JPS62190885A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS62190885A JPS62190885A JP3408686A JP3408686A JPS62190885A JP S62190885 A JPS62190885 A JP S62190885A JP 3408686 A JP3408686 A JP 3408686A JP 3408686 A JP3408686 A JP 3408686A JP S62190885 A JPS62190885 A JP S62190885A
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- quantum well
- optical waveguide
- barrier
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 35
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- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 18
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野Ｊ
この発明は、半導体レーザ装置に係り、特に光導波層が
傾斜型屈折率分布となっている、いわゆるＧ ＲＩ Ｎ
−Ｓ ＣＨ（Ｇｒａｄｅｄ Ｉｎｄｅｘ −８ｅｐａ
ｒａｔｅＣｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒ
ｕｃｔｕｒｅ ）半導体装置の改良に関するものである
。
傾斜型屈折率分布となっている、いわゆるＧ ＲＩ Ｎ
−Ｓ ＣＨ（Ｇｒａｄｅｄ Ｉｎｄｅｘ −８ｅｐａ
ｒａｔｅＣｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒ
ｕｃｔｕｒｅ ）半導体装置の改良に関するものである
。
［従来の技術］
第２図は例えば文献［Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ ３９（２）、１５ Ｊｕｌｙ １９
８１ 、 Ｐ１３４− ｒＡ ｇｒａｄｅｄ −１ｎｄ
ｅｘ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ５ｅｐａｒａｔｅ −ｃｏ
ｎｆｉｎｅｍｅｎｔ １ａｓｅｒ ｗｉｔｈｖｅｒｙ
ｌｏｗ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ａｎｄ ａ ｎａｒｒｏ
ｗ Ｇａｕｓｓｉａｎ ｂｅａｍＪＪに示されるような
従来のＧＲＩＮ−８ＣＨ半導体レーザ装置を示す断面図
である。図において、（１）は金属電極、（２）は第１
の導電型の基板、（３）は第１の導電型のクラッド層、
（４）はアンドープ又は第１の導電型の第１の光４波層
、（５）は活性層、（６）はアンドープ又は第２の導電
型の第２の光導波層、（７Ｊは第２の導電型のクラツド
層、（８）は第２の導電型のコンタクト層、（９）は金
属電極である。そして、上記活性層（５）は所定発振波
長を得るために必要な禁制帯幅を有して基板（２）と格
子整合して分り、またクラッド層（３）（７）は活性層
（５）との格子整合条件を満足し、上記活性層（５）よ
りも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さくなるようにしで
ある。更に光導波層（４） （６）は活性層（５）とク
ラッド層（３） （７）との中間の禁制帯幅と屈折率を
もつように構成され、かっこの屈折率に傾斜をもたせる
ために、活性層（５）との格子整合条件を満足させつつ
、光導波層（４） （６）の組成を微妙に変化させ、禁
制帯幅が徐々に変化する構造とされている。
Ｌｅｔｔｅｒｓ ３９（２）、１５ Ｊｕｌｙ １９
８１ 、 Ｐ１３４− ｒＡ ｇｒａｄｅｄ −１ｎｄ
ｅｘ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ５ｅｐａｒａｔｅ −ｃｏ
ｎｆｉｎｅｍｅｎｔ １ａｓｅｒ ｗｉｔｈｖｅｒｙ
ｌｏｗ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ａｎｄ ａ ｎａｒｒｏ
ｗ Ｇａｕｓｓｉａｎ ｂｅａｍＪＪに示されるような
従来のＧＲＩＮ−８ＣＨ半導体レーザ装置を示す断面図
