JPH01282819A - 回転塗布装置 - Google Patents
回転塗布装置Info
- Publication number
- JPH01282819A JPH01282819A JP11319288A JP11319288A JPH01282819A JP H01282819 A JPH01282819 A JP H01282819A JP 11319288 A JP11319288 A JP 11319288A JP 11319288 A JP11319288 A JP 11319288A JP H01282819 A JPH01282819 A JP H01282819A
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- Japan
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- organic solvent
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- semiconductor substrate
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- Granted
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- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板にフォトレジスト等を塗布する回転
塗布装置に関する。
塗布装置に関する。
従来、この種の回転塗布装置には、半導体基板の裏面に
回り込むフォトレジスト等を洗浄するために第３図の３
で示されている様な固定ノズルがあり、半導体基板裏面
に有機溶剤を窒素加圧法又は、ポンプを用いて飛ばし裏
面洗浄を行っていた。
回り込むフォトレジスト等を洗浄するために第３図の３
で示されている様な固定ノズルがあり、半導体基板裏面
に有機溶剤を窒素加圧法又は、ポンプを用いて飛ばし裏
面洗浄を行っていた。
上述した従来の回転塗布装置の裏面洗浄方式は、ノズル
が固定されている。そして、裏面洗浄時の有機溶剤の吐
出は窒素加圧かポンプで行われるが、その吐出圧は第４
図の様に吐出開始直後はオーバーシュートが生じる。こ
のオーバーシュートにより、吐出された有機溶剤は第３
図の４ｂの様な軌跡で半導体基板表面に付着し半導体基
板上に塗布されたフォトレジストを溶解しマスクパター
ンが正確に転写されない部分が生じるという欠点がある
。
が固定されている。そして、裏面洗浄時の有機溶剤の吐
出は窒素加圧かポンプで行われるが、その吐出圧は第４
図の様に吐出開始直後はオーバーシュートが生じる。こ
のオーバーシュートにより、吐出された有機溶剤は第３
図の４ｂの様な軌跡で半導体基板表面に付着し半導体基
板上に塗布されたフォトレジストを溶解しマスクパター
ンが正確に転写されない部分が生じるという欠点がある
。
本発明の回転塗布装置は、半導体基板上にフォトレジス
ト等を塗布する回転塗布装置において、半導体基板の裏
面洗浄用ノズルが可動であることを特徴とする。
ト等を塗布する回転塗布装置において、半導体基板の裏
面洗浄用ノズルが可動であることを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。本発明で
は半導体基板と裏面洗浄用のノズルとの相対位置を裏面
洗浄サイクル中に変える機構を有している。次に、動作
について説明する。半導体基板ｌにフォトレジストを塗
布した後、ノズル３ａが有機溶剤を軌跡４ａの様に吐出
する。この時有機溶剤の吐出圧が第４図の様に吐出開始
直後にオーバーシュートしても塗布機カップ壁面５まで
飛ばないのでこの回転軸寄りの位置でオーバーシュート
している間有機溶剤を吐出する。オーバーシュートの期
間が終わると、ノズル３ａは３ｂまで移動し、有機溶剤
を吐出し半導体基板の裏面についたフォトレジストを除
去する。
は半導体基板と裏面洗浄用のノズルとの相対位置を裏面
洗浄サイクル中に変える機構を有している。次に、動作
について説明する。半導体基板ｌにフォトレジストを塗
布した後、ノズル３ａが有機溶剤を軌跡４ａの様に吐出
する。この時有機溶剤の吐出圧が第４図の様に吐出開始
直後にオーバーシュートしても塗布機カップ壁面５まで
飛ばないのでこの回転軸寄りの位置でオーバーシュート
している間有機溶剤を吐出する。オーバーシュートの期
間が終わると、ノズル３ａは３ｂまで移動し、有機溶剤
を吐出し半導体基板の裏面についたフォトレジストを除
去する。
第２図は本発明の他の実施例の平面図である。
本実施例ではノズル３ｃは、水平方向には移動せず同じ
位置で回転する。そして、ノズル３ｃの先端形状に特徴
があり、ノズル３ｃの先端が斜めに切り落とされている
。ノズル３ｃは、オーバーシュートの期間は有機溶剤を
半導体基板の接線方向より半導体基板中心側（矢印Ａの
方向）に向けて吐出し、オーバーシュートの期間が終わ
るとノズル３ｃは反時計方向に回転しく矢印Ｂの方向）
、半導体基板の半径方向に吐出し、半導体基板の裏面に
ついたフォトレジストを除去する。
位置で回転する。そして、ノズル３ｃの先端形状に特徴
があり、ノズル３ｃの先端が斜めに切り落とされている
。ノズル３ｃは、オーバーシュートの期間は有機溶剤を
半導体基板の接線方向より半導体基板中心側（矢印Ａの
方向）に向けて吐出し、オーバーシュートの期間が終わ
るとノズル３ｃは反時計方向に回転しく矢印Ｂの方向）
、半導体基板の半径方向に吐出し、半導体基板の裏面に
ついたフォトレジストを除去する。
以上説明したように本発明は、裏面洗浄用の有機溶剤吐
出ノズルを可動とすることにより、有機溶剤吐出圧がオ
ーバーシュートしている間は、吐出方向、位置を変化さ
せることにより有機溶剤の半導体基板表面への付着を防
止できる効果がある。
出ノズルを可動とすることにより、有機溶剤吐出圧がオ
ーバーシュートしている間は、吐出方向、位置を変化さ
せることにより有機溶剤の半導体基板表面への付着を防
止できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は本発明
の他の実施例の平面図、第３図は従来装置の縦断面図、
第４図は有機溶剤吐出圧と時間の関係図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・スピンチャ
ック、３ａ〜３ｃ・・・・・・ノズル、４ａ〜４ｂ・・
・・・・有機溶剤の軌跡、訃・・・・・塗布機力、ブ壁
面。 代理人 弁理士 内 原 音 さ（ ・審蛋磐１頃
の他の実施例の平面図、第３図は従来装置の縦断面図、
第４図は有機溶剤吐出圧と時間の関係図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・スピンチャ
ック、３ａ〜３ｃ・・・・・・ノズル、４ａ〜４ｂ・・
・・・・有機溶剤の軌跡、訃・・・・・塗布機力、ブ壁
面。 代理人 弁理士 内 原 音 さ（ ・審蛋磐１頃
Claims (1)
- 半導体基板上にフォトレジスト等を塗布する回転塗布
装置において、半導体基板の裏面洗浄用ノズルが可動で
あることを特徴とする回転塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63113192A JP2634853B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 回転塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63113192A JP2634853B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 回転塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01282819A true JPH01282819A (ja) | 1989-11-14 |
| JP2634853B2 JP2634853B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=14605885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63113192A Expired - Lifetime JP2634853B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 回転塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2634853B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0487774U (ja) * | 1990-12-12 | 1992-07-30 | ||
| WO2007052815A1 (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | Tokuyama Corporation | コーティング装置 |
| JP2007175697A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-07-12 | Tokuyama Corp | コーティング装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6231973U (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-25 | ||
| JPS62166517A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 半導体製造装置のスピンヘツド |
| JPS62276828A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-12-01 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
-
1988
- 1988-05-09 JP JP63113192A patent/JP2634853B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6231973U (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-25 | ||
| JPS62166517A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 半導体製造装置のスピンヘツド |
| JPS62276828A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-12-01 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0487774U (ja) * | 1990-12-12 | 1992-07-30 | ||
| WO2007052815A1 (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | Tokuyama Corporation | コーティング装置 |
| US8087377B2 (en) | 2005-11-04 | 2012-01-03 | Tokuyama Corporation | Coating apparatus |
| JP2007175697A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-07-12 | Tokuyama Corp | コーティング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2634853B2 (ja) | 1997-07-30 |
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