JPH01293323A - 光信号ゲート素子用材料及びその製造方法 - Google Patents

光信号ゲート素子用材料及びその製造方法

Info

Publication number
JPH01293323A
JPH01293323A JP12363588A JP12363588A JPH01293323A JP H01293323 A JPH01293323 A JP H01293323A JP 12363588 A JP12363588 A JP 12363588A JP 12363588 A JP12363588 A JP 12363588A JP H01293323 A JPH01293323 A JP H01293323A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
layer
wavelength
control
gate element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12363588A
Other languages
English (en)
Inventor
Iwao Yamazaki
山崎 巖
Takahide Minami
南 孝英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kao Corp
Original Assignee
Kao Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kao Corp filed Critical Kao Corp
Priority to JP12363588A priority Critical patent/JPH01293323A/ja
Publication of JPH01293323A publication Critical patent/JPH01293323A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 本発明は、光信号ゲート素子用材料、詳しくは、高速の
スイッチング特性を有し、光コンピュータの光ゲート素
子等に応用し得る光信号ゲート素子用材料及びその製造
方法に関する。
〔従来の技術〕
光反応により分子に構造的な変化が起こり、色が可逆的
に変わるフォトクロミック材料として、スピロピラン等
が知られており、これらのフォトクロミック材料を光記
憶材料に利用することも知られている。
また、上記のフォトクロミック材料を含む第1の有機薄
膜層に、光吸収により励起されて別の波長の光を放射す
る化合物を含む第2の有機薄膜層を積層して2層膜を形
成し、この2層膜における第2の有機薄膜層に所定の波
長の光を照射すると、第1の有機薄膜層におけるフォト
クロミック材料の構造的な変化状態の差異により、第1
の有機薄膜層は、第2の有機薄膜層からの光を、そのま
ま通過させるか又は該光で励起された別の波長の光を放
射することも知られている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、上記のフォトクロミック材料を用いた光信号ゲ
ート素子用材料は開発されておらず、また、上記の2層
膜を効果的に利用した技術も開発されていない。
一方、光コンビ二一夕等においては、高速のスイッチン
グ特性を有する光信号ゲート素子が要請されている。
従って、本発明の目的は、フォトクロミック材料を用い
た上記の2層膜の特性を効果的に利用することによって
、光コンピュータ等の光信号ゲート素子として応用可能
な高速のスイッチング特性を有する光信号ゲート素子用
材料及びその製造方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは、種々検討した結果、前記の2層膜に更に
第3の特定の有機薄膜層を積層した多層膜が上記目的を
達成し得ることを知見した。
本発明は、上記知見に基づきなされたもので、所定の波
長の光の照射により励起されて該所定の波長より長い波
長の光を放射する供与層と、該供与層から放射される光
の伝達を制御する制御層と、該制御層からの光を受容す
る受容層とを順次積層した多層膜からなり、 上記制?1層は、可逆的光化学反応を起こすフォトクロ
ミ7り化合物を含み、波長の異なる2つの制御光のいず
れかによって、上記供与層からの光をそのまま透過させ
て上記受容層に伝達するか又は上記供与層からの光で励
起されて該光の波長より長い波長の光を上記受容層に伝
達し、上記受容層は、上記制御層からの前者の光(透過
光)をそのまま透過させ、また上記制御層からの後者の
光(励起光)によって励起されて該先の波長より長い波
長の光を放射する ことを特徴とする光信号ゲート素子用材料を提供するも
のである。
また、本発明は、本発明の上記光信号ゲート素子用材料
を製造するための好ましい方法として、多層膜を、ラン
