリウム・砒素・燐（ＩｎＧａＡｓＰ）の結晶層や
ＩｎＰの結晶層を交互に積層形成する構造をとっても良
い。
上にＡ Ｉ ＧａＡｓｊＷとＧａＡｓ結晶層を交互に積
層した構造を採ったが、基板にＩ［Ｉ−Ｖ族化合物半導
体のインジウム燐（ＩｎＰ）を用い、その上にインジウ
ム・ガリウム・砒素・燐（ＩｎＧａＡｓＰ）の結晶層や
ＩｎＰの結晶層を交互に積層形成する構造をとっても良
い。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、量子細
線、或いは量子箱を有する化合物半導体結晶が容易に形
成され、この量子細線、量子箱を用いて半導体装置を形
成すれば高速の特性の良好な半導体装置が得られる効果
がある。
線、或いは量子箱を有する化合物半導体結晶が容易に形
成され、この量子細線、量子箱を用いて半導体装置を形
成すれば高速の特性の良好な半導体装置が得られる効果
がある。
第１図（ａ）より第１図（ｄ）までは、本発明の方法の
製造工程を示す説明図、 第２図（ａ）より第２図（Ｃ）までは、本発明の方法の
第２実施例の製造工程を示す説明図、 第３図は本発明の方法で形成した高電子移動度トランジ
スタの斜視図、 第４図は第３図の要部拡大図を示す。 図において、 １．１１．２１はＧａＡｓ基板、２は結晶面、３Ａ、３
Ｂ、１２八。 １２Ｂ、 １３Ａ、 １３Ｂ、２２Ａ、２２Ｂは結晶成
長面、４．８は段差、５はＧａ、或いはＡｓ原子、６．
１４，２３．２５は八Ｅ ＧａＡｓ結晶層、７は基板角
、２４はＧａＡｓ結晶層、２６はゲート電極、２７はド
レイン電極、２８はソース電極を示す。 （ｂ） 本提胡ｄ坂り又筑瓜打、Ｔ遂明Ｅ 第 １ 図 （ｂ） （Ｃ） 本を哨の犯し第２ψ施例の説明図 ＠２ 閃
製造工程を示す説明図、 第２図（ａ）より第２図（Ｃ）までは、本発明の方法の
第２実施例の製造工程を示す説明図、 第３図は本発明の方法で形成した高電子移動度トランジ
スタの斜視図、 第４図は第３図の要部拡大図を示す。 図において、 １．１１．２１はＧａＡｓ基板、２は結晶面、３Ａ、３
Ｂ、１２八。 １２Ｂ、 １３Ａ、 １３Ｂ、２２Ａ、２２Ｂは結晶成
長面、４．８は段差、５はＧａ、或いはＡｓ原子、６．
１４，２３．２５は八Ｅ ＧａＡｓ結晶層、７は基板角
、２４はＧａＡｓ結晶層、２６はゲート電極、２７はド
レイン電極、２８はソース電極を示す。 （ｂ） 本提胡ｄ坂り又筑瓜打、Ｔ遂明Ｅ 第 １ 図 （ｂ） （Ｃ） 本を哨の犯し第２ψ施例の説明図 ＠２ 閃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕化合物半導体基板（１）の結晶面（２）を、該基
板の結晶成長軸方向より所定の角度（θ°）傾けて研磨
、或いはエッチングして、階段状の結晶成長面（３Ａ、
３Ｂ）を予め露出させ、該露出した結晶成長面（３Ａ、
３Ｂ）上に第１結晶層（６）を形成し、更に該第１結晶
層（６）上に該第１結晶層とエネルギーバンドギャップ
の異なる第２結晶層を形成し、前記第１結晶層（６）と
第２結晶層を基板（１）上に繰り返し積層形成すること
で、第１、第２の結晶層の内でエネルギーバンドギャッ
プの狭い結晶層がエネルギーバンドギャップの広い他の
結晶層で囲まれた構造の量子細線を有する結晶を形成す
ることを特徴とする半導体結晶の製造方法。 〔２〕前記露出した階段状の結晶成長面（１２、１３）
の長手方向側に更に段差（８）を設けた結晶成長面（１
２Ａ、１２Ｂ、１３Ａ、１３Ｂ）を形成し、該結晶成長
面（１２Ａ、１２Ｂ、１３Ａ、１３Ｂ）上に第１結晶層
（１４）を形成するとともに、該第１結晶層（１４）の
上に該第１結晶層とエネルギーバンドギャップの異なる
第２結晶層を形成し、前記第１結晶層（１４）と前記第
２結晶層を繰り返して形成することで、第１、第２結晶
層のうちでエネルギーバンドギャップの狭い結晶層がエ
ネルギーバンドギャップの広い他の結晶層で囲まれた量
子箱を有する結晶を形成することを特徴とする請求項１
記載の半導体結晶の製造方法。 〔３〕前記基板の結晶面を傾ける角度を２〜４５°の範
囲としたことを特徴とする請求項１、或いは２記載の半
導体結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12786488A JPH01296612A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 半導体結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12786488A JPH01296612A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 半導体結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01296612A true JPH01296612A (ja) | 1989-11-30 |
Family
ID=14970544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12786488A Pending JPH01296612A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 半導体結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01296612A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02139970A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体量子箱の作製方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183509A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-08-11 | ユニバ−シテイ オブ イリノイ | 半導体付着方法及びデバイス |
| JPS62231202A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Nec Corp | 分光器用結晶、量子細線構造及びそれらの製造方法 |
| JPS62273791A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Nec Corp | 半導体量子井戸レ−ザの作製方法 |
-
1988
- 1988-05-24 JP JP12786488A patent/JPH01296612A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183509A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-08-11 | ユニバ−シテイ オブ イリノイ | 半導体付着方法及びデバイス |
| JPS62231202A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Nec Corp | 分光器用結晶、量子細線構造及びそれらの製造方法 |
| JPS62273791A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Nec Corp | 半導体量子井戸レ−ザの作製方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02139970A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体量子箱の作製方法 |
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