である。図において、（１）は金属電極、（２）は第１
の導電型の基板、（３）は第１の導電型のクラッド層、
（４）はアンドープ又は第１の導電型の第１の光４波層
、（５）は活性層、（６）はアンドープ又は第２の導電
型の第２の光導波層、（７Ｊは第２の導電型のクラツド
層、（８）は第２の導電型のコンタクト層、（９）は金
属電極である。そして、上記活性層（５）は所定発振波
長を得るために必要な禁制帯幅を有して基板（２）と格
子整合して分り、またクラッド層（３）（７）は活性層
（５）との格子整合条件を満足し、上記活性層（５）よ
りも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さくなるようにしで
ある。更に光導波層（４） （６）は活性層（５）とク
ラッド層（３） （７）との中間の禁制帯幅と屈折率を
もつように構成され、かっこの屈折率に傾斜をもたせる
ために、活性層（５）との格子整合条件を満足させつつ
、光導波層（４） （６）の組成を微妙に変化させ、禁
制帯幅が徐々に変化する構造とされている。
〔発明が解決しようとする問題点］
従来の半導体レーザ装置は、以上のように光導波層（４
）と（６）が活性層（５）と格子整合条件を満たしつつ
、組成を徐々に変化させて傾斜型屈折率分布を持つよう
に作られているので多元混晶半導体の組成を精密に制御
しなければならず、エピタキシャル結晶薄膜を作製する
上で一般的な困難さが存在する。この困難さは、３元又
は４元の混晶半導体であるＩｎｘ （ＧａｙＡｌ ｌ−
ｙ ） ｔ −ｘＡＢ ｓＩｎｘＧａ １−ｚＡａ ｙ
Ｐ １−ｙを用いた１、３〜１．６μｍの長波長帯半
導体レーザ、或いはＩｎｘ （ＧａｙＡｌｌ −ｙｈ
−ｚ Ｐを用いた０、 ５ ｐｒｎＮＯ，６μｍ短波長
帯半導体レーザにおいて、ＧＲＩＮ−８ＣＨａ造を実現
する上で著しく、素子製造上の再現性、歩留りに基本的
な問題点があり、また、光この発明は上記のような問題
点を解消するためになされたもので、光導波層を、混晶
半導体の精密な組成分布制御を行なうことなく、その層
厚のみを制御することによって、容易にＧＲ工Ｎ −Ｓ
ＣＨ構造を有する半導体レーザ装置を得ることを目的と
する。
）と（６）が活性層（５）と格子整合条件を満たしつつ
、組成を徐々に変化させて傾斜型屈折率分布を持つよう
に作られているので多元混晶半導体の組成を精密に制御
しなければならず、エピタキシャル結晶薄膜を作製する
上で一般的な困難さが存在する。この困難さは、３元又
は４元の混晶半導体であるＩｎｘ （ＧａｙＡｌ ｌ−
ｙ ） ｔ −ｘＡＢ ｓＩｎｘＧａ １−ｚＡａ ｙ
Ｐ １−ｙを用いた１、３〜１．６μｍの長波長帯半
導体レーザ、或いはＩｎｘ （ＧａｙＡｌｌ −ｙｈ
−ｚ Ｐを用いた０、 ５ ｐｒｎＮＯ，６μｍ短波長
帯半導体レーザにおいて、ＧＲＩＮ−８ＣＨａ造を実現
する上で著しく、素子製造上の再現性、歩留りに基本的
な問題点があり、また、光この発明は上記のような問題
点を解消するためになされたもので、光導波層を、混晶
半導体の精密な組成分布制御を行なうことなく、その層
厚のみを制御することによって、容易にＧＲ工Ｎ −Ｓ
ＣＨ構造を有する半導体レーザ装置を得ることを目的と
する。
〔問題点を解決するための手段］
この発明に係る半導体レーザ装置は、光導波層を障壁層
とこの障壁層よりも禁制帯幅の小さい量子井戸層とを交
互に積層するとともに、この交互に積層された障壁層と
量子井戸層の少なくとも一方の層厚を上記活性層から遠
ざかるＫっれて序々に薄くして構成したものである。
とこの障壁層よりも禁制帯幅の小さい量子井戸層とを交
互に積層するとともに、この交互に積層された障壁層と
量子井戸層の少なくとも一方の層厚を上記活性層から遠
ざかるＫっれて序々に薄くして構成したものである。
［作用］
この発明における半導体レーザ装置は、交互に積層され
た障壁層と量子井戸層の少なくとも一方の層厚を上記活
性層から遠ざかるにつれて序々に薄くしているので、従
来の光導波層と近似的に同じ形状をもつ傾斜型禁制帯構
造を実現することができる。
た障壁層と量子井戸層の少なくとも一方の層厚を上記活
性層から遠ざかるにつれて序々に薄くしているので、従
来の光導波層と近似的に同じ形状をもつ傾斜型禁制帯構
造を実現することができる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において（１０）は金属電極、（２０）はこの金属電
極（ｌＯ）を裏面に有するｎ型ＧａＡｓの半導体基板、
（３０）はこの半導体基板（２０）上に設けられたｎ型