グミエア・プロジェット法により、透明な基板上に形成
することを特徴とする製造方法を提供するものである。
以下本発明の光信号ゲート素子用材料を第1図乃至第5
図を参照しつつ詳述する。
本発明の光信号ゲート素子用材料は、所定の波長の光の
照射により励起されて該所定の波長より長い波長の光を
放射する供与層と、該供与層から放射される光の伝達を
制御する制御層と、該制il1層からの光を受容する受
容層とを順次積層した多層膜からなっている。
本発明の光信号ゲート素子用材料の供与層1は、上記作
用を発揮する化合物を含有した層となしてあれば良く、
このような作用を発揮する層としては、シアニン系色素
を含有した層であることが好ましく、シアニン系色素と
しては、下記−歳式(1)で表されるものが好ましい。
(R,は炭化水素基からなる置換基で、炭素数C1〜C
14が好ましく、より好ましくは01□〜C2゜であり
、R2はR3と同様の炭化水素基からなる置換基で、炭
素数C1〜C24が好ましく、より好ましくは01□〜
C2゜であり、R,はR5と同一でもあっても異なって
いてもよい、〕 上記一般式(1)で表されるシアニン系色素は所定の波
長をもった光の照射により励起されて該所定の波長より
長い、つまり、長波長側の波長をもった励起光を放射す
る性質を有している。 上記一般式(1)で表されるシ
ア、ニン系色素としては、例えばR,、R1がC1@H
s、の3,3°−ジオクタデシルチアシアニンが挙げら
れる。
本発明の光信号ゲート素子用材料の制御層2は、フォト
クロミック化合物を含有した層で、フォトクロミック化
合物としては、下記一般式(II)で表されるスピロピ
ラン系色素が好ましい。
1′<3 [Rsは上記一般式(1)のR1、Rtと同様炭化水素
基からなる置換基で、炭素数C1〜CZaが好ましく、
より好ましくはC14〜cteである。R1としては、
例えばCIIH3?が挙げられる。〕上記一般式(n)
で表されるフォトクロミック化合物は、第1の制御光、
例えば紫外線を受けると、開環反応を起こし、上記供与
層1のシアニン系色素から放射された光を吸収する吸収
帯域が現れ、上記供与層lの励起光によって励起されて
より長波長側の励起光を放射し、また第2の制御光、例
えば、可視光を照射することによってその吸収帯域が消
失して無色になり、上記供与層1からの放射光に対して
透明になる。
上記一般式(n)で表されるフォトクロミック化合物と
しては、例えば1° −オクタデシル−3,3°ジメチ
ル−6−二トロスピロ(2H−1−ベンゾピラン−2,
2° −インドリン)が挙げられる。
本発明のゲート素子の受容層3は、上記制御3層2から
の放射光を受容して励起する化合物を含有した層となし
てあれば良く、このような層としては、カルボシアニン
系色素を含有した層であることが好ましく、カルボシア
ニン系色素としては下記一般式(I[I)で表されるも
のが好ましい。
(RJ、Rsは上記一般式(1)、(I[)と同様の炭
化水素からなる置換基で、炭素数C1〜CZSが好まし
く、より好ましくはC+t〜C2゜である、〕上記一般
式(Ill)で表されるカルボシアニン系色素は、上記
制御層2からの放射光を吸収する吸収帯域を有し、この
放射光により励起されてより長波長側の放射光を放射す
る性質を有し、その他の波長の光は透過させる性質を有
している。
上記一般式(I[[)で表されるカルボシアニン系色素
としては、例えば4. 5. 4″、5″−ジベンゾ−
1,1−ジオクタデシル−3,3,3’ 。
3° −テトラメチルインドジカルボシアニンが挙げら
れる。
更に、本発明の光信号ゲート素子用材料は、上記供与層
1、制′4′n層2及び受容層3の他に、これらの多層
膜を保護する保護層4と、中間層5を介した基板6とを
備えている。基板6は、光を吸収しない透明体であれば
、特に特定の材料に限定されないが、該基板6としては
、石英、ガラスなどが好ましく用いられる。
本発明のゲート素子は、上述の如く供与層1、制御層2
及び受容層3を備えてなるため、波長の異なる2つの制
御光を交互に照射することによって、制御層2が着色状
態、無色状態を交互に形成し、例えば第2図に示す如く
供与層1からの発光スペクトルAをそのまま制御層2、
受容層3を介して伝達する現象と、上記スペクトルを制
御層2、受容層3を介して特定波長域、同図では4BO
n+mの強度を低下させると共により長波長側にシフト
した725n−の発光スペクトルを生成して、その波長
域の強度を高めた発光スペクトルBとして伝達する現象
とが現れる。
この現象を更に詳述すると、第3図(al (blに示
す如く、一方の第1の制御光によって制御層2の上記フ
ォトクロミック化合物が開環して青色状B(同図中)参
照)になると、供与層lの発光スペクトルのエネルギー
の一部が制御層2のフォトクロミック化合物の開環反応
によって現れた480nmの吸収帯域に吸収されてその
励起エネルギーとして消費するために、上記供与層1か
