JPH06224114A - 有機材料塗布装置 - Google Patents
有機材料塗布装置Info
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- JPH06224114A JPH06224114A JP5012731A JP1273193A JPH06224114A JP H06224114 A JPH06224114 A JP H06224114A JP 5012731 A JP5012731 A JP 5012731A JP 1273193 A JP1273193 A JP 1273193A JP H06224114 A JPH06224114 A JP H06224114A
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- nozzle
- organic material
- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】フォトレジスト塗布装置の吐出式ノズルが半導
体ウェハの幅が狭い部分に対向している時に吐き出すレ
ジスト材料を絞り、レジスト材料の使用量を削減し、損
失分の減少を図る。 【構成】半導体ウェハ１の上面に吐出式ノズル２からフ
ォトレジスト材料３を吐き出してフォトレジスト膜を塗
布するブレード・ディスペンス方式の塗布装置におい
て、ウェハとノズルとの相対的な移動速度を検知し、こ
の検知出力から半導体ウェハがノズルに対向する部分に
おけるウェハ径に対応したウェハ幅を自動的に算定し、
この算定出力に応じてノズル吐出口２ａのウェハ幅方向
の開口幅を制御する遮蔽部材２ｂを具備することを特徴
とする。
体ウェハの幅が狭い部分に対向している時に吐き出すレ
ジスト材料を絞り、レジスト材料の使用量を削減し、損
失分の減少を図る。 【構成】半導体ウェハ１の上面に吐出式ノズル２からフ
ォトレジスト材料３を吐き出してフォトレジスト膜を塗
布するブレード・ディスペンス方式の塗布装置におい
て、ウェハとノズルとの相対的な移動速度を検知し、こ
の検知出力から半導体ウェハがノズルに対向する部分に
おけるウェハ径に対応したウェハ幅を自動的に算定し、
この算定出力に応じてノズル吐出口２ａのウェハ幅方向
の開口幅を制御する遮蔽部材２ｂを具備することを特徴
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
で半導体ウェハの上面に有機材料を塗布するために使用
される有機材料塗布装置に係り、特にブレード・ノズル
あるいはスリット・ノズルなどの吐出式ノズルからフォ
トレジスト等の有機材料を吐き出して塗布するブレード
・ディスペンス方式あるいはスリット・ディスペンス方
式の有機材料塗布装置の改良に関する。
で半導体ウェハの上面に有機材料を塗布するために使用
される有機材料塗布装置に係り、特にブレード・ノズル
あるいはスリット・ノズルなどの吐出式ノズルからフォ
トレジスト等の有機材料を吐き出して塗布するブレード
・ディスペンス方式あるいはスリット・ディスペンス方
式の有機材料塗布装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体デバイスは、高性能化、高
集積化が進んでおり、その製造工程で使用されるリソグ
ラフィ技術に関しては、微細化、均一性を含む高精度の
アライメントが要求されている。
集積化が進んでおり、その製造工程で使用されるリソグ
ラフィ技術に関しては、微細化、均一性を含む高精度の
アライメントが要求されている。
【０００３】上記リソグラフィ技術に必要不可欠なフォ
トレジスト材料を半導体ウェハの上面に塗布するための
フォトレジスト塗布装置として、従来は、スピンコート
法が主に用いられている。図７は、従来のスピンコート
法によるレジスト塗布方法の一例を示す。
トレジスト材料を半導体ウェハの上面に塗布するための
フォトレジスト塗布装置として、従来は、スピンコート
法が主に用いられている。図７は、従来のスピンコート
法によるレジスト塗布方法の一例を示す。
【０００４】即ち、半導体ウェハ７１上にノズル７２か
らフォトレジスト材料７３を吐き出して滴下した後に、
ウェハ７１を回転させる。これにより、フォトレジスト
材料７３がウェハ上面に塗布される。
らフォトレジスト材料７３を吐き出して滴下した後に、
ウェハ７１を回転させる。これにより、フォトレジスト
材料７３がウェハ上面に塗布される。
【０００５】このスピンコート法によるレジスト塗布方
法では、ウェハ上に残存するレジスト材料は数％であ
