TWI729751B

TWI729751B - 處理系統

Info

Publication number: TWI729751B
Application number: TW109111016A
Authority: TW
Inventors: 鬼頭義昭; 加藤正紀; 奈良圭; 堀正和
Original assignee: 日商尼康股份有限公司
Priority date: 2014-09-04
Filing date: 2015-09-03
Publication date: 2021-06-01
Also published as: JP2020166279A; TWI709831B; CN108762010B; CN108762010A; TW201843757A; JP6528775B2; HK1255588B; TWI636344B; JP2019152873A; CN110488576B; KR20190141271A; US10683185B2; CN110488576A; US20190177105A1; US10246287B2; JPWO2016035842A1; KR102092155B1; TW201617746A; KR20210013370A; KR102086463B1

Abstract

本發明提供一種即使是在以任一處理裝置對片狀基板實際實施之處理之狀態與目標之處理狀態不同時，亦能在無需停止製造系統全體之情形下，進行電子元件之製造之處理系統。一種將長條之可撓性片狀基板（P）沿長條方向依序搬送至第1～第3處理裝置（PR2～PR4）之各個，以在片狀基板（P）形成既定圖案的處理系統（10），第1～第3處理裝置（PR2～PR4）依據設定於各個處理裝置之設定條件對片狀基板（P）施以既定處理，在第1～第3處理裝置（PR2～PR4）之各個中對片狀基板（P）實施之實處理狀態中之至少1者相對目標之處理狀態呈現處理誤差（E）之情形時，使呈現處理誤差（E）之設定條件以外之其他設定條件因應處理誤差（E）變化。

Description

處理系統

本發明係關於以捲對捲(roll to roll)方式製造電子元件之處理系統。

於國際公開第2013/136834號小冊子中，揭露了一種為了在可撓性長條片狀基板上形成電子元件(以有機EL或液晶形成之顯示面板)之圖案，而從捲有片狀基板之供應捲筒供應之片狀基板沿長條方向搬送，並以沿長條方向排列之複數個處理裝置U1~Un對片狀基板施以既定處理後，回收捲筒捲取之捲對捲(roll to roll)方式的製造系統。具體而言，處理裝置U1對從供應捲拉出之可撓性片狀基板於片狀基板表面形成感光性功能層，處理裝置U2對片狀基板進行加熱以使形成之感光性功能層安定的固定。接著，處理裝置U3(曝光裝置)對感光性功能層照射紫外線圖案化光，處理裝置U4進行顯影，處理裝置U5則加熱片狀基板使其乾燥。

然而，如國際公開第2013/136834號小冊子所揭露之捲對捲方式之製造系統中，以任一處理裝置U對片狀基板實際實施之處理之狀態與目標之處理狀態相異之情形時，例如，在處理裝置U3(曝光裝置)之曝光用照明光(雷射光等)之強度並非是目標強度之情形時等，形成於片狀基板之圖案將不會是期望之圖案。形成於此片狀基板之圖案，由於是以各處理裝置U1~Un之處理形成，因此僅看形成之圖案是無法特定出其原因是在哪一個處理裝置。此外，於捲對捲方式之製造系統，係將連接成帶狀之長條的一片片狀基板於長條方向連續搬送，因此從特定產生處理誤差之處理裝置，用以將該處理誤差抑制在容許範圍內之調整作業等的必要性來看，即使是使特定之處理裝置之處理動作暫時停止，即代表製造系統全體(一連續之製造線)之停止，不是有效率的。

本發明第1態樣之處理系統，係將長條之可撓性片狀基板沿長條方向依序搬送至複數個處理裝置之各個，據以在該片狀基板形成既定圖案，其具備：第1該處理裝置，依據第1設定條件一邊將該片狀基板往該長條方向搬送、一邊於該片狀基板表面選擇性的或一樣的形成感光性薄膜；第2該處理裝置，依據第2設定條件一邊將該片狀基板往該長條方向搬送、一邊對該片狀基板表面之該感光性薄膜照射對應該圖案之光能，以在該感光性薄膜形成對應該圖案之潛像；第3該處理裝置，依據第3設定條件一邊將該片狀基板往該長條方向搬送、一邊藉由回應該潛像之該感光性薄膜之選擇性的顯影或回應該潛像之對該感光性薄膜之選擇性的鍍敷，使該圖案出現在該片狀基板上；以及控制裝置，在該第1~該第3處理裝置之各個中施於該片狀基板之實處理之狀態中至少1個，對該第1~該第3處理裝置中各個之目標之處理狀態呈現處理誤差的情形時，使該第1~該第3設定條件中、呈現該處理誤差之該設定條件以外之其他該設定條件因應該處理誤差變化。

本發明第2態樣之處理系統，係將長條之可撓性片狀基板沿長條方向依序搬送至複數個處理裝置之各個，據以在該片狀基板形成導電性圖案，其具備：第1處理裝置，依據第1設定條件一邊將該片狀基板往該長條方向搬送、一邊於該片狀基板表面選擇性的或一樣的形成既定被膜層；第2處理裝置，依據第2設定條件一邊將該片狀基板往該長條方向搬送、一邊於該片狀基板表面之該被膜層照射對應該圖案之光能、一邊於該被膜層形成對應該圖案之改質部；第3處理裝置，依據第3設定條件一邊將該片狀基板往該長條方向搬送、一邊藉由進行鍍敷以在該改質部與非改質部之任一方析出導電性材料據以形成該圖案；以及控制裝置，在該第1~該第3處理裝置之各個中施於該片狀基板之實處理之狀態中之至少1者，相對在該第1~該第3處理裝置各個之目標之處理狀態呈現處理誤差之情形時，視該處理誤差使該第1~該第3設定條件中、呈現該處理誤差之該設定條件以外之其他該設定條件變化。

本發明第3態樣之處理系統，係將長條之可撓性片狀基板沿長條方向依序搬送至複數個處理裝置之各個，據以在該片狀基板形成既定圖案，其具備：第1資訊形成裝置，係設在該複數個處理裝置中之第1該處理裝置，將與該第1處理裝置依據第1設定條件對該片狀基板施加之處理狀態、或處理誤差相關之第1資訊，形成在該片狀基板之一部分；第2資訊形成裝置，設在相對該第1處理裝置位在下游側之第2該處理裝置，將與該第2處理裝置依據第2設定條件對該片狀基板施加之處理狀態、或處理誤差相關之第2資訊，形成在該片狀基板之一部分；資訊收集裝置，設在該片狀基板之搬送路中，讀取形成在該片狀基板之該第1資訊或該第2資訊，以收集該第1資訊或該第2資訊；以及控制裝置，根據以該資訊收集裝置讀取之該第1資訊視需要修正該第2設定條件，並根據以該資訊收集裝置讀取之該第2資訊視需要修正該第1設定條件。

本發明第4態樣之元件製造方法，係一邊將長條之可撓性片狀基板沿長條方向搬送、一邊於該片狀基板形成電子元件用圖案，其包含：以對該片狀基板施以彼此互異之處理之第1處理步驟、第2處理步驟、第3處理步驟之順序進行之該片狀基板之搬送；在設定於該第1處理步驟之第1處理條件下，於該片狀基板表面選擇性的或一樣的進行被膜層之成膜；在設定於該第2處理步驟之第2處理條件下，對該被膜層照射對應該圖案之能量線，以於該被膜層進行對應該圖案之改質部之生成；在設定於該第3處理步驟之第3處理條件下，施以除去該被膜層之該改質部與非改質部中任一方之處理、或於該改質部與該非改質部中任一方析出該電子元件用材料之處理，以使該圖案出現在該片狀基板上；以及在出現於該片狀基板上之該圖案顯示相對作為目標之形狀或尺寸有變動至容許範圍外之傾向之情形時，判定可否變更該第1處理條件、該第2處理條件及該第3處理條件中至少1條件、與判定可否變更在該第1處理步驟、該第2處理步驟、該第3處理步驟之至少1者中該片狀基板之搬送速度。

本發明第5態樣之元件製造方法，係一邊將長條之可撓性片狀基板沿長條方向搬送、一邊於該片狀基板形成電子元件用圖案，其包含：以對該片狀基板施以互異之處理之第1處理步驟、第2處理步驟之順序搬送該片狀基板的搬送步驟；在設定於該第1處理步驟之第1處理條件下，於該片狀基板表面選擇性的或一樣的進行被膜層之成膜；在設定於該第2處理步驟之第2處理條件下，施以於該被膜層生成對應該圖案之改質部、並除去該改質部與非改質部中一方之處理、或於該改質部與該非改質部中之一方析出該電子元件用材料之處理，以使該圖案出現在該片狀基板上；以及在該第2處理步驟中出現之該片狀基板上之圖案顯示相對作為目標之形狀或尺寸有變動之傾向之情形時，視該傾向判定可否變更該第1處理條件與該第2處理條件中至少一方之條件、與判定可否變更在該第1處理步驟與該第2處理步驟之至少一方中該片狀基板之搬送速度。

本發明第6態樣之元件製造方法，係一邊將長條之可撓性片狀基板沿長條方向搬送、一邊於該片狀基板形成電子元件用圖案，其包含：以對該片狀基板施以彼此互異之處理之第1處理步驟、第2處理步驟之順序搬送該片狀基板的搬送步驟；在設定於該第1處理步驟之第1處理條件下，於該片狀基板表面選擇性的或一樣的成膜出被膜層，於成膜出之被膜層照射對應該圖案之能量線以於該被膜層進行對應該圖案之改質部之生成；在設定該第2處理步驟之第2 處理條件下，施以除去該被膜層之該改質部與非改質部中一方之處理、或於該改質部與該非改質部之一方析出該電子元件用材料之處理，以使該圖案出現在該片狀基板上；以及在該第2處理步驟中出現之該片狀基板上之圖案顯示相對作為目標之形狀或尺寸有變動之傾向之情形時，視該傾向判定可否變更該第1處理條件與該第2處理條件中至少一方之條件、與判定可否變更在該第1處理步驟與該第2處理步驟之至少一方中該片狀基板之搬送速度。

本發明第7態樣之元件製造方法，係一邊將長條之可撓性片狀基板沿長條方向搬送、一邊於該片狀基板形成電子元件用圖案，其包含：一邊將該片狀基板以既定搬送速度往長條方向送、一邊對形成於該片狀基板表面之被膜層在第1處理條件下照射對應該圖案之能量線，以於該被膜層生成對應該圖案之改質部與非改質部的第1處理步驟；一邊將經該第1處理步驟之該片狀基板以既定搬送速度往長條方向送、一邊在第2處理條件下施以除去該被膜層之該改質部與非改質部中任一方之處理、或於該改質部與該非改質部中之一方析出該電子元件用材料之處理，以使該圖案出現在該片狀基板上的第2處理步驟；以及在出現於該片狀基板上之該圖案顯示相對作為目標之形狀或尺寸有變動至容許範圍外之傾向之情形時，判定可否變更該第1處理條件與該第2處理條件中至少1條件、並一起判定可否變更在該第1處理步驟與該第2處理步驟之至少1者中該片狀基板之搬送速度。

本發明第8態樣之元件製造方法，係一邊將長條之可撓性片狀基板沿長條方向搬送、一邊於該片狀基板形成電子元件用圖案，其包含：以對該基板施以彼此互異之處理之第1處理裝置、第2處理裝置之順序將該基板往長條方向搬送的搬送步驟；在設定該第1處理裝置之第1處理條件下，對該基板施以處理的第1處理步驟；在設定於該第2處理裝置之第2處理條件下，對經該第1處理步驟之該基板施以處理，以使該圖案出現在該基板上的第2處理步驟；檢測出現在該基板上之該圖案之品質是否相對目標有所變化的檢測步驟；在該圖案品質顯示有降低之傾向之情形時，判定可否變更該第1處理條件與該第2處理條件中至少一方之條件的判定步驟。

10:元件製造系統

12:圖案形成裝置

14:上位控制裝置

16、112:乾燥裝置

16a:膜厚測量裝置

18、24、80:下位控制裝置

20(20a、20b):張力擺動輪

22(22a、22b):張力擺動輪

30:搬送部

32:光源裝置

34:光導入光學系

36:曝光頭

37:強度感測器

50:聚光透鏡

52:描繪用光學元件

54:吸收體

56:準直透鏡

58:反射鏡

60:柱面透鏡

64:反射鏡

66:多面鏡(光掃描構件)

68:反射鏡

70:f-θ透鏡

72:柱面透鏡

82:加熱器驅動部

83:攝影裝置

84:可動構件

86:導軌

87:位置感測器

90:資訊收集裝置

92:資訊收集部

100、110:搬送部

102:乾燥部

AM(AM1~AM3):對準顯微鏡

AU(AU1~AU3):對準顯微鏡

AX1:中心軸

BF1:第1蓄積裝置

BF2:第2蓄積裝置

BT:處理槽

Cs:濃度感測器

DCH:模具塗布機頭

DR1、DR2、DR3:旋轉筒

E:處理誤差

EPC1、EPC2、EPC3:邊緣位置控制器

FR1:供應用捲筒

FR2:回收用捲筒

H1、H2:加熱器

IJH:噴墨頭

Ks(Ks1~Ks3):對準標記

L(L1~L5):掃描線

LB:雷射光

MT(MT1~MT5):資訊讀取部

NR1~NR8、NR10、NR12、NR14、NR16:驅動滾輪

P:基板

PR1、PR2、PR3、PR4、PR5:處理裝置

PU1、PU2:處理單元

R1~R7、R10、R12、R14、R16、R18:導引滾輪

RT1、RT2、RT3、RT4、RT10、RT12、RT14、RT16:張力調整滾輪

Si:資訊

SP:點光

ST(ST1~ST5):資訊形成裝置

Ts:溫度感測器

U(U1~U5):描繪單元

Vw1~Vw3:檢測區域

[圖1]係顯示第1實施形態之元件製造系統之概略構成的概略構成圖。

[圖2]係顯示圖1之元件製造系統中、於基板成膜出感光性功能層之處理裝置之構成的圖。

[圖3]係顯示圖1之元件製造系統中、進行基板之蓄積及曝光之圖案形成裝置之構成的圖。

[圖4]係顯示以圖3之曝光頭在基板上掃描之點光之掃描線及檢測形成在基板上之對準標記之對準顯微鏡的圖。

[圖5]係顯示構成圖4之曝光頭之描繪單元之構成的圖。

[圖6]係顯示圖1之元件製造系統中、進行顯影處理之處理裝置之構成的圖。

[圖7]係顯示用以判定超過容許範圍產生處理誤差之處理裝置之元件製造系統之動作的流程圖。

[圖8]係顯示於作為曝光裝置之處理裝置產生處理誤差時之元件製造系統之動作的流程圖。

[圖9]係顯示於作為曝光裝置之處理裝置以外之處理裝置產生處理誤差時之元件製造系統之動作的流程圖。

[圖10]係顯示第2實施形態之元件製造系統之概略構成的概略構成圖。

[圖11]係顯示以圖10之資訊形成裝置在基板形成之資訊之一例的圖。

[圖12]係顯示變形例1之處理單元之構成的圖。

[圖13]係顯示變形例2之處理單元之構成的圖。

針對本發明態樣之處理系統，舉適合之實施形態，一邊參照所附圖面、一邊詳細說明如下。又，本發明之態樣並不限定於此等實施形態，亦包含各種變更或施以改良者。也就是說，以下記載之構成要素中，包含實質相同者、或業者容易想到者，以下記載之構成要素可適當地加以組合。此外，在不脫離本發明要旨之範圍內可進行構成要素之各種省略、置換或變更。

〔第1實施形態〕

圖1係顯示第1實施形態之元件製造系統(處理系統)10之概略構成的概略構成圖。圖1所示之元件製造系統10，例如係製造作為電子元件之可撓性顯示器之生產線(可撓性顯示器製造線)。作為可撓性顯示器，有例如有機EL顯示器或液晶顯示器等。此元件製造系統10，係從將可撓性片狀基板(以下，稱基板)P捲繞成捲筒狀之供應用捲筒FR1送出該基板P，在對送出之基板P連續的施以各種處理後，將處理後之基板P以回收用捲筒FR2加以捲取之所謂的捲對捲(Roll to Roll)方式。此基板P，具有於基板P之移動方向(搬送方向)成長條、寬度方向為短條之帶狀形狀。於第1實施形態之元件製造系統10，顯示了薄膜狀之片狀基板P從供應用捲筒FR1被送出，從供應用捲筒FR1送出之基板P至少經由處理裝置PR1、PR2、PR3、PR4、PR5後，被捲繞於回收用捲筒FR2為止之例。圖1中，係成一X方向、Y方向及Z方向正交之正交座標系。X方向係於水平面內，基板P之搬送方向，是連結供應用捲筒FR1及回收用捲筒FR2之方向。Y方向係於水平面內與X方向正交之方向，是基板P之寬度方向。Z方向係與X方向與Y方向正交之方向(鉛直方向)。