らの発光スペクトルの特定波長域4aonmの強度は低
下しく第2図参照)、また励起されたフォトクロミフク
化金物は660nmの発光スペクトルを放射する。
さらに、その光は受容層3のカルボシアニン系色素の6
60nmの吸収帯に吸収されてカルボシアニン系色素を
励起して発光し、より長波長側にシフトした波長域の強
度、同図では725t1mの波長を高めることになる(
第2図参照)、また、他方の第2の制御光によって制御
層4が無色状態になると480 nmの波長域での吸収
帯域が消失しく第参図(al参照)、供与層1の発光ス
ペクトルはそのまま制御層2、受容層3を透過して伝達
される。従って、第1の制御光を照射した場合には、第
2の制御光を照射した場合に比べて、供与層1からの発
光スペクトルの特定波長域の強度は低下し、受容層3の
発光スペクトルの波長域の強度が高くなっている。
そこで、これらの両波長域(例えば第2図では4 B 
0n11.725nm)のスペクトルの強度をモニタす
ると、第4図に示す強度波形が得られる。即ち、同図は
2つの制御光を交互に照射した場合の上記各波長域の各
強度変化を示し、第1の制御光である紫外光を照射する
と、480n−での発光強度は急激に下降してボトムに
達する反面、725nmでの発光強度は急激に上昇して
ピークに達する。
次いで、第2の制御光である可視光の照射に切り替える
と、480n−での発光強度が急激に上昇する反面、7
25n+sでの発光強度が急激に下降してボトムに達す
る。このように第1の制御光と第2の制御光を切り替え
制御することによって、モニタする480n−と?25
nmでの発光強度が夫々相反する方向に同時に変化して
、両者が相互に最も接近した第1の状態と、最も隔離し
た第2の状態とが明瞭に現れ、これらの第1の状態、第
2の状態を夫#ON、OFFあるいはOFF、ON状態
として設定しておくことによって、光スイツチング機能
を達成することが可能になる。
つまり、供与層1、制御層2に受容層3を積層すること
によって上記モニタが可能となり、延いては高速特性に
優れた光ゲート素子としての機能を得ることができるも
のである。
尚、上記受容層3、制御層2及び供与層1には、更にそ
れらと同一構成の多層膜を積層してもよく、また、基板
6に対する積層順序は逆にしても同様の効果が奏し得ら
れることは言うまでもない。
次に本発明の光信号ゲート素子用材料の製造方法を第1
図に基づいて説明する0本発明の光信号ゲート素子用材
料は、ラングミュア−プロジェット法によって製造する
ことができる。そのためには、まず、アラキン酸やアラ
キン酸メチルなどのように上述した各色素と相溶性のあ
る化合物を水面に浮遊させてそれらの単分子層膜を形成
させて圧縮し、i縮膜を形成させた後、基板6を水面に
対して垂直に上下させると、アラキン酸などの単分子層
が基板表面に形成される。かかる上げ下げを奇数回行っ
て、最終層の表面が疎水性基になるように積層して、中
間層5を形成させる0次いで、アラキン酸に上述したカ
ルボシアニン系色素を溶解させて同様に基板6を上下さ
せて中間層5の表面に積層させる。これを偶数回繰り返
して受容層3を形成する0次いで、同様の操作をしてフ
ォトクロミック化合物の偶数層からなる制御層2、シア
ニン系色素の偶数層からなる供与層l及びアラキン酸な
どからなる保護層4を夫々形成する。
〔実施例〕
以下本発明のゲート素子の一実施例について説明する。
本実施例のゲート素子の供与層1、制?IIJi2及び
受容層3は、第1図及び第5図に示す有機色素を含有し
て形成されている。
即ち、上記供与層1は、シアニン系色素として3.3°
 −ジオクタデシルチアシアニンを含有し、この色素は
第3図ta+、(blに示す如き吸収帯域を有し、所定
の波長405 nmで励起されて波長480nmの励起
光を発光する。
また、上記ゲート素子の制御層2は、上記供与層1にお
いて発光して放射される光の伝達を制御する層で、下記
フォトクロミック化合物として、1°−オクタデシル−
3,3° −ジメチル−6−二トロスピロ(2H−1−
ベンゾビラン−2,2゛−インドリン〕を含有している
このフォトクロミック化合物に構造変化をもたらす波長
としては、第3図fat、(′b)に示す如く第1の制
御光として波長が3651■の紫外光が用いられ、第2
の制御光として波長が545nmの可視光が用いられる
。第1の制御光を照射すると、このフォトクロミック化
合物は、以下に示す如く、開環反応を起こし、波長の吸
収帯域が変化し、480neに吸収帯域が現れる。
従って、上記供与層1から480nmの光が照射される
と、この光を吸収して励起され、より波長の長い660
rvの光を発光するようになる。逆に第2の制御光を照
射すると、上記吸収帯域が消失し、480naの光をそ
のまま透過させる。
また、上記ゲート素子の受容層3は、下記カルボシアニ
ン系色素であるである、4,5,4°。
5°−ジベンゾ−1,1°−ジオクタデシル−3゜3.