り、その他（９０％以上）は殆んど廃棄していることに
なり、レジスト材料の損失分が多く、材料効率が悪い。
また、スピンコート法によるレジスト塗布方法では、ウ
ェハ上のパターンの段差の厳しい部分に対して良好で均
一性に優れた被覆が困難である。
法では、ウェハ上に残存するレジスト材料は数％であ
り、その他（９０％以上）は殆んど廃棄していることに
なり、レジスト材料の損失分が多く、材料効率が悪い。
また、スピンコート法によるレジスト塗布方法では、ウ
ェハ上のパターンの段差の厳しい部分に対して良好で均
一性に優れた被覆が困難である。
【０００６】一方、レジスト材料を効率的に利用するた
めに、ウェハ上にレジスト成分を９０％以上残し、レジ
スト材料の損失分を１０％以下に抑制し得るレジスト塗
布方法として、ウェハを回転させないで済むブレード・
ディスペンス・ノズルを用いる方式が考えられている。
図８は、従来考えられているブレード・ディスペンス方
式のフォトレジスト塗布装置の要部構成を概略的に示し
ている。
めに、ウェハ上にレジスト成分を９０％以上残し、レジ
スト材料の損失分を１０％以下に抑制し得るレジスト塗
布方法として、ウェハを回転させないで済むブレード・
ディスペンス・ノズルを用いる方式が考えられている。
図８は、従来考えられているブレード・ディスペンス方
式のフォトレジスト塗布装置の要部構成を概略的に示し
ている。
【０００７】即ち、停止状態の半導体ウェハ１の上面に
向けて、ディスペンス・ノズル２を図示矢印方向Ａに移
動させながらその先端部からフォトレジスト材料を噴霧
状に吐き出して塗布するものである。この際、半導体ウ
ェハ１の搬送速度とフォトレジスト材料の吐き出し速度
とを制御することにより半導体ウェハ上に形成されるフ
ォトレジスト膜の膜厚を制御する。
向けて、ディスペンス・ノズル２を図示矢印方向Ａに移
動させながらその先端部からフォトレジスト材料を噴霧
状に吐き出して塗布するものである。この際、半導体ウ
ェハ１の搬送速度とフォトレジスト材料の吐き出し速度
とを制御することにより半導体ウェハ上に形成されるフ
ォトレジスト膜の膜厚を制御する。
【０００８】しかし、実際のウェハプロセスにおいて
は、図８のフォトレジスト塗布装置により半導体ウェハ
１にフォトレジスト膜を塗布する時に、ディスペンス・
ノズル２が対向する部分のウェハ径が変化するにも拘ら
ず、フォトレジスト材料の吐き出し量が一定であると、
ウェハ幅が狭い部分にディスペンス・ノズル２が対向し
ている時にレジスト材料の損失分が多くなる。
は、図８のフォトレジスト塗布装置により半導体ウェハ
１にフォトレジスト膜を塗布する時に、ディスペンス・
ノズル２が対向する部分のウェハ径が変化するにも拘ら
ず、フォトレジスト材料の吐き出し量が一定であると、
ウェハ幅が狭い部分にディスペンス・ノズル２が対向し
ている時にレジスト材料の損失分が多くなる。
【０００９】また、図８のフォトレジスト塗布装置によ
り半導体ウェハ１にフォトレジスト膜を塗布した時に、
ウェハ周辺部分にもフォトレジスト膜が付くので、フォ
トレジスト塗布後にウェハ周縁部上の不要なフォトレジ
スト膜を除去する工程を必要とし、この工程に伴うダス
トの発生により、後の工程（パターニング・エッチング
など）でのウェハ搬送時のパーティクルの発生原因とな
るなどの不都合が生じる。
り半導体ウェハ１にフォトレジスト膜を塗布した時に、
ウェハ周辺部分にもフォトレジスト膜が付くので、フォ
トレジスト塗布後にウェハ周縁部上の不要なフォトレジ
スト膜を除去する工程を必要とし、この工程に伴うダス
トの発生により、後の工程（パターニング・エッチング
など）でのウェハ搬送時のパーティクルの発生原因とな
るなどの不都合が生じる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来考
えられているブレード・ディスペンス方式のフォトレジ
スト塗布装置は、ウェハ幅が狭い部分にディスペンス・
ノズルが対向している時に吐き出すレジスト材料の損失
分が多くなるという問題があった。
えられているブレード・ディスペンス方式のフォトレジ
スト塗布装置は、ウェハ幅が狭い部分にディスペンス・
ノズルが対向している時に吐き出すレジスト材料の損失
分が多くなるという問題があった。
【００１１】また、フォトレジスト塗布後にウェハ周縁
部上の不要なフォトレジスト膜を除去する工程を必要と
し、この工程に伴うダストの発生により、後の工程での
ウェハ搬送時のパーティクルの発生原因となるなどの不
都合が生じるという問題があった。
部上の不要なフォトレジスト膜を除去する工程を必要と