此處理裝置PR1，係一邊將從供應用捲筒FR1搬送來之基板P往沿著長條方向之搬送方向(+X方向)搬送、一邊對基板P進行電漿表面處理之處理步驟的表面處理裝置。藉由此處理裝置PR1，基板P之表面獲得改質，提升感光性功能層之黏著性。處理裝置(第1處理裝置)PR2，係一邊將從處理裝置PR1搬送來之基板P往搬送方向(+X方向)搬送、一邊進行感光性功能層之成膜處理之處理步驟(第1處理步驟)的成膜裝置。處理裝置PR2，藉由在基板P之表面選擇性的或一樣的塗布感光性功能液，以在基板P之表面選擇性的或一樣的形成感光性功能層(感光性薄膜、被覆層、被膜層)。又，處理裝置(第2處理裝置)PR3，係一邊將從處理裝置PR2送來之表面形成有感光性功能層之基板P往搬送方向(+X方向)搬送、一邊進行曝光處理之處理步驟(第2處理步驟)的曝光裝置。處理裝置PR3，對基板P之表面(感光面)照射對應顯示器面板用之電路或配線等圖案之光圖案。據此，即於感光性功能層形成對應該圖案之潛像(改質部)。處理裝置(第3處理裝置)PR4，係一邊將從處理裝置PR3搬送來之基板P往搬送方向(+X方向)搬送、一邊以濕式進行顯影處理之處理步驟(第3處理步驟)的顯影裝置。據此，即於感光性功能層形成反應潛像之該圖案。處理裝置PR5，係一邊將從處理裝置PR4搬送來之基板P往搬送方向(+X方向)搬送、一邊以形成有圖案之感光性功能層為光罩進行蝕刻處理之處理步驟的蝕刻裝置。據此，即於基板P上出現圖案。

在處理裝置PR2與處理裝置PR3之間設有可將基板P蓄積既定長度之第1蓄積裝置(第1蓄積部)BF1，在處理裝置PR3與處理裝置PR4之間則設有可將基板P蓄積既定長度之第2蓄積裝置(第2蓄積部)BF2。因此，於處理裝置PR3係透過第1蓄積裝置BF1搬入從處理裝置PR2送來之基板P，處理裝置PR3則透過第2蓄積裝置BF2將基板P搬出至處理裝置PR4。處理裝置PR1~PR5配置在製造工廠之設置面。此設置面，可以是設置底座上之面、亦可以是地面。處理裝置PR3、第1蓄積裝置(蓄積裝置)BF1及第2蓄積裝置(蓄積裝置)BF2，構成圖案形成裝置12。

上位控制裝置14，控制元件製造系統10之各處理裝置PR1~PR5、第1蓄積裝置BF1、及第2蓄積裝置BF2。此上位控制裝置14包含電腦、與儲存有程式之記憶媒體，藉由該電腦實施儲存在記憶媒體之程式，發揮作為本第1實施形態之上位控制裝置14之功能。又，本第1實施形態之元件製造系統10雖具備5個處理裝置PR，但只要是具備2以上之處理裝置PR即可。例如，本第1實施形態之元件製造系統10可以是具備處理裝置PR2、PR3、或處理裝置PR4、PR5之合計2個處理裝置PR，亦可以是具備處理裝置PR2~PR4之合計3個處理裝置PR者。

其次，說明元件製造系統10之處理對象的基板P。基板P，例如係使用由樹脂薄膜、不鏽鋼等之金屬或合金構成之箔(foil)等。作為樹脂薄膜之材質，可使用包含例如聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯乙烯基共聚物樹脂、聚氯乙烯樹脂、纖維素樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂等材料中之一種或二種以上者。此外，基板P之厚度及剛性(楊氏係數)，只要是在搬送時不會於基板P產生因彎折造成之折痕及非可逆的皺褶之範圍即可。在製作作為電子元件之可撓性顯示器面板、觸控面板、濾光片(color filter)、電磁波防止濾波片等之情形時，係使用厚度25μm~200μm程度之PET(聚對酞酸乙二酯)或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)等之樹脂片材。

基板P，以選擇例如熱膨脹係數顯著不大、可實質忽視在對基板P實施之各種處理中因受熱而產生之變形量者較佳。又，亦可於作為基材之樹脂薄膜中混入例如氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化矽等之無機填充物，以降低熱膨脹係數。此外，基板P可以是以浮製法等製造之厚度100μm程度之極薄玻璃之單層體、或於此極薄玻璃貼合上述樹脂薄膜、或鋁及銅等之金屬層(箔)等的積層體。

基板P之可撓性，係指對基板P施加本身重量程度之力亦不致於產生剪斷或斷裂、而能使該基板P撓曲的性質。而可撓性亦包含因自重程度之力而彎曲之性質。又，可撓性之程度會因基板P之材質、大小、厚度、基板P上成膜之層構造、溫度、濕度及環境等而改變。無論何者，只要是在將基板P正確的捲繞於設在本實施形態之元件製造系統10內之搬送路之各種搬送用捲筒、旋轉筒等搬送方向轉換用構件時，不會彎折而產生摺痕、破損(產生破洞或裂開)，能順暢的搬送基板P的話，皆為可撓性之範圍。

以此方式構成之基板P，被捲繞成捲筒狀而成為供應用捲筒FR1，此供應用捲筒FR1被裝著於元件製造系統10。裝有供應用捲筒FR1之元件製造系統10，對從供應用捲筒FR1送出之基板P反覆實施用以製造電子元件之各種處理。因此，處理後之基板P成為複數個電子元件連結之狀態。也就是說，從供應用捲筒FR1送出之基板P，為多面用之基板。

電子元件係複數個圖案層(形成有圖案之層)重疊而構成，經由元件製造系統10之至少各處理裝置PR1~PR5，生成一個圖案層，因此為生成電子元件，至少須經過2次如圖1所示之元件製造系統10之各處理裝置PR1~PR5之處理。

處理後之基板P，被捲繞成捲筒狀作為回收用捲筒FR2加以回收。回收用捲筒FR2，可安裝於未圖示之切割裝置。裝有回收用捲筒FR2之切割裝置，將處理後之基板P分割(切割)成各個電子元件，據以作成複數個電子元件。基板P之尺寸，例如，寬度方向(短邊之方向)之尺寸為10cm~2m程度、而長度方向(長條之方向)尺寸則為10m以上。當然，基板P之尺寸不限於上述尺寸。

圖2係顯示處理裝置PR2之構成的圖。處理裝置PR2，具備導引滾輪R1、R2、邊緣位置控制器EPC1、張力調整滾輪RT1、RT2、旋轉筒DR1、驅動滾輪NR1、NR2、對準顯微鏡AU、模具塗布機頭DCH(Die Coater Head)、噴墨頭IJH、乾燥裝置16、及下位控制裝置18。以旋轉筒DR1及驅動滾輪NR1、NR2搬送基板P。

導引滾輪R1將從處理裝置PR1搬送至處理裝置PR2之基板P引導至邊緣位置控制器EPC1。邊緣位置控制器EPC1具有複數個滾輪，以張有既定張力之狀態搬送之基板P在寬度方向兩端部(邊緣)之位置，相對目標位置控制在±十數μm~數十μm程度之範圍(容許範圍)以在基板P之寬度方向無偏差之方式，使基板P於寬度方向移動，以一邊修正基板P在寬度方向之位置、一邊將基板P搬送向導引滾輪R2。導引滾輪R2將搬送來之基板P引導至旋轉筒DR1。邊緣位置控制器EPC1調整基板P在寬度方向之位置，以使搬入旋轉筒DR1之基板P之長條方向與旋轉筒DR1之中心軸AX1之軸方向正交。

旋轉筒DR1具有延伸於Y方向之中心軸AX1、與從中心軸AX1起具一定半徑之圓筒狀外周面，一邊順著外周面(圓周面)將基板P之一部分支承於長條方向、一邊以中心軸AX1為中心旋轉將基板P往+X方向搬送。旋轉筒DR1將以對準顯微鏡AU拍攝之基板P上之區域(部分)、及以模具塗布機頭DCH或噴墨頭IJH處理之基板P上之區域(部分)以圓周面加以支承。

對準顯微鏡AU(AU1~AU3)係用以檢測圖4所示之形成在基板P上之對準標記Ks(Ks1~Ks3)之物，沿Y方向設有3個。此對準顯微鏡AU(AU1~AU3)之檢測區域，係配置在旋轉筒DR1之圓周面上於Y方向排列成一列。對準標記Ks(Ks1~Ks3)係用以進行作為待形成電子元件之基板P上之曝光區域的電子元件區域(元件形成區域)W與基板P之相對位置對準(alignment)的基準標記。對準標記Ks(Ks1~Ks3)，於基板P之寬度方向兩端部沿基板P之長條方向以一定間隔形成、並形成在沿基板P之長條方向排列之形成元件之電子元件區域W之間、且基板P之寬度方向中央。

對準顯微鏡AU(AU1~AU3)，藉由將對準用照明光投影於基板P並以CCD、CMOS等之攝影元件拍攝其反射光，據以檢測對準標記Ks(Ks1~Ks3)。也就是說，對準顯微鏡AU1係拍攝存在於對準顯微鏡AU1之檢測區域(撮像區域)內之形成在基板P之+Y方向側端側的對準標記Ks1。對準顯微鏡AU2係拍攝存在於對準顯微鏡AU2之檢測區域內之形成在基板P之-Y方向側端部的對準標記Ks2。對準顯微鏡AU3則係拍攝存在於對準顯微鏡AU3之檢測區域內之形成在基板P之寬度方向中央的對準標記Ks3。此對準顯微鏡AU(AU1~AU3)所拍攝之影像資料被送至下位控制裝置18，下位控制裝置18根據影像資料算出(檢測)對準標記Ks(Ks1~Ks3)在基板P上之位置。此對準顯微鏡AU(AU1~AU3)之檢測區域在基板P上之大小雖係視對準標記Ks(Ks1~Ks3)之大小及對準精度而設定，但是100~500μm方形程度之大小。

如圖4所示，用以精密檢測基板P之位置之對準標記Ks(Ks1~Ks3)，一般雖係設在元件形成區域W之外周部，但不一定必須是外周部，亦可設在元件形成區域W內或不存在元件用電路圖案之空白部分。此外，亦可使用將形成在元件形成區域W內之電路圖案之一部分中、形成在特定位置之圖案(像素區域、配線部、電極部、端子部、通孔(via hole)部等之部分圖案)本身作為對準標記進行影像辨識以進行位置檢測的對準系。

模具塗布機頭DCH係對基板P一樣的寬廣的塗布感光性功能液。噴墨頭IJH則係對基板P選擇性的塗布感光性功能液。模具塗布機頭DCH及噴墨頭IJH根據使用對準顯微鏡AU(AU1~AU3)檢測之對準標記Ks(Ks1~Ks3)在基板P上之位置，將感光性功能液塗布於基板P。模具塗布機頭DCH及噴墨頭IJH將感光性功能液塗布於電子元件區域W。模具塗布機頭DCH及噴墨頭IJH係相對對準顯微鏡AU(AU1~AU3)設置在基板P之搬送方向下游側(+X方向側)，噴墨頭IJH則係相對模具塗布機頭DCH設置在基板P之搬送方向下游側(+X方向側)。噴墨頭IJH沿基板P之搬送方向(+X方向)設有複數個。以模具塗布機頭DCH及噴墨頭IJH塗布了感光性功能液之基板P上之區域，被旋轉筒DR1之圓周面支承。

乾燥裝置16相對模具塗布機頭DCH及噴墨頭IJH設置在基板P之搬送方向下游側(+X方向側)，使以模具塗布機頭DCH及噴墨頭IJH塗布之基板P上之感光性功能液乾燥，據以在基板P上形成感光性功能層。乾燥裝置16，藉由噴吹熱風或乾燥空氣等之乾燥用氣體，據以除去感光性功能液中所含之溶質(溶劑或水)以使感光性功能液乾燥。

典型的感光性功能液雖係光阻劑(photoresist)，但作為無需顯影處理之材料，有受到紫外線照射之部分之親撥液性經改質之感光性矽烷偶合劑(SAM)、或在受到紫外線照射之部分露出鍍敷還元基之感光性還元劑等。作為感光性功能液使用感光性矽烷偶合劑之情形時，基板P上被以紫外線曝光之圖案部分從撥液性被改質為親液性。因此，可藉由在變成親液性之部分上選擇性塗布含有導電性墨水(含有銀或銅等之導電性奈米粒子之墨水)或半導體材料之液體等，形成圖案層。作為感光性功能液使用感光性還元劑之情形時，基板P上被紫外線曝光之圖案部分被改質而露出鍍敷還元基。因此，在曝光後立即將基板P浸漬於含有鈀離子等之鍍敷液中一定時間，據以形成(析出)由鈀構成之圖案層。此種鍍敷處理，在以作為添加劑(additive)式處理、除此之外、作為減色(subtractive)式處理之蝕刻處理為前提之情形時，被送至處理裝置PR3之基板P，可以是以PET或PEN為母材，於其表面全面或選擇性的蒸鍍鋁(Al)或銅(Cu)等之金屬製薄膜，再於其上積層光阻劑層者。本第1實施形態中，作為感光性功能層係使用光阻劑。

於乾燥裝置16，設有測量形成在基板P上之感光性功能層之膜厚的膜厚測量裝置16a。此膜厚測量裝置16a係以電磁式、過電流式、過電流相位式、螢光X射線式、電阻式、β線後方散色式、磁式、或以超音波式等採接觸或非接觸方式測量膜厚。藉由乾燥裝置16將形成有感光性功能層之基板P導向驅動滾輪NR1。驅動滾輪NR1一邊夾持基板P之表背兩面一邊旋轉，據以將基板P導向驅動滾輪NR2。驅動滾輪NR2，藉由一邊夾持基板P之表背兩面一邊旋轉，將以驅動滾輪NR1搬送而來之基板P供應至第1蓄積裝置BF1。張力調整滾輪RT1被賦力於-Z方向，以對被搬送至旋轉筒DR1之基板P賦予既定張力。張力調整滾輪RT2被賦力於-X方向，以對被搬送至驅動滾輪NR2之基板P賦予既定張力。搬送基板P之驅動滾輪NR1、NR2及旋轉筒DR1被賦予旋轉扭矩而旋轉，此旋轉扭矩來自具有被下位控制裝置18控制之馬達及減速機等的旋轉驅動源(圖示省略)。藉由此驅動滾輪NR1、NR2及旋轉筒DR1之旋轉速度，規定在處理裝置PR2內之基板P之搬送速度。又，從設在驅動滾輪NR1、NR2及旋轉筒DR1等之未圖示之編碼器送來之旋轉速度訊號(基板P之搬送速度訊號)，被送至下位控制裝置18。

下位控制裝置18依照上位控制裝置14之控制，控制處理裝置PR2之各部。例如，下位控制裝置18控制在處理裝置PR2內被搬送之基板P之搬送速度、邊緣位置控制器EPC1、模具塗布機頭DCH、噴墨頭IJH、及乾燥裝置16。又，下位控制裝置18將以對準顯微鏡AU(AU1~AU3)檢測之基板P上之對準標記Ks(Ks1~Ks3)之位置資訊、膜厚測量裝置16a檢測之膜厚資訊、旋轉速度資訊(在處理裝置PR2內之基板P之搬送速度資訊)等輸出至上位控制裝置14。下位控制裝置18包含電腦、與儲存有程式之記憶媒體，藉由該電腦實行儲存在記憶媒體之程式，據以發揮作為本第1實施形態之下位控制裝置18之功能。此下位控制裝置18可以是上位控制裝置14之一部分、亦可以是與上位控制裝置14不同之其他控制裝置。

圖3係顯示圖案形成裝置12之構成的圖。圖案形成裝置12之第1 蓄積裝置BF1，具有驅動滾輪NR3、NR4與複數個張力擺動輪(daneer roller)20。驅動滾輪NR3一邊夾持從處理裝置PR2送來之基板P之表背兩面一邊旋轉，將基板P搬入第1蓄積裝置BF1內。驅動滾輪NR4一邊夾持基板P之表背兩面一邊旋轉，將第1蓄積裝置BF1內之基板P搬出至處理裝置PR3。複數個張力擺動輪20設在驅動滾輪NR3與驅動滾輪NR4之間，係用以對基板P賦予既定張力者。複數個張力擺動輪20能於Z方向移動，上側(+Z方向側)之張力擺動輪20(20a)被賦力向+Z方向側、下側(-Z方向側)之張力擺動輪20(20b)則被賦力向-Z方向側。此張力擺動輪20a與張力擺動輪20b係於X方向交互配置。