3’ 、3° −テトラメチルインドジカルボシアニン
を含有して形成されている。
この色素は、660rvに吸収帯域があり、制御層2に
おいて発光する光を吸収して励起し、725nmの波長
をもった光を発光する。
更にまた、上記供与層1、制御層2及び受容層3を支持
する基板6は、石英によって形成されている。
次に本実施例のゲート素子の作用について説明する。
本実施例のゲート素子に545n−の波長を持つ可視光
を第2の制御光として照射すると、制御層2は、第3図
(alに示す如く、500ns+近傍には光の吸収帯を
もたない無色状態であるが、365nmの波長の紫外光
を第1の制御光として照射すると、制御層2のフォトク
ロミック化合物が上述の如く構造変化を起こし、第3図
(b)に示す如く480n−に吸収帯が現れ青色状態に
なる。
従って、545nwの可視光を照射した無色状態下で、
供与層1の吸収帯域の405nmの光を照射すると、供
与層1がその光を吸収して励起されて480na+の光
を発光する。この4日0n−の光が制御層2に照射され
ると、制御層2はその光に対する吸収帯域をもたず、そ
の光は制御層2をそのまま透過して受容層3へと伝達さ
れる。更に受容層3も、やはり480n−に吸収帯域を
もたないため、そのまま光を通過させて中間層5、基板
6を介して480nmの光を透過させてそのまま外方へ
と伝達する。つまり、制?IJW2が無色状態では、4
05nsの光を照射すると、その光は480n−にシフ
トした光を伝達することになる。この発光スペクトルを
示したものが第2図に示したAである。
次いで365nmの紫外光を照射した青色状態下で、無
色状態下におけると同一の光を照射すると、供与層lか
ら制御n層2には、480nmの光が伝達される。制御
層2は、480n+mの波長を吸収して励起され、長波
長側にシフトした660nmの光を発光して、この光を
受容層3に伝達する。受容層3は、660nmに吸収帯
域があるため、その光を吸収して励起され、更に長波長
側にシフトした725nsの光を発光してその光を中間
層5、基板6を介して外方へと伝達する。このようにし
て伝達されるこの発光スペクトルは第2図に示したBで
ある。
上記発光スペクトルAの480nmのピークは、供与層
1の色素での発光をそのまま透過したものであるから、
その強度は大きく、受容層3の色素の725nn+付近
の発光強度は逆に小さくなる。ところが、発光スペクト
ルBの場合には、第3図(bJの状態になりつつあると
ころで、480ローのピークは、エネルギーが伝達され
た分だけ減少する反面、725n+m付近の発光強度が
上昇している。
これら両全光スペクトルの480nm及び725n−に
おける強度をモニタしたものが、第4図であり、第1、
第2の制御光を交互に切り換えることによって、2つの
状態を作り得て、いずれかをON、OFFに規定すれば
、スイッチング機能を発揮する。
〔発明の効果〕
本発明の光信号ゲート素子用材料は、フォトクロミック
材料を用いた2層膜の特性を効果的に利用することによ
って、即ち、供与層と制御層の2層膜に新たに受容層を
順次積層して形成したことから、光コンピュータ等の光
信号ゲート素子として応用可能な高速のスイッチング特
性を有する。
また、本発明の光信号ゲート素子用材料はラングミュア
−プロジェット法よって容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の光信号ゲート素子用材料の層構成を
示す図、第2回は、光信号ゲート素子用材料によって伝
達される発光スペクトルを示す図、第3図(al、(′
b)は上記光信号ゲート素子用材料の作用を説明するた
めの説明図、第4図は、第2図に示す発光スペクトルの
うち480n腸及び725nmの発光強度をモニタした
ときの強度変化を示す図、第5図は光信号ゲート素子用
材料の各層に含有される有機化合物を示す図である。 l・・・供与層  2・・・制御層 3・・・受容層  4・・・保護層 5・・・中間層  6・・・基板 第1図 第5図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)所定の波長の光の照射により励起されて該所定の
    波長より長い波長の光を放射する供与層と、該供与層か
    ら放射される光の伝達を制御する制御層と、該制御層か
    らの光を受容する受容層とを順次積層した多層膜からな
    り、 上記制御層は、可逆的光化学反応を起こすフォトクロミ
    ック化合物を含み、波長の異なる2つの制御光のいずれ
    かによって、上記供与層からの光をそのまま透過させて
    上記受容層に伝達するか又は上記供与層からの光で励起
    されて該光の波長より長い波長の光を上記受容層に伝達
    し、 上記受容層は、上記制御層からの前者の光(透過光)を
    そのまま透過させ、また上記制御層からの後者の光(励
    起光)によって励起されて該光の波長より長い波長の光
    を放射することを特徴とする光信号ゲート素子用材料。