し、この工程に伴うダストの発生により、後の工程での
ウェハ搬送時のパーティクルの発生原因となるなどの不
都合が生じるという問題があった。
【００１２】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、ウェハ幅が狭い部分にディスペンス・ノズル
が対向している時に吐き出すレジスト材料等の有機材料
を絞り、有機材料の使用量の削減、損失分（処分量）の
減少を図ることが可能になり、ウェハ上のパターンの段
差の厳しい部分に対しても良好で均一性に優れた有機材
料膜を形成でき、実際のウェハプロセスに現実的に対応
し得る有機材料塗布装置を提供することを目的とする。
たもので、ウェハ幅が狭い部分にディスペンス・ノズル
が対向している時に吐き出すレジスト材料等の有機材料
を絞り、有機材料の使用量の削減、損失分（処分量）の
減少を図ることが可能になり、ウェハ上のパターンの段
差の厳しい部分に対しても良好で均一性に優れた有機材
料膜を形成でき、実際のウェハプロセスに現実的に対応
し得る有機材料塗布装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、搬送されてい
る状態あるいは停止状態の半導体ウェハの上面に、停止
状態であるいは上記半導体ウェハの搬送方向とは逆方向
に移動しながら吐出式ノズルから有機材料を吐き出して
塗布し、半導体ウェハと吐出式ノズルとの相対的な移動
速度および有機材料の吐き出し速度を制御することによ
り半導体ウェハ上に形成される有機材料膜の膜厚を制御
する有機材料塗布装置において、前記半導体ウェハと吐
出式ノズルとの相対的な移動速度を検知する移動速度検
知手段と、この移動速度検知手段による検知出力から前
記半導体ウェハがノズルに対向する部分におけるウェハ
径に対応したウェハ幅を自動的に算定するウェハ幅算定
手段と、このウェハ幅算定手段による算定出力に応じて
前記ノズルの吐出口の半導体ウェハ幅方向の開口幅を制
御するノズル開口幅制御手段とを具備することを特徴と
する。
る状態あるいは停止状態の半導体ウェハの上面に、停止
状態であるいは上記半導体ウェハの搬送方向とは逆方向
に移動しながら吐出式ノズルから有機材料を吐き出して
塗布し、半導体ウェハと吐出式ノズルとの相対的な移動
速度および有機材料の吐き出し速度を制御することによ
り半導体ウェハ上に形成される有機材料膜の膜厚を制御
する有機材料塗布装置において、前記半導体ウェハと吐
出式ノズルとの相対的な移動速度を検知する移動速度検
知手段と、この移動速度検知手段による検知出力から前
記半導体ウェハがノズルに対向する部分におけるウェハ
径に対応したウェハ幅を自動的に算定するウェハ幅算定
手段と、このウェハ幅算定手段による算定出力に応じて
前記ノズルの吐出口の半導体ウェハ幅方向の開口幅を制
御するノズル開口幅制御手段とを具備することを特徴と
する。
【００１４】
【作用】半導体ウェハがノズルに対向する部分における
ウェハ径に対応したウェハ幅を自動的に算定し、算定出
力に応じてノズル吐出口の半導体ウェハ幅方向の開口幅
を制御することより、ウェハ幅が狭い部分にノズル吐出
口が対向している時に吐き出す有機材料（写真蝕刻工程
用のフォトレジストあるいは表面保護用のポリイミドな
ど）を絞り、有機材料の使用量の削減、損失分（処分
量）の減少を図ることが可能になる。また、ウェハ上の
パターンの段差の厳しい部分に対しても良好で均一性に
優れた塗布が可能になる。
ウェハ径に対応したウェハ幅を自動的に算定し、算定出
力に応じてノズル吐出口の半導体ウェハ幅方向の開口幅
を制御することより、ウェハ幅が狭い部分にノズル吐出
口が対向している時に吐き出す有機材料（写真蝕刻工程
用のフォトレジストあるいは表面保護用のポリイミドな
ど）を絞り、有機材料の使用量の削減、損失分（処分
量）の減少を図ることが可能になる。また、ウェハ上の
パターンの段差の厳しい部分に対しても良好で均一性に
優れた塗布が可能になる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１６】図１は、本発明の第１実施例に係るブレー
ド・ディスペンス方式（あるいはスリット・ディスペン
ス方式）のフォトレジスト塗布装置の要部構成を概略的
に示している。
ド・ディスペンス方式（あるいはスリット・ディスペン
ス方式）のフォトレジスト塗布装置の要部構成を概略的
に示している。
【００１７】このフォトレジスト塗布装置は、ウェハ搬
送装置（図示せず）により図示矢印方向Ａに搬送されて
いる状態の半導体ウェハ１の上面に向けて、ディスペン
ス・ノズル２（ブレード・ノズルあるいはスリット・ノ