當被搬入第1蓄積裝置BF1之基板P之搬送速度相對從第1蓄積裝置BF1搬出之基板P之搬送速度較快時，蓄積在第1蓄積裝置BF1之基板P之長度(蓄積長度)即增加。當第1蓄積裝置BF1之蓄積長度變長時，即會因賦力而使張力擺動輪20a往+Z方向、張力擺動輪20b往-Z方向移動。據此，即使是在第1蓄積裝置BF1之蓄積量增加時，亦能在對基板P賦予了既定張力之狀態下，以既定長度蓄積基板P。相反的，當搬入第1蓄積裝置BF1之基板P之搬送速度相對從第1蓄積裝置BF1搬出之基板P之搬送速度變慢時，蓄積在第1蓄積裝置BF1之基板P之長度(蓄積長度)即減少。當第1蓄積裝置BF1之蓄積長度減少時，抵抗賦力而張力擺動輪20a往-Z方向、張力擺動輪20b往+Z方向移動。不管如何，第1蓄積裝置BF1皆能在對基板P賦予既定張力之狀態下蓄積基板P。驅動滾輪NR3、NR4，係藉由旋轉扭矩而旋轉，此旋轉扭矩來自具有被下位控制裝置24控制之馬達及減速機等的旋轉驅動源(圖示省略)。藉由此驅動滾輪NR3之旋轉速度，規定搬入第1蓄積裝置BF1之基板P之搬送速度，以驅動滾輪NR4之旋轉速度規定從第1蓄積裝置BF1搬出之基板P之搬送速度。又，從設在驅動滾輪NR3、NR4之未圖示之編碼器送來之旋轉速度訊號，被送至圖案形成裝置12之下位控制裝置24。

圖案形成裝置12之第2蓄積裝置BF2具有驅動滾輪NR5、NR6與複數個張力擺動輪22。驅動滾輪NR5一邊夾持從處理裝置PR3送來之基板P之表背兩面一邊旋轉，將基板P搬入第2蓄積裝置BF2內。驅動滾輪NR6一邊夾持基板P之表背兩面、一邊將第2蓄積裝置BF2內之基板P搬出至處理裝置PR4。複數個張力擺動輪22設在驅動滾輪NR5與驅動滾輪NR6之間，用以對基板P賦予既定張力。複數個張力擺動輪22能往Z方向移動，上側(+Z方向側)之張力擺動輪22(22a)被賦力向+Z方向、下側(-Z方向側)之張力擺動輪22(22b)則被賦力向-Z方向。此張力擺動輪20a與張力擺動輪20b係於X方向交互配置。藉由此種構成，第2蓄積裝置BF2可與第1蓄積裝置BF1同樣的，在對基板P賦予既定張力之狀態下蓄積基板P。又，第1蓄積裝置BF1與第2蓄積裝置BF2之構成相同。驅動滾輪NR5、NR6被賦予旋轉扭矩而旋轉，此旋轉扭矩來自具有被下位控制裝置24控制之馬達及減速機等的旋轉驅動源(圖示省略)。藉由此驅動滾輪NR5之旋轉速度，規定搬入第2蓄積裝置BF2之基板P之搬送速度，藉由驅動滾輪NR6之旋轉速度規定從第2蓄積裝置BF2搬出之基板P之搬送速度。又，從設於驅動滾輪NR5、NR6之未圖示之編碼器送來的旋轉速度訊號，被送至下位控制裝置24。

圖案形成裝置12之處理裝置PR3係不使用光罩之直描方式之曝光裝置EX、所謂的光柵掃描(raster scan)方式的曝光裝置EX，對透過第1蓄積裝置BF1從處理裝置PR2供應之基板P，照射對應顯示器用電路或配線等圖案之光圖案。作為顯示器用電路或配線之圖案，例如有構成顯示器之TFT之源電極及汲電極與附隨於此之配線等的圖案、或TFT之閘電極與附隨與此之配線等的圖案等。處理裝置PR3一邊將基板P往X方向搬送、一邊以曝光用雷射光LB之點光在基板P上於既定掃描方向(Y方向)進行1維掃描，同時將點光之強度依據圖案資料(描繪資料)高速的進行調變(ON/OFF)，據以在基板P表面(感光面)描繪曝光出光圖案。也就是說，藉由基板P往+X方向之搬送(副掃描)、與點光往掃描方向(Y方向)之掃描(主掃描)，使點光在基板P上2維掃描，對基板P照射對應圖案之光能(能量線)。如此，即於感光性功能層形成對應既定圖案之潛像(改質部)。此圖案資料可儲存於圖案形成裝置12之下位控制裝置24之記憶媒體，亦可儲存於上位控制裝置14之記憶媒體。

處理裝置PR3具備搬送部30、光源裝置32、光導入光學系34、及曝光頭36。搬送部30將透過第1蓄積裝置BF1從處理裝置PR2搬送而來之基板P朝向處理裝置PR4搬送。搬送部30，沿著基板P之搬送方向從上游側(-X方向側)起依序具備邊緣位置控制器EPC2、導引滾輪R3、張力調整滾輪RT3、旋轉筒DR2、張力調整滾輪RT4、及邊緣位置控制器EPC3。

邊緣位置控制器EPC2與邊緣位置控制器EPC1同樣的，具有複數個滾輪，為避免基板P之寬度方向兩端部(邊緣)於基板P之寬度方向有所偏差而能對目標位置控制在±十數μm~數十μm程度之範圍(容許範圍)，係一邊使基板P於寬度方向移動以修正基板P在寬度方向之位置、一邊將基板P搬送向旋轉筒DR2。邊緣位置控制器EPC2調整基板P在寬度方向之位置，以使搬入旋轉筒DR2之基板P之長條方向與旋轉筒DR2之中心軸AX2之軸方向正交。導引滾輪R3將從邊緣位置控制器EPC2送來之基板P引導至旋轉筒DR2。

旋轉筒DR2具有延伸於Y方向之中心軸AX2、與從中心軸AX2起一定半徑之圓筒狀外周面，一邊順著外周面(圓周面)將基板P之一部分支承於長條方向。一邊以中心軸AX2為中心旋轉將基板P往+X方向搬送。旋轉筒DR2，將在基板P上光圖案曝光之部分以其圓周面加以支承。

邊緣位置控制器EPC3與邊緣位置控制器EPC1同樣的，具有複數個滾輪，為避免基板P之寬度方向兩端部(邊緣)於基板P之寬度方向有所偏差而能對目標位置控制在±十數μm~數十μm程度之範圍(容許範圍)，係一邊使基板P於寬度方向移動以修正基板P在寬度方向之位置、一邊將基板P搬送向處理裝置PR4。張力調整滾輪RT3、RT4被賦力向-Z方向側，對被捲繞支承於旋轉筒 DR2之基板P賦予既定張力。旋轉筒DR2被賦予旋轉扭矩而旋轉，此旋轉扭矩來自具有被下位控制裝置24控制之馬達及減速機等的旋轉驅動源(圖示省略)。藉由此旋轉筒DR2之旋轉速度，規定處理裝置PR3內之基板P之搬送速度。又，從設在旋轉筒DR2等之未圖之編碼器送來之旋轉速度訊號(基板P之搬送速度訊號)，被送至下位控制裝置24。

光源裝置32具有雷射光源，係用以射出用於曝光之紫外線雷射光(照射光、曝光用光束)LB者。此雷射光LB可以是在370nm以下之波長帶具有峰值波長之紫外線光。雷射光LB亦可以是以發光頻率Fs發光之脈衝光。光源裝置32射出之雷射光LB被導至光導入光學系34後射入曝光頭36、並射入強度感測器37。此強度感測器37係檢測雷射光LB之強度的感測器。

曝光頭36具備來自光源裝置32之雷射光LB分別射入之複數個描繪單元U(U1~U5)。也就是說，來自光源裝置32之雷射光LB被具有反射鏡及分束器等之光導入光學系34引導而射入複數個描繪單元U(U1~U5)。曝光頭36，在被旋轉筒DR2之圓周面支承之基板P之一部分，以複數個描繪單元U(U1~U5)描繪曝光出圖案。曝光頭36由於具有複數個構成相同之描繪單元U(U1~U5)，而為所謂的多光束型曝光頭36。描繪單元U1、U3、U5相對旋轉筒DR2之中心軸AX2配置在基板P之搬送方向上游側(-X方向側)，描繪單元U2、U4則相對旋轉筒DR2之中心軸AX2配置在基板P之搬送方向下游側(+X方向側)。

各描繪單元U使射入之雷射光LB在基板P上收斂成點光、且使該點光沿掃描線掃描。各描繪單元U之掃描線L，如圖4所示，係設定成於Y方向(基板P之寬度方向)不彼此分離而相連接。圖4中，將描繪單元U1之掃描線L以L1加以表示、將描繪單元U2之掃描線L以L2加以表示。同樣的，將描繪單元U3、U4、U5之掃描線L分別以L3、L4、L5加以表示。如此，能以全部描繪單元U1~U5覆蓋電子元件區域(曝光區域)W之全寬度方向之方式，由各描繪單元U分擔掃描區域。又，例如，當假設1個描繪單元U之Y方向描繪寬度(掃描線L之長度)為20~50mm程度時，藉由將奇數號描繪單元U1、U3、U5之3個與偶數號描繪單元U2、U4之2個、合計共5個描繪單元U配置於Y方向，將Y方向可描繪之寬度擴張至100~250mm程度。

此描繪單元U，係如國際公開第2013/146184號小冊子(參照圖36)所揭示之公知技術，使用圖5針對描繪單元U加以簡單說明。又，由於各描繪單元U(U1~U5)具有相同構成，因此僅針對描繪單元U2進行說明，其他描繪單元U則省略說明。

如圖5所示，描繪單元U2，例如具有聚光透鏡50、描繪用光學元件(光調變元件)52、吸收體54、準直透鏡56、反射鏡58、柱面透鏡60、反射鏡64、多面鏡(光掃描構件)66、反射鏡68、f-θ透鏡70、及柱面透鏡72。

射入描繪單元U2之雷射光LB，從鉛直方向之上方朝下方(-Z方向)前進，透過聚光透鏡50射入描繪用光學元件52。聚光透鏡50將射入描繪用光學元件52之雷射光LB聚光(收斂)成在描繪用光學元件52內成為光腰。描繪用光學元件52對雷射光LB具有穿透性，例如係使用聲光調變元件(AOM：Acousto-Optic Modulator)。

描繪用光學元件52在來自下位控制裝置24之驅動訊號(高頻訊號)為OFF狀態時，使射入之雷射光LB穿透至吸收體54側，在來自下位控制裝置24之驅動訊號(高頻訊號)為ON狀態時，則使射入之雷射光LB繞射而朝向反射鏡58。吸收體54係用以抑制雷射光LB漏至外部而吸收雷射光LB之光阱(light trap)。如此，藉由將待施加於描繪用光學元件52之描繪用驅動訊號(超音波之頻率)依據圖案資料(白黒)高速的進行ON/OFF，以進行使雷射光LB朝向反射鏡58、或朝向吸收體54之切換。此事，在基板P上看時，即代表到達感光面之雷射光LB(點光SP)之強度，依據圖案資料被高速的調變在高位準與低位準(例如，零位準)之任一者。

準直透鏡56係使從描繪用光學元件52朝向反射鏡58之雷射光LB成為平行光。反射鏡58將射入之雷射光LB反射向-X方向，透過柱面透鏡60照射於反射鏡64。反射鏡64將射入之雷射光LB照射於多面鏡66。多面鏡(旋轉多面鏡)66，藉由旋轉使雷射光LB之反射角連續的變化，以使照射於基板P上之雷射光LB之位置掃描於掃描方向(基板P之寬度方向)。多面鏡66係藉由以下位控制裝置24控制之未圖示的旋轉驅動源(例如，馬達及減速機構等)以一定速度旋轉。又，從設在多面鏡66之未圖示之編碼器送來之旋轉速度訊號(點光SP之掃描速度訊號)，被送至下位控制裝置24。

設在反射鏡58與反射鏡64之間之柱面透鏡60，係在與該掃描方向正交之非掃描方向(Z方向)使雷射光LB聚光(收斂)在多面鏡66之反射面上。藉由此柱面透鏡60，即使是在該反射面相對Z方向傾斜之情形時(失去XY面之法線與該反射面之平衡狀態的傾斜)，亦能抑制其影響，以抑制照射在基板P上之雷射光LB之照射位置偏於X方向。

以多面鏡66反射之雷射光LB，被反射鏡68反射向-Z方向，射入具有與Z軸平行之光軸AXu的f-θ透鏡70。此f-θ透鏡70係投射於基板P之雷射光LB之主光線在掃描中恆作為基板P表面之法線的遠心系之光學系，據此，可使雷射光LB於Y方向正確的以等速度掃描。從f-θ透鏡70照射之雷射光LB，透過母線與Y方向平行之柱面透鏡72，成為直徑數μm程度(例如3μm)之略圓形微小點光SP照射於基板P上。點光(掃描點光)SP，係藉由多面鏡66沿著延伸於Y方向之掃描線L2於一方向進行1維掃描。

又，處理裝置PR3，如圖3及圖4所示，設有用以檢測對準標記Ks(Ks1~Ks3)之3個對準顯微鏡AM(AM1~AM3)。此對準顯微鏡AM(AM1~AM3)之檢測區域Vw(Vw1~Vw3)係以在旋轉筒DR2之圓周面上於Y軸方向排列成一行之方式配置。對準顯微鏡AM(AM1~AM3)將對準用照明光投影於基板P，並以CCD、CMOS等之攝影元件拍攝其反射光，據以檢測對準標記Ks(Ks1~Ks3)。也就是說，對準顯微鏡AM1拍攝存在於檢測區域(拍攝區域)Vw1內形成在基板P之+Y方向側端部的對準標記Ks1。對準顯微鏡AM2拍攝存在於檢測區域Vw2內形成在基板P之-Y方向側端部的對準標記Ks2。對準顯微鏡AM3拍攝存在於檢測區域Vw3內形成在基板P之寬度方向中央的對準標記Ks3。

此對準顯微鏡AM(AM1~AM3)拍攝之影像資料被送至設在下位控制裝置24內之影像處理部，下位控制裝置24之影像處理部根據影像資料算出(檢測)對準標記Ks(Ks1~Ks3)之位置。此檢測區域Vw(Vw1~Vw3)在基板P上之大小係依據對準標記Ks(Ks1~Ks3)之大小及對準精度設定，為100~500μm方形程度大小。又，對準用照明光係對基板P上之感光性功能層幾乎不具有感度之波長帶的光，例如係波長寬500~800nm程度之寬頻光、或不包含紫外帶波長之白色光等。

下位控制裝置24依據上位控制裝置14之控制，控制構成圖案形成裝置12之第1蓄積裝置BF1、第2蓄積裝置BF2、及處理裝置PR3之各部。例如，下位控制裝置24控制處理裝置PR3內搬送之基板P之搬送速度、邊緣位置控制器EPC2、EPC3、光源裝置32、多面鏡66之旋轉、及描繪用光學元件52等。又，下位控制裝置24將以對準顯微鏡AM(AM1~AM3)檢測之基板P上之對準標記Ks(Ks1~Ks3)之位置資訊、旋轉速度資訊(處理裝置PR3內之基板P之搬送速度資訊、點光SP之掃描速度資訊)、強度感測器37所檢測之雷射光LB之強度資訊等輸出至上位控制裝置14。下位控制裝置24包含電腦、與儲存有程式之記憶媒體，由該電腦實施儲存在記憶媒體中之程式，具以發揮作為本第1實施形態之下位控制裝置24之功能。此下位控制裝置24可以是上位控制裝置14之一部分、亦可以是與上位控制裝置14不同之另一控制裝置。

圖6顯示處理裝置PR4之構成。處理裝置PR4，具有貯留顯影液之處理槽BT、以基板P能浸在貯留於處理槽BT之顯影液之方式形成基板P之搬送路徑之導引滾輪R4~R7、驅動滾輪NR7、NR8、及下位控制裝置80。於處理槽BT之底部設有用以調整顯影液之溫度的加熱器H1、H2，加熱器H1、H2係在下位控制裝置80之控制下被加熱器驅動部82驅動而發熱。

驅動滾輪NR7，一邊夾持透過第2蓄積裝置BF2從處理裝置PR3送來之基板P之表背兩面、一邊旋轉將基板P導向導引滾輪R4。導引滾輪R4，將往+X方向搬送而來之基板P彎折向-Z方向側後導向導引滾輪R5。導引滾輪R5，將往-Z方向搬送而來之基板P彎折向+X方向側後導向導引滾輪R6。導引滾輪R6，將往+X方向搬送而來之基板P彎折向+Z方向側後導向導引滾輪R7。導引滾輪R7，將往+Z方向搬送而來之基板P彎折向+X方向側後導向驅動滾輪NR8。驅動滾輪NR8一邊夾持送來之基板P之表背兩面、一邊將基板P搬送至處理裝置PR5。藉由此導引滾輪R5、R6將基板P浸於顯影液。驅動滾輪NR7、NR8係藉由旋轉扭矩而旋轉，此旋轉扭矩來自具有被下位控制裝置80控制之馬達及減速機等的旋轉驅動源(圖示省略)。藉由此驅動滾輪NR7、NR8之旋轉速度，規定處理裝置PR4內之基板P之搬送速度。又，從設在驅動滾輪NR7、NR8之未圖示之編碼器送來之旋轉速度訊號(基板P之搬送速度訊號)，被送至下位控制裝置80。又，於處理裝置PR4內設有拍攝經顯影之基板P表面的攝影裝置83。此攝影裝置83相對驅動滾輪NR8設在基板P之搬送方向下游側(+X方向側)。攝影裝置83拍攝經由顯影而形成在感光性功能層之圖案。