ＡＩＧ−の第１クラツド層、（４０）はこの第１クラッ
ド層（３０）上に設けられたｉ型またはｎ型の第１光導
波層、（５０）はこの第１光萼波層（４ｏ）上に設けら
れたＰ型ＧａＡｓの活性層、（６０）はこの活性層（５
ｏ）上に設けられた１型またはｐ型の第２光導波層、（
７０）はこの第２光導波層（６０）上に設けられたｐ型
ＡｌＧａＡｓの第２クラッド層、（８０）はこの第２ク
ラッド層（７０）上に設けられたｐ型ＧａＡｓのコンタ
クト層、 （９０）はこのコンタクト層（８ｏ）上に
設けられた金属電極である。（１００）及び（１１０）
はＡｌｘＧａ１−ＸＡ８ （０＜−ｘ＜１）の量子井戸
層、（１２０）及び（１３０）はこの量子井戸層（１０
０） （１１０）よりも禁制帯幅の大きいＡｌｙＧａ
１−ｙＡｓ （０＜ｙ＜ ｌ、ｙ＞ｘ）の障壁層で、こ
れら量子井戸層（１００） （１１０）と障壁層（１２
０） （１３０）を交互に積層して超格子または多重量
子構造とすることにより第１及び第２光導波層（４０）
（６０）を各々構成しており、このとき瓜子井Ｆ層（
１００） （１１０）の厚さは第１及び第２光導波層（
４０） （６０）で共に同一厚さに形成され、第１光Ｊ
♀茨層（４０）に於る＃壁層（１２０）の厚さは第１ク
ラッド層（３０）から活性層（５０）にかけて序々（／
ｉ：厚くなるよう形成され、第２光導波層（６０）に於
る障壁層（３０）の厚さは活性層（５０）から第２クラ
ッド層（７０）にかけて序々に厚くなるように形成され
ている。
図において（１０）は金属電極、（２０）はこの金属電
極（ｌＯ）を裏面に有するｎ型ＧａＡｓの半導体基板、
（３０）はこの半導体基板（２０）上に設けられたｎ型
ＡＩＧ−の第１クラツド層、（４０）はこの第１クラッ
ド層（３０）上に設けられたｉ型またはｎ型の第１光導
波層、（５０）はこの第１光萼波層（４ｏ）上に設けら
れたＰ型ＧａＡｓの活性層、（６０）はこの活性層（５
ｏ）上に設けられた１型またはｐ型の第２光導波層、（
７０）はこの第２光導波層（６０）上に設けられたｐ型
ＡｌＧａＡｓの第２クラッド層、（８０）はこの第２ク
ラッド層（７０）上に設けられたｐ型ＧａＡｓのコンタ
クト層、 （９０）はこのコンタクト層（８ｏ）上に
設けられた金属電極である。（１００）及び（１１０）
はＡｌｘＧａ１−ＸＡ８ （０＜−ｘ＜１）の量子井戸
層、（１２０）及び（１３０）はこの量子井戸層（１０
０） （１１０）よりも禁制帯幅の大きいＡｌｙＧａ
１−ｙＡｓ （０＜ｙ＜ ｌ、ｙ＞ｘ）の障壁層で、こ
れら量子井戸層（１００） （１１０）と障壁層（１２
０） （１３０）を交互に積層して超格子または多重量
子構造とすることにより第１及び第２光導波層（４０）
（６０）を各々構成しており、このとき瓜子井Ｆ層（
１００） （１１０）の厚さは第１及び第２光導波層（
４０） （６０）で共に同一厚さに形成され、第１光Ｊ
♀茨層（４０）に於る＃壁層（１２０）の厚さは第１ク
ラッド層（３０）から活性層（５０）にかけて序々（／
ｉ：厚くなるよう形成され、第２光導波層（６０）に於
る障壁層（３０）の厚さは活性層（５０）から第２クラ
ッド層（７０）にかけて序々に厚くなるように形成され
ている。
以上のように構成されたＧＲ工Ｎ−８ＣＨ半導体レーザ
装置においては、傾斜型屈折率分布をもつ光導波層（４
０） （６０）を複雑に混晶組成を制御して作製する必
要がなく、量子井戸層（１００） （１１０）及び障壁
層（１２０） （１３０）の層厚の制御のみによって容
易に作ることができる。これは光導波層（４０） （６
０）の禁制帯幅が量子井戸層（１００） （１１０）と
障壁層（１２０）（１３０）の厚さに応じて量子サイズ
効果（引用文献−ＲｌＤｉｎｇｌｅ 、 Ｆｅｓｔｋ８
ｒｐｅｒｐｒｏｂｌｅｍｅ ｅｄｉｔｅｄ ｂｙ Ｈ，
Ｊ、 Ｑｕｅｉｓｓｅｒ、 Ｐｅｒｇａｍｏｎ−Ｖｉｅ
ｗｅｇ １９７５ Ｖｏｌ、ＸＶ、 ｐ２１ ）によ
り変化するためで、上記実施例の如く障壁層（１２０）
（１３０）の膜厚を活性層（５ｏ）から遠ざかるにつ
れて序々に薄くすれば、光導波層（４０） （６０）の
禁制帯幅を活性層（５０）と、クラッド層（２０） （
７０）の中間の値とし、第２図に示す伝導帯ポテンシャ
ルと近似的に同じ形状をもつ傾斜型禁制帯構造を実現す
ることができる。
装置においては、傾斜型屈折率分布をもつ光導波層（４
０） （６０）を複雑に混晶組成を制御して作製する必
要がなく、量子井戸層（１００） （１１０）及び障壁
層（１２０） （１３０）の層厚の制御のみによって容
易に作ることができる。これは光導波層（４０） （６