ズル）の先端部からフォトレジスト材料を図示矢印方向
Ｂに噴霧状に吐き出して塗布するものである。
送装置（図示せず）により図示矢印方向Ａに搬送されて
いる状態の半導体ウェハ１の上面に向けて、ディスペン
ス・ノズル２（ブレード・ノズルあるいはスリット・ノ
ズル）の先端部からフォトレジスト材料を図示矢印方向
Ｂに噴霧状に吐き出して塗布するものである。
【００１８】図示矢印方向Ｃは、ディスペンス・ノズル
先端部の移動方向（半導体ウェハの搬送方向Ａとは逆方
向）であり、図示矢印方向Ｄは、ディスペンス・ノズル
２内のフォトレジスト材料供給方向である。
先端部の移動方向（半導体ウェハの搬送方向Ａとは逆方
向）であり、図示矢印方向Ｄは、ディスペンス・ノズル
２内のフォトレジスト材料供給方向である。
【００１９】上記半導体ウェハ１と吐出式ノズル２との
相対的な移動速度およびフォトレジスト材料の吐き出し
速度を制御することにより半導体ウェハ１上に形成され
るフォトレジスト膜の膜厚を制御することが可能であ
る。なお、前記半導体ウェハ１、ノズル２は、いずれか
一方が停止状態であってもよい。
相対的な移動速度およびフォトレジスト材料の吐き出し
速度を制御することにより半導体ウェハ１上に形成され
るフォトレジスト膜の膜厚を制御することが可能であ
る。なお、前記半導体ウェハ１、ノズル２は、いずれか
一方が停止状態であってもよい。
【００２０】さらに、前記ウェハ１の搬送方向における
ノズル２に対する相対的な移動速度を検知する移動速度
検知手段１１と、この移動速度検知手段１１による検知
出力からウェハ１がノズル２に対向する部分におけるウ
ェハ径に対応したウェハ幅を自動的に算定するウェハ幅
算定手段１２と、このウェハ幅算定手段１２による算定
出力に応じてノズル２の吐出口のウェハ幅方向の開口幅
を制御するノズル開口幅制御手段とを具備する。
ノズル２に対する相対的な移動速度を検知する移動速度
検知手段１１と、この移動速度検知手段１１による検知
出力からウェハ１がノズル２に対向する部分におけるウ
ェハ径に対応したウェハ幅を自動的に算定するウェハ幅
算定手段１２と、このウェハ幅算定手段１２による算定
出力に応じてノズル２の吐出口のウェハ幅方向の開口幅
を制御するノズル開口幅制御手段とを具備する。
【００２１】図２は、図１の装置において、ウェハ１が
ノズル２に対向する部分におけるウェハ径に対応したウ
ェハ幅に応じて、ノズル２の吐出口２ａのウェハ幅方向
の開口幅が制御される様子を示すノズル先端付近の断面
図である。
ノズル２に対向する部分におけるウェハ径に対応したウ
ェハ幅に応じて、ノズル２の吐出口２ａのウェハ幅方向
の開口幅が制御される様子を示すノズル先端付近の断面
図である。
【００２２】前記ノズル開口幅制御手段の一具体例とし
ては、図中斜線部分で示すように、ノズル先端の吐出口
遮蔽部材２ｂを図示矢印Ｅ方向に駆動制御することによ
り構成することが可能である。
ては、図中斜線部分で示すように、ノズル先端の吐出口
遮蔽部材２ｂを図示矢印Ｅ方向に駆動制御することによ
り構成することが可能である。
【００２３】上記第１実施例のフォトレジスト塗布装置
によれば、ウェハ１がノズル２に対向する部分における
ウェハ径に対応したウェハ幅を自動的に算定し、算定出
力に応じてノズル吐出口２ａのウェハ幅方向の開口幅を
制御するようにしている。これにより、ウェハ幅が狭い
部分にノズル２が対向している時に吐き出すレジスト材
料等の使用量の削減、損失分（処分量）の減少を図るこ
とが可能になる。また、ウェハ上のパターンの段差の厳
しい部分に対しても良好で均一性に優れたフォトレジス
ト膜を形成することが可能になる。図３は、本発明の第
２実施例に係るブレード・ディスペンス方式のフォトレ
ジスト塗布装置の要部構成を概略的に示している。
によれば、ウェハ１がノズル２に対向する部分における
ウェハ径に対応したウェハ幅を自動的に算定し、算定出
力に応じてノズル吐出口２ａのウェハ幅方向の開口幅を
制御するようにしている。これにより、ウェハ幅が狭い
部分にノズル２が対向している時に吐き出すレジスト材
料等の使用量の削減、損失分（処分量）の減少を図るこ
とが可能になる。また、ウェハ上のパターンの段差の厳
しい部分に対しても良好で均一性に優れたフォトレジス
ト膜を形成することが可能になる。図３は、本発明の第
２実施例に係るブレード・ディスペンス方式のフォトレ
ジスト塗布装置の要部構成を概略的に示している。
【００２４】このフォトレジスト塗布装置は、前記第１
実施例のフォトレジスト塗布装置と比べて、移動速度検
知手段１１およびウェハ幅算定手段１２に代えて、ノズ
