CN110187612A - 处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种即使是在以任一处理装置对片状基板实际实施的处理的状态与目标的处理状态不同时，亦能在无需停止制造系统全体的情形下，进行电子元件的制造的处理系统及元件制造方法。一种将长条的可挠性片状基板(P)沿长条方向依序搬送至第1～第3处理装置(PR2～PR4)的各个，以在片状基板(P)形成既定图案的处理系统(10)，第1～第3处理装置(PR2～PR4)依据设定于各个处理装置的设定条件对片状基板(P)施以既定处理，在第1～第3处理装置(PR2～PR4)的各个中对片状基板(P)实施的实处理状态中的至少一者相对目标的处理状态呈现处理误差(E)的情形时，使呈现处理误差(E)的设定条件以外的其他设定条件因应处理误差(E)变化。

Description

处理系统
本发明为申请日2015年09月03日，申请号为“201580047663.1”，发明名称为“处理系统及元件制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明是关于以卷对卷(roll to roll)方式制造电子元件的处理系统及元件制造方法。
背景技术
于国际公开第2013/136834号小册子中，揭露了一种为了在可挠性长条片状基板上形成电子元件(以有机EL或液晶形成的显示面板)的图案，而从卷有片状基板的供应卷筒供应的片状基板沿长条方向搬送，并以沿长条方向排列的多个处理装置U1～Un对片状基板施以既定处理后，回收卷筒卷取的卷对卷(roll to roll)方式的制造系统。具体而言，处理装置U1对从供应卷拉出的可挠性片状基板于片状基板表面形成感光性功能层，处理装置U2对片状基板进行加热以使形成的感光性功能层安定的固定。接着，处理装置U3(曝光装置)对感光性功能层照射紫外线图案化光，处理装置U4进行显影，处理装置U5则加热片状基板使其干燥。
然而，如国际公开第2013/136834号小册子所揭露的卷对卷方式的制造系统中，以任一处理装置U对片状基板实际实施的处理的状态与目标的处理状态相异的情形时，例如，在处理装置U3(曝光装置)的曝光用照明光(激光等)的强度并非是目标强度的情形时等，形成于片状基板的图案将不会是期望的图案。形成于此片状基板的图案，由于是以各处理装置U1～Un的处理形成，因此仅看形成的图案是无法特定出其原因是在哪一个处理装置。此外，于卷对卷方式的制造系统，是将连接成带状的长条的一片片状基板于长条方向连续搬送，因此从特定产生处理误差的处理装置，用以将该处理误差抑制在容许范围内的调整作业等的必要性来看，即使是使特定的处理装置的处理动作暂时停止，即代表制造系统全体(一连续的制造线)的停止，不是有效率的。
发明内容
本发明第1态样的处理系统，是将长条的可挠性片状基板沿长条方向依序搬送至多个处理装置的各个，据以在该片状基板形成既定图案，其具备：第1该处理装置，依据第1设定条件一边将该片状基板往该长条方向搬送、一边于该片状基板表面选择性的或全部的形成感光性薄膜；第2该处理装置，依据第2设定条件一边将该片状基板往该长条方向搬送、一边对该片状基板表面的该感光性薄膜照射对应该图案的光能，以在该感光性薄膜形成对应该图案的潜像；第3该处理装置，依据第3设定条件一边将该片状基板往该长条方向搬送、一边藉由回应该潜像的该感光性薄膜的选择性的显影或回应该潜像的对该感光性薄膜的选择性的镀敷，使该图案出现在该片状基板上；以及控制装置，在该第1～该第3处理装置的各个中施于该片状基板的实处理的状态中至少1个，对该第1～该第3处理装置中各个的目标的处理状态呈现处理误差的情形时，使该第1～该第3设定条件中、呈现该处理误差的该设定条件以外的其他该设定条件因应该处理误差变化。
本发明第2态样的处理系统，是将长条的可挠性片状基板沿长条方向依序搬送至多个处理装置的各个，据以在该片状基板形成导电性图案，其具备：第1处理装置，依据第1设定条件一边将该片状基板往该长条方向搬送、一边于该片状基板表面选择性的或全部的形成既定被膜层；第2处理装置，依据第2设定条件一边将该片状基板往该长条方向搬送、一边于该片状基板表面的该被膜层照射对应该图案的光能、一边于该被膜层形成对应该图案的改质部；第3处理装置，依据第3设定条件一边将该片状基板往该长条方向搬送、一边藉由进行镀敷以在该改质部与非改质部的任一方析出导电性材料据以形成该图案；以及控制装置，在该第1～该第3处理装置的各个中施于该片状基板的实处理的状态中的至少1者，相对在该第1～该第3处理装置各个的目标的处理状态呈现处理误差的情形时，视该处理误差使该第1～该第3设定条件中、呈现该处理误差的该设定条件以外的其他该设定条件变化。
本发明第3态样的处理系统，是将长条的可挠性片状基板沿长条方向依序搬送至多个处理装置的各个，据以在该片状基板形成既定图案，其具备：第1信息形成装置，是设在该多个处理装置中的第1该处理装置，将与该第1处理装置依据第1设定条件对该片状基板施加的处理状态、或处理误差相关的第1信息，形成在该片状基板的一部分；第2信息形成装置，设在相对该第1处理装置位在下游侧的第2该处理装置，将与该第2处理装置依据第2设定条件对该片状基板施加的处理状态、或处理误差相关的第2信息，形成在该片状基板的一部分；信息收集装置，设在该片状基板的搬送路中，读取形成在该片状基板的该第1信息或该第2信息，以收集该第1信息或该第2信息；以及控制装置，根据以该信息收集装置读取的该第1信息视需要修正该第2设定条件，并根据以该信息收集装置读取的该第2信息视需要修正该第1设定条件。
本发明第4态样的元件制造方法，是一边将长条的可挠性片状基板沿长条方向搬送、一边于该片状基板形成电子元件用图案，其包含：以对该片状基板施以彼此互异的处理的第1处理步骤、第2处理步骤、第3处理步骤的顺序进行的该片状基板的搬送；在设定于该第1处理步骤的第1处理条件下，于该片状基板表面选择性的或全部的进行被膜层的成膜；在设定于该第2处理步骤的第2处理条件下，对该被膜层照射对应该图案的能量线，以于该被膜层进行对应该图案的改质部的生成；在设定于该第3处理步骤的第3处理条件下，施以除去该被膜层的该改质部与非改质部中任一方的处理、或于该改质部与该非改质部中任一方析出该电子元件用材料的处理，以使该图案出现在该片状基板上；以及在出现于该片状基板上的该图案显示相对作为目标的形状或尺寸有变动至容许范围外的倾向的情形时，判定可否变更该第1处理条件、该第2处理条件及该第3处理条件中至少1条件、与判定可否变更在该第1处理步骤、该第2处理步骤、该第3处理步骤的至少1者中该片状基板的搬送速度。
本发明第5态样的元件制造方法，是一边将长条的可挠性片状基板沿长条方向搬送、一边于该片状基板形成电子元件用图案，其包含：以对该片状基板施以互异的处理的第1处理步骤、第2处理步骤的顺序搬送该片状基板的搬送步骤；在设定于该第1处理步骤的第1处理条件下，于该片状基板表面选择性的或全部的进行被膜层的成膜；在设定于该第2处理步骤的第2处理条件下，施以于该被膜层生成对应该图案的改质部、并除去该改质部与非改质部中一方的处理、或于该改质部与该非改质部中的一方析出该电子元件用材料的处理，以使该图案出现在该片状基板上；以及在该第2处理步骤中出现的该片状基板上的图案显示相对作为目标的形状或尺寸有变动的倾向的情形时，视该倾向判定可否变更该第1处理条件与该第2处理条件中至少一方的条件、与判定可否变更在该第1处理步骤与该第2处理步骤的至少一方中该片状基板的搬送速度。
本发明第6态样的元件制造方法，是一边将长条的可挠性片状基板沿长条方向搬送、一边于该片状基板形成电子元件用图案，其包含：以对该片状基板施以彼此互异的处理的第1处理步骤、第2处理步骤的顺序搬送该片状基板的搬送步骤；在设定于该第1处理步骤的第1处理条件下，于该片状基板表面选择性的或全部的成膜出被膜层，于成膜出的被膜层照射对应该图案的能量线以于该被膜层进行对应该图案的改质部的生成；在设定该第2处理步骤的第2处理条件下，施以除去该被膜层的该改质部与非改质部中一方的处理、或于该改质部与该非改质部的一方析出该电子元件用材料的处理，以使该图案出现在该片状基板上；以及在该第2处理步骤中出现的该片状基板上的图案显示相对作为目标的形状或尺寸有变动的倾向的情形时，视该倾向判定可否变更该第1处理条件与该第2处理条件中至少一方的条件、与判定可否变更在该第1处理步骤与该第2处理步骤的至少一方中该片状基板的搬送速度。
本发明第7态样的元件制造方法，是一边将长条的可挠性片状基板沿长条方向搬送、一边于该片状基板形成电子元件用图案，其包含：一边将该片状基板以既定搬送速度往长条方向送、一边对形成于该片状基板表面的被膜层在第1处理条件下照射对应该图案的能量线，以于该被膜层生成对应该图案的改质部与非改质部的第1处理步骤；一边将经该第1处理步骤的该片状基板以既定搬送速度往长条方向送、一边在第2处理条件下施以除去该被膜层的该改质部与非改质部中任一方的处理、或于该改质部与该非改质部中的一方析出该电子元件用材料的处理，以使该图案出现在该片状基板上的第2处理步骤；以及在出现于该片状基板上的该图案显示相对作为目标的形状或尺寸有变动至容许范围外的倾向之情形时，判定可否变更该第1处理条件与该第2处理条件中至少1条件、并一起判定可否变更在该第1处理步骤与该第2处理步骤的至少1者中该片状基板的搬送速度。
本发明第8态样的元件制造方法，是一边将长条的可挠性片状基板沿长条方向搬送、一边于该片状基板形成电子元件用图案，其包含：以对该基板施以彼此互异的处理的第1处理装置、第2处理装置的顺序将该基板往长条方向搬送的搬送步骤；在设定该第1处理装置的第1处理条件下，对该基板施以处理的第1处理步骤；在设定于该第2处理装置的第2处理条件下，对经该第1处理步骤的该基板施以处理，以使该图案出现在该基板上的第2处理步骤；检测出现在该基板上的该图案的品质是否相对目标有所变化的检测步骤；在该图案品质显示有降低的倾向的情形时，判定可否变更该第1处理条件与该第2处理条件中至少一方的条件的判定步骤。
附图说明
图1显示第1实施形态的元件制造系统的概略构成的概略构成图。
图2显示图1的元件制造系统中、于基板成膜出感光性功能层的处理装置的构成的图。
图3显示图1的元件制造系统中、进行基板的蓄积及曝光的图案形成装置的构成的图。
图4显示以图3的曝光头在基板上扫描的点光的扫描线及检测形成在基板上的对准标记的对准显微镜的图。
图5显示构成图4的曝光头的描绘单元的构成的图。
图6显示图1的元件制造系统中、进行显影处理的处理装置的构成的图。
图7显示用以判定超过容许范围产生处理误差的处理装置的元件制造系统的动作的流程图。
图8显示于作为曝光装置的处理装置产生处理误差时的元件制造系统的动作的流程图。
图9显示于作为曝光装置的处理装置以外的处理装置产生处理误差时的元件制造系统的动作的流程图。
图10显示第2实施形态的元件制造系统的概略构成的概略构成图。
图11显示以图10的信息形成装置在基板形成的信息的一例的图。
图12显示变形例1的处理单元的构成的图。
图13显示变形例2的处理单元的构成的图。
具体实施方式
针对本发明态样的处理系统及元件制造方法，举适合的实施形态，一边参照所附图面、一边详细说明如下。又，本发明的态样并不限定于此等实施形态，亦包含各种变更或施以改良者。也就是说，以下记载的构成要素中，包含实质相同者、或业者容易想到者，以下记载的构成要素可适当地加以组合。此外，在不脱离本发明要旨的范围内可进行构成要素的各种省略、置换或变更。
[第1实施形态]
图1显示第1实施形态的元件制造系统(处理系统)10的概略构成的概略构成图。图1所示的元件制造系统10，例如是制造作为电子元件的可挠性显示器的生产线(可挠性显示器制造线)。作为可挠性显示器，有例如有机EL显示器或液晶显示器等。此元件制造系统10，是从将可挠性片状基板(以下，称基板)P卷绕成卷筒状的供应用卷筒FR1送出该基板P，在对送出的基板P连续的施以各种处理后，将处理后的基板P以回收用卷筒FR2加以卷取的所谓的卷对卷(Roll to Roll)方式。此基板P，具有于基板P的移动方向(搬送方向)成长条、宽度方向为短条的带状形状。于第1实施形态的元件制造系统10，显示了薄膜状的片状基板P从供应用卷筒FR1被送出，从供应用卷筒FR1送出的基板P至少经由处理装置PR1、PR2、PR3、PR4、PR5后，被卷绕于回收用卷筒FR2为止之例。图1中，是成一X方向、Y方向及Z方向正交的正交坐标系。X方向是于水平面内，基板P的搬送方向，是连结供应用卷筒FR1及回收用卷筒FR2的方向。Y方向是于水平面内与X方向正交的方向，是基板P的宽度方向。Z方向是与X方向与Y方向正交的方向(铅直方向)。
此处理装置PR1，是一边将从供应用卷筒FR1搬送来的基板P往沿着长条方向的搬送方向(+X方向)搬送、一边对基板P进行电浆表面处理的处理步骤的表面处理装置。藉由此处理装置PR1，基板P的表面获得改质，提升感光性功能层的粘着性。处理装置(第1处理装置)PR2，是一边将从处理装置PR1搬送来的基板P往搬送方向(+X方向)搬送、一边进行感光性功能层的成膜处理的处理步骤(第1处理步骤)的成膜装置。处理装置PR2，藉由在基板P的表面选择性的或全部的涂布感光性功能液，以在基板P的表面选择性的或全部的形成感光性功能层(感光性薄膜、被覆层、被膜层)。又，处理装置(第2处理装置)PR3，是一边将从处理装置PR2送来的表面形成有感光性功能层的基板P往搬送方向(+X方向)搬送、一边进行曝光处理的处理步骤(第2处理步骤)的曝光装置。处理装置PR3，对基板P的表面(感光面)照射对应显示器面板用的电路或配线等图案的光图案。据此，即于感光性功能层形成对应该图案的潜像(改质部)。处理装置(第3处理装置)PR4，是一边将从处理装置PR3搬送来的基板P往搬送方向(+X方向)搬送、一边以湿式进行显影处理的处理步骤(第3处理步骤)的显影装置。据此，即于感光性功能层形成反应潜像的该图案。处理装置PR5，是一边将从处理装置PR4搬送来的基板P往搬送方向(+X方向)搬送、一边以形成有图案的感光性功能层为掩膜进行刻蚀处理的处理步骤的刻蚀装置。据此，即于基板P上出现图案。
在处理装置PR2与处理装置PR3之间设有可将基板P蓄积既定长度的第1蓄积装置(第1蓄积部)BF1，在处理装置PR3与处理装置PR4之间则设有可将基板P蓄积既定长度的第2蓄积装置(第2蓄积部)BF2。因此，于处理装置PR3是通过第1蓄积装置BF1搬入从处理装置PR2送来的基板P，处理装置PR3则通过第2蓄积装置BF2将基板P搬出至处理装置PR4。处理装置PR1～PR5配置在制造工厂的设置面。此设置面，可以是设置底座上的面、亦可以是地面。处理装置PR3、第1蓄积装置(蓄积装置)BF1及第2蓄积装置(蓄积装置)BF2，构成图案形成装置12。