導引滾輪R4、R5設在可動構件84，可動構件84具有線性馬達等之驅動部，可沿導軌86往X方向移動。於可動構件84設有檢測可動構件84於X方向之位置的位置感測器87，位置感測器87檢測之可動構件84之位置資訊被送至下位控制裝置80。當此可動構件84沿導軌86往-X方向側移動時，導引滾輪R5、 R6間之距離變長，因此基板P浸於顯影液之時間(浸液時間)變長。又，當可動構件84往+X方向側移動時，導引滾輪R5、R6間之距離變短，因此基板P浸於顯影液之時間(浸漬時間)變短。採此方式，能調整基板P浸於顯影液之時間。此外，處理裝置PR4具有檢測顯影液之溫度的溫度感測器Ts、檢測顯影液之濃度的濃度感測器Cs。因基板P浸漬於顯影液，反應形成在感光性功能層之潛像(改質部)之圖案即形成於感光性功能層。感光性功能層為正型光阻劑之情形時，被紫外線照射之部分受到改質，改質部因顯影液而溶解被除去。又，感光性功能層為負型光阻劑之情形時，被紫外線照射之部分受到改質，未被紫外線照射之非改質部因顯影液而溶解被除去。於本第1實施形態，以感光性功能層為正型者加以說明。又，雖未圖示，但處理裝置PR4可具備對搬送至處理裝置PR5之基板P用以除去附著在基板P之顯影液的乾燥機構。

下位控制裝置80依據上位控制裝置14之控制，控制處理裝置PR4之各部。例如，下位控制裝置80控制在處理裝置PR4內搬送之基板P之搬送速度、加熱器驅動部82、及可動構件84等。又，下位控制裝置80將以溫度感測器Ts及濃度感測器Cs檢測之顯影液之溫度資訊、濃度資訊、以位置感測器87檢測之可動構件84之位置資訊、以攝影裝置83檢測之影像資料、及旋轉速度資訊(處理裝置PR4內之基板P之搬送速度資訊)等輸出至上位控制裝置14。下位控制裝置80包含電腦、與儲存有程式之記憶媒體，藉由該電腦實施儲存在記憶媒體中之程式，發揮作為本第1實施形態之下位控制裝置80之功能。此下位控制裝置80可以是上位控制裝置14之一部分、亦可以是與上位控制裝置14不同之另一裝置。

又，感光性功能層為感光性矽烷偶合劑或感光性還元劑之情形時，於處理裝置PR4之處理槽BT，取代顯影液而貯留例如含有鈀離子等電子元件用材料(金屬)之鍍敷液。也就是說，此時，處理裝置PR4係進行鍍敷處理之處理步驟(第3處理步驟)的鍍敷裝置。藉由將基板P浸漬於鍍敷液，反應形成在感光性功能層之潛像(改質部)而析出電子元件用材料，於基板P形成金屬層(導電性)之圖案。

進行蝕刻之處理裝置PR5，基本上，雖具有與處理裝置PR4相同之構成而未圖示，但於處理槽BT中，取代顯影液而貯留有蝕刻液(腐蝕液)。因此，當處理裝置PR5之可動構件84往-X方向側移動時，基板P浸漬於蝕刻液之時間(浸漬時間)即變長，當可動構件84往+X方向側移動時，基板P浸漬於蝕刻液之時間(浸漬時間)即變短。此外，以處理裝置PR5之溫度感測器Ts檢測蝕刻液之溫度、以濃度感測器Cs檢測蝕刻液之濃度。藉由此處理裝置PR5將基板P浸漬於蝕刻液，以形成有圖案之感光性功能層為光罩，蝕刻形成在感光性功能層之下層之金屬性薄膜(Al或Cu等)。據此，於基板P上出現金屬層圖案。處理裝置PR5之攝影裝置83拍攝因蝕刻而形成在基板P上之金屬層之圖案。以處理裝置PR5進行了處理之基板P被送至進行下一處理之處理裝置PR。於處理裝置PR4進行鍍敷處理之情形時，因無需蝕刻處理，因此取代處理裝置PR5而設置另一處理裝置PR、例如進行乾燥等之處理裝置PR。

此處，為了以元件製造系統10使基板P出現期望之金屬層之圖案，各處理裝置PR1~PR5係依據設定條件對基板P進行各處理。例如，作為處理裝置PR1之設定條件，設定有規定用以射出電漿之電壓及照射電漿之照射時間等的處理條件、與基板P之搬送速度條件。處理裝置PR1依據該設定條件一邊搬送基板P、一邊對基板P進行電漿表面處理。作為處理裝置PR2之設定條件(第1設定條件)，設定有包含規定形成感光性功能層之區域的區域條件及規定感光性功能層之膜厚的膜厚條件等之處理條件(第1處理條件)、與基板P之搬送速度條件。處理裝置PR2依據該設定條件一邊搬送基板P、一邊進行感光性功能層之成膜處理。

作為處理裝置PR3之設定條件(第2設定條件)，設定有包含規定雷射光LB之強度的強度條件、規定點光SP之掃描速度(多面鏡66之旋轉速度)的掃描速度條件、規定多重曝光次數的曝光回數條件、及規定描繪之圖案的圖案條件(圖案資料)等之處理條件(第2處理條件)、與基板P之搬送速度條件。處理裝置PR3依據該設定條件一邊搬送基板P、一邊對基板P進行曝光處理。作為處理裝置PR4之設定條件(第3設定條件)，設定有包含規定顯影液溫度的溫度條件、規定顯影液濃度的濃度條件、及規定浸漬時間的浸漬時間條件等之處理條件(第3處理條件)、與基板P之搬送速度條件。處理裝置PR4依據該設定條件一邊搬送基板P、一邊進行顯影處理。作為處理裝置PR5之設定條件，設定有包含規定蝕刻液溫度的溫度條件、規定濃度的濃度條件、及規定浸漬時間的浸漬時間條件等之處理條件、與基板P之搬送速度條件，處理裝置PR5依據該設定條件一邊搬送基板P、一邊進行蝕刻處理。又，處理裝置PR4係進行鍍敷處理之情形時，作為處理裝置PR4之設定條件(第3設定條件)，設定有包含規定鍍敷液溫度的溫度條件、規定鍍敷液濃度的濃度條件、及規定浸漬時間的浸漬時間條件等之處理條件(第3處理條件)、與基板P之搬送速度條件。因此，處理裝置PR4係根據該設定條件一邊搬送基板P、一邊進行鍍敷處理。

此各處理裝置PR1~PR5之設定條件係以各處理裝置PR1~PR5實施之實處理(實際處理)之狀態、成為與目標之處理狀態一致之方式預先設定。各處理裝置PR1~PR5之設定條件可儲存於設在各處理裝置PR1~PR5之未圖示之記憶媒體、亦可儲存在上位控制裝置14之未圖示之記憶媒體。又，於元件製造系統10內基板P係以一定速度搬送，因此於各處理裝置PR1~PR5設定之設定條件之搬送速度條件，基本上是相同速度(例如，5mm/秒~50mm/秒範圍之一定速度)。

各處理裝置PR1~PR5雖係依據設定條件對基板P進行處理，但實處理(實際處理)之狀態有時會相對目標之處理狀態產生超過容許範圍之處理誤差E之情形。例如有可能因經年劣化等導致光源裝置32之雷射光源發出之雷射光LB之強度降低、或顯影液、蝕刻液之溫度、濃度降低之情形，因此有時會有實處理之狀態相對目標之處理狀態產生超過容許範圍之處理誤差E之情形。例如，雷射光LB之強度降低時曝光量會降低，若係光阻劑時，則照射點光SP之部分區域、也就是說照射了點光SP之區域外周部分之感光性功能層(光阻劑層)無法被改質到深部。因此，藉由顯影處理於感光性功能層形成之圖案之線寬將會相對期望之圖案線寬(目標線寬)變得過粗。也就是說，因為被光照射而改質之部分會因顯影而溶解，殘留之光阻劑層部分(非改質部)之區域會成為顯示器面板用之電路或配線等之金屬層(導電性)圖案在蝕刻後殘留，因此當曝光量降低時圖案之線寬會變得過粗。其結果，出現在基板P之金屬層之圖案會與期望之圖案不同。

顯影液之溫度、濃度降低時或顯影液之浸漬時間變短時，會無法充分進行使用顯影液之感光性功能層改質部之去除。因此，反應處理裝置PR4於感光性功能層形成之潛像，形成於感光性功能層之圖案線寬會偏離目標線寬。其結果，出現在基板P之金屬層之圖案將不會是期望之圖案。

蝕刻液之溫度、濃度降低時或蝕刻液之浸漬時間變短時，會無法充分進行以形成有圖案之感光性功能層為光罩進行之形成在感光性功能層下層之金屬性薄膜(導電性薄膜)之蝕刻。因此，處理裝置PR5以蝕刻形成之金屬層圖案之線寬會偏離目標線寬。也就是說，未能以蝕刻除去之金屬性薄膜之部分會成為顯示器面板用電路或配線等之圖案，因此在以形成有圖案之感光性功能層為光罩而蝕刻未充分進行之情形時，圖案之線寬將會變粗。其結果，出現在基板P之金屬層之圖案不會是期望之圖案。

此外，當感光性功能層(光阻劑)之膜厚變厚時，被點光SP照射之區域之感光性功能層之深部不易被改質，因此透過以顯影液進行之改質部之除去，形成在感光性功能層之圖案之線寬會偏離目標值。其結果，出現在基板P之金屬層之圖案不會是期望之圖案。

如上所述，在各處理裝置PR1~PR5依據設定條件對基板P實施之實處理之狀態之任一者，相對目標之處理狀態超過容許範圍而有處理誤差E之情形時，即無法在基板P出現期望之金屬層之圖案，圖案之形狀或尺寸會產生變動。因此，於本第1實施形態，上位控制裝置14在各處理裝置PR1~PR5之各個中施予基板P之實處理狀態之至少1者，相對目標之處理狀態超過容許範圍而呈現處理誤差E之情形時，係使產生處理誤差E之處理裝置PR以外之其他處理裝置PR之設定條件，視處理誤差E而變化。此處理誤差E，係表示形成在基板P之圖案之形狀或尺寸相對目標之圖案之形狀或尺寸產生何種程度之變化。

呈現處理誤差E之設定條件係處理裝置PR3之設定條件時，首先，係變更處理裝置PR3之設定條件，以避免產生處理誤差E或使處理誤差E在容許範圍內。在僅變更處理裝置PR3之設定條件仍無法因應之情形時，即進一步變更其他處理裝置PR(PR1、PR2、PR4、PR5)之設定條件，以避免產生處理誤差E或使處理誤差E在容許範圍內。此時，在其他處理裝置PR之設定條件之變更結束後，可使處理裝置PR3之設定條件回到原來狀態。又，呈現處理誤差E之設定條件係處理裝置PR3以外之處理裝置PR之情形時，優先變更處理裝置PR3之設定條件，以避免產生處理誤差E或使處理誤差E在容許範圍內。

圖1所示之上位控制裝置14，具備就處理裝置PR1~PR5之各個設定做為處理目標值之設定條件(配方)、或修正該等設定條件、或用以監測各處理裝置PR1~PR5之處理狀況的操作裝置。該操作裝置，係以輸入資料、參數、指令等之鍵盤、滑鼠、觸控面板等的輸入裝置、與顯示處理裝置PR1~PR5各個之設定條件、處理狀態、處理誤差E之產生狀況、可變更用以修正該處理誤差E之設定條件之處理裝置PR之候補、該修正之規模(修正量、修正時間等)等之資訊、及顯示關於基板P之搬送速度之調整之資訊的監測裝置(顯示器)構成。

以下，針對各處理裝置PR1~PR5依據設定條件對基板P實施之實處理狀態之任一者相對目標之處理狀態超過容許範圍而有處理誤差E之情形時之元件製造系統10之動作，詳細地加以說明。圖7係顯示用以判定超過容許範圍產生處理誤差E之處理裝置PR之元件製造系統10之動作的流程圖。首先，上位控制裝置14判斷感光性功能層之膜厚是否在容許範圍內(步驟S1)。也就是說，判斷實際形成之感光性功能層之膜厚，相對作為目標之處理狀態設定之膜厚條件(以下，稱目標膜厚條件)是否在容許範圍內。此判斷係根據膜厚測量裝置16a測量之膜厚進行。亦即，於步驟S1，係檢測因處理裝置PR2之設定條件引起因之形成在基板P之圖案之品質(形狀及尺寸之忠實度、均勻性等)相對目標是否超過容許範圍而有變化(降低)。當於步驟S1判斷膜厚測量裝置16a測量之膜厚相對目標膜厚不在容許範圍內時，上位控制裝置14即判定於處理裝置PR2超過容許範圍而產生了處理誤差E(E2)(步驟S2)。也就是說，判定處理裝置PR2所實施之實處理狀態相對目標處理狀態超過容許範圍具有處理誤差E2。

另一方面，當於步驟S1判斷膜厚測量裝置16a測量之膜厚在容許範圍內時，上位控制裝置14即判斷以處理裝置PR3對基板P上照射之雷射光LB之曝光量相對目標曝光量是否在容許範圍內(步驟S3)。此判斷，係藉由判斷強度感測器37檢測之雷射光LB之強度相對作為目標處理狀態所設定之強度條件(以下，稱目標強度條件)是否在容許範圍內來進行。也就是說，由於視雷射光LB之強度形成在感光性功能層之圖案之線寬亦會變化，因此依據顯示曝光量之雷射光LB之強度，判斷曝光量是否在容許範圍內。又，於步驟S3，亦可判斷顯示曝光量之其他資訊、例如點光SP之掃描速度等相對作為目標處理狀態所設定之掃描速度條件(以下，稱目標掃描速度條件)是否在容許範圍內。又，亦可根據複數個資訊(雷射光LB之強度及點光SP之掃描速度等)判斷曝光量是否在容許範圍內。亦即，於步驟S3，係檢測因處理裝置PR3之設定條件引起之形成在基板P之圖案之品質(形狀及尺寸之忠實度、均勻性等)相對目標是否超過容許範圍而有變化(降低)。當於步驟S3判斷曝光量相對目標曝光量(作為目標之處理狀態所設定之處理條件)不在容許範圍內時，上位控制裝置14即判定於處理裝置PR3超過容許範圍而發生了處理誤差E(E3)(步驟S4)。也就是說，判定處理裝置PR3實施之實處理之狀態相對目標之處理狀態超過容許範圍而有處理誤差E3。

另一方面，當於步驟S3判斷曝光量在容許範圍內時，上位控制裝置14即判斷由處理裝置PR4進行顯影處理而形成在感光性功能層之圖案之線寬是否在容許範圍內(步驟S5)。上位控制裝置14根據設在處理裝置PR4內之攝影裝置83所拍攝之影像資料，測量形成在感光性功能層之圖案之線寬。原則上，雖以形成在感光性功能層之圖案之線寬成為目標線寬之方式而定有處理裝置PR4之設定條件，但例如在低於或短於以顯影液之溫度、濃度或浸漬時間成為目標之處理狀態所設定之溫度條件(以下，稱目標溫度條件)、濃度條件(以下，稱目標濃度條件)、或浸漬時間條件(以下，稱目標浸漬時間條件)之情形時，形成之圖案之線寬或偏離目標線寬。亦即，於步驟S5，係檢測因處理裝置PR4之設定條件引起之形成在基板P之圖案品質(形狀及尺寸之忠實度、均勻性等)相對目標是否超過容許範圍而有變化(降低)。當於步驟S5判斷形成在感光性功能層之圖案之線寬相對目標線寬不在容許範圍內時，上位控制裝置14即判定於處理裝置PR4超過容許範圍而產生了處理誤差E(E4)(步驟S6)。也就是說，判定處理裝置PR4所實施之實處理之狀態相對目標之處理狀態超過容許範圍而有處理誤差E4。

另一方面，當於步驟S5判斷形成在感光性功能層之圖案之線寬在容許範圍內時，上位控制裝置14即判斷因處理裝置PR5進行蝕刻而出現在基板P 上之金屬層之圖案之線寬是否在容許範圍內(步驟S7)。上位控制裝置14根據設在處理裝置PR5內之攝影裝置83拍攝之影像資料測量金屬層之圖案之線寬。原則上，雖以金屬層之圖案之線寬成為目標線寬之方式定有處理裝置PR5之設定條件，但例如在低於或短於以蝕刻液之溫度、濃度、或浸漬時間成為目標處理狀態之方式設定之溫度條件(以下，稱目標溫度條件)、濃度條件(以下，稱目標濃度條件)、或浸漬時間條件(以下，稱目標浸漬時間條件)之情形時，形成之金屬層之圖案之線寬會偏離目標線寬。亦即，於步驟S7，係檢測因處理裝置PR5之設定條件引起之形成在基板P之圖案之品質(形狀及尺寸之忠實度、均勻性等)相對目標超過容許範圍而有變化(降低)。當於步驟S7判斷金屬層之圖案之線寬相對目標線寬不在容許範圍內時，上位控制裝置14即判定於處理裝置PR5超過容許範圍而產生處理誤差E(E5)(步驟S8)。也就是說，判定處理裝置PR5實施之實處理之狀態相對目標之處理狀態超過容許範圍而有處理誤差E5。另一方面，當於步驟S7判斷金屬層之圖案之線寬在容許範圍內時，即判定處理裝置PR2~PR5未產生處理誤差E(步驟S9)。