ル２の先端近傍にウェハのエッジを検知するセンサー
（例えば光電変換センサー）３０を設け、このセンサー
３０の出力に応じて前記したようなノズル開口幅制御手
段によりノズル吐出口のウェハ幅方向の開口幅を制御す
るようにしている点が異なり、その他は同じであるので
図１中と同一符号を付している。
実施例のフォトレジスト塗布装置と比べて、移動速度検
知手段１１およびウェハ幅算定手段１２に代えて、ノズ
ル２の先端近傍にウェハのエッジを検知するセンサー
（例えば光電変換センサー）３０を設け、このセンサー
３０の出力に応じて前記したようなノズル開口幅制御手
段によりノズル吐出口のウェハ幅方向の開口幅を制御す
るようにしている点が異なり、その他は同じであるので
図１中と同一符号を付している。
【００２５】図４は、図３の装置において、ウェハ１が
ノズル２に対向する部分におけるウェハ径に対応したウ
ェハ幅に応じて、ノズル吐出口２ａのウェハ幅方向の開
口幅が制御される様子を示すノズル先端付近の断面図で
ある。上記第２実施例のフォトレジスト塗布装置は、前
記第１実施例のフォトレジスト塗布装置と同様の効果が
得られる。図５（ａ）は、本発明の第３実施例に係るブ
レード・ディスペンス方式のフォトレジスト塗布装置の
要部構成を概略的に示している。
ノズル２に対向する部分におけるウェハ径に対応したウ
ェハ幅に応じて、ノズル吐出口２ａのウェハ幅方向の開
口幅が制御される様子を示すノズル先端付近の断面図で
ある。上記第２実施例のフォトレジスト塗布装置は、前
記第１実施例のフォトレジスト塗布装置と同様の効果が
得られる。図５（ａ）は、本発明の第３実施例に係るブ
レード・ディスペンス方式のフォトレジスト塗布装置の
要部構成を概略的に示している。
【００２６】このフォトレジスト塗布装置は、停止状態
の半導体ウェハ１上を横切る方向Ｃに吐出式ノズル２が
移動しながら、ウェハ１の上面に吐出式ノズル２からフ
ォトレジスト材料を噴霧状に吐き出して塗布し、ノズル
２の移動速度およびフォトレジスト材料の吐き出し速度
を制御することによりウェハ１上に形成されるフォトレ
ジスト膜の膜厚を制御する点と、停止状態のウェハ１の
周縁部１ａに対して接触するように、あるいは接触する
ことなく、接近・離間自在に設けられ、ノズル２から吐
き出されるフォトレジスト材料からウェハ周縁部をマス
クするウェハ周縁部マスク装置が付加されている点が異
なり、その他は同じであるので図１中と同一符号を付し
ている。
の半導体ウェハ１上を横切る方向Ｃに吐出式ノズル２が
移動しながら、ウェハ１の上面に吐出式ノズル２からフ
ォトレジスト材料を噴霧状に吐き出して塗布し、ノズル
２の移動速度およびフォトレジスト材料の吐き出し速度
を制御することによりウェハ１上に形成されるフォトレ
ジスト膜の膜厚を制御する点と、停止状態のウェハ１の
周縁部１ａに対して接触するように、あるいは接触する
ことなく、接近・離間自在に設けられ、ノズル２から吐
き出されるフォトレジスト材料からウェハ周縁部をマス
クするウェハ周縁部マスク装置が付加されている点が異
なり、その他は同じであるので図１中と同一符号を付し
ている。
【００２７】なお、図５（ａ）では、ウェハ周縁部マス
ク装置の一例として、停止状態のウェハ１の周縁部に対
して接触することなく接近し、あるいは離間することが
可能なように、図示矢印方向Ｆに往復回動自在なガイド
リング５０が設けられている様子を示す。
ク装置の一例として、停止状態のウェハ１の周縁部に対
して接触することなく接近し、あるいは離間することが
可能なように、図示矢印方向Ｆに往復回動自在なガイド
リング５０が設けられている様子を示す。
【００２８】図５（ｂ）、（ｃ）は、図５（ａ）に示し
た吐出式ノズル２が移動しながらフォトレジスト材料を
吐き出して塗布する時に、ガイドリング５０がウェハ周
縁部をマスクした状態になるように設定されている様子
を示す平面図および断面図である。
た吐出式ノズル２が移動しながらフォトレジスト材料を
吐き出して塗布する時に、ガイドリング５０がウェハ周
縁部をマスクした状態になるように設定されている様子
を示す平面図および断面図である。
【００２９】図５（ｄ）は、図５（ｂ）、（ｃ）に示し
たようにウェハ１にフォトレジスト３が塗布された後の
状態において、ウェハ周縁部１ａにはフォトレジストが
塗布されていない様子を示す平面図である。
たようにウェハ１にフォトレジスト３が塗布された後の
状態において、ウェハ周縁部１ａにはフォトレジストが
塗布されていない様子を示す平面図である。
【００３０】図６（ａ）は、前記ウェハ周縁部マスク装