上位控制装置14，控制元件制造系统10的各处理装置PR1～PR5、第1蓄积装置BF1、及第2蓄积装置BF2。此上位控制装置14包含计算机、与储存有程序的存储媒体，藉由该计算机实施储存在存储媒体的程序，发挥作为本第1实施形态的上位控制装置14的功能。又，本第1实施形态的元件制造系统10虽具备5个处理装置PR，但只要是具备2以上的处理装置PR即可。例如，本第1实施形态的元件制造系统10可以是具备处理装置PR2、PR3、或处理装置PR4、PR5的合计2个处理装置PR，亦可以是具备处理装置PR2～PR4的合计3个处理装置PR者。
其次，说明元件制造系统10的处理对象的基板P。基板P，例如是使用由树脂薄膜、不锈钢等的金属或合金构成的箔(foil)等。作为树脂薄膜的材质，可使用包含例如聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酯树脂、乙烯乙烯基共聚物树脂、聚氯乙烯树脂、纤维素树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯醇树脂等材料中的一种或两种以上者。此外，基板P的厚度及刚性(杨氏系数)，只要是在搬送时不会于基板P产生因弯折造成的折痕及非可逆的皱褶的范围即可。在制作作为电子元件的可挠性显示器面板、触控面板、滤光片(color filter)、电磁波防止滤波片等的情形时，是使用厚度25μm～200μm程度的PET(聚对酞酸乙二酯)或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)等的树脂片材。
基板P，以选择例如热膨胀系数显著不大、可实质忽视在对基板P实施的各种处理中因受热而产生的变形量者较佳。又，亦可于作为基材的树脂薄膜中混入例如氧化钛、氧化锌、氧化铝、氧化硅等的无机填充物，以降低热膨胀系数。此外，基板P可以是以浮制法等制造的厚度100μm程度的极薄玻璃的单层体、或于此极薄玻璃贴合上述树脂薄膜、或铝及铜等的金属层(箔)等的积层体。
基板P的可挠性，是指对基板P施加本身重量程度的力亦不致于产生剪断或断裂、而能使该基板P挠曲的性质。而可挠性亦包含因自重程度的力而弯曲的性质。又，可挠性的程度会因基板P的材质、大小、厚度、基板P上成膜的层构造、温度、湿度及环境等而改变。无论何者，只要是在将基板P正确的卷绕于设在本实施形态的元件制造系统1内的搬送路的各种搬送用卷筒、旋转筒等搬送方向转换用构件时，不会弯折而产生折痕、破损(产生破洞或裂开)，能顺畅的搬送基板P的话，皆为可挠性的范围。
以此方式构成的基板P，被卷绕成卷筒状而成为供应用卷筒FR1，此供应用卷筒FR1被装着于元件制造系统1。装有供应用卷筒FR1的元件制造系统10，对从供应用卷筒FR1送出的基板P反复实施用以制造电子元件的各种处理。因此，处理后的基板P成为多个电子元件连结的状态。也就是说，从供应用卷筒FR1送出的基板P，为多面用的基板。
电子元件是多个图案层(形成有图案的层)重叠而构成，经由元件制造系统10的至少各处理装置PR1～PR5，生成一个图案层，因此为生成电子元件，至少须经过2次如图1所示的元件制造系统10的各处理装置PR1～PR5的处理。
处理后的基板P，处理后的基板P，被卷绕成卷筒状作为回收用卷筒FR2加以回收。回收用卷筒FR2，可安装于未图示的切割装置。装有回收用卷筒FR2的切割装置，将处理后的基板P分割(切割)成各个电子元件，据以作成多个电子元件。基板P的尺寸，例如，宽度方向(短边的方向)的尺寸为10cm～2m程度、而长度方向(长条的方向)尺寸则为10m以上。当然，基板P的尺寸不限于上述尺寸。
图2显示处理装置PR2的构成的图。处理装置PR2，具备导引滚轮R1、R2、边缘位置控制器EPC1、张力调整滚轮RT1、RT2、旋转筒DR1、驱动滚轮NR1、NR2、对准显微镜AU、模具涂布机头DCH(Die Coater Head)、喷墨头IJH、干燥装置16、及下位控制装置18。以旋转筒DR1及驱动滚轮NR1、NR2搬送基板P。
导引滚轮R1将从处理装置PR1搬送至处理装置PR2的基板P引导至边缘位置控制器EPC1。边缘位置控制器EPC1具有多个滚轮，以张有既定张力的状态搬送的基板P在宽度方向两端部(边缘)的位置，相对目标位置控制在±十数μm～数十μm程度的范围(容许范围)以在基板P的宽度方向无偏差的方式，使基板P于宽度方向移动，以一边修正基板P在宽度方向的位置、一边将基板P搬送向导引滚轮R2。导引滚轮R2将搬送来的基板P引导至旋转筒DR1。边缘位置控制器EPC1调整基板P在宽度方向的位置，以使搬入旋转筒DR1的基板P的长条方向与旋转筒DR1的中心轴AX1的轴方向正交。
旋转筒DR1具有延伸于Y方向的中心轴AX1、与从中心轴AX1起具一定半径的圆筒状外周面，一边顺着外周面(圆周面)将基板P的一部分支承于长条方向、一边以中心轴AX1为中心旋转将基板P往+X方向搬送。旋转筒DR1将以对准显微镜AU拍摄的基板P上的区域(部分)、及以模具涂布机头DCH或喷墨头IJH处理的基板P上的区域(部分)以圆周面加以支承。
对准显微镜AU(AU1～AU3)是用以检测图4所示的形成在基板P上的对准标记Ks(Ks1～Ks3)之物，沿Y方向设有3个。此对准显微镜AU(AU1～AU3)的检测区域，是配置在旋转筒DR1的圆周面上于Y方向排列成一列。对准标记Ks(Ks1～Ks3)是用以进行作为待形成电子元件的基板P上的曝光区域的电子元件区域(元件形成区域)W与基板P的相对位置对准(alignment)的基准标记。对准标记Ks(Ks1～Ks3)，于基板P的宽度方向两端部沿基板P的长条方向以一定间隔形成、并形成在沿基板P的长条方向排列的形成元件的电子元件区域W之间、且基板P的宽度方向中央。
对准显微镜AU(AU1～AU3)，藉由将对准用照明光投影于基板P并以CCD、CMOS等的摄影元件拍摄其反射光，据以检测对准标记Ks(Ks1～Ks3)。也就是说，对准显微镜AU1是拍摄存在于对准显微镜AU1的检测区域(撮像区域)内的形成在基板P的+Y方向侧端侧的对准标记Ks1。对准显微镜AU2是拍摄存在于对准显微镜AU2的检测区域内的形成在基板P的－Y方向侧端部的对准标记Ks2。对准显微镜AU3则是拍摄存在于对准显微镜AU3的检测区域内的形成在基板P的宽度方向中央的对准标记Ks3。此对准显微镜AU(AU1～AU3)所拍摄的影像数据被送至下位控制装置18，下位控制装置18根据影像数据算出(检测)对准标记Ks(Ks1～Ks3)在基板P上的位置。此对准显微镜AU(AU1～AU3)的检测区域在基板P上的大小虽是视对准标记Ks(Ks1～Ks3)的大小及对准精度而设定，但是100～500μm方形程度的大小。
如图4所示，用以精密检测基板P的位置的对准标记Ks(Ks1～Ks3)，一般虽是设在元件形成区域W的外周部，但不一定必须是外周部，亦可设在元件形成区域W内或不存在元件用电路图案的空白部分。此外，亦可使用将形成在元件形成区域W内的电路图案的一部分中、形成在特定位置的图案(像素区域、配线部、电极部、端子部、通孔(via hole)部等的部分图案)本身作为对准标记进行影像辨识以进行位置检测的对准系。
模具涂布机头DCH是对基板P全部的宽广的涂布感光性功能液。喷墨头IJH则是对基板P选择性的涂布感光性功能液。模具涂布机头DCH及喷墨头IJH根据使用对准显微镜AU(AU1～AU3)检测的对准标记Ks(Ks1～Ks3)在基板P上的位置，将感光性功能液涂布于基板P。模具涂布机头DCH及喷墨头IJH将感光性功能液涂布于电子元件区域W。模具涂布机头DCH及喷墨头IJH系相对对准显微镜AU(AU1～AU3)设置在基板P的搬送方向下游侧(+X方向侧)，喷墨头IJH则是相对模具涂布机头DCH设置在基板P的搬送方向下游侧(+X方向侧)。喷墨头IJH沿基板P的搬送方向(+X方向)设有多个。以模具涂布机头DCH及喷墨头IJH涂布了感光性功能液的基板P上的区域，被旋转筒DR1的圆周面支承。
干燥装置16相对模具涂布机头DCH及喷墨头IJH设置在基板P的搬送方向下游侧(+X方向侧)，使以模具涂布机头DCH及喷墨头IJH涂布的基板P上的感光性功能液干燥，据以在基板P上形成感光性功能层。干燥装置16，藉由喷吹热风或干燥空气等的干燥用气体，据以除去感光性功能液中所含的溶质(溶剂或水)以使感光性功能液干燥。
典型的感光性功能液虽是光阻剂(photoresist)，但作为无需显影处理的材料，有受到紫外线照射的部分的亲拨液性经改质的感光性硅烷偶合剂(SAM)、或在受到紫外线照射的部分露出镀敷还元基的感光性还元剂等。作为感光性功能液使用感光性硅烷偶合剂的情形时，基板P上被以紫外线曝光的图案部分从拨液性被改质为亲液性。因此，可藉由在变成亲液性的部分上选择性涂布含有导电性墨水(含有银或铜等的导电性纳米粒子的墨水)或半导体材料的液体等，形成图案层。作为感光性功能液使用感光性还元剂的情形时，基板P上被紫外线曝光的图案部分被改质而露出镀敷还元基。因此，在曝光后立即将基板P浸渍于含有钯离子等的镀敷液中一定时间，据以形成(析出)由钯构成的图案层。此种镀敷处理，在以作为添加剂(additive)式处理、除此之外、作为减色(subtractive)式处理的刻蚀处理为前提的情形时，被送至处理装置PR3的基板P，可以是以PET或PEN为母材，于其表面全面或选择性的蒸镀铝(Al)或铜(Cu)等的金属制薄膜，再于其上积层光阻剂层者。本第1实施形态中，作为感光性功能层系使用光阻剂。
于干燥装置16，设有测量形成在基板P上的感光性功能层的膜厚的膜厚测量装置16a。此膜厚测量装置16a是以电磁式、过电流式、过电流相位式、荧光X射线式、电阻式、β线后方散色式、磁式、或以超音波式等采接触或非接触方式测量膜厚。藉由干燥装置16将形成有感光性功能层的基板P导向驱动滚轮NR1。驱动滚轮NR1一边夹持基板P的表背两面一边旋转，据以将基板P导向驱动滚轮NR2。驱动滚轮NR2，藉由一边夹持基板P的表背两面一边旋转，将以驱动滚轮NR1搬送而来的基板P供应至第1蓄积装置BF1。张力调整滚轮RT1被赋力于－Z方向，以对被搬送至旋转筒DR1的基板P赋予既定张力。张力调整滚轮RT2被赋力于－X方向，以对被搬送至驱动滚轮NR2的基板P赋予既定张力。搬送基板P的驱动滚轮NR1、NR2及旋转筒DR1被赋予旋转扭矩而旋转，此旋转扭矩来自具有被下位控制装置18控制的电机及减速机等的旋转驱动源(图示省略)。藉由此驱动滚轮NR1、NR2及旋转筒DR1的旋转速度，规定在处理装置PR2内的基板P的搬送速度。又，从设在驱动滚轮NR1、NR2及旋转筒DR1等的未图示的编码器送来的旋转速度信号(基板P的搬送速度信号)，被送至下位控制装置18。
下位控制装置18依照上位控制装置14的控制，控制处理装置PR2的各部。例如，下位控制装置18控制在处理装置PR2内被搬送的基板P的搬送速度、边缘位置控制器EPC1、模具涂布机头DCH、喷墨头IJH、及干燥装置16。又，下位控制装置18将以对准显微镜AU(AU1～AU3)检测的基板P上的对准标记Ks(Ks1～Ks3)的位置信息、膜厚测量装置16a检测的膜厚信息、旋转速度信息(在处理装置PR2内的基板P的搬送速度信息)等输出至上位控制装置14。下位控制装置18包含计算机、与储存有程序的存储媒体，藉由该计算机实行储存在存储媒体的程序，据以发挥作为本第1实施形态的下位控制装置18的功能。此下位控制装置18可以是上位控制装置14的一部分、亦可以是与上位控制装置14不同的其他控制装置。
图3显示图案形成装置12的构成的图。图案形成装置12的第1蓄积装置BF1，具有驱动滚轮NR3、NR4与多个张力摆动轮(dancer roller)20。驱动滚轮NR3一边夹持从处理装置PR2送来的基板P的表背两面一边旋转，将基板P搬入第1蓄积装置BF1内。驱动滚轮NR4一边夹持基板P的表背两面一边旋转，将第1蓄积装置BF1内的基板P搬出至处理装置PR3。多个张力摆动轮20设在驱动滚轮NR3与驱动滚轮NR4之间，是用以对基板P赋予既定张力者。多个张力摆动轮20能于Z方向移动，上侧(+Z方向侧)的张力摆动轮20(20a)被赋力向+Z方向侧、下侧(－Z方向侧)的张力摆动轮20(20b)则被赋力向－Z方向侧。此张力摆动轮20a与张力摆动轮20b是于X方向交互配置。
当被搬入第1蓄积装置BF1的基板P的搬送速度相对从第1蓄积装置BF1搬出的基板P的搬送速度较快时，蓄积在第1蓄积装置BF1的基板P的长度(蓄积长度)即增加。当第1蓄积装置BF1的蓄积长度变长时，即会因赋力而使张力摆动轮20a往+Z方向、张力摆动轮20b往－Z方向移动。据此，即使是在第1蓄积装置BF1的蓄积量增加时，亦能在对基板P赋予了既定张力的状态下，以既定长度蓄积基板P。相反的，当搬入第1蓄积装置BF1的基板P的搬送速度相对从第1蓄积装置BF1搬出的基板P的搬送速度变慢时，蓄积在第1蓄积装置BF1的基板P的长度(蓄积长度)即减少。当第1蓄积装置BF1的蓄积长度减少时，抵抗赋力而张力摆动轮20a往－Z方向、张力摆动轮20b往+Z方向移动。不管如何，第1蓄积装置BF1皆能在对基板P赋予既定张力的状态下蓄积基板P。驱动滚轮NR3、NR4，是藉由旋转扭矩而旋转，此旋转扭矩来自具有被下位控制装置24控制的电机及减速机等的旋转驱动源(图示省略)。藉由此驱动滚轮NR3的旋转速度，规定搬入第1蓄积装置BF1的基板P的搬送速度，以驱动滚轮NR4的旋转速度规定从第1蓄积装置BF1搬出的基板P的搬送速度。又，从设在驱动滚轮NR3、NR4的未图示的编码器送来的旋转速度信号，被送至图案形成装置12的下位控制装置24。
图案形成装置12的第2蓄积装置BF2具有驱动滚轮NR5、NR6与多个张力摆动轮22。驱动滚轮NR5一边夹持从处理装置PR3送来的基板P的表背两面一边旋转，将基板P搬入第2蓄积装置BF2内。驱动滚轮NR6一边夹持基板P的表背两面、一边将第2蓄积装置BF2内的基板P搬出至处理装置PR4。多个张力摆动轮22设在驱动滚轮NR5与驱动滚轮NR6之间，用以对基板P赋予既定张力。多个张力摆动轮22能往Z方向移动，上侧(+Z方向侧)的张力摆动轮22(22a)被赋力向+Z方向、下侧(－Z方向侧)的张力摆动轮22(22b)则被赋力向－Z方向。此张力摆动轮20a与张力摆动轮20b是于X方向交互配置。藉由此种构成，第2蓄积装置BF2可与第1蓄积装置BF1同样的，在对基板P赋予既定张力的状态下蓄积基板P。又，第1蓄积装置BF1与第2蓄积装置BF2的构成相同。驱动滚轮NR5、NR6被赋予旋转扭矩而旋转，此旋转扭矩来自具有被下位控制装置24控制的电机及减速机等的旋转驱动源(图示省略)。藉由此驱动滚轮NR5的旋转速度，规定搬入第2蓄积装置BF2的基板P的搬送速度，藉由驱动滚轮NR6的旋转速度规定从第2蓄积装置BF2搬出的基板P的搬送速度。又，从设于驱动滚轮NR5、NR6的未图示的编码器送来的旋转速度信号，被送至下位控制装置24。