接著，說明於圖7之步驟S4，判定於處理裝置PR3超過容許範圍而產生處理誤差E3之情形時元件製造系統10之動作。圖8係顯示於處理裝置PR3超過容許範圍而產生處理誤差E3時之元件製造系統10之動作的流程圖。上位控制裝置14，在處理裝置PR3產生處理誤差E3之情形時，判斷於處理裝置PR3之設定條件中、藉由變更處理條件是否可覆蓋該處理誤差E3(步驟S11)。也就是說，判斷可否藉由處理條件之變更消除處理誤差E3或使處理誤差E3在容許範圍內。例如，在曝光量相對目標曝光量超過容許範圍而較少之情形時，需增加曝光量至目標曝光量，判斷可否藉變更處理條件以達到目標曝光量。此曝光量，係以雷射光LB之強度及點光SP之掃描速度等決定，因此，於步驟S11，判斷是否可藉由變更強度條件及掃描速度條件等，將實際曝光量提升至目標曝光量。

當於步驟S11判斷藉處理條件之變更可覆蓋時，上位控制裝置14即視處理誤差E3進行處理裝置PR3之設定條件之處理條件(強度條件及掃描速度條件、圖案條件等)之變更(步驟S12)。另一方面，當於步驟S11判斷僅變更處理條件無法覆蓋時，上位控制裝置14即視處理誤差E3進行處理裝置PR3之處理條件與搬送速度條件之變更(步驟S13)。例如，實際曝光量相對目標曝光量超過容許範圍是較少時，即變更處理條件、並變更搬送速度條件以使基板P之搬送速度變慢。藉由使搬送速度條件變慢，能增加曝光量。又，將處理誤差E3中，可藉由變更處理條件來加以覆蓋之處理誤差設為E3a，將無法藉由變更搬送速度條件來覆蓋之處理誤差設為E3b。因此，E3=E3a+E3b。僅變更處理條件即能覆蓋處理誤差E3之情形時，E3a=E3、E3b=0。又，無法變更處理條件之情形時，例如，現在設定之強度條件已是最大強度之情形等時，係視處理誤差E3僅變更搬送速度條件來加以因應。此時，E3a=0、E3b=E3。

此處，處理裝置PR1~PR5雖係以一定速度搬送基板P，但因處理裝置PR3係設在第1蓄積裝置BF1與第2蓄積裝置BF2之間，因此亦可獨立變更在處理裝置PR3內之基板P之搬送速度。也就是說，處理裝置PR3之搬送速度與處理裝置PR3以外之處理裝置PR之搬送速度之差，可藉由第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2來加以吸收。當使處理裝置PR3內之基板P之搬送速度較一定速度慢之速度搬送時，第1蓄積裝置BF1之基板P之蓄積量會慢慢增加、而第2蓄積裝置BF2之蓄積量則慢慢減少。相反的，當使處理裝置PR3內之基板P之搬送速度較一定速度快之速度搬送時，第1蓄積裝置BF1之基板P之蓄積量會慢慢減少、而第2蓄積裝置BF2之蓄積量則慢慢增加。當第1蓄積裝置BF1或第2蓄積裝置BF2之蓄積長度低於既定蓄積長度以下時，即無法於第1蓄積裝置BF1或第2蓄積裝置BF2蓄積較多的基板P，因此將無法獨立的變更在處理裝置PR3內之基板P之搬送速度。因此，即使可暫時的變更在處理裝置PR3內之基板P之搬送速度，亦無法變更基板P之搬送速度超過一定時間。

因此，為了將第1蓄積裝置BF1及該第2蓄積裝置BF2之蓄積長度控制在既定範圍內，必須使在處理裝置PR3之基板P之搬送速度回復到原來狀態。因此，當於步驟S13變更處理裝置PR3之處理條件與搬送速度條件時，上位控制裝置14判斷是否可藉由變更任一其他處理裝置PR之處理條件，來覆蓋(內插)使處理裝置PR3之搬送速度條件回到原來狀態時產生之處理誤差E3b(步驟S14)。也就是說，由於使處理裝置PR3之搬送速度回到原來狀態時，曝光量會減少，因此判斷是否可藉由其他處理裝置PR來覆蓋因此而產生之不良，以使圖案線寬達到目標線寬。

當於步驟S14判斷可藉由視處理誤差E3b變更任一其他處理裝置PR之處理條件來加以覆蓋時，視將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b，變更判斷可覆蓋之該其他處理裝置PR之處理條件(步驟S15)，進至步驟S17。例如，判斷可藉由變更處理條件加以覆蓋之其他處理裝置PR係處理裝置PR2之情形時，視將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b(例如，曝光量不足)，變更處理裝置PR2之處理條件(膜厚條件等)。在處理誤差E3係曝光量不足之情形時，膜厚越薄則即使曝光量少亦能改質至感光性功能層之深部，因此藉由將膜厚條件之厚度作薄，即能覆蓋將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b(曝光量不足)。其結果，即能使藉由顯影處理形成在感光性功能層之圖案之線寬、及出現之金屬層之圖案之線寬達到目標線寬。

在判斷藉由變更處理條件即能覆蓋之其他處理裝置PR係處理裝置PR4之情形時，視將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b，變更處理裝置PR4之處理條件(溫度條件、濃度條件、浸漬時間條件)。例如，顯影液之溫度、濃度越高，或基板P浸漬於顯影液之浸漬時間越長，感光性功能層溶解而被除去之區域越廣，因此能將感光性功能層除去至深部。因此，在處理誤差E3係曝光量不足之情形時，藉由提高或加長溫度條件、濃度條件、及浸漬時間條件之至少1者，即能覆蓋將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b(曝光量不足)，使圖案線寬達到目標線寬。處理裝置PR4之下位控制裝置80，依據溫度條件控制處理裝置PR4之加熱器H1、H2，依據浸漬時間條件使處理裝置PR4之可動構件84移動。此外，於處理裝置PR4之處理槽BT設有回收處理槽BT中之顯影液、並對處理槽BT供應新顯影液之循環系，處理裝置PR4之下位控制裝置80依濃度條件變更供應至該處理槽BT之顯影液之濃度。

在判斷藉由變更處理條件即能覆蓋之其他處理裝置PR係處理裝置PR5之情形時，視將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b，變更處理裝置PR5之處理條件(溫度條件、濃度條件、浸漬時間條件)。例如，以形成有圖案之感光性功能層為光罩，蝕刻形成在感光性功能層之下層之金屬性薄膜，而蝕刻液之溫度、濃度越高，或基板P浸漬於蝕刻液之浸漬時間越長，被蝕刻之部分越廣。因此，在處理誤差E3係曝光量不足之情形時，藉由提高或加長蝕刻液之溫度條件、濃度條件、及浸漬時間條件之至少1者，即能覆蓋在將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b(曝光量不足)，使圖案線寬達到目標線寬。處理裝置PR5之下位控制裝置80，依據溫度條件控制處理裝置PR5之加熱器H1、H2，依據漬時間條件使處理裝置PR5之可動構件84移動。此外，於處理裝置PR5之處理槽BT設有回收處理槽BT中之蝕刻液、並對處理槽BT供應新蝕刻液之循環系，處理裝置PR5之下位控制裝置80依濃度條件變更供應至該處理槽BT之蝕刻液之濃度。

此處，亦可考慮不變更處理裝置PR3之搬送速度條件，而從一開始即藉由處理裝置PR3以外之其他處理裝置PR之處理條件之變更，來覆蓋於處理裝置PR3產生之處理誤差E3b。然而，於處理裝置PR3(曝光裝置EX等之圖案化裝置)，當處理條件變化時會離即反應而能瞬間改變實處理之處理狀態，但處理裝置PR3以外之其他處理裝置PR(主要是濕式處理裝置)，即使變更處理條件，但實際上欲達到以實處理狀態變更後之處理條件所定之目標處理狀態為止仍需若干程度之時間，無法迅速的覆蓋於處理裝置PR3所產生之處理誤差E3b。例如即使改變處理裝置PR2之處理條件(膜厚條件等)，形成在基板P之感光性功能層之膜厚亦是隨著時間經過慢慢改變。又，即使改變處理裝置PR4、PR5之處理條件(溫度條件、濃度條件、浸漬時間條件)，顯影液及蝕刻液之溫度、濃度、浸漬時間亦是隨時間經過而慢慢改變。因此，其他處理裝置PR之實處理狀態欲達到以變更後之處理條件所定之目標處理狀態為止，係藉由慢慢改變處理裝置PR3之基板P之搬送速度來因應處理誤差E3b。其他處理裝置PR之處理條件變更後，該其他處理裝置PR之實處理處理狀態會慢慢接近以變更後之處理條件所定之目標處理狀態，因此，上位控制裝置14即反應此而使在處理裝置PR3內之基板P之搬送速度條件慢慢回復原狀。上位控制裝置14根據膜厚測量裝置16a、溫度感測器Ts、濃度感測器Cs、位置感測器87等之檢測結果，使在處理裝置PR3內之基板P之搬送速度條件慢慢接近變更前之搬送速度條件。

又，在可覆蓋將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b的處理裝置PR有複數個之情形時，可變更接近處理裝置PR3之處理裝置PR之處理條件。例如，可覆蓋將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b的處理裝置PR，係處理裝置PR2與處理裝置PR5之情形時，可變更接近處理裝置PR3之處理裝置PR2之處理條件。又，於步驟S14中，雖係判斷在將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b，可否以其他處理裝置PR覆蓋，但亦可以是判斷於處理裝置PR3產生之處理誤差E3、也就是說判斷將處理裝置PR3之處理條件與搬送速度條件皆回復到原來狀態時產生之處理誤差E3，可否以其他處理裝置PR覆蓋。此時，於步驟S15，係藉由變更判斷可覆蓋之其他處理裝置PR之處理條件，以覆蓋於處理裝置PR3產生之處理誤差E3。此場合，在其他處理裝置PR之處理條件之變更後，以該其他處理裝置PR進行之實處理之處理狀態會慢慢接近以變更後之處理條件所定之目標處理狀態，因此，上位控制裝置14，即反應此而在處理裝置PR3之搬送速度條件外使處理條件亦慢慢回到原狀。

另一方面，於步驟514，當判斷僅變更任一其他處理裝置PR之處理條件是無法覆蓋將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b(例如，曝光量不足)時，上位控制裝置14即將複數個其他處理裝置PR之處理條件，視將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b加以變更(步驟S16)後，進至步驟S17。此場合，複數個其他處理裝置PR之實處理之處理狀態會隨時間經過而慢慢接近以變更後之處理條件所定之目標處理狀態，因此，上位控制裝置14反應此而使在處理裝置PR3內之基板P之搬送速度條件慢慢回到原狀。

此外，亦可根據於處理裝置PR3產生之處理誤差E3，變更複數個其他處理裝置PR之處理條件。此場合，因複數個其他處理裝置PR之處理條件之變更後，實處理之處理狀態會慢慢接近以變更後之處理條件所定之目標處理狀態，因此，上位控制裝置14反應此而在處理裝置PR3之搬送速度條件外使處理條件亦慢慢回復。

當進至步驟S17時，上位控制裝置14即判斷處理條件之變更是否已結束。也就是說，判斷在步驟S15或S16以處理條件經變更之處理裝置PR進行之實處理之狀態，是否已成為以變更後之處理條件所定之目標處理狀態。此判斷，係根據膜厚測量裝置16a、溫度感測器Ts、濃度感測器Cs、位置感測器87等之檢測結果進行。於步驟S17判斷處理條件之變更尚未結束時，即停留在步驟 S17，當判斷處理條件之變更已結束時，即使處理裝置PR3之搬送速度條件回到原狀(步驟S18)。又，將在處理裝置PR3產生之處理誤差E3以其他處理裝置PR加以覆蓋之情形時，除處理裝置PR3之搬送速度條件外亦使處理條件回到原狀。

又，於步驟S16，即使變更複數個其他處理裝置PR之處理條件亦無法覆蓋處理裝置PR3之處理誤差E3b之情形時，即判斷可否變更複數個其他處理裝置PR之搬送速度條件，可變更時，可將所有處理裝置PR1~PR5之搬送速度條件變更成相同。例如，可將處理裝置PR1、PR2、PR4、PR5之搬送速度條件變更成與在步驟S13中變更之處理裝置PR3之搬送速度條件相同。

其次，說明於圖7之步驟S2、S6或S8，判定於處理裝置PR3以外之處理裝置PR(PR2、PR4或PR5)超過容許範圍而產生處理誤差E(E2、E4或E5)之情形時之元件製造系統10之動作。圖9係顯示於處理裝置PR3以外之處理裝置PR超過容許範圍而產生處理誤差E之情形時之元件製造系統10之動作的流程圖。上位控制裝置14，在處理裝置PR3以外之處理裝置PR產生處理誤差E(E2、E4或E5)之情形時，判斷藉變更處理裝置PR3之處理條件可否覆蓋此處理誤差E(E2、E4或E5)(步驟S21)。例如，產生處理誤差E之其他處理裝置PR係處理裝置PR2之情形時，在實際形成之感光性功能層之膜厚較目標膜厚條件厚實，由於在處理裝置PR4於感光性功能層形成之圖案之線寬變粗，因此判斷藉處理裝置PR3之處理條件之變更，可否增加曝光量以使形成在感光性功能層之圖案之線寬達到目標線寬。又，產生處理誤差E之其他處理裝置PR為處理裝置PR4、PR5，實際之顯影液、蝕刻液之溫度、濃度、或浸漬時間較目標溫度條件、濃度條件、或浸漬時間條件低或短之情形時，由形成在感光性功能層之圖案、金屬層之圖案之線寬會變粗，因此，判斷藉變更處理裝置PR3之處理條件，是否可增加曝光量以使形成在感光性功能層之圖案、金屬層之圖案之線寬達到目標線寬。

當於步驟S21判斷可藉由變更處理裝置PR3之處理條件來因應時，上位控制裝置14即視處理誤差E(E2、E4或E5)進行處理裝置PR3之處理條件(強度條件或掃描速度條件、圖案條件等)之變更(步驟S22)。另一方面，當於步驟S21判斷無法藉由處理條件之變更因應時，上位控制裝置14即視處理誤差E(E2、E4或E5)進行處理裝置PR3之處理條件與搬送速度條件之變更(步驟S23)。又，無法變更處理條件時，例如，現在設定之強度條件已是最大強度之情形時等，可視處理誤差E(E2、E4或E5)僅改變搬送速度條件加以因應。

接著，上位控制裝置14判斷是否可藉由變更產生處理誤差E(E2、E4或E5)之處理裝置PR(PR2、PR4或PR5)之處理條件，即使是在將處理裝置PR3之設定條件回復到原來狀態之情形時亦能覆蓋處理誤差E(E2、E4或E5)(步驟S24)。也就是說，判斷是否可藉由變更產生處理誤差E之處理裝置PR之處理條件，即使是在將處理裝置PR3之設定條件回復到原來狀態時亦能消除產生之處理誤差E。例如，產生處理誤差E之處理裝置PR為處理裝置PR2，實際形成之感光性功能層之膜厚相對目標膜厚條件呈現處理誤差E2之情形時，判斷可否視處理誤差E2改變膜厚條件。又，產生處理誤差E之其他處理裝置PR為處理裝置PR4、PR5，實際之顯影液、蝕刻液之溫度、濃度、或浸漬時間相對目標溫度條件、濃度條件、或浸漬時間條件呈現處理誤差E4、E5之情形時，判斷可否視處理誤差E4、E5改變溫度條件、濃度條件、或浸漬時間條件。

當於步驟S24判斷可藉由變更產生處理誤差E之處理裝置PR之處理條件，即使是在將處理裝置PR3之設定條件回復到原來狀態之情形時亦能覆蓋此處理誤差E時，上位控制裝置14即變更產生處理誤差E之處理裝置PR之處理條件(步驟S25)。例如，產生處理誤差E之其他處理裝置PR為處理裝置PR2，實際形成之感光性功能層之膜厚相對目標膜厚條件較厚之情形時，視處理誤差E2使膜厚條件較薄。又，產生處理誤差E之處理裝置PR為處理裝置PR4或PR5，實際之顯影液、蝕刻液之溫度、濃度、及浸漬時間中至少1者之處理條件相對目標溫度條件、濃度條件、浸漬時間條件較低或較短之情形時，即視處理誤差E4或E5提高或加長溫度條件、濃度條件、及浸漬時間中至少1者之處理條件。此場合，產生處理誤差E之處理裝置PR之實處理之處理狀態會隨著時間經過變化，因此，上位控制裝置14反應此而使處理裝置PR3之設定條件慢慢回到原狀。