置の他の例として、停止状態の複数のウェハ１…の各周
縁部に対して、上下から挟む状態で接触するように接近
し、あるいは離間することが可能なように、図示矢印方
向Ｇに直進往復移動自在なガイドリング６０が設けられ
ている様子を示す。
置の他の例として、停止状態の複数のウェハ１…の各周
縁部に対して、上下から挟む状態で接触するように接近
し、あるいは離間することが可能なように、図示矢印方
向Ｇに直進往復移動自在なガイドリング６０が設けられ
ている様子を示す。
【００３１】図６（ｂ）、（ｃ）は、図６（ａ）に示し
た吐出式ノズル２が図示矢印方向Ｃに移動しながらフォ
トレジスト材料を吐き出して塗布する時に、上記ガイド
リング６０がウェハ１の周縁部１ａをマスクした状態に
なるように設定されている様子を示す。
た吐出式ノズル２が図示矢印方向Ｃに移動しながらフォ
トレジスト材料を吐き出して塗布する時に、上記ガイド
リング６０がウェハ１の周縁部１ａをマスクした状態に
なるように設定されている様子を示す。
【００３２】図６（ｄ）は、図６（ｂ）、（ｃ）に示し
たようにウェハ１にフォトレジスト３が塗布された後の
状態において、ウェハ周縁部１ａにはフォトレジストが
塗布されていない様子を示す平面図である。
たようにウェハ１にフォトレジスト３が塗布された後の
状態において、ウェハ周縁部１ａにはフォトレジストが
塗布されていない様子を示す平面図である。
【００３３】上記第３実施例のフォトレジスト塗布装置
によれば、ウェハ周縁部マスク装置を有しているので、
ウェハ周縁部にフォトレジスト膜が塗布されることを防
止できる。
によれば、ウェハ周縁部マスク装置を有しているので、
ウェハ周縁部にフォトレジスト膜が塗布されることを防
止できる。
【００３４】また、フォトレジスト塗布後にウェハ周縁
部上の不要なフォトレジスト膜を除去するための専用装
置を必要としなくなるので、プロセスのスループットが
向上し、大幅なコストダウンが可能になり、実際のウェ
ハプロセスに現実的に対応することができる。
部上の不要なフォトレジスト膜を除去するための専用装
置を必要としなくなるので、プロセスのスループットが
向上し、大幅なコストダウンが可能になり、実際のウェ
ハプロセスに現実的に対応することができる。
【００３５】また、フォトレジスト塗布後にウェハ周縁
部上の不要なフォトレジスト膜を除去する工程が不要に
なり、この工程に伴うダストの発生がなくなり、この後
の工程（パターニング・エッチングなど）でのウェハ搬
送時のパーティクルの発生原因が解消される。
部上の不要なフォトレジスト膜を除去する工程が不要に
なり、この工程に伴うダストの発生がなくなり、この後
の工程（パターニング・エッチングなど）でのウェハ搬
送時のパーティクルの発生原因が解消される。
【００３６】なお、上記各実施例において、フォトレジ
スト塗布時にウェハ裏面へフォトレジストが回り込むこ
とを防止するための裏面リンス機構などのような、通常
のフォトレジスト塗布装置が供えている機構を付加して
もよい。また、上記各実施例は、フォトレジスト材料を
塗布する場合を示したが、その他の有機材料（ポリイミ
ドなど）を塗布する場合にも本発明を適用できる。
スト塗布時にウェハ裏面へフォトレジストが回り込むこ
とを防止するための裏面リンス機構などのような、通常
のフォトレジスト塗布装置が供えている機構を付加して
もよい。また、上記各実施例は、フォトレジスト材料を
塗布する場合を示したが、その他の有機材料（ポリイミ
ドなど）を塗布する場合にも本発明を適用できる。
【００３７】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、ウェハ
幅が狭い部分にディスペンス・ノズルが対向している時
に吐き出すレジスト材料等の有機材料を絞り、有機材料
の使用量の削減、損失分（処分量）の減少を図ることが
可能になり、ウェハ上のパターンの段差の厳しい部分に
対しても良好で均一性に優れた有機材料膜を形成でき、
実際のウェハプロセスに現実的に対応し得る有機材料塗
布装置を実現することができる。
幅が狭い部分にディスペンス・ノズルが対向している時
に吐き出すレジスト材料等の有機材料を絞り、有機材料
の使用量の削減、損失分（処分量）の減少を図ることが
可能になり、ウェハ上のパターンの段差の厳しい部分に
対しても良好で均一性に優れた有機材料膜を形成でき、
実際のウェハプロセスに現実的に対応し得る有機材料塗
布装置を実現することができる。
【図１】本発明の第１実施例に係るフォトレジスト塗布
装置の要部を概略的に示す構成説明図。
装置の要部を概略的に示す構成説明図。