图案形成装置12的处理装置PR3是不使用掩膜的直描方式的曝光装置EX、所谓的光栅扫描(raster scan)方式的曝光装置EX，对通过第1蓄积装置BF1从处理装置PR2供应的基板P，照射对应显示器用电路或配线等图案的光图案。作为显示器用电路或配线的图案，例如有构成显示器的TFT的源极及漏极与附随于此的配线等的图案、或TFT的栅极与附随与此的配线等的图案等。处理装置PR3一边将基板P往X方向搬送、一边以曝光用激光LB的点光在基板P上于既定扫描方向(Y方向)进行1维扫描，同时将点光的强度依据图案数据(描绘数据)高速的进行调变(ON/OFF)，据以在基板P表面(感光面)描绘曝光出光图案。也就是说，藉由基板P往+X方向的搬送(副扫描)、与点光往扫描方向(Y方向)的扫描(主扫描)，使点光在基板P上2维扫描，对基板P照射对应图案的光能(能量线)。如此，即于感光性功能层形成对应既定图案的潜像(改质部)。此图案数据可储存于图案形成装置12的下位控制装置24的存储媒体，亦可储存于上位控制装置14的存储媒体。
处理装置PR3具备搬送部30、光源装置32、光导入光学系34、及曝光头36。搬送部30将通过第1蓄积装置BF1从处理装置PR2搬送而来的基板P朝向处理装置PR4搬送。搬送部30，沿着基板P的搬送方向从上游侧(－X方向侧)起依序具备边缘位置控制器EPC2、导引滚轮R3、张力调整滚轮RT3、旋转筒DR2、张力调整滚轮RT4、及边缘位置控制器EPC3。
边缘位置控制器EPC2与边缘位置控制器EPC1同样的，具有多个滚轮，为避免基板P的宽度方向两端部(边缘)于基板P的宽度方向有所偏差而能对目标位置控制在±十数μm～数十μm程度的范围(容许范围)，是一边使基板P于宽度方向移动以修正基板P在宽度方向的位置、一边将基板P搬送向旋转筒DR2。边缘位置控制器EPC2调整基板P在宽度方向的位置，以使搬入旋转筒DR2的基板P的长条方向与旋转筒DR2的中心轴AX2的轴方向正交。导引滚轮R3将从边缘位置控制器EPC2送来的基板P引导至旋转筒DR2。
旋转筒DR2具有延伸于Y方向的中心轴AX2、与从中心轴AX2起一定半径的圆筒状外周面，一边顺着外周面(圆周面)将基板P的一部分支承于长条方向。一边以中心轴AX2为中心旋转将基板P往+X方向搬送。旋转筒DR2，将在基板P上光图案曝光的部分以其圆周面加以支承。
边缘位置控制器EPC3与边缘位置控制器EPC1同样的，具有多个滚轮，为避免基板P的宽度方向两端部(边缘)于基板P的宽度方向有所偏差而能对目标位置控制在±十数μm～数十μm程度的范围(容许范围)，是一边使基板P于宽度方向移动以修正基板P在宽度方向的位置、一边将基板P搬送向处理装置PR4。张力调整滚轮RT3、RT4被赋力向－Z方向侧，对被卷绕支承于旋转筒DR2的基板P赋予既定张力。旋转筒DR2被赋予旋转扭矩而旋转，此旋转扭矩来自具有被下位控制装置24控制的电机及减速机等的旋转驱动源(图示省略)。藉由此旋转筒DR2的旋转速度，规定处理装置PR3内的基板P的搬送速度。又，从设在旋转筒DR2等的未图的编码器送来的旋转速度信号(基板P的搬送速度信号)，被送至下位控制装置24。
光源装置32具有激光源，是用以射出用于曝光的紫外线激光(照射光、曝光用光束)LB者。此激光LB可以是在370nm以下的波长带具有峰值波长的紫外线光。激光LB亦可以是以发光频率Fs发光的脉冲光。光源装置32射出的激光LB被导至光导入光学系34后射入曝光头36、并射入强度感测器37。此强度感测器37是检测激光LB的强度的感测器。
曝光头36具备来自光源装置32的激光LB分别射入的多个描绘单元U(U1～U5)。也就是说，来自光源装置32的激光LB被具有反射镜及分束器等的光导入光学系34引导而射入多个描绘单元U(U1～U5)。曝光头36，在被旋转筒DR2的圆周面支承的基板P的一部分，以多个描绘单元U(U1～U5)描绘曝光出图案。曝光头36由于具有多个构成相同的描绘单元U(U1～U5)，而为所谓的多光束型曝光头36。描绘单元U1、U3、U5相对旋转筒DR2的中心轴AX2配置在基板P的搬送方向上游侧(－X方向侧)，描绘单元U2、U4则相对旋转筒DR2的中心轴AX2配置在基板P的搬送方向下游侧(+X方向侧)。
各描绘单元U使射入的激光LB在基板P上收敛成点光、且使该点光沿扫描线扫描。各描绘单元U的扫描线L，如图4所示，是设定成于Y方向(基板P的宽度方向)不彼此分离而相连接。图4中，将描绘单元U1的扫描线L以L1加以表示、将描绘单元U2的扫描线L以L2加以表示。同样的，将描绘单元U3、U4、U5的扫描线L分别以L3、L4、L5加以表示。如此，能以全部描绘单元U1～U5覆盖电子元件区域(曝光区域)W的全宽度方向的方式，由各描绘单元U分担扫描区域。又，例如，当假设1个描绘单元U的Y方向描绘宽度(扫描线L的长度)为20～50mm程度时，藉由将奇数号描绘单元U1、U3、U5的3个与偶数号描绘单元U2、U4的2个、合计共5个描绘单元U配置于Y方向，将Y方向可描绘的宽度扩张至100～250mm程度。
此描绘单元U，是如国际公开第2013/146184号小册子(参照图36)所揭示的公知技术，使用图5针对描绘单元U加以简单说明。又，由于各描绘单元U(U1～U5)具有相同构成，因此仅针对描绘单元U2进行说明，其他描绘单元U则省略说明。
如图5所示，描绘单元U2，例如具有聚光透镜50、描绘用光学元件(光调变元件)52、吸收体54、准直透镜56、反射镜58、柱面透镜60、反射镜64、多面镜(光扫描构件)66、反射镜68、f－θ透镜70、及柱面透镜72。
射入描绘单元U2的激光LB，从铅直方向的上方朝下方(－Z方向)前进，通过聚光透镜50射入描绘用光学元件52。聚光透镜50将射入描绘用光学元件52的激光LB聚光(收敛)成在描绘用光学元件52内成为光腰。描绘用光学元件52对激光LB具有穿透性，例如是使用声光调变元件(AOM：Acousto-Optic Modulator)。
描绘用光学元件52在来自下位控制装置24的驱动信号(高频信号)为OFF状态时，使射入织激光LB穿透至吸收体54侧，在来自下位控制装置24的驱动信号(高频信号)为ON状态时，则使射入的激光LB绕射而朝向反射镜58。吸收体54是用以抑制激光LB漏至外部而吸收激光LB的光阱(light trap)。如此，藉由将待施加于描绘用光学元件52的描绘用驱动信号(超音波的频率)依据图案数据(白黑)高速的进行ON/OFF，以进行使激光LB朝向反射镜58、或朝向吸收体54的切换。此事，在基板P上看时，即代表到达感光面的激光LB(点光SP)的强度，依据图案数据被高速的调变在高位准与低位准(例如，零位准)的任一者。
准直透镜56是使从描绘用光学元件52朝向反射镜58的激光LB成为平行光。反射镜58将射入的激光LB反射向－X方向，通过柱面透镜60照射于反射镜64。反射镜64将射入的激光LB照射于多面镜66。多面镜(旋转多面镜)66，藉由旋转使激光LB的反射角连续的变化，以使照射于基板P上的激光LB的位置扫描于扫描方向(基板P的宽度方向)。多面镜66是藉由以下位控制装置24控制的未图示的旋转驱动源(例如，电机及减速机构等)以一定速度旋转。又，从设在多面镜66的未图示的编码器送来的旋转速度信号(点光SP的扫描速度信号)，被送至下位控制装置24。
设在反射镜58与反射镜64之间的柱面透镜60，是在与该扫描方向正交的非扫描方向(Z方向)使激光LB聚光(收敛)在多面镜66的反射面上。藉由此柱面透镜60，即使是在该反射面相对Z方向倾斜的情形时(失去XY面的法线与该反射面的平衡状态的倾斜)，亦能抑制其影响，以抑制照射在基板P上的激光LB的照射位置偏于X方向。
以多面镜66反射的激光LB，被反射镜68反射向－Z方向，射入具有与Z轴平行的光轴AXu的f－θ透镜70。此f－θ透镜70是投射于基板P的激光LB的主光线在扫描中恒作为基板P表面的法线的远心系的光学系，据此，可使激光LB于Y方向正确的以等速度扫描。从f－θ透镜70照射的激光LB，通过母线与Y方向平行的柱面透镜72，成为直径数μm程度(例如3μm)的略圆形微小点光SP照射于基板P上。点光(扫描点光)SP，是藉由多面镜66沿着延伸于Y方向的扫描线L2于一方向进行1维扫描。
又，处理装置PR3，如图3及图4所示，设有用以检测对准标记Ks(Ks1～Ks3)的3个对准显微镜AM(AM1～AM3)。此对准显微镜AM(AM1～AM3)的检测区域Vw(Vw1～Vw3)是以在旋转筒DR2的圆周面上于Y轴方向排列成一行的方式配置。对准显微镜AM(AM1～AM3)将对准用照明光投影于基板P，并以CCD、CMOS等的摄影元件拍摄其反射光，据以检测对准标记Ks(Ks1～Ks3)。也就是说，对准显微镜AM1拍摄存在于检测区域(拍摄区域)Vw1内形成在基板P的+Y方向侧端部的对准标记Ks1。对准显微镜AM2拍摄存在于检测区域Vw2内形成在基板P的－Y方向侧端部的对准标记Ks2。对准显微镜AM3拍摄存在于检测区域Vw3内形成在基板P的宽度方向中央的对准标记Ks3。
此对准显微镜AM(AM1～AM3)拍摄的影像数据被送至设在下位控制装置24内的影像处理部，下位控制装置24的影像处理部根据影像数据算出(检测)对准标记Ks(Ks1～Ks3)的位置。此检测区域Vw(Vw1～Vw3)在基板P上的大小是依据对准标记Ks(Ks1～Ks3)的大小及对准精度设定，为100～500μm方形程度大小。又，对准用照明光系对基板P上的感光性功能层几乎不具有感度的波长带的光，例如是波长宽500～800nm程度的宽频光、或不包含紫外带波长的白色光等。
下位控制装置24依据上位控制装置14的控制，控制构成图案形成装置12的第1蓄积装置BF1、第2蓄积装置BF2、及处理装置PR3的各部。例如，下位控制装置24控制处理装置PR3内搬送的基板P的搬送速度、边缘位置控制器EPC2、EPC3、光源装置32、多面镜66的旋转、及描绘用光学元件52等。又，下位控制装置24将以对准显微镜AM(AM1～AM3)检测的基板P上的对准标记Ks(Ks1～Ks3)的位置信息、旋转速度信息(处理装置PR3内的基板P的搬送速度信息、点光SP的扫描速度信息)、强度感测器37所检测的激光LB的强度信息等输出至上位控制装置14。下位控制装置24包含计算机、与储存有程序的存储媒体，由该计算机实施储存在存储媒体中的程序，具以发挥作为本第1实施形态的下位控制装置24的功能。此下位控制装置24可以是上位控制装置14的一部分、亦可以是与上位控制装置14不同的另一控制装置。
图6显示处理装置PR4的构成。处理装置PR4，具有贮留显影液的处理槽BT、以基板P能浸在贮留于处理槽BT的显影液的方式形成基板P的搬送路径的导引滚轮R4～R7、驱动滚轮NR7、NR8、及下位控制装置80。于处理槽BT的底部设有用以调整显影液的温度的加热器H1、H2，加热器H1、H2是在下位控制装置80的控制下被加热器驱动部82驱动而发热。
驱动滚轮NR7，一边夹持通过第2蓄积装置BF2从处理装置PR3送来的基板P的表背两面、一边旋转将基板P导向导引滚轮R4。导引滚轮R4，将往+X方向搬送而来的基板P弯折向－Z方向侧后导向导引滚轮R5。导引滚轮R5，将往－Z方向搬送而来的基板P弯折向+X方向侧后导向导引滚轮R6。导引滚轮R6，将往+X方向搬送而来的基板P弯折向+Z方向侧后导向导引滚轮R7。导引滚轮R7，将往+Z方向搬送而来的基板P弯折向+X方向侧后导向驱动滚轮NR8。驱动滚轮NR8一边夹持送来的基板P的表背两面、一边将基板P搬送至处理装置PR5。藉由此导引滚轮R5、R6将基板P浸于显影液。驱动滚轮NR7、NR8是藉由旋转扭矩而旋转，此旋转扭矩来自具有被下位控制装置80控制的电机及减速机等的旋转驱动源(图示省略)。藉由此驱动滚轮NR7、NR8的旋转速度，规定处理装置PR4内的基板P的搬送速度。又，从设在驱动滚轮NR7、NR8的未图示的编码器送来的旋转速度信号(基板P的搬送速度信号)，被送至下位控制装置80。又，于处理装置PR4内设有拍摄经显影的基板P表面的摄影装置83。此摄影装置83相对驱动滚轮NR8设在基板P的搬送方向下游侧(+X方向侧)。摄影装置83拍摄经由显影而形成在感光性功能层的图案。
导引滚轮R4、R5设在可动构件84，可动构件84具有线性电机等的驱动部，可沿导轨86往X方向移动。于可动构件84设有检测可动构件84于X方向的位置的位置感测器87，位置感测器87检测的可动构件84的位置信息被送至下位控制装置80。当此可动构件84沿导轨86往－X方向侧移动时，导引滚轮R5、R6间的距离变长，因此基板P浸于显影液的时间(浸液时间)变长。又，当可动构件84往+X方向侧移动时，导引滚轮R5、R6间的距离变短，因此基板P浸于显影液的时间(浸渍时间)变短。采此方式，能调整基板P浸于显影液的时间。此外，处理装置PR4具有检测显影液的温度的温度感测器Ts、检测显影液的浓度的浓度感测器Cs。因基板P浸渍于显影液，反应形成在感光性功能层的潜像(改质部)的图案即形成于感光性功能层。感光性功能层为正型光阻剂的情形时，被紫外线照射的部分受到改质，改质部因显影液而溶解被除去。又，感光性功能层为负型光阻剂的情形时，被紫外线照射的部分受到改质，未被紫外线照射的非改质部因显影液而溶解被除去。于本第1实施形态，以感光性功能层为正型者加以说明。又，虽未图示，但处理装置PR4可具备对搬送至处理装置PR5的基板P用以除去附着在基板P的显影液的干燥机构。
下位控制装置80依据上位控制装置14的控制，控制处理装置PR4的各部。例如，下位控制装置80控制在处理装置PR4内搬送的基板P的搬送速度、加热器驱动部82、及可动构件84等。又，下位控制装置80将以温度感测器Ts及浓度感测器Cs检测的显影液的温度信息、浓度信息、以位置感测器87检测的可动构件84的位置信息、以摄影装置83检测的影像数据、及旋转速度信息(处理装置PR4内的基板P的搬送速度信息)等输出至上位控制装置14。下位控制装置80包含计算机、与储存有程序的存储媒体，藉由该计算机实施储存在存储媒体中的程序，发挥作为本第1实施形态的下位控制装置80的功能。此下位控制装置80可以是上位控制装置14的一部分、亦可以是与上位控制装置14不同的另一装置。
又，感光性功能层为感光性硅烷偶合剂或感光性还元剂的情形时，于处理装置PR4的处理槽BT，取代显影液而贮留例如含有钯离子等电子元件用材料(金属)的镀敷液。也就是说，此时，处理装置PR4是进行镀敷处理的处理步骤(第3处理步骤)的镀敷装置。藉由将基板P浸渍于镀敷液，反应形成在感光性功能层的潜像(改质部)而析出电子元件用材料，于基板P形成金属层(导电性)之图案。
进行刻蚀的处理装置PR5，基本上，虽具有与处理装置PR4相同的构成而未图示，但于处理槽BT中，取代显影液而贮留有刻蚀液(腐蚀液)。因此，当处理装置PR5的可动构件84往－X方向侧移动时，基板P浸渍于刻蚀液的时间(浸渍时间)即变长，当可动构件84往+X方向侧移动时，基板P浸渍于刻蚀液的时间(浸渍时间)即变短。此外，以处理装置PR5的温度感测器Ts检测刻蚀液的温度、以浓度感测器Cs检测刻蚀液的浓度。藉由此处理装置PR5将基板P浸渍于刻蚀液，以形成有图案的感光性功能层为掩膜，刻蚀形成在感光性功能层的下层的金属性薄膜(Al或Cu等)。据此，于基板P上出现金属层图案。处理装置PR5的摄影装置83拍摄因刻蚀而形成在基板P上的金属层的图案。以处理装置PR5进行了处理的基板P被送至进行下一处理的处理装置PR。于处理装置PR4进行镀敷处理的情形时，因无需刻蚀处理，因此取代处理装置PR5而设置另一处理装置PR、例如进行干燥等的处理装置PR。