另一方面，當於步驟S24判斷即使變更產生處理誤差E(E2、E4或E5)之處理裝置PR(PR2、PR4或PR5)之處理條件亦無法消除處理誤差E(E2、E4或E5)時，上位控制裝置14即判斷可否藉由變更其他處理裝置PR(除處理裝置PR3外)之處理條件以覆蓋此處理誤差E(步驟S26)。例如，產生處理誤差E之處理裝置PR為處理裝置PR2，實際形成之感光性功能層之膜厚相對目標膜厚條件超過容許範圍而呈現處理誤差E2之情形時，判斷是否可藉由變更處理裝置PR4或PR5之處理條件以覆蓋此處理誤差E2。實際形成之感光性功能層之膜厚較目標膜厚條件厚之情形時，由於圖案之線寬會變粗，因此判斷是否可藉由提高或加長顯影液或蝕刻液之溫度、濃度、浸漬時間，以使圖案之線寬達到目標線寬。

當於步驟S26判斷可藉由變更其他處理裝置PR之處理條件來因應時，上位控制裝置14即視處理誤差E變更該其他處理裝置PR之處理條件(步驟S27)，進至步驟S29。例如，產生處理誤差E之處理裝置PR為處理裝置PR2，實際形成之感光性功能層之膜厚相對目標膜厚條件較厚之情形時，即視處理誤差E2提高或加長處理裝置PR4或PR5之溫度條件、濃度條件、及浸漬時間中至少1者之處理條件。此場合，其他處理裝置PR之實處理之處理狀態會隨時間經過接近以變更後之處理條件所定之目標處理狀態，因此，上位控制裝置14反應此而使處理裝置PR3之設定條件慢慢回到原狀。

另一方面，當於步驟S26判斷即使變更其他處理裝置PR之處理條件亦無法因應時，上位控制裝置14即視此處理誤差E進行處理裝置PR3以外之複數個其他處理裝置PR之處理條件之變更(步驟S28)後，進至步驟S29。此場合，複數個其他處理裝置PR之實處理之處理狀態會隨著時間經過接近以變更後之處理條件所定之目標處理狀態，因此，上位控制裝置14反應此而使處理裝置PR3之設定條件慢慢回到原狀。

當進至步驟S29時，上位控制裝置14即判斷處理條件之變更是否已結束。也就是說，判斷於步驟S25、S27或S28中以處理條件經變更之處理裝置PR進行之實處理之狀態，是否已成為以變更後之處理條件所定之目標處理狀態。此判斷，係根據膜厚測量裝置16a、溫度感測器Ts、濃度感測器Cs、位置感測器87等之檢測結果進行。當於步驟S29判斷處理條件之變更尚未結束時，即停留在步驟S29，當判斷處理條件之變更以結束時，使處理裝置PR3之設定條件回到原狀(步驟S30)。

又，於步驟S22中僅變更處理裝置PR3之處理條件之情形時，可與圖8所示之動作同樣的，結束圖9所示之動作。也就是說，此場合，無需步驟S24~S30之動作。又，於步驟S30，雖使處理裝置PR3之設定條件回到原狀，但亦可僅使處理裝置PR3之搬送速度條件回到原狀。此場合，於步驟S25、S27或S28中，係依據僅將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差變更處理條件。

如上所述，在處理裝置PR2~PR5中以任一處理裝置PR進行之實處理之狀態(實處理結果)相對目標處理狀態(設計值)有處理誤差E之情形時，動態的變更反應處理誤差E之其他處理裝置PR之設定條件，因此無需停止生產線，能持續製造安定品質之電子元件。又，作為處理裝置PR，於曝光裝置(描繪裝置)FX或噴墨印刷機等之圖案化裝置，係對已形成在基板P上之底層圖案進行重疊曝光或重疊印刷。該重疊精度，在製作薄膜電晶體之層構造(閘極層、絶緣裝置、半導體層、源極/汲極層)等時尤其重要。例如，於薄膜電晶體之層構造，層間之相對的重疊精度及圖案尺寸之忠實度(線寬再現性)依存於圖案化裝置之性能(定位精度、曝光量、墨水吐出量等)。該圖案化裝置之性能，除因某種重大缺失造成突然大幅劣化之情形外，一般而言會慢慢劣化。根據第1實施形態，由於係監測此種性能慢慢劣化之圖案化裝置之狀態，調整其他處理裝置PR之處理條件，因此在圖案化裝置之性能在容許範圍內變動之情形、或達到容許範圍外之情形時，皆能將最終形成在基板P上之圖案之尺寸(線寬)精度控制在目標範圍內。

又，本第1實施形態中，雖係藉由在處理裝置PR3之前後配置第1蓄積裝置BF1與第2蓄積裝置BF2，而能自由的變更處理裝置PR3之基板P之搬送速度，但例如亦可在處理裝置PR2或處理裝置PR4之前後配置第1蓄積裝置BF1與第2蓄積裝置BF2，以自由的變更處理裝置PR2或處理裝置PR4之基板P之搬送速度。此外，亦可例如藉由在複數個處理裝置PR之前後配置第1蓄積裝置BF1與第2蓄積裝置BF2，以於複數個處理裝置PR自由變更基板P之搬送速度。如此，改變在複數個處理裝置PR各個之搬送速度條件，代表各個處理裝置PR之實處理之狀態變化。例如，就處理裝置PR2而言，假設不變更含膜厚條件之處理條件，僅需使搬送速度條件變慢，即能使形成之感光性功能層之膜厚變厚。相反的，藉由加快搬送速度條件，即能使形成之感光性功能層之膜厚變薄。又，就處理裝置PR4、PR5而言，假設不變更浸漬時間條件等之處理條件，僅需使搬送速度條件變慢，其結果，基板P浸漬於顯影液或蝕刻液之時間即變長。相反的，藉由加快搬送速度條件，其結果，基板P浸漬於顯影液或蝕刻液之時間即變短。此場合，亦是變更各處理裝置PR之搬送速度條件之設定，以將各個第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2之蓄積長度控制在既定範圍內。

又，於圖7之步驟S3，雖係判斷曝光量是否在容許範圍內，但亦可以是判斷形成在感光性功能層之圖案之線寬是否在容許範圍內。此場合，當判斷圖案之線寬不在容許範圍內時，即於步驟S4判斷於處理裝置PR3產生處理誤差E3，可在判斷圖案之線寬在容許範圍內時，跳過步驟S5而直接進至步驟S7。因此，此場合，無需步驟S5及步驟S6之動作。雖然亦會因顯影處理之條件而使圖案之線寬變化，但圖案之線寬被認為係因處理裝置PR3之實處理之狀態而大幅變化，因此係根據形成在感光性功能層之圖案之線寬，判斷是否於處理裝置PR3產生處理誤差E3。

又，形成在顯影後光阻劑層之圖案之線寬變化，對曝光量變化及光阻層之厚度變化較敏感且具有線性(linearity)。相對於此，以感光性矽烷偶合劑材等形成之感光性功能層，則與其厚度幾乎無關的，會因是否有被賦予一定曝光量(照度)而從非改質狀態改變成改質狀態。因此，欲透過感光性功能層之厚度調整或曝光量調整來進行線寬修正是實質上是困難的。不過，在賦予所需以上之曝光量之情形時，有待改質部分之線寬多少變粗的傾向。因此使用感光性矽烷偶合劑材等之感光性功能層之情形時，例如根據鍍敷處理後析出之金屬性圖案之線寬測定值，修正鍍敷處理之條件、或將使感光性功能層曝光時之圖案之線寬本身相對設計值進行修正(修正描繪資料)是非常有效的。

以上，根據本發明第1實施態樣，在複數個處理裝置PR中、有實處理狀態相對目標處理狀態產生處理誤差E之處理裝置PR時，係變更反應了處理誤差E之其他處理裝置PR之設定條件，因此能在不停止製造線之情形下，持續製造電子元件。亦即，在以複數個處理裝置PR於片狀基板P上依序形成電子元件之層構造或圖案形狀之過程中，特定處理裝置PR之實處理結果相對預先設定之設定條件(設計值)產生誤差之情形時，不僅僅是特定處理裝置PR本身自行控制來抑制該誤差，相對特定處理裝置PR位於上游側或下游側之其他處理裝置PR，會動態的變更處理條件以最終抵消、或抑制因該誤差引起之不良狀態。據此，能大幅抑制於製造線中之某一步驟產生之誤差引起之處理裝置PR之處理中斷、及製造線整體暫時停止之機率。

又，本發明第1實施態樣，並不一定限於3個不同處理裝置PR(處理部)排列於基板P之搬送方向(長條方向)的製造線，只要排列有至少2個依序處理基板P之處理裝置PR(處理部)的話，即能適用。此場合，只要進行就結果而言能打消、或抑制在2個處理裝置PR間因相對預先設定之設定條件產生之誤差引起之不良情形(線寬變化等)的2個處理裝置PR之各處理條件之動態調整、或在2個處理裝置PR各個之基板P之搬送速度之暫時變更即可。此時，適用第1實施態樣之2個處理裝置PR(處理部)不一定必須是在基板P之搬送方向(長條方向)前後配置，可以是在適用第1實施態樣之2個處理裝置PR(處理部)之間至少配置有另一處理裝置PR(處理部)之構成。例如，在曝光處理後進行顯影處理之情形時，第1實施態樣雖係在使基板P通過曝光部後立即送至顯影部，但在將曝光後之光阻劑層施以較高溫度加熱之後烘(post-bake)處理後進行顯影之情形時，該後烘處理用之加熱裝置(加熱部)等即對應於該另一處理裝置PR。

又，於上述第1實施形態，雖為簡化說明，而以實處理狀態相對目標處理狀態超過容許範圍呈現處理誤差E之處理裝置PR為1個的情形為例做了說明，但實處理之處理狀態相對目標處理狀態超過容許範圍呈現處理誤差E之處理裝置PR可以是2個以上。此場合，如上所述，產生處理誤差E之處理裝置PR不包含處理裝置PR3之情形時，優先的變更處理裝置PR3之設定條件。又，產生處理誤差E之處理裝置PR包含處理裝置PR3之情形時，首先，變更處理裝置PR3之設定條件。

〔第1實施形態之變形例〕

上述第1實施形態，可有以下之變形。

(變形例1)上述第1實施形態中，設置在圖1所示之元件製造系統(製造線)之複數個處理裝置PR(PR1~PR5)之各個，可依據各處理裝置PR 之處理條件或設定條件之調整，將通過各處理裝置之片狀基板P之搬送速度在處理動作中進行調整。但亦可以是通過各處理裝置PR之基板P之搬送速度於各該處理裝置PR固定，因在處理裝置PR間之基板P之搬送速度之差引起之基板P之搬送量(搬送長度)的過與不足，則以設在處理裝置PR間之第1蓄積裝置BF1、或第2蓄積裝置BF2加以吸收之構成。此種構成之情形時，在處理裝置PR間之基板P之搬送速度之差之容許範圍，大致係由待連續處理之基板P之全長Lf、與第1蓄積裝置BF1或第2蓄積裝置BF2之最大蓄積長度決定。

例如，設在第1蓄積裝置BF1上游側之處理裝置PR2之基板P之搬送速度為Va、在第1蓄積裝置BF1下游側(亦即，第2蓄積裝置BF2之上游側)之處理裝置PR3(曝光裝置EX等之圖案化裝置)之基板P之搬送速度為Vb、在第2蓄積裝置BF2下游側之處理裝置PR4(或處理裝置PR5)之基板P之搬送速度為Vc。此場合，全長Lf之基板P之連續處理間所須之第1蓄積裝置BF1之必要蓄積長度Lac1，在搬送速度Va、Vb是Va>Vb之關係之情形時，為Lac1=Lf(1-Vb/Va)，是Vb>Va之情形時，則為Lac1=Lf(1-Va/Vb)。同樣的，全長Lf之基板P之連續處理間所須之第2蓄積裝置BF2之必要蓄積長度Lac2，在搬送速度Vb、Vc是Vb>Vc之情形時，為Lac2=Lf(1-Vc/Vb)，是Vc>Vb之情形時，則為Lac2=Lf(1-Vb/Vc)。

因此，在處理裝置PR2~PR4各個之處理條件下適當設定之作為基板P之目標的搬送速度Va、Vb、Vc決定後，依據上述計算，求出第1蓄積裝置BF1之必要蓄積長度Lac1與第2蓄積裝置BF2之必要蓄積長度Lac2，為能確保該必要蓄積長度Lac1、Lac2而調整第1蓄積裝置BF1與第2蓄積裝置BF2各個之最大蓄積長度。最大蓄積長度之調整，可藉由以圖3中之第1蓄積裝置BF1內之複數個張力擺動輪20、及第2蓄積裝置BF2內之複數個張力擺動輪22使基板P反折之次數(支承基板P之張力擺動輪20、22之支數)相異之方式進行。減少以張力擺動輪 20、22使基板P折返之回數，能降低對形成在基板P之薄膜層及電子元件用圖案造成損傷之可能性、附著異物(塵埃)之可能性，因此較佳。此外，使各個張力擺動輪20、22之位置可根據最大蓄積長度而可變。也就是說，將可使各張力擺動輪20、22個別的往Z方向移動，以調整其位置之致動器設置在第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2內。此致動器係以上位控制裝置14或下位控制裝置24加以控制。

又，圖3所示之第1蓄積裝置BF1(第2蓄積裝置BF2亦相同)其本身可作為一單體單元而卸除，此外，亦可作成可串聯(Tandem)增設之構成。因此，以上述計算所得之必要蓄積長度Lac1(Lac2)變長時，即可藉由將複數個第1蓄積裝置BF1(第2蓄積裝置BF2)加以串聯，而容易地增加基板P之最大蓄積長度。之後，使從供應用捲筒FR1拉出之基板P之前端，依序通過處理裝置PR1~PR5及蓄積裝置BF1、BF2後捲繞於回收用捲筒FR2，將在蓄積裝置BF1、BF2之基板P之蓄積長度設定為初期狀態後，開始以各處理裝置PR1~PR5進行之處理動作(以搬送速度Va、Vb、Vc進行之基板P之搬送)。本變形例1之情形時，亦係在處理裝置PR2~PR4之各個以設定之固定搬送速度Va、Vb、Vc持續搬送基板P之期間，例如，根據以圖6中之攝影裝置83所得之圖案之影像資料解析結果，檢測出形成在基板P之圖案之品質有變化(降低)時，即以例如上位控制裝置14適當的進行處理裝置PR2~PR4各個之搬送速度以外之處理條件(設定條件)之變更可否的判定、處理條件可變更之處理裝置PR的特定、以及變更之條件之程度的運算等。上位控制裝置14對特定出之處理裝置PR發出設定條件之變更內容、變更時序等的指令。據此，即能將形成在基板P上之電子元件用圖案等之品質(形狀及尺寸之忠實度、均勻性等)，於基板P之全長Lf控制在既定容許範圍內。

(變形例2)不增設第1蓄積裝置BF1(第2蓄積裝置BF2)之情形時，因1個第1蓄積裝置BF1(第2蓄積裝置BF2)之最大蓄積長度是有限的，因此當連續處理之基板P之全長Lf較長、或搬送速度之比Va：Vb(Vb：Vc)較大時，在全長Lf之連續處理之途中，會在第1蓄積裝置BF1(第2蓄積裝置BF2)產生基板P之蓄積長度變滿、或蓄積長度變零的情形。因此，本變形例2中，係根據預先設定之第1蓄積裝置BF1、第2蓄積裝置BF2之最大蓄積長度Lm1、Lm2，以能在基板P之全長Lf之連續處理無窒礙(暫時停止)的情形下實施之方式，預先設定在處理裝置PR2~PR4各個之基板P之搬送速度Va、Vb、Vc。亦即，預先設定各搬送速度Va、Vb、Vc，以使第1蓄積裝置BF1之最大蓄積長度Lm1滿足Lm1≧Lf(1-Vb/Va)、或Lm1≧Lf(1-Va/Vb)之條件，第2蓄積裝置BF2之最大蓄積長度Lm2滿足Lm2≧Lf(1-Vc/Vb)、或Lm2≧Lf(1-Vb/Vc)之條件。

又，處理裝置PR2~PR4之各個，預先調整各部之設定條件，以能在設定之基板P之搬送速度Va、Vb、Vc下實施最佳處理。至少在基板P之全長Lf之連續處理期間、亦即以處理裝置PR2~PR4之各個設定之搬送速度Va、Vb、Vc持續搬送基板P之期間，在檢測出形成於基板P之圖案品質有降低之傾向之情形時，例如能一邊以上位控制裝置14適當的進行處理裝置PR2~PR4各個之搬送速度以外之處理條件(設定條件)之變更可否的判定、處理條件可變更之處理裝置PR的特定、變更之條件之程度的演算等，一邊處理基板P。如此，即能將形成在基板P上之電子元件用圖案等之品質(形狀及尺寸之忠實度、均勻性等)，於基板P之全長Lf控制在既定容許範圍內。