０）の禁制帯幅が量子井戸層（１００） （１１０）と
障壁層（１２０）（１３０）の厚さに応じて量子サイズ
効果（引用文献−ＲｌＤｉｎｇｌｅ 、 Ｆｅｓｔｋ８
ｒｐｅｒｐｒｏｂｌｅｍｅ ｅｄｉｔｅｄ ｂｙ Ｈ，
Ｊ、 Ｑｕｅｉｓｓｅｒ、 Ｐｅｒｇａｍｏｎ−Ｖｉｅ
ｗｅｇ １９７５ Ｖｏｌ、ＸＶ、 ｐ２１ ）によ
り変化するためで、上記実施例の如く障壁層（１２０）
（１３０）の膜厚を活性層（５ｏ）から遠ざかるにつ
れて序々に薄くすれば、光導波層（４０） （６０）の
禁制帯幅を活性層（５０）と、クラッド層（２０） （
７０）の中間の値とし、第２図に示す伝導帯ポテンシャ
ルと近似的に同じ形状をもつ傾斜型禁制帯構造を実現す
ることができる。
そして、更に上記実施例の構成のものではＩＭ性層（５
０）と光導波層（４０） （６０）との界面の結晶性が
改善される効果がある。（引用文献−Ｊａｐａｎ、 Ｊ
、 Ａｐｌ）１ 、 Ｐｈｙｓ、 ２４ 、Ｌ４０５（
１９８５）Ｋ、 Ｆｕｊｉｗａｒａ、 Ｊ、 Ｌ、 ｄ
ｅｋｉｉｇｕｅｌ、に、Ｐｌｏｏｇコ なお、上記実施例に於ては、ＡｌｘＧａ １−ｚＡｓ
（０４ｘ＜１）の材料系を用いた０、７〜０．８μｍ帯
のレーザ発振波長を有する半導体レーザ装置について説
明したがＩｎｘＧａ１−ｚＡｓｙ Ｐｌ−ｙおよびＩｎ
０．５３ （ＡｌｘＧａｌ −ｚ ）０．４７Ａａ材料
系を用いた１、３〜１．６μｍ長波長帯の半導体レーザ
或いはＩｎ０．５１（ＡｌｘＧａｔ−Ｘ）０．４９ Ｆ
材料系を用いた０、５〜０．６μｍｉ波長帯の半導体レ
ーザについて適用しても良い。
０）と光導波層（４０） （６０）との界面の結晶性が
改善される効果がある。（引用文献−Ｊａｐａｎ、 Ｊ
、 Ａｐｌ）１ 、 Ｐｈｙｓ、 ２４ 、Ｌ４０５（
１９８５）Ｋ、 Ｆｕｊｉｗａｒａ、 Ｊ、 Ｌ、 ｄ
ｅｋｉｉｇｕｅｌ、に、Ｐｌｏｏｇコ なお、上記実施例に於ては、ＡｌｘＧａ １−ｚＡｓ
（０４ｘ＜１）の材料系を用いた０、７〜０．８μｍ帯
のレーザ発振波長を有する半導体レーザ装置について説
明したがＩｎｘＧａ１−ｚＡｓｙ Ｐｌ−ｙおよびＩｎ
０．５３ （ＡｌｘＧａｌ −ｚ ）０．４７Ａａ材料
系を用いた１、３〜１．６μｍ長波長帯の半導体レーザ
或いはＩｎ０．５１（ＡｌｘＧａｔ−Ｘ）０．４９ Ｆ
材料系を用いた０、５〜０．６μｍｉ波長帯の半導体レ
ーザについて適用しても良い。
また、上記実施例においては、上記光４波層の全部に傾
斜型の禁制帯幅および屈折率を持たせたが、必ずしも全
部である必要はなく、一部であっても良い。
斜型の禁制帯幅および屈折率を持たせたが、必ずしも全
部である必要はなく、一部であっても良い。
この発明は以上説明したように、光導波層を障壁層と、
この障壁層よりも禁制帯幅の小さい量子井戸層とを交互
に積層するとともに、この交互に積層された障壁層と量
子井戸層の少・よくとも一方の層厚を上記活性層から遠
ざかるにつれて序々に薄くして構成するようにしたので
、従来と同様の傾斜型禁制帯構造を有する光導波層を障
壁層及び量子井戸層の膜厚を制御するだけで簡単に実現
でき、かつ活性層と光導波層との界面の結晶性が良くナ
ルという効果を有するものである。
この障壁層よりも禁制帯幅の小さい量子井戸層とを交互
に積層するとともに、この交互に積層された障壁層と量
子井戸層の少・よくとも一方の層厚を上記活性層から遠
ざかるにつれて序々に薄くして構成するようにしたので
、従来と同様の傾斜型禁制帯構造を有する光導波層を障
壁層及び量子井戸層の膜厚を制御するだけで簡単に実現
でき、かつ活性層と光導波層との界面の結晶性が良くナ
ルという効果を有するものである。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す断面図、第２図は従来のＧＲ工Ｎ−３ＣＩ半導体レ
ーザ装置を示す断面図である。 図において、（２０）は半導体基板、（３０）は第１ク
クンド層、（４０）及び（６０）は光４波層、（５０）
は活性層、（７０）は第２クラブト層、（１００）及び
（１１０）は量子井戸層、（１２０） （１３０）は障
壁層である。 なお、図中同−符句は同−又は相当部分を示す。
示す断面図、第２図は従来のＧＲ工Ｎ−３ＣＩ半導体レ
ーザ装置を示す断面図である。 図において、（２０）は半導体基板、（３０）は第１ク
クンド層、（４０）及び（６０）は光４波層、（５０）
は活性層、（７０）は第２クラブト層、（１００）及び
（１１０）は量子井戸層、（１２０） （１３０）は障
壁層である。 なお、図中同−符句は同−又は相当部分を示す。
Claims (5)