此处，为了以元件制造系统10使基板P出现期望的金属层的图案，各处理装置PR1～PR5是依据设定条件对基板P进行各处理。例如，作为处理装置PR1的设定条件，设定有规定用以射出电浆的电压及照射电浆的照射时间等的处理条件、与基板P的搬送速度条件。处理装置PR1依据该设定条件一边搬送基板P、一边对基板P进行电浆表面处理。作为处理装置PR2的设定条件(第1设定条件)，设定有包含规定形成感光性功能层的区域的区域条件及规定感光性功能层的膜厚的膜厚条件等的处理条件(第1处理条件)、与基板P的搬送速度条件。处理装置PR2依据该设定条件一边搬送基板P、一边进行感光性功能层的成膜处理。
作为处理装置PR3的设定条件(第2设定条件)，设定有包含规定激光LB的强度的强度条件、规定点光SP的扫描速度(多面镜66的旋转速度)的扫描速度条件、规定多重曝光次数的曝光回数条件、及规定描绘的图案的图案条件(图案数据)等的处理条件(第2处理条件)、与基板P的搬送速度条件。处理装置PR3依据该设定条件一边搬送基板P、一边对基板P进行曝光处理。作为处理装置PR4的设定条件(第3设定条件)，设定有包含规定显影液温度的温度条件、规定显影液浓度的浓度条件、及规定浸渍时间的浸渍时间条件等的处理条件(第3处理条件)、与基板P的搬送速度条件。处理装置PR4依据该设定条件一边搬送基板P、一边进行显影处理。作为处理装置PR5的设定条件，设定有包含规定刻蚀液温度的温度条件、规定浓度的浓度条件、及规定浸渍时间的浸渍时间条件等的处理条件、与基板P的搬送速度条件，处理装置PR5依据该设定条件一边搬送基板P、一边进行刻蚀处理。又，处理装置PR4系进行镀敷处理的情形时，作为处理装置PR4的设定条件(第3设定条件)，设定有包含规定镀敷液温度的温度条件、规定镀敷液浓度的浓度条件、及规定浸渍时间的浸渍时间条件等的处理条件(第3处理条件)、与基板P的搬送速度条件。因此，处理装置PR4是根据该设定条件一边搬送基板P、一边进行镀敷处理。
此各处理装置PR1～PR5的设定条件是以各处理装置PR1～PR5实施的实处理(实际处理)的状态、成为与目标的处理状态一致的方式预先设定。各处理装置PR1～PR5的设定条件可储存于设在各处理装置PR1～PR5的未图示的存储媒体、亦可储存在上位控制装置14的未图示的存储媒体。又，于元件制造系统10内基板P是以一定速度搬送，因此于各处理装置PR1～PR5设定的设定条件的搬送速度条件，基本上是相同速度(例如，5mm/秒～50mm/秒范围的一定速度)。
各处理装置PR1～PR5虽是依据设定条件对基板P进行处理，但实处理(实际处理)的状态有时会相对目标的处理状态产生超过容许范围的处理误差E的情形。例如有可能因经年劣化等导致光源装置32的激光源发出的激光LB的强度降低、或显影液、刻蚀液的温度、浓度降低的情形，因此有时会有实处理的状态相对目标的处理状态产生超过容许范围的处理误差E的情形。例如，激光LB的强度降低时曝光量会降低，若是光阻剂时，则照射点光SP的部分区域、也就是说照射了点光SP的区域外周部分的感光性功能层(光阻剂层)无法被改质到深部。因此，藉由显影处理于感光性功能层形成的图案的线宽将会相对期望的图案线宽(目标线宽)变得过粗。也就是说，因为被光照射而改质的部分会因显影而溶解，残留的光阻剂层部分(非改质部)的区域会成为显示器面板用的电路或配线等的金属层(导电性)图案在刻蚀后残留，因此当曝光量降低时图案的线宽会变得过粗。其结果，出现在基板P的金属层的图案会与期望的图案不同。
显影液的温度、浓度降低时或显影液的浸渍时间变短时，会无法充分进行使用显影液的感光性功能层改质部的去除。因此，反应处理装置PR4于感光性功能层形成的潜像，形成于感光性功能层的图案线宽会偏离目标线宽。其结果，出现在基板P的金属层的图案将不会是期望的图案。
刻蚀液的温度、浓度降低时或刻蚀液的浸渍时间变短时，会无法充分进行以形成有图案的感光性功能层为掩膜进行的形成在感光性功能层下层的金属性薄膜(导电性薄膜)的刻蚀。因此，处理装置PR5以刻蚀形成的金属层图案的线宽会偏离目标线宽。也就是说，未能以刻蚀除去的金属性薄膜的部分会成为显示器面板用电路或配线等的图案，因此在以形成有图案的感光性功能层为掩膜而刻蚀未充分进行的情形时，图案的线宽将会变粗。其结果，出现在基板P的金属层的图案不会是期望的图案。
此外，当感光性功能层(光阻剂)的膜厚变厚时，被点光SP照射的区域的感光性功能层的深部不易被改质，因此通过以显影液进行的改质部的除去，形成在感光性功能层的图案的线宽会偏离目标值。其结果，出现在基板P的金属层的图案不会是期望之的图案。
如上所述，在各处理装置PR1～PR5依据设定条件对基板P实施的实处理的状态的任一者，相对目标的处理状态超过容许范围而有处理误差E的情形时，即无法在基板P出现期望的金属层的图案，图案的形状或尺寸会产生变动。因此，于本第1实施形态，上位控制装置14在各处理装置PR1～PR5的各个中施予基板P的实处理状态的至少1者，相对目标的处理状态超过容许范围而呈现处理误差E的情形时，是使产生处理误差E的处理装置PR以外的其他处理装置PR的设定条件，视处理误差E而变化。此处理误差E，是表示形成在基板P的图案的形状或尺寸相对目标的图案的形状或尺寸产生何种程度的变化。
呈现处理误差E的设定条件是处理装置PR3的设定条件时，首先，变更处理装置PR3的设定条件，以避免产生处理误差E或使处理误差E在容许范围内。在仅变更处理装置PR3的设定条件仍无法因应的情形时，即进一步变更其他处理装置PR(PR1、PR2、PR4、PR5)的设定条件，以避免产生处理误差E或使处理误差E在容许范围内。此时，在其他处理装置PR的设定条件的变更结束后，可使处理装置PR3的设定条件回到原来状态。又，呈现处理误差E的设定条件系处理装置PR3以外的处理装置PR的情形时，优先变更处理装置PR3的设定条件，以避免产生处理误差E或使处理误差E在容许范围内。
图1所示的上位控制装置14，具备就处理装置PR1～PR5的各个设定做为处理目标值的设定条件(配方)、或修正该等设定条件、或用以监测各处理装置PR1～PR5的处理状况的操作装置。该操作装置，是以输入数据、参数、指令等的键盘、滑鼠、触控面板等的输入装置、与显示处理装置PR1～PR5各个的设定条件、处理状态、处理误差E的产生状况、可变更用以修正该处理误差E的设定条件的处理装置PR的候补、该修正的规模(修正量、修正时间等)等的信息、及显示关于基板P的搬送速度的调整的信息的监测装置(显示器)构成。
以下，针对各处理装置PR1～PR5依据设定条件对基板P实施的实处理状态的任一者相对目标的处理状态超过容许范围而有处理误差E的情形时的元件制造系统10的动作，详细地加以说明。图7显示用以判定超过容许范围产生处理误差E的处理装置PR的元件制造系统10的动作的流程图。首先，上位控制装置14判断感光性功能层的膜厚是否在容许范围内(步骤S1)。也就是说，判断实际形成的感光性功能层的膜厚，相对作为目标的处理状态设定的膜厚条件(以下，称目标膜厚条件)是否在容许范围内。此判断是根据膜厚测量装置16a测量的膜厚进行。亦即，于步骤S1，是检测因处理装置PR2的设定条件引起的形成在基板P的图案的品质(形状及尺寸的忠实度、均匀性等)相对目标是否超过容许范围而有变化(降低)。当于步骤S1判断膜厚测量装置16a测量的膜厚相对目标膜厚不在容许范围内时，上位控制装置14即判定于处理装置PR2超过容许范围而产生了处理误差E(E2)(步骤S2)。也就是说，判定处理装置PR2所实施的实处理状态相对目标处理状态超过容许范围具有处理误差E2。
另一方面，当于步骤S1判断膜厚测量装置16a测量的膜厚在容许范围内时，上位控制装置14即判断以处理装置PR3对基板P上照射的激光LB的曝光量相对目标曝光量是否在容许范围内(步骤S3)。此判断，是藉由判断强度感测器37检测的激光LB的强度相对作为目标处理状态所设定的强度条件(以下，称目标强度条件)是否在容许范围内来进行。也就是说，由于视激光LB的强度形成在感光性功能层的图案的线宽亦会变化，因此依据显示曝光量的激光LB的强度，判断曝光量是否在容许范围内。又，于步骤S3，亦可判断显示曝光量的其他信息、例如点光SP的扫描速度等相对作为目标处理状态所设定的扫描速度条件(以下，称目标扫描速度条件)是否在容许范围内。又，亦可根据多个信息(激光LB的强度及点光SP的扫描速度等)判断曝光量是否在容许范围内。亦即，于步骤S3，是检测因处理装置PR3的设定条件引起的形成在基板P的图案的品质(形状及尺寸的忠实度、均匀性等)相对目标是否超过容许范围而有变化(降低)。当于步骤S3判断曝光量相对目标曝光量(作为目标的处理状态所设定的处理条件)不在容许范围内时，上位控制装置14即判定于处理装置PR3超过容许范围而发生了处理误差E(E3)(步骤S4)。也就是说，判定处理装置PR3实施的实处理的状态相对目标的处理状态超过容许范围而有处理误差E3。
另一方面，当于步骤S3判断曝光量在容许范围内时，上位控制装置14即判断由处理装置PR4进行显影处理而形成在感光性功能层的图案的线宽是否在容许范围内(步骤S5)。上位控制装置14根据设在处理装置PR4内的摄影装置83所拍摄的影像数据，测量形成在感光性功能层的图案的线宽。原则上，虽以形成在感光性功能层的图案的线宽成为目标线宽的方式而定有处理装置PR4的设定条件，但例如在低于或短于以显影液的温度、浓度或浸渍时间成为目标的处理状态所设定的温度条件(以下，称目标温度条件)、浓度条件(以下，称目标浓度条件)、或浸渍时间条件(以下，称目标浸渍时间条件)的情形时，形成的图案的线宽或偏离目标线宽。亦即，于步骤S5，是检测因处理装置PR4的设定条件引起的形成在基板P的图案品质(形状及尺寸的忠实度、均匀性等)相对目标是否超过容许范围而有变化(降低)。当于步骤S5判断形成在感光性功能层的图案的线宽相对目标线宽不在容许范围内时，上位控制装置14即判定于处理装置PR4超过容许范围而产生了处理误差E(E4)(步骤S6)。也就是说，判定处理装置PR4所实施的实处理的状态相对目标的处理状态超过容许范围而有处理误差E4。
另一方面，当于步骤S5判断形成在感光性功能层的图案的线宽在容许范围内时，上位控制装置14即判断因处理装置PR5进行刻蚀而出现在基板P上的金属层的图案的线宽是否在容许范围内(步骤S7)。上位控制装置14根据设在处理装置PR5内的摄影装置83拍摄的影像数据测量金属层的图案的线宽。原则上，虽以金属层的图案的线宽成为目标线宽的方式定有处理装置PR5的设定条件，但例如在低于或短于以刻蚀液的温度、浓度、或浸渍时间成为目标处理状态的方式设定的温度条件(以下，称目标温度条件)、浓度条件(以下，称目标浓度条件)、或浸渍时间条件(以下，称目标浸渍时间条件)的情形时，形成的金属层的图案的线宽会偏离目标线宽。亦即，于步骤S7，是检测因处理装置PR5的设定条件引起的形成在基板P的图案的品质(形状及尺寸的忠实度、均匀性等)相对目标超过容许范围而有变化(降低)。当于步骤S7判断金属层的图案的线宽相对目标线宽不在容许范围内时，上位控制装置14即判定于处理装置PR5超过容许范围而产生处理误差E(E5)(步骤S8)。也就是说，判定处理装置PR5实施的实处理的状态相对目标的处理状态超过容许范围而有处理误差E5。另一方面，当于步骤S7判断金属层的图案的线宽在容许范围内时，即判定处理装置PR2～PR5未产生处理误差E(步骤S9)。
接着，说明于图7的步骤S4，判定于处理装置PR3超过容许范围而产生处理误差E3的情形时元件制造系统10的动作。图8显示于处理装置PR3超过容许范围而产生处理误差E3时的元件制造系统10的动作的流程图。上位控制装置14，在处理装置PR3产生处理误差E3的情形时，判断于处理装置PR3的设定条件中、藉由变更处理条件是否可覆盖该处理误差E3(步骤S11)。也就是说，判断可否藉由处理条件的变更消除处理误差E3或使处理误差E3在容许范围内。例如，在曝光量相对目标曝光量超过容许范围而较少的情形时，需增加曝光量至目标曝光量，判断可否藉变更处理条件以达到目标曝光量。此曝光量，是以激光LB的强度及点光SP的扫描速度等决定，因此，于步骤S11，判断是否可藉由变更强度条件及扫描速度条件等，将实际曝光量提升至目标曝光量。
当于步骤S11判断藉处理条件的变更可覆盖时，上位控制装置14即视处理误差E3进行处理装置PR3的设定条件的处理条件(强度条件及扫描速度条件、图案条件等)的变更(步骤S12)。另一方面，当于步骤S11判断仅变更处理条件无法覆盖时，上位控制装置14即视处理误差E3进行处理装置PR3的处理条件与搬送速度条件的变更(步骤S13)。例如，实际曝光量相对目标曝光量超过容许范围是较少时，即变更处理条件、并变更搬送速度条件以使基板P的搬送速度变慢。藉由使搬送速度条件变慢，能增加曝光量。又，将处理误差E3中，可藉由变更处理条件来加以覆盖的处理误差设为E3a，将无法藉由变更搬送速度条件来覆盖的处理误差设为E3b。因此，E3＝E3a+E3b。仅变更处理条件即能覆盖处理误差E3的情形时，E3a＝E3、E3b＝0。又，无法变更处理条件的情形时，例如，现在设定的强度条件已是最大强度的情形等时，是视处理误差E3仅变更搬送速度条件来加以因应。此时，E3a＝0、E3b＝E3。
此处，处理装置PR1～PR5虽是以一定速度搬送基板P，但因处理装置PR3是设在第1蓄积装置BF1与第2蓄积装置BF2之间，因此亦可独立变更在处理装置PR3内的基板P的搬送速度。也就是说，处理装置PR3的搬送速度与处理装置PR3以外的处理装置PR的搬送速度的差，可藉由第1蓄积装置BF1及第2蓄积装置BF2来加以吸收。当使处理装置PR3内的基板P的搬送速度较一定速度慢的速度搬送时，第1蓄积装置BF1的基板P的蓄积量会慢慢增加、而第2蓄积装置BF2的蓄积量则慢慢减少。相反的，当使处理装置PR3内的基板P的搬送速度较一定速度快的速度搬送时，第1蓄积装置BF1的基板P的蓄积量会慢慢减少、而第2蓄积装置BF2的蓄积量则慢慢增加。当第1蓄积装置BF1或第2蓄积装置BF2的蓄积长度低于既定蓄积长度以下时，即无法于第1蓄积装置BF1或第2蓄积装置BF2蓄积较多的基板P，因此将无法独立的变更在处理装置PR3内的基板P的搬送速度。因此，即使可暂时的变更在处理装置PR3内的基板P的搬送速度，亦无法变更基板P的搬送速度超过一定时间。