又，如變形例1、變形例2所示，在預先設定於處理裝置PR2~PR4各個之基板P之搬送速度Va、Vb、Vc後，開始就基板P之全長Lf進行連續處理後，例如因處理裝置PR2塗布之光阻層之厚度變動使得處理裝置PR4(PR5)之後出現之圖案的品質相對目標值有變動之情形時，係調整在處理裝置PR3、處理裝置PR4(PR5)各個之各種處理條件(設定條件)。此時，如上述第1實施形態般，可將預先設定在處理裝置PR3及處理裝置PR4之基板P之搬送速度Vb、Vc，移行至組裝有微調整模式之控制方法。又，變形例1及變形例2，雖係以3個處理裝置PR2、PR3、PR4(PR5)與2個蓄積裝置BF1、BF2為前提作了說明，但在2個處理裝置PR、與設在其間之1個蓄積裝置構成之製造系統時，以同樣可適用。此外，變形例1、變形例2中，在處理裝置PR2~PR4各個之基板P之搬送速度Va、Vb、Vc，可能的話，最好是設定成在既定誤差範圍內(例如，±數%內)彼此相等較佳。

以上之變形例1、變形例2中，在一邊將長條之可撓性片狀基板P沿長條方向搬送、一邊於基板P形成電子元件用圖案時，藉由實施以對基板P施以互異之處理之第1處理步驟(例如，使用處理裝置PR2之成膜步驟)、第2處理步驟(例如，使用處理裝置PR3之曝光步驟與使用處理裝置PR4、PR5之顯影步驟、鍍敷步驟等)之順序搬送基板P的搬送步驟、在設定於第1處理步驟之處理裝置PR之第1處理條件下於基板P表面選擇性的或一樣的形成被膜層(感光性功能層)的動作、在設定於第2處理步驟之處理裝置PR之第2處理條件下於被膜層生成與圖案對應之改質部並除去改質部與非改質部中之一方之處理或對改質部與非改質部中之一方施以析出電子元件用材料之處理以在基板P上使圖案出現的動作、在第2處理步驟中出現之圖案相對作為目標之形狀或尺寸顯示變動之傾向(品質降低之傾向)之情形時依據該傾向判定第1處理條件與第2處理條件之至少一方之條件可否變更的動作，即能實施降低了可能停止製造線整體之元件製造方法。亦即，在判定第1處理條件與第2處理條件中至少一方之條件是可變更之情形時，即代表可事前通報在維持形成於基板P上之圖案之品質下的製造線稼働(運轉)可持續。因此，能避免生產現場之作業員過早停止製造線。此效果，於先前之第1實施形態亦同。

〔第2實施形態〕

其次，說明第2實施形態。與上述第1實施形態相同之構成係賦予相同參照符號並省略其說明。圖10係顯示本第2實施形態之元件製造系統10之概略構成的概略構成圖。圖10中，省略了第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2之圖示。

元件製造系統10，具有於基板P資形成訊(賦予資形)之資訊形成裝置ST(ST1~ST5)、與讀取形成(賦予)在基板P之資訊以收集資訊之資訊收集裝置90。資訊形成裝置ST(ST1~ST5)，可以噴墨方式對基板P進行印刷以形成資訊，亦可刻印於基板P以形成資訊。又，資訊形成裝置ST(ST1~ST5)可將欲形成之資訊之內容原狀形成於基板P、亦可將欲形成之資訊之內容編碼(例如，條碼化、QR碼化)形成基板P。

資訊形成裝置ST1，將與處理裝置PR1對基板P實施之處理狀態相關之資訊形成在基板P。處理裝置PR1對基板P實施之處理狀態，係為射出電漿而施加之電壓、及照射電漿之照射時間等之實處理狀態。資訊形成裝置ST1根據處理裝置PR1之未圖示的下位控制裝置或上位控制裝置14之控制，將與處理裝置PR1對基板P之處理狀態相關之資訊形成於基板P。此資訊形成裝置ST1雖係沿基板P之搬送方向設在處理裝置PR1與處理裝置PR2之間，但亦可設在處理裝置PR1之內部。資訊形成裝置ST1，可將與在每一電子元件區域W由處理裝置PR1對電子元件區域W實施之處理狀態相關之資訊形成於基板P，亦可在對電子元件區域W實施之處理狀態之傾向超過一定範圍而改變之時間點，將與對實施於電子元件區域W之處理狀態相關之資訊形成於基板P。

資訊形成裝置ST2，將與處理裝置PR2對基板P實施之處理狀態或處理誤差E2相關之資訊形成於基板P。處理裝置PR2對基板P實施之處理狀態，係實際形成之感光性功能層之膜厚等的實處理狀態。處理誤差E2，係實際形成之感光性功能層之膜厚相對目標膜厚條件之處理誤差等。資訊形成裝置ST2根據處理裝置PR2之下位控制裝置18或上位控制裝置14之控制，將與處理裝置PR2之處理狀態或處理誤差E2相關之資訊形成於基板P。此資訊形成裝置ST2係沿基板P之搬送方向設置在處理裝置PR2與第1蓄積裝置BF1或處理裝置PR3之間，但亦可設置在處理裝置PR2之內部、乾燥裝置16之下游側。資訊形成裝置ST2，可將與在每一電子元件區域W由處理裝置PR2對電子元件區域W實施之處理狀態或處理誤差E2相關之資訊形成於基板P，亦可在對電子元件區域W實施之處理狀態或處理誤差E2之傾向超過一定範圍而改變之時間點，將與對實施於電子元件區域W之處理狀態相關之資訊形成於基板P。

資訊形成裝置ST3，將與處理裝置PR3對基板P實施之處理狀態或處理誤差E3相關之資訊形成於基板P。處理裝置PR3對基板P實施之處理狀態，係雷射光LB之強度及點光SP之掃描速度等的實處理狀態。處理誤差E3，係實際照射之雷射光LB之強度相對目標強度條件之處理誤差、及點光SP之掃描速度相對目標掃描速度條件之處理誤差等。資訊形成裝置ST3根據圖案形成裝置12之下位控制裝置24或上位控制裝置14之控制，將與處理裝置PR3之處理狀態或處理誤差E3相關之資訊形成於基板P。此資訊形成裝置ST3係沿基板P之搬送方向設置在處理裝置PR3與第2蓄積裝置BF2或處理裝置PR4之間，但亦可試設在處理裝置PR3之內部、旋轉筒DR2之下游側。資訊形成裝置ST3，可將與在每一電子元件區域W由處理裝置PR3對電子元件區域W實施之處理狀態或處理誤差E3相關之資訊形成於基板P，亦可在對電子元件區域W實施之處理狀態或處理誤差E3之傾向超過一定範圍而改變之時間點，將與對實施於電子元件區域W之處理狀態相關之資訊形成於基板P。

資訊形成裝置ST4，將與處理裝置PR4對基板P實施之處理狀態或處理誤差E4相關之資訊形成於基板P。處理裝置PR4對基板P實施之處理狀態，係顯影液之溫度、濃度、浸漬時間等的實處理狀態。處理誤差E4係實際之顯影液之溫度相對目標溫度條件之處理誤差、實際之顯影液之濃度相對目標濃度條件之處理誤差、實際之浸漬時間相對目標浸漬時間條件之處理誤差等。資訊形成裝置ST4根據處理裝置PR4之下位控制裝置80或上位控制裝置14之控制，將與處理裝置PR4之處理狀態或處理誤差E4相關之資訊形成於基板P。此資訊形成裝置ST4係沿基板P之搬送方向設置在處理裝置PR4與處理裝置PR5之間，但亦可設置在處理裝置PR4之內部、導引滾輪R7之下游側。資訊形成裝置ST4，可將與在每一電子元件區域W由處理裝置PR4對電子元件區域W實施之處理狀態或處理誤差E4相關之資訊形成於基板P，亦可在對電子元件區域W實施之處理狀態或處理誤差E4之傾向超過一定範圍而改變之時間點，將與對實施於電子元件區域W之處理狀態相關之資訊形成於基板P。

資訊形成裝置ST5，將與處理裝置PR5對基板P實施之處理狀態或處理誤差E5相關之資訊形成於基板P。處理裝置PR5對基板P實施之處理狀態，係蝕刻液之溫度、濃度、浸漬時間等的實處理狀態。處理誤差E5，係實際之蝕刻液之溫度相對目標溫度條件之處理誤差、實際之蝕刻液之濃度相對目標濃度條件之處理誤差、實際之浸漬時間相對目標浸漬時間條件之處理誤差等。資訊形成裝置ST5根據處理裝置PR5之下位控制裝置80或上位控制裝置14之控制，將與處理裝置PR5之處理狀態或處理誤差E5相關之資訊形成於基板P。此資訊形成裝置ST5雖係沿基板P之搬送方向設置在處理裝置PR5之下游側，但亦可是設置在處理裝置PR5之內部、導引滾輪R7之下游側。資訊形成裝置ST5，可將與在每一電子元件區域W由處理裝置PR5對電子元件區域W實施之處理狀態或處理誤差E5相關之資訊形成於基板P，亦可在對電子元件區域W實施之處理狀態或處理誤差E5之傾向超過一定範圍而改變之時間點，將與對實施於電子元件區域W之處理狀態相關之資訊形成於基板P。

此資訊形成裝置ST1~ST5，如圖11所示，係在基板P之電子元件區域W以外之區域形成資訊。圖11之Si1表示以資訊形成裝置ST1形成之資訊， Si2表示以資訊形成裝置ST2形成之資訊。同樣的，Si3、Si4、Si5係以資訊形成裝置ST3、ST4、ST5形成之資訊。資訊形成裝置ST1~ST5，在互異之基板P上之區域形成資訊Si1~Si5。據此，即能根據基板P上形成有資訊Si之區域，輕易地辨識該資訊Si係以哪一個資訊形成裝置ST1~ST5形成的。

又，形成在基板P上之資訊Si1~Si5，亦可以是形成在電子元件區域W之內部。此場合，為避免在電子元件區域W內對元件用配線及半導體元件、或像素區域等造成影響，係使資訊Si1~Si5之形成面積充分地小以配置在電子元件區域W內之空白區域。或者，在電子元件區域W內，形成用以和外部電路連接之較大的電極墊之情形時，可於該墊內部形成資訊Si1~Si5。

資訊收集裝置90，具備讀取形成(被賦予)在基板P之資訊Si的資訊讀取部MT(MT1~MT5)、與收集資訊讀取部MT(MT1~MT5)讀取到之資訊Si的資訊收集部92。資訊讀取部MT(MT1~MT5)係藉由拍攝基板P以讀取形成在基板P之資訊Si。資訊讀取部MT1根據處理裝置PR1之未圖示的下位控制裝置或上位控制裝置14之控制，在處理裝置PR1之前之步驟讀取與對基板P實施之處理狀態或處理誤差相關之資訊Si。資訊讀取部MT1雖係沿基板P之搬送方向較處理裝置PR1設置在上游側，但亦可以是設置在處理裝置PR1之內部。

資訊讀取部MT2根據處理裝置PR2之下位控制裝置18或上位控制裝置14之控制，讀取與由資訊形成裝置ST1形成在基板P之處理狀態相關之資訊Si1。資訊讀取部MT2沿基板P之搬送方向在處理裝置PR1與處理裝置PR2之間、較資訊形成裝置ST1設置在下游側。又，由於資訊讀取部MT2只要較資訊形成裝置ST1設置在下游側即可，因此亦可例如設置在處理裝置PR2之內部。資訊讀取部MT3根據圖案形成裝置12之下位控制裝置24或上位控制裝置14之控制，讀取與由資訊形成裝置ST2形成在基板P之處理狀態或處理誤差E2相關之資訊Si2。資訊讀取部MT3沿基板P之搬送方向在處理裝置PR2或第1蓄積裝置BF1與處理裝置PR3之間、較資訊形成裝置ST2配置在下游側。又，由於資訊讀取部MT3只要較資訊形成裝置ST2設置在下游側即可，因此亦可例如設置在處理裝置PR3之內部。

資訊讀取部MT4根據處理裝置PR4之下位控制裝置80或上位控制裝置14之控制，讀取與由資訊形成裝置ST3形成在基板P之處理狀態或處理誤差E3相關之資訊Si3。資訊讀取部MT4沿基板P之搬送方向在處理裝置PR3或第2蓄積裝置BF2與處理裝置PR4之間、較資訊形成裝置ST3設置在下游側。又，由於資訊讀取部MT4只要較資訊形成裝置ST3設置在下游側即可，因此亦可例如設置在處理裝置PR4之內部。資訊讀取部MT5根據處理裝置PR5之下位控制裝置80或上位控制裝置14之控制，讀取與由資訊形成裝置ST4形成在基板P之處理狀態或處理誤差E4相關之資訊Si4。資訊讀取部MT5沿基板P之搬送方向在處理裝置PR4與處理裝置PR5之間、較資訊形成裝置ST4設置在下游側。又，由於資訊讀取部MT5只要較資訊形成裝置ST4設置在下游側即可，因此亦可例如形成在處理裝置PR5之內部。資訊形成裝置ST5形成在基板P之資訊Si5，於進行次一步驟之處理時被讀取。

資訊收集部92收集資訊讀取部MT1~MT5讀取到之資訊Si，輸出至上位控制裝置14。上位控制裝置14依據資訊讀取部MT1~MT5讀取到之資訊Si，判斷各處理裝置PR1~PR5之實處理狀態是否相對目標處理狀態超過容許範圍而有產生處理誤差E，在超過容許範圍產生處理誤差E之情形時，如上述第1實施形態之說明，變更處理裝置PR之設定條件。於本第2實施形態，就每一電子元件區域W將與各處理裝置PR1~PR5對電子元件區域W實施之處理狀態或處理誤差E相關之資訊Si1~Si5形成於基板P，或在對電子元件區域W實施之處理狀態或處理誤差E之傾向超過一定範圍而改變之時間點，將與各處理裝置PR1~PR5對電子元件區域W實施之處理狀態或處理誤差E相關之資訊Si1~Si5形成於基板 P。因此，上位控制裝置14，可就每一電子元件區域W，輕易地管理以各處理裝置PR1~PR5實施之處理狀態或處理誤差E。因此，能使形成於每一電子元件區域W之圖案為期望之圖案。

又，由於基板P為片狀基板，因此在形成於基板P之元件形成區域W之電子元件用圖案為不良品之情形時，亦會有切斷基板P以除去基板P之一部分(不良品部分，例如不良品之元件形成區域W之部分)，並將剩餘之基板P加以接合成一片基板P的情形。此外，亦有在切斷除去之部分接續其他基板P以將基板P加以接合之情形。如以上所述，因切斷、接合基板P，電子元件區域W之順序會大幅變更，欲掌握對各電子元件區域W實施之實處理狀態將變得困難。例如，將電子元件區域W以1、2、3、4、5、6、7、...、之順序沿基板P之長條方向連接之基板P之第4個與第5個電子元件區域W切斷除去，並代之以電子元件區域W以a、b、c、d之順序沿基板P之長條方向連續之基板P加以接續時，接續後之基板P將成為電子元件區域W以1、2、3、a、b、c、d、6、7、...、之順序連接之一片基板P。此場合，雖然欲掌握對此基板P之各電子元件區域W實施之實處理狀態是困難的，但於上述第2實施形態中，將與各處理裝置PR1~PR5之處理狀態或處理誤差E相關之狀態形成於基板P，因此即使是在此種情形下，亦能輕易地掌握對各電子元件區域W實施之實處理狀態。

以上，根據本發明之第2實施態樣，由於係將複數個處理裝置PR1~PR5中、實處理狀態相對目標處理狀態產生處理誤差E之處理裝置PR將與處理誤差E相關之資訊形成在基板P上之既定位置，因此，特別是實施後步驟之處理裝置PR可節由讀取基板P上之資訊，判定於前步驟產生之處理誤差E是否可回復，在可回復之情形時，可導出該處理條件，以持續實施後步驟。因此，無須停止製造線即能持續製造電子元件。

又，本發明之第2實施態樣，並不一定限於3個不同處理裝置PR (處理部)排列於基板P之搬送方向(長條方向)的製造線，只要是排列對基板P依序進行處理之至少2個處理裝置PR(處理部)的話，即能實施。此場合，適用第2實施態樣之2個處理裝置PR(處理部)不一定須於基板P之搬送方向(長條方向)前後連續配置，可以是適用之2個處理裝置PR(處理部)之間配置至少另一個處理裝置PR(處理部)的構成。例如，在曝光處理後進行顯影處理情形時，不將通過曝光部之基板P立即送至顯影部，而是在將曝光後之光阻劑層施以較高溫度加熱之後烘(post-bake)處理後進行顯影之情形時，該後烘處理用之加熱裝置(加熱部)等即對應於該另一處理裝置PR。

