JPH01293347A - マスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体装置の製造工程において用いられるマ
スクに関し、特に２以上のチップに対して同時に露光を
行なう工程で用いられるマスクに関するものである。

［従来の技術］ 第３図は従来から用いられるマスク、たとえば、レディ
クルマスクを簡略化して示す平面図である。

図において、このレディクルマスク７は１チツプ分のパ
ターン１〜６を有している。それぞれ１チツプ分のパタ
ーン１〜６は透明ガラス基板上に電子ビーム描画によっ
てクロム膜として描かれているものである。ここでは−
例として、６チツプに対して同時に露光するための、６
チツプ分のパターンが形成されたレティクルマスク７が
示されている。通常、レティクルマスクにおいては、実
際のチップサイズに対して５または１０倍に拡大された
大きさを有するパターンが描かれていや。

この場合、１チツプ分のパターン１〜６はすべて全く同
じパターンを有するものとする。

第４図はレティクルマスクが有するパターンが転写され
るべきウェハ８を示す平面図である。この図によれば、
ウェハ８は、１つの半導体装置としてのチップ９が多数
個製造されるべきものとして区切られている。

次に、レティクルマスクをウェハに重ね合わせて露光す
る際の工程について概略的に説明する。

第３図に示されたレディクルマスク７をステッパと呼ば
れる露光装置を用いてウェハ８上に重ね合わせて露光す
ることによって、レディクルマスク７に描かれたパター
ンがウェハ８上に転写される。

この場合、ステッパの動作は、第３図に示されるような
６チツプ分のパターンを有するレディクルマスク７が用
いられるとき、次のような手順で行なわれる。第５図に
示すように、まず、ウェハ８上のａの部分の６チツプが
同時に露光される。次に、ウェハ８上のｂの部分の６チ
ツプは、レティクルマスク７が有する６チツプ分のパタ
ーンと重ね合わせられ、６チツプ同時に露光される。さ
らに、ウェハ８上のＣの部分の６チツプが同時に露光さ
れる、というように、順次、ウェハ８上の露光される領
域をステップ移動させながら、１つのレディクルマスク
を用いてウェハ８上の全チップに露光処理が施される。

今、第６図に示すように、レディクルマスク７上の１０
の部分に欠陥が存在したり、ごみ等が付着しているもの
とする。この場合、このレディクルマスク７を用いてス
テッパによる露光が行なわれたウェハ８には、第７図に
示すように、その１チツプ分のパターン１が転写された
ウェハ８上の各チップが、欠陥部分２０をそれぞれ有す
ることになる。

［発明が解決しようとする課題］ 従来のレティクルマスクは以上のように構成されている
ので、２以上のチップにそれぞれ対応する２以上のパタ
ーンを有するレディクルマスクにおいては、パターンが
転写されたウェハ上のどのチップが、レディクルマスク
上のどのチップのパターンに対応するかを判断すること
は困難である。

そのため、たとえば、もし、レティクルマスク上に形成
された１つのパターンの領域に欠陥が存在したり、ごみ
等が付着していた場合、そのレディクルマスクを用いて
露光を行なった結果、ウェハ上のチップが共通の不良部
分を有していたとしても、その原因がレディクルマスク
によるものかどうかが即座に判断され得ないという問題
点があった。

そこで、この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、ウェハ上に形成されたパターンの不
良部分がマスクの欠陥、ごみ付着等に起因するものであ
るかどうかが即座に判断され得るマスクを提供すること
を目的とする。

［課題を解決するための手段コ この発明に従ったマスクは、少なくとも２以上のチップ
にそれぞれ対応する２以上のパターンを有するマスクに
おいて、そのパターンが、それぞれ他のパターンと識別
可能な標識を含むものである。

［作用］ この発明のマスクにおいては、その上に形成されたパタ
ーンがチップごとに識別可能な標識を含んでいるので、
ウェハ上にパターンが転写された場合、そのパターンが
マスク上のどのチップに対応するパターンであるかを判
断するための標識もウェハ上のチップに転写され得る。

したがって、その標識によってレティクルマスク上のチ
ップとウェハ上のチップとの対応が容易に判断されるこ
とができるので、ウェハ上に存在する不良部分がレディ
クルマスク上に存在する不良部分に起因するものである
か否かの判断が非常に容易になる。