因此，为了将第1蓄积装置BF1及该第2蓄积装置BF2的蓄积长度控制在既定范围内，必须使在处理装置PR3的基板P的搬送速度回复到原来状态。因此，当于步骤S13变更处理装置PR3的处理条件与搬送速度条件时，上位控制装置14判断是否可藉由变更任一其他处理装置PR的处理条件，来覆盖(内插)使处理装置PR3的搬送速度条件回到原来状态时产生的处理误差E3b(步骤S14)。也就是说，由于使处理装置PR3的搬送速度回到原来状态时，曝光量会减少，因此判断是否可藉由其他处理装置PR来覆盖因此而产生的不良，以使图案线宽达到目标线宽。
当于步骤S14判断可藉由视处理误差E3b变更任一其他处理装置PR的处理条件来加以覆盖时，视将处理装置PR3的搬送速度条件回复到原来状态时产生的处理误差E3b，变更判断可覆盖的该其他处理装置PR的处理条件(步骤S15)，进至步骤S17。例如，判断可藉由变更处理条件加以覆盖的其他处理装置PR是处理装置PR2的情形时，视将处理装置PR3的搬送速度条件回复到原来状态时产生的处理误差E3b(例如，曝光量不足)，变更处理装置PR2的处理条件(膜厚条件等)。在处理误差E3是曝光量不足的情形时，膜厚越薄则即使曝光量少亦能改质至感光性功能层的深部，因此藉由将膜厚条件的厚度作薄，即能覆盖将处理装置PR3的搬送速度条件回复到原来状态时产生的处理误差E3b(曝光量不足)。其结果，即能使藉由显影处理形成在感光性功能层的图案的线宽、及出现的金属层的图案的线宽达到目标线宽。
在判断藉由变更处理条件即能覆盖的其他处理装置PR是处理装置PR4的情形时，视将处理装置PR3的搬送速度条件回复到原来状态时产生的处理误差E3b，变更处理装置PR4的处理条件(温度条件、浓度条件、浸渍时间条件)。例如，显影液的温度、浓度越高，或基板P浸渍于显影液的浸渍时间越长，感光性功能层溶解而被除去的区域越广，因此能将感光性功能层除去至深部。因此，在处理误差E3是曝光量不足的情形时，藉由提高或加长温度条件、浓度条件、及浸渍时间条件的至少1者，即能覆盖将处理装置PR3的搬送速度条件回复到原来状态时产生的处理误差E3b(曝光量不足)，使图案线宽达到目标线宽。处理装置PR4的下位控制装置80，依据温度条件控制处理装置PR4的加热器H1、H2，依据浸渍时间条件使处理装置PR4的可动构件84移动。此外，于处理装置PR4的处理槽BT设有回收处理槽BT中的显影液、并对处理槽BT供应新显影液的循环系，处理装置PR4的下位控制装置80依浓度条件变更供应至该处理槽BT的显影液的浓度。
在判断藉由变更处理条件即能覆盖的其他处理装置PR是处理装置PR5的情形时，视将处理装置PR3的搬送速度条件回复到原来状态时产生的处理误差E3b，变更处理装置PR5的处理条件(温度条件、浓度条件、浸渍时间条件)。例如，以形成有图案的感光性功能层为掩膜，刻蚀形成在感光性功能层的下层的金属性薄膜，而刻蚀液的温度、浓度越高，或基板P浸渍于刻蚀液的浸渍时间越长，被刻蚀的部分越广。因此，在处理误差E3是曝光量不足的情形时，藉由提高或加长刻蚀液的温度条件、浓度条件、及浸渍时间条件的至少1者，即能覆盖在将处理装置PR3的搬送速度条件回复到原来状态时产生的处理误差E3b(曝光量不足)，使图案线宽达到目标线宽。处理装置PR5的下位控制装置80，依据温度条件控制处理装置PR5的加热器H1、H2，依据渍时间条件使处理装置PR5的可动构件84移动。此外，于处理装置PR5的处理槽BT设有回收处理槽BT中的刻蚀液、并对处理槽BT供应新刻蚀液的循环系，处理装置PR5的下位控制装置80依浓度条件变更供应至该处理槽BT的刻蚀液的浓度。
此处，亦可考虑不变更处理装置PR3的搬送速度条件，而从一开始即藉由处理装置PR3以外的其他处理装置PR的处理条件的变更，来覆盖于处理装置PR3产生的处理误差E3b。然而，于处理装置PR3(曝光装置EX等的图案化装置)，当处理条件变化时会离即反应而能瞬间改变实处理的处理状态，但处理装置PR3以外的其他处理装置PR(主要是湿式处理装置)，即使变更处理条件，但实际上欲达到以实处理状态变更后的处理条件所定的目标处理状态为止仍需若干程度的时间，无法迅速的覆盖于处理装置PR3所产生的处理误差E3b。例如即使改变处理装置PR2的处理条件(膜厚条件等)，形成在基板P的感光性功能层的膜厚亦是随着时间经过慢慢改变。又，即使改变处理装置PR4、PR5的处理条件(温度条件、浓度条件、浸渍时间条件)，显影液及刻蚀液的温度、浓度、浸渍时间亦是随时间经过而慢慢改变。因此，其他处理装置PR的实处理状态欲达到以变更后的处理条件所定的目标处理状态为止，是藉由慢慢改变处理装置PR3的基板P的搬送速度来因应处理误差E3b。其他处理装置PR的处理条件变更后，该其他处理装置PR的实处理处理状态会慢慢接近以变更后的处理条件所定的目标处理状态，因此，上位控制装置14即反应此而使在处理装置PR3内的基板P的搬送速度条件慢慢回复原状。上位控制装置14根据膜厚测量装置16a、温度感测器Ts、浓度感测器Cs、位置感测器87等的检测结果，使在处理装置PR3内的基板P的搬送速度条件慢慢接近变更前的搬送速度条件。
又，在可覆盖将处理装置PR3的搬送速度条件回复到原来状态时产生的处理误差E3b的处理装置PR有多个的情形时，可变更接近处理装置PR3的处理装置PR的处理条件。例如，可覆盖将处理装置PR3的搬送速度条件回复到原来状态时产生的处理误差E3b的处理装置PR，是处理装置PR2与处理装置PR5的情形时，可变更接近处理装置PR3的处理装置PR2的处理条件。又，于步骤S14中，虽是判断在将处理装置PR3的搬送速度条件回复到原来状态时产生的处理误差E3b，可否以其他处理装置PR覆盖，但亦可以是判断于处理装置PR3产生的处理误差E3、也就是说判断将处理装置PR3的处理条件与搬送速度条件皆回复到原来状态时产生的处理误差E3，可否以其他处理装置PR覆盖。此时，于步骤S15，是藉由变更判断可覆盖的其他处理装置PR的处理条件，以覆盖于处理装置PR3产生的处理误差E3。此场合，在其他处理装置PR的处理条件的变更后，以该其他处理装置PR进行的实处理的处理状态会慢慢接近以变更后的处理条件所定的目标处理状态，因此，上位控制装置14，即反应此而在处理装置PR3的搬送速度条件外使处理条件亦慢慢回到原状。
另一方面，于步骤S14，当判断仅变更任一其他处理装置PR的处理条件是无法覆盖将处理装置PR3的搬送速度条件回复到原来状态时产生的处理误差E3b(例如，曝光量不足)时，上位控制装置14即将多个其他处理装置PR的处理条件，视将处理装置PR3的搬送速度条件回复到原来状态时产生的处理误差E3b加以变更(步骤S16)后，进至步骤S17。此场合，多个其他处理装置PR的实处理的处理状态会随时间经过而慢慢接近以变更后的处理条件所定的目标处理状态，因此，上位控制装置14反应此而使在处理装置PR3内的基板P的搬送速度条件慢慢回到原状。
此外，亦可根据于处理装置PR3产生的处理误差E3，变更多个其他处理装置PR的处理条件。此场合，因多个其他处理装置PR的处理条件的变更后，实处理的处理状态会慢慢接近以变更后的处理条件所定的目标处理状态，因此，上位控制装置14反应此而在处理装置PR3的搬送速度条件外使处理条件亦慢慢回复。
当进至步骤S17时，上位控制装置14即判断处理条件的变更是否已结束。也就是说，判断在步骤S15或S16以处理条件经变更的处理装置PR进行的实处理的状态，是否已成为以变更后的处理条件所定的目标处理状态。此判断，是根据膜厚测量装置16a、温度感测器Ts、浓度感测器Cs、位置感测器87等的检测结果进行。于步骤S17判断处理条件的变更尚未结束时，即停留在步骤S17，当判断处理条件的变更已结束时，即使处理装置PR3的搬送速度条件回到原状(步骤S18)。又，将在处理装置PR3产生的处理误差E3以其他处理装置PR加以覆盖的情形时，除处理装置PR3的搬送速度条件外亦使处理条件回到原状。
又，于步骤S16，即使变更多个其他处理装置PR的处理条件亦无法覆盖处理装置PR3的处理误差E3b的情形时，即判断可否变更多个其他处理装置PR的搬送速度条件，可变更时，可将所有处理装置PR1～PR5的搬送速度条件变更成相同。例如，可将处理装置PR1、PR2、PR4、PR5的搬送速度条件变更成与在步骤S13中变更的处理装置PR3的搬送速度条件相同。
其次，说明于图7的步骤S2、S6或S8，判定于处理装置PR3以外的处理装置PR(PR2、PR4或PR5)超过容许范围而产生处理误差E(E2、E4或E5)的情形时的元件制造系统10的动作。图9显示于处理装置PR3以外的处理装置PR超过容许范围而产生处理误差E的情形时的元件制造系统10的动作的流程图。上位控制装置14，在处理装置PR3以外的处理装置PR产生处理误差E(E2、E4或E5)的情形时，判断藉变更处理装置PR3的处理条件可否覆盖此处理误差E(E2、E4或E5)(步骤S21)。例如，产生处理误差E的其他处理装置PR是处理装置PR2的情形时，在实际形成的感光性功能层的膜厚较目标膜厚条件厚实，由于在处理装置PR4于感光性功能层形成的图案的线宽变粗，因此判断藉处理装置PR3的处理条件的变更，可否增加曝光量以使形成在感光性功能层的图案的线宽达到目标线宽。又，产生处理误差E的其他处理装置PR为处理装置PR4、PR5，实际的显影液、刻蚀液的温度、浓度、或浸渍时间较目标温度条件、浓度条件、或浸渍时间条件低或短的情形时，由形成在感光性功能层的图案、金属层的图案的线宽会变粗，因此，判断藉变更处理装置PR3的处理条件，是否可增加曝光量以使形成在感光性功能层的图案、金属层的图案的线宽达到目标线宽。
当于步骤S21判断可藉由变更处理装置PR3的处理条件来因应时，上位控制装置14即视处理误差E(E2、E4或E5)进行处理装置PR3的处理条件(强度条件或扫描速度条件、图案条件等)的变更(步骤S22)。另一方面，当于步骤S21判断无法藉由处理条件的变更因应时，上位控制装置14即视处理误差E(E2、E4或E5)进行处理装置PR3的处理条件与搬送速度条件的变更(步骤S23)。又，无法变更处理条件时，例如，现在设定的强度条件已是最大强度的情形时等，可视处理误差E(E2、E4或E5)仅改变搬送速度条件加以因应。
接着，上位控制装置14判断是否可藉由变更产生处理误差E(E2、E4或E5)的处理装置PR(PR2、PR4或PR5)的处理条件，即使是在将处理装置PR3的设定条件回复到原来状态的情形时亦能覆盖处理误差E(E2、E4或E5)(步骤S24)。也就是说，判断是否可藉由变更产生处理误差E的处理装置P的处理条件，即使是在将处理装置PR3的设定条件回复到原来状态时亦能消除产生的处理误差E。例如，产生处理误差E的处理装置PR为处理装置PR2，实际形成的感光性功能层的膜厚相对目标膜厚条件呈现处理误差E2的情形时，判断可否视处理误差E2改变膜厚条件。又，产生处理误差E的其他处理装置PR为处理装置PR4、PR5，实际的显影液、刻蚀液的温度、浓度、或浸渍时间相对目标温度条件、浓度条件、或浸渍时间条件呈现处理误差E4、E5的情形时，判断可否视处理误差E4、E5改变温度条件、浓度条件、或浸渍时间条件。
当于步骤S24判断可藉由变更产生处理误差E的处理装置PR的处理条件，即使是在将处理装置PR3的设定条件回复到原来状态的情形时亦能覆盖此处理误差E时，上位控制装置14即变更产生处理误差E的处理装置PR的处理条件(步骤S25)。例如，产生处理误差E的其他处理装置PR为处理装置PR2，实际形成的感光性功能层的膜厚相对目标膜厚条件较厚的情形时，视处理误差E2使膜厚条件较薄。又，产生处理误差E的处理装置PR为处理装置PR4或PR5，实际的显影液、刻蚀液的温度、浓度、及浸渍时间中至少1者的处理条件相对目标温度条件、浓度条件、浸渍时间条件较低或较短的情形时，即视处理误差E4或E5提高或加长温度条件、浓度条件、及浸渍时间中至少1者的处理条件。此场合，产生处理误差E的处理装置PR的实处理的处理状态会随着时间经过变化，因此，上位控制装置14反应此而使处理装置PR3的设定条件慢慢回到原状。
另一方面，当于步骤S24判断即使变更产生处理误差E(E2、E4或E5)的处理装置PR(PR2、PR4或PR5)的处理条件亦无法消除处理误差E(E2、E4或E5)时，上位控制装置14即判断可否藉由变更其他处理装置PR(除处理装置PR3外)的处理条件以覆盖此处理误差E(步骤S26)。例如，产生处理误差E的处理装置PR为处理装置PR2，实际形成的感光性功能层的膜厚相对目标膜厚条件超过容许范围而呈现处理误差E2的情形时，判断是否可藉由变更处理装置PR4或PR5的处理条件以覆盖此处理误差E2。实际形成的感光性功能层的膜厚较目标膜厚条件厚的情形时，由于图案的线宽会变粗，因此判断是否可藉由提高或加长显影液或刻蚀液的温度、浓度、浸渍时间，以使图案的线宽达到目标线宽。
当于步骤S26判断可藉由变更其他处理装置PR的处理条件来因应时，上位控制装置14即视处理误差E变更该其他处理装置PR的处理条件(步骤S27)，进至步骤S29。例如，产生处理误差E的处理装置PR为处理装置PR2，实际形成的感光性功能层的膜厚相对目标膜厚条件较厚的情形时，即视处理误差E2提高或加长处理装置PR4或PR5的温度条件、浓度条件、及浸渍时间中至少1者的处理条件。此场合，其他处理装置PR的实处理的处理状态会随时间经过接近以变更后的处理条件所定的目标处理状态，因此，上位控制装置14反应此而使处理装置PR3的设定条件慢慢回到原状。
另一方面，当于步骤S26判断即使变更其他处理装置PR的处理条件亦无法因应时，上位控制装置14即视此处理误差E进行处理装置PR3以外的多个其他处理装置PR的处理条件的变更(步骤S28)后，进至步骤S29。此场合，多个其他处理装置PR的实处理的处理状态会随着时间经过接近以变更后的处理条件所定的目标处理状态，因此，上位控制装置14反应此而使处理装置PR3的设定条件慢慢回到原状。
当进至步骤S29时，上位控制装置14即判断处理条件的变更是否已结束。也就是说，判断于步骤S25、S27或S28中以处理条件经变更的处理装置PR进行的实处理的状态，是否已成为以变更后的处理条件所定的目标处理状态。此判断，是根据膜厚测量装置16a、温度感测器Ts、浓度感测器Cs、位置感测器87等的检测结果进行。当于步骤S29判断处理条件的变更尚未结束时，即停留在步骤S29，当判断处理条件的变更已结束时，使处理装置PR3的设定条件回到原状(步骤S30)。
又，于步骤S22中仅变更处理装置PR3的处理条件的情形时，可与图8所示的动作同样的，结束图9所示的动作。也就是说，此场合，无需步骤S24～S30的动作。又，于步骤S30，虽使处理装置PR3的设定条件回到原状，但亦可仅使处理装置PR3的搬送速度条件回到原状。此场合，于步骤S25、S27或S28中，是依据仅将处理装置PR3的搬送速度条件回复到原来状态时产生的处理误差变更处理条件。