- （１）第１導電型の半導体基板、この半導体基板上に設
けられた第１導電型の第１クラツド層、この第１クラツ
ド層上に設けられた第２導電型の活性層、この活性層上
に設けられた第２導電型の第２クラツド層、上記第１ク
ラツド層と上記活性層との間および上記第２クラツド層
と上記活性層との間の少なくとも一方に設けられた光導
波層、上記第２クラツド層上に設けられた第２導電型の
コンタクト層を有し、上記光導波層は障壁層と、この障
壁層よりも禁制帯幅の小さい量子井戸層とを交互に積層
し、上記障壁層と量子井戸層の少なくとも一方の層厚を
、上記活性層から遠ざかるにつれて序々に薄くして構成
したことを特徴とする半導体レーザ装置。 - （２）光導波層は量子井戸層の厚さを一定とし、障壁層
の厚さを活性層から遠ざかるにつれて序々に薄くなるも
のとしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体レーザ装置。 - （３）量子井戸層はＡｌｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ（０≦
ｘ＜１）からなり、かつ障壁層はＡｌｙＧａ＿１＿−＿
ｙＡｓ（０＜ｙ≦１、ｙ＞ｘ）からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体レー
ザ装置。 - （４）光導波層を構成する超格子又は多重量子井戸構造
が、量子井戸層はＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓを用い
、からなり、かつ障壁層はＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａ
ｓ又はＩｎＰからなることを特徴とする特許請求の範囲
第１項または第２項記載の半導体レーザ装置。 - （５）光導波層を構成する超格子又は多重量子井戸構造
が、量子井戸層はＩｎ０．４９（ＡｌｘＧａ＿１−＿ｘ
）０．５１ｐ（０≦ｘ＜１）からなり、かつ障壁層はＩ
ｎ０．４９（ＡｌｙＧａ＿１−＿ｙ）０．５１Ｐ（０＜
ｙ≦１、ｙ＞ｘ）からなることを特徴とする特許請求範
囲第１項または第２項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3408686A JPS62190885A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3408686A JPS62190885A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190885A true JPS62190885A (ja) | 1987-08-21 |
Family
ID=12404452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3408686A Pending JPS62190885A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190885A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01264286A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Omron Tateisi Electron Co | 半導体量子井戸レーザ |
| WO1993003524A1 (en) * | 1991-08-01 | 1993-02-18 | Optronics Ireland | A laser structure |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP3408686A patent/JPS62190885A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01264286A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Omron Tateisi Electron Co | 半導体量子井戸レーザ |
| WO1993003524A1 (en) * | 1991-08-01 | 1993-02-18 | Optronics Ireland | A laser structure |
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