【図２】図１中のノズルの半導体ウェハ幅方向の開口幅
が制御される様子を示す断面図。
が制御される様子を示す断面図。
【図３】本発明の第２実施例に係るフォトレジスト塗布
装置の要部を概略的に示す構成説明図。
装置の要部を概略的に示す構成説明図。
【図４】図３中のノズルの半導体ウェハ幅方向の開口幅
が制御される様子を示す断面図。
が制御される様子を示す断面図。
【図５】本発明の第３実施例に係るフォトレジスト塗布
装置の要部を概略的に示す構成説明図。
装置の要部を概略的に示す構成説明図。
【図６】図５中のウェハ周縁部マスク装置の他の例を概
略的に示す構成説明図。
略的に示す構成説明図。
【図７】従来考えられているブレード・ディスペンス方
式のフォトレジスト塗布装置の要部を概略的に示す構成
説明図。
式のフォトレジスト塗布装置の要部を概略的に示す構成
説明図。
【図８】従来考えられているブレード・ディスペンス方
式のフォトレジスト塗布装置の要部構成を概略的に示す
図。
式のフォトレジスト塗布装置の要部構成を概略的に示す
図。
１…半導体ウェハ、１ａ…ウェハ周縁部、２…ディスペ
ンス・ノズル、２ａ…ノズルの吐出口、２ｂ…ノズル吐
出口遮蔽部材、３…フォトレジスト、Ａ…半導体ウェハ
の搬送方向、Ｂ…レジスト材料吐き出し方向、Ｃ…ノズ
ル先端部の移動方向、Ｄ…フォトレジスト材料供給方
向、Ｅ…ノズル吐出口遮蔽材の駆動方向、Ｆ、Ｇ…ウェ
ハ周縁部マスク用ガイドリングの移動方向。
ンス・ノズル、２ａ…ノズルの吐出口、２ｂ…ノズル吐
出口遮蔽部材、３…フォトレジスト、Ａ…半導体ウェハ
の搬送方向、Ｂ…レジスト材料吐き出し方向、Ｃ…ノズ
ル先端部の移動方向、Ｄ…フォトレジスト材料供給方
向、Ｅ…ノズル吐出口遮蔽材の駆動方向、Ｆ、Ｇ…ウェ
ハ周縁部マスク用ガイドリングの移動方向。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/312 7352−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 搬送されている状態あるいは停止状態の
半導体ウェハの上面に、吐出式ノズルが上記半導体ウェ
ハの搬送方向とは逆方向に移動しながらあるいは停止状
態で有機材料を吐き出して塗布し、半導体ウェハと吐出
式ノズルとの相対的な移動速度および有機材料の吐き出
し速度を制御することにより半導体ウェハ上に形成され
る有機材料膜の膜厚を制御する有機材料塗布装置におい
て、 前記半導体ウェハと吐出式ノズルとの相対的な移動速度
を検知する移動速度検知手段と、 この移動速度検知手段による検知出力から前記半導体ウ
ェハがノズルに対向する部分におけるウェハ径に対応し
たウェハ幅を自動的に算定するウェハ幅算定手段と、 このウェハ幅算定手段による算定出力に応じて前記ノズ
ルの吐出口の半導体ウェハ幅方向の開口幅を制御するノ
ズル開口幅制御手段とを具備することを特徴とすること
を特徴とする有機材料塗布装置。 - 【請求項２】 搬送されている状態あるいは停止状態の
半導体ウェハの上面に、吐出式ノズルが上記半導体ウェ
ハの搬送方向とは逆方向に移動しながらあるいは停止状
態で有機材料を吐き出して塗布し、半導体ウェハと吐出
式ノズルとの相対的な移動速度および有機材料の吐き出
し速度を制御することにより半導体ウェハ上に形成され
る有機材料膜の膜厚を制御する有機材料塗布装置におい
て、 前記ノズルの先端近傍に設けられ、前記半導体ウェハの
エッジを検知するセンサーと、 このセンサーの出力に応じて前記ノズルの吐出口の半導
体ウェハ幅方向の開口幅を制御するノズル開口幅制御手
段とを具備することを特徴とすることを特徴とする有機
材料塗布装置。 - 【請求項３】 停止状態の半導体ウェハ上を横切る方向
に吐出式ノズルが移動しながら、ウェハの上面に吐出式
ノズルから有機材料を吐き出して塗布し、吐出式ノズル
の移動速度および有機材料の吐き出し速度を制御するこ
とにより半導体ウェハ上に形成される有機材料膜の膜厚
を制御する有機材料塗布装置において、 前記ウェハの周縁部に対して接触するように、あるいは
接触することなく、接近・離間自在に設けられ、前記ノ
ズルから吐き出される有機材料からウェハ周縁部をマス
クするウェハ周縁部マスク装置を具備することを特徴と
することを特徴とする有機材料塗布装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01273193A JP3183980B2 (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 有機材料塗布装置 |