如上所述，在处理装置PR2～PR5中以任一处理装置PR进行的实处理的状态(实处理结果)相对目标处理状态(设计值)有处理误差E的情形时，动态的变更反应处理误差E的其他处理装置PR的设定条件，因此无需停止生产线，能持续制造安定品质的电子元件。又，作为处理装置PR，于曝光装置(描绘装置)EX或喷墨印刷机等的图案化装置，是对已形成在基板P上的底层图案进行重叠曝光或重叠印刷。该重叠精度，在制作薄膜晶体管的层构造(栅极层、絶缘装置、半导体层、源极/漏极层)等时尤其重要。例如，于薄膜晶体管的层构造，层间的相对的重叠精度及图案尺寸的忠实度(线宽再现性)依存于图案化装置的性能(定位精度、曝光量、墨水吐出量等)。该图案化装置的性能，除因某种重大缺失造成突然大幅劣化的情形外，一般而言会慢慢劣化。根据第1实施形态，由于是监测此种性能慢慢劣化的图案化装置的状态，调整其他处理装置PR的处理条件，因此在图案化装置的性能在容许范围内变动的情形、或达到容许范围外的情形时，皆能将最终形成在基板P上的图案的尺寸(线宽)精度控制在目标范围内。
又，本第1实施形态中，虽是藉由在处理装置PR3的前后配置第1蓄积装置BF1与第2蓄积装置BF2，而能自由的变更处理装置PR3的基板P的搬送速度，但例如亦可在处理装置PR2或处理装置PR4的前后配置第1蓄积装置BF1与第2蓄积装置BF2，以自由的变更处理装置PR2或处理装置PR4的基板P的搬送速度。此外，亦可例如藉由在多个处理装置PR的前后配置第1蓄积装置BF1与第2蓄积装置BF2，以于多个处理装置PR自由变更基板P的搬送速度。如此，改变在多个处理装置PR各个的搬送速度条件，代表各个处理装置PR的实处理的状态变化。例如，就处理装置PR2而言，假设不变更含膜厚条件的处理条件，仅需使搬送速度条件变慢，即能使形成的感光性功能层的膜厚变厚。相反的，藉由加快搬送速度条件，即能使形成的感光性功能层的膜厚变薄。又，就处理装置PR4、PR5而言，假设不变更浸渍时间条件等的处理条件，仅需使搬送速度条件变慢，其结果，基板P浸渍于显影液或刻蚀液的时间即变长。相反的，藉由加快搬送速度条件，其结果，基板P浸渍于显影液或刻蚀液的时间即变短。此场合，亦是变更各处理装置PR的搬送速度条件的设定，以将各个第1蓄积装置BF1及第2蓄积装置BF2的蓄积长度控制在既定范围内。
又，于图7的步骤S3，虽是判断曝光量是否在容许范围内，但亦可以是判断形成在感光性功能层的图案的线宽是否在容许范围内。此场合，当判断图案的线宽不在容许范围内时，即于步骤S4判断于处理装置PR3产生处理误差E3，可在判断图案的线宽在容许范围内时，跳过步骤S5而直接进至步骤S7。因此，此场合，无需步骤S5及步骤S6的动作。虽然亦会因显影处理的条件而使图案的线宽变化，但图案的线宽被认为是因处理装置PR3的实处理的状态而大幅变化，因此是根据形成在感光性功能层的图案的线宽，判断是否于处理装置PR3产生处理误差E3。
又，形成在显影后光阻剂层的图案的线宽变化，对曝光量变化及光阻层的厚度变化较敏感且具有线性(linearity)。相对于此，以感光性硅烷偶合剂材等形成的感光性功能层，则与其厚度几乎无关的，会因是否有被赋予一定曝光量(照度)而从非改质状态改变成改质状态。因此，欲通过感光性功能层的厚度调整或曝光量调整来进行线宽修正是实质上是困难的。不过，在赋予所需以上的曝光量的情形时，有待改质部分的线宽多少变粗的倾向。因此使用感光性硅烷偶合剂材等的感光性功能层的情形时，例如根据镀敷处理后析出的金属性图案的线宽测定值，修正镀敷处理的条件、或将使感光性功能层曝光时的图案的线宽本身相对设计值进行修正(修正描绘数据)是非常有效的。
以上，根据本发明第1实施态样，在多个处理装置PR中、有实处理状态相对目标处理状态产生处理误差E的处理装置PR时，是变更反应了处理误差E的其他处理装置PR的设定条件，因此能在不停止制造线的情形下，持续制造电子元件。亦即，在以多个处理装置PR于片状基板P上依序形成电子元件的层构造或图案形状的过程中，特定处理装置PR的实处理结果相对预先设定的设定条件(设计值)产生误差的情形时，不仅仅是特定处理装置PR本身自行控制来抑制该误差，相对特定处理装置PR位于上游侧或下游侧的其他处理装置PR，会动态的变更处理条件以最终抵消、或抑制因该误差引起的不良状态。据此，能大幅抑制于制造线中的某一步骤产生的误差引起的处理装置PR的处理中断、及制造线整体暂时停止的机率。
又，本发明第1实施态样，并不一定限于3个不同处理装置PR(处理部)排列于基板P的搬送方向(长条方向)的制造线，只要排列有至少2个依序处理基板P的处理装置PR(处理部)的话，即能适用。此场合，只要进行就结果而言能打消、或抑制在2个处理装置PR间因相对预先设定的设定条件产生的误差引起的不良情形(线宽变化等)的2个处理装置PR的各处理条件的动态调整、或在2个处理装置PR各个的基板P的搬送速度的暂时变更即可。此时，适用第1实施态样的2个处理装置PR(处理部)不一定必须是在基板P的搬送方向(长条方向)前后配置，可以是在适用第1实施态样的2个处理装置PR(处理部)之间至少配置有另一处理装置PR(处理部)的构成。例如，在曝光处理后进行显影处理的情形时，第1实施态样虽是在使基板P通过曝光部后立即送至显影部，但在将曝光后的光阻剂层施以较高温度加热之后烘(post-bake)处理后进行显影的情形时，该后烘处理用的加热装置(加热部)等即对应于该另一处理装置PR。
又，于上述第1实施形态，虽为简化说明，而以实处理状态相对目标处理状态超过容许范围呈现处理误差E的处理装置PR为1个的情形为例做了说明，但实处理的处理状态相对目标处理状态超过容许范围呈现处理误差E的处理装置PR可以是2个以上。此场合，如上所述，产生处理误差E的处理装置PR不包含处理装置PR3的情形时，优先的变更处理装置PR3的设定条件。又，产生处理误差E的处理装置PR包含处理装置PR3的情形时，首先，变更处理装置PR3的设定条件。
[第1实施形态的变形例]
上述第1实施形态，可有以下的变形。
(变形例1)上述第1实施形态中，设置在图1所示的元件制造系统(制造线)的多个处理装置PR(PR1～PR5)的各个，可依据各处理装置PR的处理条件或设定条件的调整，将通过各处理装置的片状基板P的搬送速度在处理动作中进行调整。但亦可以是通过各处理装置PR的基板P的搬送速度于各该处理装置PR固定，因在处理装置PR间的基板P的搬送速度的差引起的基板P的搬送量(搬送长度)的过与不足，则以设在处理装置PR间的第1蓄积装置BF1、或第2蓄积装置BF2加以吸收的构成。此种构成的情形时，在处理装置PR间的基板P的搬送速度的差的容许范围，大致是由待连续处理的基板P的全长Lf、与第1蓄积装置BF1或第2蓄积装置BF2的最大蓄积长度决定。
例如，设在第1蓄积装置BF1上游侧的处理装置PR2的基板P的搬送速度为Va、在第1蓄积装置BF1下游侧(亦即，第2蓄积装置BF2的上游侧)的处理装置PR3(曝光装置EX等的图案化装置)的基板P的搬送速度为Vb、在第2蓄积装置BF2下游侧的处理装置PR4(或处理装置PR5)的基板P的搬送速度为Vc。此场合，全长Lf的基板P的连续处理间所须的第1蓄积装置BF1的必要蓄积长度Lac1，在搬送速度Va、Vb是Va＞Vb的关系的情形时，为Lac1＝Lf(1－Vb/Va)，是Vb＞Va的情形时，则为Lac1＝Lf(1－Va/Vb)。同样的，全长Lf的基板P的连续处理间所须的第2蓄积装置BF2的必要蓄积长度Lac2，在搬送速度Vb、Vc是Vb＞Vc的情形时，为Lac2＝Lf(1－Vc/Vb)，是Vc＞Vb的情形时，则为Lac2＝Lf(1－Vb/Vc)。
因此，在处理装置PR2～PR4各个的处理条件下适当设定的作为基板P的目标的搬送速度Va、Vb、Vc决定后，依据上述计算，求出第1蓄积装置BF1的必要蓄积长度Lac1与第2蓄积装置BF2的必要蓄积长度Lac2，为能确保该必要蓄积长度Lac1、Lac2而调整第1蓄积装置BF1与第2蓄积装置BF2各个的最大蓄积长度。最大蓄积长度的调整，可藉由以图3中的第1蓄积装置BF1内的多个张力摆动轮20、及第2蓄积装置BF2内的多个张力摆动轮22使基板P反折的次数(支承基板P的张力摆动轮20、22的支数)相异的方式进行。减少以张力摆动轮20、22使基板P折返的回数，能降低对形成在基板P的薄膜层及电子元件用图案造成损伤的可能性、附着异物(尘埃)的可能性，因此较佳。此外，使各个张力摆动轮20、22的位置可根据最大蓄积长度而可变。也就是说，将可使各张力摆动轮20、22分别的往Z方向移动，以调整其位置的致动器设置在第1蓄积装置BF1及第2蓄积装置BF2内。此致动器是以上位控制装置14或下位控制装置24加以控制。
又，图3所示的第1蓄积装置BF1(第2蓄积装置BF2亦相同)其本身可作为一单体单元而卸除，此外，亦可作成可串联(Tandem)增设的构成。因此，以上述计算所得的必要蓄积长度Lac1(Lac2)变长时，即可藉由将多个第1蓄积装置BF1(第2蓄积装置BF2)加以串联，而容易地增加基板P的最大蓄积长度。之后，使从供应用卷筒FR1拉出的基板P的前端，依序通过处理装置PR1～PR5及蓄积装置BF1、BF2后卷绕于回收用卷筒FR2，将在蓄积装置BF1、BF2的基板P的蓄积长度设定为初期状态后，开始以各处理装置PR1～PR5进行的处理动作(以搬送速度Va、Vb、Vc进行的基板P的搬送)。本变形例1的情形时，亦是在处理装置PR2～PR4的各个以设定的固定搬送速度Va、Vb、Vc持续搬送基板P的期间，例如，根据以图6中的摄影装置83所得的图案的影像数据解析结果，检测出形成在基板P的图案的品质有变化(降低)时，即以例如上位控制装置14适当的进行处理装置PR2～PR4各个的搬送速度以外的处理条件(设定条件)的变更可否的判定、处理条件可变更的处理装置PR的特定、以及变更的条件的程度的运算等。上位控制装置14对特定出的处理装置PR发出设定条件的变更内容、变更时序等的指令。据此，即能将形成在基板P上的电子元件用图案等的品质(形状及尺寸的忠实度、均匀性等)，于基板P的全长Lf控制在既定容许范围内。
(变形例2)不增设第1蓄积装置BF1(第2蓄积装置BF2)的情形时，因1个第1蓄积装置BF1(第2蓄积装置BF2)的最大蓄积长度是有限的，因此当连续处理的基板P的全长Lf较长、或搬送速度的比Va：Vb(Vb：Vc)较大时，在全长Lf的连续处理的途中，会在第1蓄积装置BF1(第2蓄积装置BF2)产生基板P的蓄积长度变满、或蓄积长度变零的情形。因此，本变形例2中，是根据预先设定的第1蓄积装置BF1、第2蓄积装置BF2的最大蓄积长度Lm1、Lm2，以能在基板P的全长Lf的连续处理无窒碍(暂时停止)的情形下实施的方式，预先设定在处理装置PR2～PR4各个的基板P的搬送速度Va、Vb、Vc。亦即，预先设定各搬送速度Va、Vb、Vc，以使第1蓄积装置BF1的最大蓄积长度Lm1满足Lm1≧Lf(1－Vb/Va)、或Lm1≧Lf(1－Va/Vb)的条件，第2蓄积装置BF2的最大蓄积长度Lm2满足Lm2≧Lf(1－Vc/Vb)、或Lm2≧Lf(1－Vb/Vc)的条件。
又，处理装置PR2～PR4的各个，预先调整各部的设定条件，以能在设定的基板P的搬送速度Va、Vb、Vc下实施最佳处理。至少在基板P的全长Lf的连续处理期间、亦即以处理装置PR2～PR4的各个设定的搬送速度Va、Vb、Vc持续搬送基板P的期间，在检测出形成于基板P的图案品质有降低的倾向的情形时，例如能一边以上位控制装置14适当的进行处理装置PR2～PR4各个的搬送速度以外的处理条件(设定条件)的变更可否的判定、处理条件可变更的处理装置PR的特定、变更的条件的程度的演算等，一边处理基板P。如此，即能将形成在基板P上的电子元件用图案等的品质(形状及尺寸的忠实度、均匀性等)，于基板P的全长Lf控制在既定容许范围内。
又，如变形例1、变形例2所示，在预先设定于处理装置PR2～PR4各个的基板P的搬送速度Va、Vb、Vc后，开始就基板P的全长Lf进行连续处理后，例如因处理装置PR2涂布的光阻层的厚度变动使得处理装置PR4(PR5)之后出现的图案的品质相对目标值有变动的情形时，调整在处理装置PR3、处理装置PR4(PR5)各个的各种处理条件(设定条件)。此时，如上述第1实施形态般，可将预先设定在处理装置PR3及处理装置PR4的基板P的搬送速度Vb、Vc，移行至组装有微调整模式的控制方法。又，变形例1及变形例2，虽是以3个处理装置PR2、PR3、PR4(PR5)与2个蓄积装置BF1、BF2为前提作了说明，但在2个处理装置PR、与设在其间的1个蓄积装置构成的制造系统时，以同样可适用。此外，变形例1、变形例2中，在处理装置PR2～PR4各个的基板P的搬送速度Va、Vb、Vc，可能的话，最好是设定成在既定误差范围内(例如，±数％内)彼此相等较佳。
以上的变形例1、变形例2中，在一边将长条的可挠性片状基板P沿长条方向搬送、一边于基板P形成电子元件用图案时，藉由实施以对基板P施以互异的处理的第1处理步骤(例如，使用处理装置PR2的成膜步骤)、第2处理步骤(例如，使用处理装置PR3的曝光步骤与使用处理装置PR4、PR5的显影步骤、镀敷步骤等)的顺序搬送基板P的搬送步骤、在设定于第1处理步骤的处理装置PR的第1处理条件下于基板P表面选择性的或全部的形成被膜层(感光性功能层)的动作、在设定于第2处理步骤的处理装置PR的第2处理条件下于被膜层生成与图案对应的改质部并除去改质部与非改质部中的一方的处理或对改质部与非改质部中的一方施以析出电子元件用材料的处理以在基板P上使图案出现的动作、在第2处理步骤中出现的图案相对作为目标的形状或尺寸显示变动的倾向(品质降低的倾向)的情形时依据该倾向判定第1处理条件与第2处理条件的至少一方的条件可否变更的动作，即能实施降低了可能停止制造线整体的元件制造方法。亦即，在判定第1处理条件与第2处理条件中至少一方的条件是可变更的情形时，即代表可事前通报在维持形成于基板P上的图案的品质下的制造线稼働(运转)可持续。因此，能避免生产现场的作业员过早停止制造线。此效果，于先前的第1实施形态亦同。
[第2实施形态]
其次，说明第2实施形态。与上述第1实施形态相同的构成赋予相同参照符号并省略其说明。图10显示本第2实施形态的元件制造系统10的概略构成的概略构成图。图10中，省略了第1蓄积装置BF1及第2蓄积装置BF2的图示。
元件制造系统10，具有于基板P资形成讯(赋予资形)的信息形成装置ST(ST1～ST5)、与读取形成(赋予)在基板P的信息以收集信息的信息收集装置90。信息形成装置ST(ST1～ST5)，可以喷墨方式对基板P进行印刷以形成信息，亦可刻印于基板P以形成信息。又，信息形成装置ST(ST1～ST5)可将欲形成的信息的内容原状形成于基板P、亦可将欲形成的信息的内容编码(例如，条码化、QR码化)形成基板P。
信息形成装置ST1，将与处理装置PR1对基板P实施的处理状态相关的信息形成在基板P。处理装置PR1对基板P实施的处理状态，为射出电浆而施加的电压、及照射电浆的照射时间等的实处理状态。信息形成装置ST1根据处理装置PR1的未图示的下位控制装置或上位控制装置14的控制，将与处理装置PR1对基板P的处理状态相关的信息形成于基板P。此信息形成装置ST1虽是沿基板P的搬送方向设在处理装置PR1与处理装置PR2之间，但亦可设在处理装置PR1的内部。信息形成装置ST1，可将与在每一电子元件区域W由处理装置PR1对电子元件区域W实施的处理状态相关的信息形成于基板P，亦可在对电子元件区域W实施的处理状态的倾向超过一定范围而改变的时间点，将与对实施于电子元件区域W的处理状态相关的信息形成于基板P。