〔第1及第2實施形態之變形例〕

上述第1及第2實施形態，可有如下之變形。

(變形例1)變形例1之構成，係將處理裝置PR3及處理裝置PR4作成1個處理單元PU2。也就是說，處理單元PU2係將從處理裝置PR2搬送而來之基板P一邊往搬送方向(+X方向)搬送、一邊進行曝光處理及顯影處理之處理步驟(第2處理步驟)的裝置。藉由此曝光處理，於感光性功能層形成對應圖案之潛像(改質部)，並藉由顯影處理使改質部或非改質部中之一方溶解加以去除，來於感光性功能層出現圖案。又，處理單元PU2可以是進行曝光處理及鍍敷處理之處理步驟的裝置，此場合，藉由鍍敷處理於改質部或非改質部中之一方析出鈀離子等之電子元件用材料(金屬)。

圖12係顯示處理單元PU2之構成的圖。針對與上述第1及第2實施形態相同之構成係賦予相同符號省略其說明，且針對在說明本變形例1時無特別需要之構成則省略其圖示。處理單元PU2，具備搬送部100、曝光頭36、處理槽BT、及乾燥部102。又，雖未圖示，處理單元PU2亦具有光源裝置32、光導入光學系34、強度感測器37、對準顯微鏡AM(AM1~AM3)、加熱器H1、H2、加熱器驅動部82、溫度感測器Ts、濃度感測器Cs、及攝影裝置83等。此外，處理單元PU2係受未圖示之下位控制裝置控制。第1蓄積裝置BF1設在處理裝置PR2與處理單元PU2之間，第2蓄積裝置BF2設在處理單元PU2與處理裝置PR5之間。

搬送部100，從基板P之搬送方向上游側(-X方向側)起，依序具有驅動滾輪NR10、張力調整滾輪RT10、旋轉筒DR2、導引滾輪R10、旋轉筒DR3、導引滾輪R12、張力調整滾輪RT12、及驅動滾輪NR12。驅動滾輪NR10，係藉由一邊夾持透過第1蓄積裝置BF1從處理裝置PR2送來之基板P之表背兩面、一邊旋轉，將基板P搬送向旋轉筒DR2。旋轉筒DR2係一邊順著外周面將基板P之一部分支承於長條方向、一邊以中心軸AX2為中心旋轉以將基板P搬送至導引滾輪R10。導引滾輪R10將從旋轉筒DR2送來之基板P導向旋轉筒DR3。

旋轉筒DR3具有延伸於Y方向之中心軸AX3、與從中心軸AX3起具一定半徑之圓筒狀圓周面，一邊順著外周面(圓周面)將基板P之一部分支承於長條方向、一邊以中心軸AX3為中心旋轉將基板P導向導引滾輪R12。旋轉筒DR3以下側(-Z方向側，亦即，重力作用方向之側)外周面之約一半周面支承基板P。導引滾輪R12將送來之基板P搬送向驅動滾輪NR12。驅動滾輪NR12藉由一邊夾持送來之基板P表背兩面、一邊旋轉，將基板P搬送至處理裝置PR5側。張力調整滾輪RT10、RT12係用以對在驅動滾輪NR10與驅動滾輪NR12之間搬送之基板P賦予既定張力。張力調整滾輪RT10被賦力向+Z方向，張力調整滾輪RT12被賦力向-Z方向。

驅動滾輪NR10、NR12、旋轉筒DR2、DR3係藉由旋轉扭矩而旋轉，此旋轉扭矩係來自被處理單元PU2之該下位控制裝置控制之旋轉驅動源(馬達即減速機等)。藉由此驅動滾輪NR10、NR12、旋轉筒DR2、DR3之旋轉速度規定處理單元PU2內之基板P之搬送速度。又，從設在驅動滾輪NR10、NR12、旋轉筒DR2、DR3之未圖示之編碼器送來之旋轉速度訊號(基板P之搬送速度資訊)，透過處理單元PU2之該下位控制裝置被送至上位控制裝置14。

旋轉筒DR3係以其圓周面之一部分可浸漬於貯留在處理槽BT中之顯影液之方式，設在處理槽BT之上方。因此，可將以旋轉筒DR3支承之基板P浸漬於顯影液中。又，旋轉筒DR3(或處理槽BT)可往Z方向移動，當旋轉筒DR3往+Z方向移動(或處理槽BT往-Z方向移動)時，旋轉筒DR3之圓周面浸漬於貯留在處理槽BT中之顯影液之面積即減少，當旋轉筒DR3往-Z方向移動(或處理槽BT往+Z方向移動)時，旋轉筒DR3之圓周面浸漬於貯留在處理槽BT中之顯影液之面積即增加。如此，可藉由旋轉筒DR3(或處理槽BT)往Z方向之移動，改變基板P浸漬於顯影液之時間(浸漬時間)。於此旋轉筒DR3(或處理槽BT)，雖未圖示，但設有調整旋轉筒DR3與處理槽BT於Z方向之間隔(旋轉筒DR3之中心軸AX3與處理槽BT內之顯影液表面之間隔)的驅動機構，該驅動機構受處理單元PU2之該下位控制裝置之控制進行驅動。導引滾輪R12設於乾燥部102，乾燥部102係用以除去從旋轉筒DR3透過導引滾輪R12被搬送至張力調整滾輪RT12之基板P上附著之顯影液。

又，在感光性功能層係感光性矽烷偶合劑或感光性還元劑之情形時，於處理單元PU2之處理槽BT中，取代顯影液，係貯留有例如包含鈀離子等之電子元件用材料(金屬)的鍍敷液。也就是說，此場合，處理單元PU2係進行曝光處理與鍍敷處理的裝置。藉由將基板P浸漬於鍍敷液，即反應形成在感光性功能層之潛像(改質部)而析出電子元件用材料，於基板P形成圖案。正型之情形時，被紫外線照射之部分受到改質，於未被紫外線照射之非改質部析出電子元件用材料。負型之情形時，被紫外線照射之部分受到改質，於改質部析出電子元件用材料。據此，於基板P出現金屬層(導電性)之圖案。此處，亦可藉由調整旋轉筒DR3與處理槽BT於Z方向之間隔、或調整處理槽BT內之鍍敷液之量(液面高度)，以調整基板P於鍍敷液之浸漬時間、調整於基板P之表面析出之鈀金屬核之濃度。

處理單元PU2依據設定條件(第2設定條件)進行曝光處理與顯影處理(或鍍敷處理)。作為處理單元PU2之設定條件，設定有包含規定雷射光LB強度的強度條件、規定點光SP之掃描速度(多面鏡66之旋轉速度)的掃描速度條件、規定多重曝光次數的曝光次數條件、規定描繪之圖案的圖案條件(圖案資料)、規定顯影液(或鍍敷液)之溫度的溫度條件、規定顯影液(或鍍敷液)之濃度的濃度條件、及規定浸漬時間的浸漬時間條件等之處理條件(第2處理條件)、與基板P之搬送速度條件。曝光處理依據強度條件、掃描速度條件、曝光回數條件、及圖案條件等進行。顯影處理(或鍍敷處理)依據溫度條件、濃度條件、浸漬時間條件等進行。此設定條件，係預先設定成以處理單元PU2實施之實處理狀態可成為目標處理狀態。

關於設定條件之變更，因已於上述第1實施形態加以說明故不再詳細說明，但上位控制裝置14在處理裝置PR1、PR2、PR5、及處理單元PU2之各個中對基板P實施之實處理狀態之至少1者，相對目標處理狀態超過容許範圍而呈現處理誤差E之情形時，係使產生處理誤差E之處理裝置PR或處理單元PU2以外之其他裝置之設定條件，視處理誤差E而變化。其理由，當然是因為在處理裝置PR1、PR2、PR5、及處理單元PU2依據設定條件對基板P實施之實處理之狀態中任一者相對目標處理狀態超過容許範圍而具有處理誤差E之情形時，無法於基板P出現期望之金屬層圖案之故。

呈現處理誤差E之設定條件係處理單元PU2之設定條件時，首先，係變更處理單元PU2之設定條件以避免產生處理誤差E、或將處理誤差E抑制在容許範圍內。若僅變更處理單元PU2之設定條件已無法因應之情形時，即進一步變更其他處理裝置PR(PR2、PR5)之設定條件，以避免產生處理誤差E、或將處理誤差E抑制在容許範圍內。此時，在其他處理裝置PR之設定條件變更結束後，至少使處理單元PU2之搬送速度條件回復原狀。又，在呈現處理誤差E之設定條件係處理單元PU2以外之處理裝置PR時，優先的變更處理單元PU2之設定條件，以避免產生處理誤差E、或將處理誤差E抑制在容許範圍內。與處理單元PU2對基板P實施之實處理之狀態或處理誤差E相關之資訊，以未圖示之資訊形成裝置ST形成於基板P。又，此資訊以資訊讀取部MT5加以讀取。此外，雖係將第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2設置在處理單元PU2之前後，但亦可設置在其他處理裝置PR之前後。

又，如圖12所示，若係將曝光處理部(旋轉筒DR2、曝光頭36等)與濕式處理部(旋轉筒DR3、處理槽BT等)一體設置之處理單元PU2時，在處理單元PU2內之片狀基板P之搬送速度一定，無法在曝光處理部與濕式處理部使片狀基板P之搬送速度暫時不同。因此，欲使片狀基板P之搬送速度暫時不同之情形時，係於導引滾輪R10之位置，設置如圖3所示之蓄積裝置BF1、BF2。也就是說，於處理單元PU2之前後設置第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2，並在旋轉筒DR2與旋轉筒DR3之間設置1個與第1蓄積裝置BF1(第2蓄積裝置BF2)具有相同構成之蓄積裝置。又，亦可將第1蓄積裝置BF1設在處理裝置PR2與旋轉筒DR2之間，將第2蓄積裝置BF2設在旋轉筒DR2與旋轉筒DR3之間。此外，亦可將第1蓄積裝置BF1設在旋轉筒DR2與旋轉筒DR3之間，將第2蓄積裝置BF2設在旋轉筒DR3與處理裝置PR5之間。

(變形例2)變形例2之構成，係將處理裝置PR2及處理裝置PR3作成1個處理單元PU1。也就是說，處理單元PU1係一邊將從處理裝置PR1搬送而來之基板P往搬送方向(+X方向)搬送、一邊進行成膜處理及曝光處理之處理步驟(第1處理步驟)的裝置。藉由此成膜處理，於基板P表面選擇性的或一樣的塗布感光性功能液，據以在基板P表面選擇性的或一樣的形成感光性功能層，並藉由曝光處理於感光性功能層形成對應圖案之潛像(改質部)。

圖13係顯示處理單元PU1之構成的圖。針對與上述第1及第2實施形態相同構成係賦予相同符號省略其說明，且針對在說明本變形例2時無特別需要之構成則省略其圖示。處理單元PU1，具備搬送部110、模具塗布機頭DCH、噴墨頭IJH、乾燥裝置112、及曝光頭36。又，雖未圖示，處理單元PU1亦具有光源裝置32、光導入光學系34、強度感測器37、對準顯微鏡AM(AM1~AM3)、膜厚測量裝置16a等。處理單元PU1受未圖示之下位控制裝置控制。第1蓄積裝置BF1設在處理裝置PR1與處理單元PU1之間，第2蓄積裝置BF2設在處理單元PU1與處理裝置PR4之間。

搬送部110，從基板P之搬送方向上游側(-X方向側)起，依序具有驅動滾輪NR14、張力調整滾輪RT14、旋轉筒DR1、導引滾輪R14、R16、張力調整滾輪RT16、旋轉筒DR2、導引滾輪R18、及驅動滾輪NR16。驅動滾輪NR14藉由一邊夾持透過第1蓄積裝置BF1從處理裝置PR1送萊之基板P之表背兩面、一邊旋轉，將基板P搬送向旋轉筒DR1。旋轉筒DR1，一邊順著外周面(圓周面)將基板P之一部分支承於長條方向、一邊以中心軸AX1為中心旋轉，將基板P往+X方向側搬送。導引滾輪R14、R16將從旋轉筒DR1送來之基板P搬送至旋轉筒DR2。

旋轉筒DR2，一邊順著外周面將基板P之一部分支承於長條方向、一邊以中心軸AX2為中心旋轉，將基板P搬送至導引滾輪R18。導引滾輪R18將從旋轉筒DR2送來之基板P搬送至驅動滾輪NR16。驅動滾輪NR16，藉由一邊夾持送來之基板P之表背兩面、一邊旋轉，將基板P往處理裝置PR4側搬送。張力調整滾輪RT14、RT16係對在驅動滾輪NR14與驅動滾輪NR16之間搬送之基板P賦予既定張力者。張力調整滾輪RT14、RT16被賦力向-Z方向。

驅動滾輪NR14、NR16、旋轉筒DR1、DR2係藉由被賦予旋轉扭矩而旋轉，此旋轉扭矩來自受處理單元PU1之該下位控制裝置控制之旋轉驅動源(馬達及減速機等)。以此驅動滾輪NR14、NR16、旋轉筒DR1、DR2之旋轉速度規定處理單元PU1內之基板P之搬送速度。又，從設在驅動滾輪NR14、NR16、旋轉筒DR1、DR2之未圖示之編碼器送來之旋轉速度訊號(基板P之搬送速度資訊)，透過處理單元PU1之該下位控制裝置被送至上位控制裝置14。

導引滾輪R14設在乾燥裝置112，乾燥裝置112對從旋轉筒DR1透過導引滾輪R14搬送至導引滾輪R16之基板P噴吹熱風或乾空氣等之乾燥用空氣，以除去感光性功能液中所含之溶質(溶劑或水)以使感光性功能液乾燥。據此，即形成感光性功能層。

處理單元PU1依據設定條件(第1設定條件)進行成膜處理與曝光處理。作為處理單元PU1之設定條件，設定有包含用以規定形成感光性功能層之區域的區域條件、規定感光性功能層之膜厚的膜厚條件、規定雷射光LB之強度的強度條件、規定點光SP之掃描速度(多面鏡66之旋轉速度)的掃描速度條件、規定多重曝光次數的曝光次數條件、及規定描繪之圖案的圖案條件(圖案資料)等之處理條件(第1處理條件)、與基板P之搬送速度條件。成膜處理係依據區域條件及膜厚條件等進行。曝光處理依據強度條件、掃描速度條件、曝光回數條件、及圖案條件等進行。此設定條件，係預先設定成以處理單元PU1實施之實處理狀態可成為目標處理狀態。

關於設定條件之變更，由於已在上述第1實施形態中說明故不再詳細說明，但上位控制裝置14在處理裝置PR1、PR4、PR5、及處理單元PU1之各個中對基板P實施之實處理之狀態之至少1者，相對目標之處理狀態超過容許範圍呈現處理誤差E之情形時，係使產生處理誤差E之處理裝置PR或處理單元PU1以外之其他裝置之設定條件，視處理誤差E變化。其理由，當然是因為在處理裝置PR1、PR2、PR5、及處理單元PU1依據設定條件對基板P實施之實處理之狀態中任一者相對目標處理狀態超過容許範圍而具有處理誤差E之情形時，無法於基板P出現期望之金屬層圖案之故。

呈現處理誤差E之設定條件係處理單元PU1之設定條件時，首先，變更處理單元PU1之設定條件，以避免產生處理誤差E或將處理誤差E抑制在容許範圍內。在僅變更處理單元PU1之設定條件無法因應之情形時，即進一步變更其他處理裝置PR(PR4、PR5)之設定條件，以避免產生處理誤差E或將處理誤差E抑制在容許範圍內。此時，在其他處理裝置PR之設定條件之變更結束後，至少使處理單元PU1之搬送速度條件回到原狀。又，呈現處理誤差E之設定條件係處理單元PU1以外之處理裝置PR時，優先的變更處理單元PU1之設定條件，以避免產生處理誤差E或將處理誤差E抑制在容許範圍內。關於以處理單元PU1對基板P實施之實處理之狀態或處理誤差E相關之資訊，係以未圖示之資訊形成裝置ST形成於基板P。又，此資訊係以資訊讀取部MT4加以讀取。此外，雖係將第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2設置在處理單元PU1之前後，但亦可設置在其他處理裝置PR之前後。

以上之變形例2中，如圖13所示，由於係作成將塗布處理部(旋轉筒DR1、模具塗布機頭DCH、噴墨頭IJH等)、乾燥處理部(乾燥裝置112等)、曝光處理部(旋轉筒DR2、曝光頭36等)一體設置之處理單元PU1，因此在處理單元PU1內之基板P之搬送速度，任何地方皆同。然而，於塗布處理部、乾燥處理部、曝光處理部之各個，使基板P之搬送速度暫時不同之情形時，例如係在乾燥處理部(乾燥裝置112等)之位置，設置如圖3所示之蓄積裝置BF1、BF2。也就是說，在處理單元PU1之前後設置第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2，並在旋轉筒DR1與旋轉筒DR2之間設置一具有與第1蓄積裝置BF1(第2蓄積裝置BF2)相同構成之蓄積裝置。此外，亦可將第1蓄積裝置BF1設在旋轉筒DR1與旋轉筒DR2之間，將第2蓄積裝置BF2設在旋轉筒DR2與處理裝置PR4之間。又，亦可將第1蓄積裝置BF1設在處理裝置PR1與旋轉筒DR1之間，將第2蓄積裝置BF2設在旋轉筒DR1與旋轉筒DR2之間。