［発明の実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明に従ったマスクの一例としてレディクルマ
スク７を簡略的に示す平面図、第２図は第１図に示され
たレティクルマスク７を用いて露光が行なわれたウェハ
８を示す平面図である。

図において、レティクルマスク７には１チツプ分のパタ
ーン１〜６が形成されている。各１チツプ分のパターン
１〜６には、それぞれ互いに識別可能な標識としてレテ
ィクルチップナンバー１１が、各パターン中に含まれる
ように、電子ビーム描画により、パターン膜の形成と同
時に描かれている。また、このレティクルマスク７上に
形成されたパターンが、たとえば、１チツプ分のパター
ン１が欠陥部分またはごみ等の付着部分を有するものと
する。ウェハ８には、１つの半導体装置として製造され
るべき領域としてのチップ９が多数個、区切られている
。なお、この実施例によるレティクルマスク７において
、各１チツプ分のパターン１〜６は、レティクルチップ
ナンバー１１以外はすべて同一のパターンを有するもの
とする。すなわち、レティクルマスク７上の６チツプ分
のパターンはレティクルチップナンバー１１のみによっ
て区別され得るように描かれている。

このようなレティクルマスク７を用いてステッパによっ
てウェハ８上に露光処理が施されると、第２図に示され
るように、ウェハ８上の各チップ９にレティクルチップ
ナンバー１１によるチップナンバー（１〜６）が露光・
転写されたウェハ８が得られる。すなわち、ウェハ８上
の各チップ９がレティクルマスク７上のどのチップのパ
ターンに対応するかが一目で判断され得るようになる。

したがって、上述のようにレティクルマスク７上の１チ
ップ分のパターン１の中に欠陥部分またはごみ等の付着
部分１０が存在するとき、そのレディクルマスクを用い
てパターンが転写されたウェハ８には、そのパターンが
転写されたチップに欠陥部分２０が生じるとともに、そ
の１チップ分のパターン１を識別するためのレティクル
チップナンバー“１“もパターンと同時に転写されてい
る。

そのため、ウェハ８上に生じた欠陥部分２０は、レディ
クルマスク７上の１チップ分のパターン１が有する欠陥
部分１０に起因するものであると容易に判断され得る。

なお、上記実施例では、６チツプ分同時に露光するレデ
ィクルマスクについて示したが、少なくとも、２以上の
チップに対して同時に露光するために、２以上のチップ
にそれぞれ対応する２以上のパターンをＨするマスクで
あればよい。

また、マスク上に形成されるチップごとのパターンの識
別は、上記実施例における数字に限らず、少なくとも互
いに識別可能なものであれば、図形、記号、文字等であ
ってもよい。

［発明の効果コ 以上のように、この発明によればマスク上に形成された
チップごとのパターンとウェハ上のチップとの対応が即
座に判断され得るので、ウェハ上の不具合がマスクの不
具合によるものであるか否かの判断が容易になるという
効果がある。したがって、量産工程において使用される
マスクに本発明を適用することにより、マスクの不具合
に起因する不良に対するフィードバックを速やかに行な
うことができ、歩留りの減少を防止することが可能とな
る。

また、マスク上に形成されたチップごとのパターンに他
のパターンと識別可能な標識を含ませることは、容易に
実現されることができ、マスクの製造上、何ら支障をき
たすことはないので、マスクのパターンに標識を含ませ
たために、製造される半導体装置の歩留りの低下をもた
らすこともない。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるレディクルマスクを
示す平面図、第２図は第１図に示されたレティクルマス
クを用いてパターンが転写されたウェハを示す平面図、
第３図は従来のレディクルマスクを示す平面図、第４図
は第３図に示されたレディクルマスクを用いてパターン
が転写されたウェハを示す平面図、第５図はステッパに
よる露光動作の順序を説明するために示すウェハの平面
図、第６図はレティクルマスク上に何らかの不具合が存
在する場合の、従来のレティクルマスクを示す平面図、
第７図は第６図に示されたレティクルマスクを用いてパ
ターンが転写された場合のウェハを示す平面図である。 図において、１．　２．　３．４．　５．６は１チップ
分のパターン、７はレティクルマスク、８はウェハ、９
はチップ、１１はレティクルチップナンバーである。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　少なくとも２以上のチップにそれぞれ対応する２以上
   のパターンを有するマスクにおいて、前記パターンが、
   それぞれ他の前記パターンと識別可能な標識を含む、マ
   スク。