信息形成装置ST2，将与处理装置PR2对基板P实施的处理状态或处理误差E2相关的信息形成于基板P。处理装置PR2对基板P实施的处理状态，是实际形成的感光性功能层的膜厚等的实处理状态。处理误差E2，是实际形成的感光性功能层的膜厚相对目标膜厚条件的处理误差等。信息形成装置ST2根据处理装置PR2的下位控制装置18或上位控制装置14的控制，将与处理装置PR2的处理状态或处理误差E2相关的信息形成于基板P。此信息形成装置ST2是沿基板P的搬送方向设置在处理装置PR2与第1蓄积装置BF1或处理装置PR3之间，但亦可设置在处理装置PR2的内部、干燥装置16的下游侧。信息形成装置ST2，可将与在每一电子元件区域W由处理装置PR2对电子元件区域W实施的处理状态或处理误差E2相关的信息形成于基板P，亦可在对电子元件区域W实施的处理状态或处理误差E2的倾向超过一定范围而改变的时间点，将与对实施于电子元件区域W的处理状态相关的信息形成于基板P。
信息形成装置ST3，将与处理装置PR3对基板P实施的处理状态或处理误差E3相关的信息形成于基板P。处理装置PR3对基板P实施的处理状态，是激光LB的强度及点光SP的扫描速度等的实处理状态。处理误差E3，是实际照射的激光LB的强度相对目标强度条件的处理误差、及点光SP的扫描速度相对目标扫描速度条件的处理误差等。信息形成装置ST3根据图案形成装置12的下位控制装置24或上位控制装置14的控制，将与处理装置PR3的处理状态或处理误差E3相关的信息形成于基板P。此信息形成装置ST3是沿基板P的搬送方向设置在处理装置PR3与第2蓄积装置BF2或处理装置PR4之间，但亦可试设在处理装置PR3的内部、旋转筒DR2的下游侧。信息形成装置ST3，可将与在每一电子元件区域W由处理装置PR3对电子元件区域W实施的处理状态或处理误差E3相关的信息形成于基板P，亦可在对电子元件区域W实施的处理状态或处理误差E3的倾向超过一定范围而改变的时间点，将与对实施于电子元件区域W的处理状态相关的信息形成于基板P。
信息形成装置ST4，将与处理装置PR4对基板P实施的处理状态或处理误差E4相关的信息形成于基板P。处理装置PR4对基板P实施的处理状态，是显影液的温度、浓度、浸渍时间等的实处理状态。处理误差E4是实际的显影液的温度相对目标温度条件的处理误差、实际的显影液的浓度相对目标浓度条件的处理误差、实际的浸渍时间相对目标浸渍时间条件的处理误差等。信息形成装置ST4根据处理装置PR4的下位控制装置80或上位控制装置14的控制，将与处理装置PR4的处理状态或处理误差E4相关的信息形成于基板P。此信息形成装置ST4是沿基板P的搬送方向设置在处理装置PR4与处理装置PR5之间，但亦可设置在处理装置PR4的内部、导引滚轮R7的下游侧。信息形成装置ST4，可将与在每一电子元件区域W由处理装置PR4对电子元件区域W实施的处理状态或处理误差E4相关的信息形成于基板P，亦可在对电子元件区域W实施的处理状态或处理误差E4的倾向超过一定范围而改变的时间点，将与对实施于电子元件区域W的处理状态相关的信息形成于基板P。
信息形成装置ST5，将与处理装置PR5对基板P实施的处理状态或处理误差E5相关的信息形成于基板P。处理装置PR5对基板P实施的处理状态，是刻蚀液的温度、浓度、浸渍时间等的实处理状态。处理误差E5，是实际的刻蚀液的温度相对目标温度条件的处理误差、实际的刻蚀液的浓度相对目标浓度条件的处理误差、实际的浸渍时间相对目标浸渍时间条件的处理误差等。信息形成装置ST5根据处理装置PR5的下位控制装置80或上位控制装置14的控制，将与处理装置PR5的处理状态或处理误差E5相关的信息形成于基板P。此信息形成装置ST5虽是沿基板P的搬送方向设置在处理装置PR5的下游侧，但亦可是设置在处理装置PR5的内部、导引滚轮R7的下游侧。信息形成装置ST5，可将与在每一电子元件区域W由处理装置PR5对电子元件区域W实施的处理状态或处理误差E5相关的信息形成于基板P，亦可在对电子元件区域W实施的处理状态或处理误差E5的倾向超过一定范围而改变的时间点，将与对实施于电子元件区域W的处理状态相关的信息形成于基板P。
此信息形成装置ST1～ST5，如图11所示，是在基板P的电子元件区域W以外的区域形成信息。图11的Si1表示以信息形成装置ST1形成的信息，Si2表示以信息形成装置ST2形成的信息。同样的，Si3、Si4、Si5是以信息形成装置ST3、ST4、ST5形成的信息。信息形成装置ST1～ST5，在互异的基板P上的区域形成信息Si1～Si5。据此，即能根据基板P上形成有信息Si的区域，轻易地辨识该信息Si是以哪一个信息形成装置ST1～ST5形成的。
又，形成在基板P上的信息Si1～Si5，亦可以是形成在电子元件区域W的内部。此场合，为避免在电子元件区域W内对元件用配线及半导体元件、或像素区域等造成影响，是使信息Si1～Si5的形成面积充分地小以配置在电子元件区域W内的空白区域。或者，在电子元件区域W内，形成用以和外部电路连接的较大的电极垫的情形时，可于该垫内部形成信息Si1～Si5。
信息收集装置90，具备读取形成(被赋予)在基板P的信息Si的信息读取部MT(MT1～MT5)、与收集信息读取部MT(MT1～MT5)读取到的信息Si的信息收集部92。信息读取部MT(MT1～MT5)是藉由拍摄基板P以读取形成在基板P的信息Si。信息读取部MT1根据处理装置PR1的未图示的下位控制装置或上位控制装置14的控制，在处理装置PR1之前的步骤读取与对基板P实施的处理状态或处理误差相关的信息Si。信息读取部MT1虽是沿基板P的搬送方向较处理装置PR1设置在上游侧，但亦可以是设置在处理装置PR1的内部。
信息读取部MT2根据处理装置PR2的下位控制装置18或上位控制装置14的控制，读取与由信息形成装置ST1]形成在基板P的处理状态相关的信息Si1。信息读取部MT2沿基板P的搬送方向在处理装置PR1与处理装置PR2之间、较信息形成装置ST1设置在下游侧。又，由于信息读取部MT2只要较信息形成装置ST1设置在下游侧即可，因此亦可例如设置在处理装置PR2的内部。信息读取部MT3根据图案形成装置12的下位控制装置24或上位控制装置14的控制，读取与由信息形成装置ST2形成在基板P的处理状态或处理误差E2相关的信息Si2。信息读取部MT3沿基板P的搬送方向在处理装置PR2或第1蓄积装置BF1与处理装置PR3之间、较信息形成装置ST2配置在下游侧。又，由于信息读取部MT3只要较信息形成装置ST2设置在下游侧即可，因此亦可例如设置在处理装置PR3的内部。
信息读取部MT4根据处理装置PR4的下位控制装置80或上位控制装置14的控制，读取与由信息形成装置ST3形成在基板P的处理状态或处理误差E3相关的信息Si3。信息读取部MT4沿基板P的搬送方向在处理装置PR3或第2蓄积装置BF2与处理装置PR4之间、较信息形成装置ST3设置在下游侧。又，由于信息读取部MT4只要较信息形成装置ST3设置在下游侧即可，因此亦可例如设置在处理装置PR4的内部。信息读取部MT5根据处理装置PR5的下位控制装置80或上位控制装置14的控制，读取与由信息形成装置ST4形成在基板P的处理状态或处理误差E4相关的信息Si4。信息读取部MT5沿基板P的搬送方向在处理装置PR4与处理装置PR5之间、较信息形成装置ST4设置在下游侧。又，由于信息读取部MT5只要较信息形成装置ST4设置在下游侧即可，因此亦可例如形成在处理装置PR5的内部。信息形成装置ST5形成在基板P的信息Si5，于进行次一步骤的处理时被读取。
信息收集部92收集信息读取部MT1～MT5读取到的信息Si，输出至上位控制装置14。上位控制装置14依据信息读取部MT1～MT5读取到的信息Si，判断各处理装置PR1～PR5的实处理状态是否相对目标处理状态超过容许范围而有产生处理误差E，在超过容许范围产生处理误差E的情形时，如上述第1实施形态的说明，变更处理装置PR的设定条件。于本第2实施形态，就每一电子元件区域W将与各处理装置PR1～PR5对电子元件区域W实施的处理状态或处理误差E相关的信息Si1～Si5形成于基板P，或在对电子元件区域W实施的处理状态或处理误差E的倾向超过一定范围而改变的时间点，将与各处理装置PR1～PR5对电子元件区域W实施的处理状态或处理误差E相关的信息Si1～Si5形成于基板P。因此，上位控制装置14，可就每一电子元件区域W，轻易地管理以各处理装置PR1～PR5实施的处理状态或处理误差E。因此，能使形成于每一电子元件区域W的图案为期望的图案。
又，由于基板P为片状基板，因此在形成于基板P的元件形成区域W的电子元件用图案为不良品的情形时，亦会有切断基板P以除去基板P的一部分(不良品部分，例如不良品的元件形成区域W的部分)，并将剩余的基板P加以接合成一片基板P的情形。此外，亦有在切断除去的部分接续其他基板P以将基板P加以接合的情形。如以上所述，因切断、接合基板P，电子元件区域W的顺序会大幅变更，欲掌握对各电子元件区域W实施的实处理状态将变得困难。例如，将电子元件区域W以1、2、3、4、5、6、7、…、的顺序沿基板P的长条方向连接的基板P的第4个与第5个电子元件区域W切断除去，并代之以电子元件区域W以a、b、c、d的顺序沿基板P的长条方向连续的基板P加以接续时，接续后的基板P将成为电子元件区域W以1、2、3、a、b、c、d、6、7、…、的顺序连接的一片基板P。此场合，虽然欲掌握对此基板P的各电子元件区域W实施的实处理状态是困难的，但于上述第2实施形态中，将与各处理装置PR1～PR5的处理状态或处理误差E相关的状态形成于基板P，因此即使是在此种情形下，亦能轻易地掌握对各电子元件区域W实施的实处理状态。
以上，根据本发明的第2实施态样，由于是将多个处理装置PR1～PR5中、实处理状态相对目标处理状态产生处理误差E的处理装置PR将与处理误差E相关的信息形成在基板P上的既定位置，因此，特别是实施后步骤的处理装置PR可节由读取基板P上的信息，判定于前步骤产生的处理误差E是否可回复，在可回复的情形时，可导出该处理条件，以持续实施后步骤。因此，无须停止制造线即能持续制造电子元件。
又，本发明的第2实施态样，并不一定限于3个不同处理装置PR(处理部)排列于基板P的搬送方向(长条方向)的制造线，只要是排列对基板P依序进行处理的至少2个处理装置PR(处理部)的话，即能实施。此场合，适用第2实施态样的2个处理装置PR(处理部)不一定须于基板P的搬送方向(长条方向)前后连续配置，可以是适用的2个处理装置PR(处理部)之间配置至少另一个处理装置PR(处理部)的构成。例如，在曝光处理后进行显影处理情形时，不将通过曝光部的基板P立即送至显影部，而是在将曝光后的光阻剂层施以较高温度加热之后烘(post-bake)处理后进行显影的情形时，该后烘处理用的加热装置(加热部)等即对应于该另一处理装置PR。
[第1及第2实施形态的变形例]
上述第1及第2实施形态，可有如下的变形。
(变形例1)变形例1的构成，是将处理装置PR3及处理装置PR4作成1个处理单元PU2。也就是说，处理单元PU2是将从处理装置PR2搬送而来的基板P一边往搬送方向(+X方向)搬送、一边进行曝光处理及显影处理的处理步骤(第2处理步骤)的装置。藉由此曝光处理，于感光性功能层形成对应图案的潜像(改质部)，并藉由显影处理使改质部或非改质部中的一方溶解加以去除，来于感光性功能层出现图案。又，处理单元PU2可以是进行曝光处理及镀敷处理的处理步骤的装置，此场合，藉由镀敷处理于改质部或非改质部中的一方析出钯离子等的电子元件用材料(金属)。
图12显示处理单元PU2的构成的图。针对与上述第1及第2实施形态相同的构成赋予相同符号省略其说明，且针对在说明本变形例1时无特别需要的构成则省略其图示。处理单元PU2，具备搬送部100、曝光头36、处理槽BT、及干燥部102。又，虽未图示，处理单元PU2亦具有光源装置32、光导入光学系34、强度感测器37、对准显微镜AM(AM1～AM3)、加热器H1、H2、加热器驱动部82、温度感测器Ts、浓度感测器Cs、及摄影装置83等。此外，处理单元PU2是受未图示的下位控制装置控制。第1蓄积装置BF1设在处理装置PR2与处理单元PU2之间，第2蓄积装置BF2设在处理单元PU2与处理装置PR5之间。
搬送部100，从基板P的搬送方向上游侧(－X方向侧)起，依序具有驱动滚轮NR10、张力调整滚轮RT10、旋转筒DR2、导引滚轮R10、旋转筒DR3、导引滚轮R12、张力调整滚轮RT12、及驱动滚轮NR12。驱动滚轮NR10，是藉由一边夹持通过第1蓄积装置BF1从处理装置PR2送来的基板P的表背两面、一边旋转，将基板P搬送向旋转筒DR2。旋转筒DR2是一边顺着外周面将基板P的一部分支承于长条方向、一边以中心轴AX2为中心旋转以将基板P搬送至导引滚轮R10。导引滚轮R10将从旋转筒DR2送来的基板P导向旋转筒DR3。
旋转筒DR3具有延伸于Y方向的中心轴AX3、与从中心轴AX3起具一定半径的圆筒状圆周面，一边顺着外周面(圆周面)将基板P的一部分支承于长条方向、一边以中心轴AX3为中心旋转将基板P导向导引滚轮R12。旋转筒DR3以下侧(－Z方向侧，亦即，重力作用方向之侧)外周面的约一半周面支承基板P。导引滚轮R12将送来的基板P搬送向驱动滚轮NR12。驱动滚轮NR12藉由一边夹持送来的基板P表背两面、一边旋转，将基板P搬送至处理装置PR5侧。张力调整滚轮RT10、RT12是用以对在驱动滚轮NR10与驱动滚轮NR12之间搬送的基板P赋予既定张力。张力调整滚轮RT10被赋力向+Z方向，张力调整滚轮RT12被赋力向－Z方向。
驱动滚轮NR10、NR12、旋转筒DR2、DR3是藉由旋转扭矩而旋转，此旋转扭矩是来自被处理单元PU2的该下位控制装置控制的旋转驱动源(电机即减速机等)。藉由此驱动滚轮NR10、NR12、旋转筒DR2、DR3的旋转速度规定处理单元PU2内的基板P的搬送速度。又，从设在驱动滚轮NR10、NR12、旋转筒DR2、DR3的未图示的编码器送来的旋转速度信号(基板P的搬送速度信息)，通过处理单元PU2的该下位控制装置被送至上位控制装置14。