| US08/186,275 US5489337A (en) | 1993-01-28 | 1994-01-25 | Apparatus for applying organic material to semiconductor wafer in which the nozzle opening adjusts in response to data |
| KR1019940001420A KR970006215B1 (ko) | 1993-01-28 | 1994-01-27 | 유기 재료 도포 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01273193A JP3183980B2 (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 有機材料塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224114A true JPH06224114A (ja) | 1994-08-12 |
| JP3183980B2 JP3183980B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=11813589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01273193A Expired - Fee Related JP3183980B2 (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 有機材料塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3183980B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100497898B1 (ko) * | 2001-06-27 | 2005-06-29 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 도포장치 및 도포방법 |
| JP2013136211A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Lintec Corp | 積層装置および積層方法 |
| JP2015062219A (ja) * | 2013-09-22 | 2015-04-02 | ティーピーケイ タッチ ソリューションズ インコーポレーテッド | 塗布装置及び塗布方法 |
| CN110187612A (zh) * | 2014-09-04 | 2019-08-30 | 株式会社尼康 | 处理系统 |
-
1993
- 1993-01-28 JP JP01273193A patent/JP3183980B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100497898B1 (ko) * | 2001-06-27 | 2005-06-29 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 도포장치 및 도포방법 |
| JP2013136211A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Lintec Corp | 積層装置および積層方法 |
| JP2015062219A (ja) * | 2013-09-22 | 2015-04-02 | ティーピーケイ タッチ ソリューションズ インコーポレーテッド | 塗布装置及び塗布方法 |
| US9711384B2 (en) | 2013-09-22 | 2017-07-18 | Tpk Touch Solutions Inc. | Pattern coating device and pattern coating method thereof |
| CN110187612A (zh) * | 2014-09-04 | 2019-08-30 | 株式会社尼康 | 处理系统 |
| CN110187612B (zh) * | 2014-09-04 | 2023-02-17 | 株式会社尼康 | 处理系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3183980B2 (ja) | 2001-07-09 |
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