  2. (2)透明な基板上に、上記多層膜が、その供与層又は
    受容層を上記基板側に位置させて積層されている、請求
    項(1)に記載の光信号ゲート素子用材料。
  3. (3)上記多層膜が、疎水性層を介して上記基板上に積
    層されており、且つ表面が保護層で被覆されている、請
    求項(2)に記載の光信号ゲート素子用材料。
  4. (4)多層膜を、ラングミュア・プロジェット法により
    、透明な基板上に形成することを特徴とする請求項(1
    )に記載の光信号ゲート素子用材料の製造方法。
JP12363588A 1988-05-20 1988-05-20 光信号ゲート素子用材料及びその製造方法 Pending JPH01293323A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12363588A JPH01293323A (ja) 1988-05-20 1988-05-20 光信号ゲート素子用材料及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12363588A JPH01293323A (ja) 1988-05-20 1988-05-20 光信号ゲート素子用材料及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01293323A true JPH01293323A (ja) 1989-11-27

Family

ID=14865465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12363588A Pending JPH01293323A (ja) 1988-05-20 1988-05-20 光信号ゲート素子用材料及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01293323A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008076884A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 National Institute For Materials Science 可逆光応答素子並びにそれを用いた撮像装置及び並列アナログ演算装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008076884A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 National Institute For Materials Science 可逆光応答素子並びにそれを用いた撮像装置及び並列アナログ演算装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7718325B2 (en) Photochromic material, inkless reimageable printing paper, and methods
EP2003497A1 (en) Inkless reimageable printing paper and method
JP2003529475A5 (ja)
JPH01293323A (ja) 光信号ゲート素子用材料及びその製造方法
JPH1172808A (ja) 光スイッチング素子
JP2003131339A5 (ja)
JP4148398B2 (ja) 可逆画像表示媒体及び該画像表示媒体を用いた画像形成方法
US5215868A (en) Method for recording information via photo-recording medium
JP2004348110A (ja) 画像表示媒体および画像形成方法
JP2004326048A (ja) 画像表示媒体および画像形成方法
JP4012729B2 (ja) 多色画像表示方法及び多色画像表示装置
JP2005031613A (ja) 可逆画像表示媒体及び画像形成方法
JP4023591B2 (ja) 可逆画像記録媒体およびその記録方法
JPS62147454A (ja) 光学記録媒体
JP4215153B2 (ja) フォトクロミック化合物、可逆画像表示媒体および画像形成方法
CN113939872B (zh) 一种光学系统及光学方法
JP4025554B2 (ja) 可逆画像記録媒体および方法
JP4127790B2 (ja) 可逆画像記録媒体および記録方法
JP3994022B2 (ja) 可逆画像記録媒体及びその記録方法
JPS62147455A (ja) 光学記録媒体
JP4230270B2 (ja) 可逆的フルカラー画像形成方法
JP3893277B2 (ja) 可逆画像表示媒体、画像表示方法及び画像形成装置
JPH0452792B2 (ja)
JP4358612B2 (ja) 可逆画像表示媒体及び該画像表示媒体を用いた画像形成方法
JPH0443571B2 (ja)