旋转筒DR3是以其圆周面的一部分可浸渍于贮留在处理槽BT中的显影液的方式，设在处理槽BT的上方。因此，可将以旋转筒DR3支承的基板P浸渍于显影液中。又，旋转筒DR3(或处理槽BT)可往Z方向移动，当旋转筒DR3往+Z方向移动(或处理槽BT往－Z方向移动)时，旋转筒DR3的圆周面浸渍于贮留在处理槽BT中的显影液的面积即减少，当旋转筒DR3往－Z方向移动(或处理槽BT往+Z方向移动)时，旋转筒DR3的圆周面浸渍于贮留在处理槽BT中的显影液的面积即增加。如此，可藉由旋转筒DR3(或处理槽BT)往Z方向的移动，改变基板P浸渍于显影液的时间(浸渍时间)。于此旋转筒DR3(或处理槽BT)，虽未图示，但设有调整旋转筒DR3与处理槽BT于Z方向的间隔(旋转筒DR3的中心轴AX3与处理槽BT内的显影液表面的间隔)的驱动机构，该驱动机构受处理单元PU2的该下位控制装置的控制进行驱动。导引滚轮R12设于干燥部102，干燥部102是用以除去从旋转筒DR3通过导引滚轮R12被搬送至张力调整滚轮RT12的基板P上附着的显影液。
又，在感光性功能层是感光性硅烷偶合剂或感光性还元剂的情形时，于处理单元PU2的处理槽BT中，取代显影液，是贮留有例如包含钯离子等的电子元件用材料(金属)的镀敷液。也就是说，此场合，处理单元PU2是进行曝光处理与镀敷处理的装置。藉由将基板P浸渍于镀敷液，即反应形成在感光性功能层的潜像(改质部)而析出电子元件用材料，于基板P形成图案。正型的情形时，被紫外线照射的部分受到改质，于未被紫外线照射的非改质部析出电子元件用材料。负型的情形时，被紫外线照射的部分受到改质，于改质部析出电子元件用材料。据此，于基板P出现金属层(导电性)的图案。此处，亦可藉由调整旋转筒DR3与处理槽BT于Z方向的间隔、或调整处理槽BT内的镀敷液的量(液面高度)，以调整基板P于镀敷液的浸渍时间、调整于基板P的表面析出的钯金属核的浓度。
处理单元PU2依据设定条件(第2设定条件)进行曝光处理与显影处理(或镀敷处理)。作为处理单元PU2的设定条件，设定有包含规定激光LB强度的强度条件、规定点光SP的扫描速度(多面镜66的旋转速度)的扫描速度条件、规定多重曝光次数的曝光次数条件、规定描绘的图案的图案条件(图案数据)、规定显影液(或镀敷液)的温度的温度条件、规定显影液(或镀敷液)的浓度的浓度条件、及规定浸渍时间的浸渍时间条件等的处理条件(第2处理条件)、与基板P的搬送速度条件。曝光处理依据强度条件、扫描速度条件、曝光回数条件、及图案条件等进行。显影处理(或镀敷处理)依据温度条件、浓度条件、浸渍时间条件等进行。此设定条件，是预先设定成以处理单元PU2实施的实处理状态可成为目标处理状态。
关于设定条件的变更，因已于上述第1实施形态加以说明故不再详细说明，但上位控制装置14在处理装置PR1、PR2、PR5、及处理单元PU2的各个中对基板P实施之实处理状态的至少1者，相对目标处理状态超过容许范围而呈现处理误差E的情形时，是使产生处理误差E的处理装置PR或处理单元PU2以外的其他装置的设定条件，视处理误差E而变化。其理由，当然是因为在处理装置PR1、PR2、PR5、及处理单元PU2依据设定条件对基板P实施的实处理的状态中任一者相对目标处理状态超过容许范围而具有处理误差E的情形时，无法于基板P出现期望的金属层图案之故。
呈现处理误差E的设定条件是处理单元PU2的设定条件时，首先，是变更处理单元PU2的设定条件以避免产生处理误差E、或将处理误差E抑制在容许范围内。若仅变更处理单元PU2的设定条件已无法因应的情形时，即进一步变更其他处理装置PR(PR2、PR5)的设定条件，以避免产生处理误差E、或将处理误差E抑制在容许范围内。此时，在其他处理装置PR的设定条件变更结束后，至少使处理单元PU2的搬送速度条件回复原状。又，在呈现处理误差E的设定条件是处理单元PU2以外的处理装置PR时，优先的变更处理单元PU2的设定条件，以避免产生处理误差E、或将处理误差E抑制在容许范围内。与处理单元PU2对基板P实施的实处理的状态或处理误差E相关的信息，以未图示的信息形成装置ST形成于基板P。又，此信息以信息读取部MT5加以读取。此外，虽是将第1蓄积装置BF1及第2蓄积装置BF2设置在处理单元PU2的前后，但亦可设置在其他处理装置PR的前后。
又，如图12所示，若是将曝光处理部(旋转筒DR2、曝光头36等)与湿式处理部(旋转筒DR3、处理槽BT等)一体设置的处理单元PU2时，在处理单元PU2内的片状基板P的搬送速度一定，无法在曝光处理部与湿式处理部使片状基板P的搬送速度暂时不同。因此，欲使片状基板P的搬送速度暂时不同的情形时，是于导引滚轮R10的位置，设置如图3所示的蓄积装置BF1、BF2。也就是说，于处理单元PU2的前后设置第1蓄积装置BF1及第2蓄积装置BF2，并在旋转筒DR2与旋转筒DR3之间设置1个与第1蓄积装置BF1(第2蓄积装置BF2)具有相同构成的蓄积装置。又，亦可将第1蓄积装置BF1设在处理装置PR2与旋转筒DR2之间，将第2蓄积装置BF2设在旋转筒DR2与旋转筒DR3之间。此外，亦可将第1蓄积装置BF1设在旋转筒DR2与旋转筒DR3之间，将第2蓄积装置BF2设在旋转筒DR3与处理装置PR5之间。
(变形例2)变形例2的构成，系将处理装置PR2及处理装置PR3作成1个处理单元PU1。也就是说，处理单元PU1是一边将从处理装置PR1搬送而来的基板P往搬送方向(+X方向)搬送、一边进行成膜处理及曝光处理的处理步骤(第1处理步骤)的装置。藉由此成膜处理，于基板P表面选择性的或全部的涂布感光性功能液，据以在基板P表面选择性的或全部的形成感光性功能层，并藉由曝光处理于感光性功能层形成对应图案的潜像(改质部)。
图13显示处理单元PU1的构成的图。针对与上述第1及第2实施形态相同构成赋予相同符号省略其说明，且针对在说明本变形例2时无特别需要的构成则省略其图示。处理单元PU1，具备搬送部110、模具涂布机头DCH、喷墨头IJH、干燥装置112、及曝光头36。又，虽未图示，处理单元PU1亦具有光源装置32、光导入光学系34、强度感测器37、对准显微镜AM(AM1～AM3)、膜厚测量装置16a等。处理单元PU1受未图示的下位控制装置控制。第1蓄积装置BF1设在处理装置PR1与处理单元PU1之间，第2蓄积装置BF2设在处理单元PU1与处理装置PR4之间。
搬送部110，从基板P的搬送方向上游侧(－X方向侧)起，依序具有驱动滚轮NR14、张力调整滚轮RT14、旋转筒DR1、导引滚轮R14、R16、张力调整滚轮RT16、旋转筒DR2、导引滚轮R18、及驱动滚轮NR16。驱动滚轮NR14藉由一边夹持通过第1蓄积装置BF1从处理装置PR1送来的基板P的表背两面、一边旋转，将基板P搬送向旋转筒DR1。旋转筒DR1，一边顺着外周面(圆周面)将基板P的一部分支承于长条方向、一边以中心轴AX1为中心旋转，将基板P往+X方向侧搬送。导引滚轮R14、R16将从旋转筒DR1送来的基板P搬送至旋转筒DR2。
旋转筒DR2，一边顺着外周面将基板P的一部分支承于长条方向、一边以中心轴AX2为中心旋转，将基板P搬送至导引滚轮R18。导引滚轮R18将从旋转筒DR2送来的基板P搬送至驱动滚轮NR16。驱动滚轮NR16，藉由一边夹持送来的基板P的表背两面、一边旋转，将基板P往处理装置PR4侧搬送。张力调整滚轮RT14、RT16是对在驱动滚轮NR14与驱动滚轮NR16之间搬送的基板P赋予既定张力者。张力调整滚轮RT14、RT16被赋力向－Z方向。
驱动滚轮NR14、NR16、旋转筒DR1、DR2是藉由被赋予旋转扭矩而旋转，此旋转扭矩来自受处理单元PU1的该下位控制装置控制的旋转驱动源(电机及减速机等)。以此驱动滚轮NR14、NR16、旋转筒DR1、DR2的旋转速度规定处理单元PU1内的基板P的搬送速度。又，从设在驱动滚轮NR14、NR16、旋转筒DR1、DR2的未图示的编码器送来的旋转速度信号(基板P的搬送速度信息)，通过处理单元PU1的该下位控制装置被送至上位控制装置14。
导引滚轮R14设在干燥装置112，干燥装置112对从旋转筒DR1通过导引滚轮R14搬送至导引滚轮R16之基板P喷吹热风或干空气等的干燥用空气，以除去感光性功能液中所含的溶质(溶剂或水)以使感光性功能液干燥。据此，即形成感光性功能层。
处理单元PU1依据设定条件(第1设定条件)进行成膜处理与曝光处理。作为处理单元PU1的设定条件，设定有包含用以规定形成感光性功能层的区域的区域条件、规定感光性功能层的膜厚的膜厚条件、规定激光LB的强度的强度条件、规定点光SP的扫描速度(多面镜66的旋转速度)的扫描速度条件、规定多重曝光次数的曝光次数条件、及规定描绘的图案的图案条件(图案数据)等的处理条件(第1处理条件)、与基板P的搬送速度条件。成膜处理是依据区域条件及膜厚条件等进行。曝光处理依据强度条件、扫描速度条件、曝光回数条件、及图案条件等进行。此设定条件，是预先设定成以处理单元PU1实施的实处理状态可成为目标处理状态。
关于设定条件的变更，由于已在上述第1实施形态中说明故不再详细说明，但上位控制装置14在处理装置PR1、PR4、PR5、及处理单元PU1的各个中对基板P实施的实处理的状态的至少1者，相对目标的处理状态超过容许范围呈现处理误差E的情形时，是使产生处理误差E的处理装置PR或处理单元PU1以外的其他装置的设定条件，视处理误差E变化。其理由，当然是因为在处理装置PR1、PR2、PR5、及处理单元PU1依据设定条件对基板P实施的实处理的状态中任一者相对目标处理状态超过容许范围而具有处理误差E的情形时，无法于基板P出现期望的金属层图案之故。
呈现处理误差E的设定条件是处理单元PU1的设定条件时，首先，变更处理单元PU1的设定条件，以避免产生处理误差E或将处理误差E抑制在容许范围内。在仅变更处理单元PU1的设定条件无法因应的情形时，即进一步变更其他处理装置PR(PR4、PR5)的设定条件，以避免产生处理误差E或将处理误差E抑制在容许范围内。此时，在其他处理装置PR的设定条件的变更结束后，至少使处理单元PU1的搬送速度条件回到原状。又，呈现处理误差E的设定条件是处理单元PU1以外的处理装置PR时，优先的变更处理单元PU1的设定条件，以避免产生处理误差E或将处理误差E抑制在容许范围内。关于以处理单元PU1对基板P实施的实处理的状态或处理误差E相关的信息，是以未图示的信息形成装置ST形成于基板P。又，此信息是以信息读取部MT4加以读取。此外，虽是将第1蓄积装置BF1及第2蓄积装置BF2设置在处理单元PU1的前后，但亦可设置在其他处理装置PR的前后。
以上的变形例2中，如图13所示，由于是作成将涂布处理部(旋转筒DR1、模具涂布机头DCH、喷墨头IJH等)、干燥处理部(干燥装置112等)、曝光处理部(旋转筒DR2、曝光头36等)一体设置的处理单元PU1，因此在处理单元PU1内的基板P的搬送速度，任何地方皆同。然而，于涂布处理部、干燥处理部、曝光处理部的各个，使基板P的搬送速度暂时不同的情形时，例如是在干燥处理部(干燥装置112等)的位置，设置如图3所示的蓄积装置BF1、BF2。也就是说，在处理单元PU1的前后设置第1蓄积装置BF1及第2蓄积装置BF2，并在旋转筒DR1与旋转筒DR2之间设置一具有与第1蓄积装置BF1(第2蓄积装置BF2)相同构成的蓄积装置。此外，亦可将第1蓄积装置BF1设在旋转筒DR1与旋转筒DR2之间，将第2蓄积装置BF2设在旋转筒DR2与处理装置PR4之间。又，亦可将第1蓄积装置BF1设在处理装置PR1与旋转筒DR1之间，将第2蓄积装置BF2设在旋转筒DR1与旋转筒DR2之间。

Claims (9)

1.一种处理系统，是将长条的可挠性片状基板沿长条方向依序搬送至多个处理装置的各个，据以在该片状基板形成既定图案，其具备：
第1处理装置，依据第1设定条件一边将该片状基板往该长条方向搬送、一边于该片状基板表面选择性的或全部的形成感光性薄膜；
第2处理装置，依据第2设定条件一边将该片状基板往该长条方向搬送、一边对该片状基板表面的该感光性薄膜照射对应该图案的光能，以在该感光性薄膜形成对应该图案的潜像；
第3处理装置，依据第3设定条件一边将该片状基板往该长条方向搬送、一边通过反应该潜像的该感光性薄膜的选择性的显影或反应该潜像的对该感光性薄膜的选择性的镀敷，使该图案出现在该片状基板上；以及
控制装置，在该第1～该第3处理装置的各个中施于该片状基板的实处理的状态中至少1个，对该第1～该第3处理装置中各个的目标的处理状态呈现处理误差的情形时，使该第1～该第3设定条件中、呈现该处理误差的该设定条件以外的其他该设定条件因应该处理误差而变化。
2.如权利要求1所述的处理系统，其具备：
第1蓄积装置，设在该第1处理装置与该第2处理装置之间，能将该片状基板蓄积既定长度；以及
第2蓄积装置，设在该第2处理装置与该第3处理装置之间，能将该片状基板蓄积既定长度；
该控制装置是以该第1蓄积装置及该第2蓄积装置的蓄积长度在既定范围内的方式，使该其他设定条件变化。
3.如权利要求1或2所述的处理系统，其中，该控制装置在该第1处理装置或该第3处理装置的任一者进行的该实处理的状态产生该处理误差时，使该第2设定条件优先的变化。
4.如权利要求3所述的处理系统，其中，该第1设定条件包含感光性薄膜的膜厚条件；
该第2设定条件包含照射的该光能的强度条件及该片状基板的搬送速度条件中的至少1种；
该控制装置，在该第1处理装置相对作为该目标的处理状态所设定的该膜厚条件伴随该处理误差而形成该感光性薄膜的情形时，视相对该膜厚条件的该处理误差改变该强度条件或该搬送速度条件。
5.如权利要求3所述的处理系统，其中，该第3设定条件包含显影液或镀敷液的浓度条件、于显影液或镀敷液浸渍该片状基板的浸渍时间条件、显影液或镀敷液的温度条件中的至少1种；
该第2设定条件包含照射的该光能的强度条件及该片状基板的搬送速度条件的至少1种；
该控制装置，在该第3处理装置相对作为该目标的处理状态所设定的该浓度条件、该浸渍时间条件、或该温度条件伴随该处理误差进行该显影或该镀敷的情形时，视相对该浓度条件、该浸渍时间条件、或该温度条件的该处理误差改变该强度条件或该搬送速度条件。
6.如权利要求5所述的处理系统，其中，该控制装置在反应以该第2处理装置形成的该潜像的该图案的线宽为该目标的处理状态，而以该第3处理装置出现的该图案的线宽相对该目标的处理状态呈现该处理误差的情形时，即判断该第3处理装置未依该浓度条件、该浸渍时间条件、或该温度条件正确地实施该显影或该镀敷的处理。
7.如权利要求1或2所述的处理系统，其中，该控制装置在该第2处理装置依据该第2设定条件对该片状基板施加的该实处理的状态产生该处理误差的情形时，即在反应该处理误差而变化该第2设定条件后，变更该第1设定条件及该第3设定条件，之后使该第2设定条件回到原来状态。
8.如权利要求7所述的处理系统，其中，该第2设定条件包含照射的该光能的强度条件及该片状基板的搬送速度条件；
该控制装置在该第2处理装置相对作为该目标的处理状态所设定的该强度条件伴随该处理误差而照射该光能的情形时，即视相对该强度条件的该处理误差改变该搬送速度条件。
9.如权利要求8所述的处理系统，其中，该控制装置在反应以该第2处理装置形成的该潜像的该图案的线宽相对该目标的处理状态呈现该处理误差的情形时，即判断该第2处理装置未照射反应该强度条件的光能。
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