JPH01270338A - モールド封止半導体装置 - Google Patents

モールド封止半導体装置

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JPH01270338A
JPH01270338A JP10051488A JP10051488A JPH01270338A JP H01270338 A JPH01270338 A JP H01270338A JP 10051488 A JP10051488 A JP 10051488A JP 10051488 A JP10051488 A JP 10051488A JP H01270338 A JPH01270338 A JP H01270338A
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JP
Japan
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lead
semiconductor element
mold resin
mold
tip
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Application number
JP10051488A
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English (en)
Inventor
Masanobu Obara
小原　雅信
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2224/4912—Layout
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はモールド封止半導体装置に関するものであり
、特に、信頼性と耐湿性を高めたモールド封止半導体装
置に関するものである。
［従来の技術］ 従来のモールド封止半導体装置は、以下のようにして作
られる。まず、リン青銅、鉄−Ｎｉ等の金属箔を所定の
形状に打ち抜いたもの（以下、リードフレームという。
）を準備する。次いで、リードフレームの一部に半導体
素子の裏面を機械的にかつ電気的に固着する。それから
、半導体素子の電極部分と、リードフレームのリード部
分先端部をＡｆＬ、Ａｕ等の金属細線や細条を用いて電
気的に接続する。そして、半導体素子、金属細線、リー
ドフレームのリード部分の一部を、外気から保護するた
め、エポキシ樹脂等で形成されるモールド樹脂内に埋込
む。以上のようにして作られたモールド封止半導体装置
の斜視図を第４図に示す。
図中、斜線で示した部分がリードフレーム１であり、金
属箔を所定の形状に打ち抜いたものである。リードフレ
ーム１は、ダイボンドパッド部１ａと複数個のリード部
１ｂに区分されている。ダイボンドパッド部１ａには、
半導体素子２が機械的にかつ電気的に固着されている。
半導体素子２には複数個の電極パッド２ａが配設され、
これらの電極パッド２ａとリード部１ｂのリード部先端
部１１ｂがＡＩ、Ａｕ等の金属細線３で電気的に接続さ
れている。半導体素子２と金属細線３とリード部先端部
１１ｂが、エポキシ樹脂等で形成されるモールド樹脂４
内に埋込まれ、外気から保護されている。リード部１ｂ
の他端は、モールド樹脂４の外部にはみ出して延び、半
導体装置の外部電極リード１０１ｂとなっている。
［発明が解決しようとする課題］ 第５図は従来のリードフレームのリード先端部を図示し
たものである。図より明らかなように、それぞれのリー
ド部のリード部先端部１１ｂの先端エツジ１１１ｂは中
央のダイボンドパッド１ａと対向している。リードフレ
ーム１は金属箔をエツチングあるいはパンチングするこ
とにより形成するが、半導体素子より大きな寸法のダイ
ボンドパッド１ａを形成する必要がある場合には、上述
のごとくリード部先端部１１ｂとダイボンドパッド部１
ａが互いに対向するような形状に選ばれる。
次に、ダイボンドパッド部１ａに半導体素子をのときの
状態を第６図に示す。
さて、第６図を参照して、従来のモールド封止半導体装
置の問題点であるが、最近のダイナミックＲＡＭデバイ
ス等をはじめとし、半導体素子の大型化にもかかわらず
、モールド外径をできるだけ小さくする要求から、モー
ルド樹脂４中に埋込まれるリード部先端部１１ｂの寸法
Ａは、小さくせざるを得ない。
しかしながら、リード部先端部１１ｂの寸法Ａを小さく
すると、リード外部電極部１０１ｂを曲げたとき、リー
ド部１ｂに力が加わって、リード部先端部１１ｂとモー
ルド樹脂４との密着性が低下し、ひいては半導体装置の
信頼性低下をもたらす。また、リード部先端部１１ｂの
寸法Ａが短いため、モールド樹脂４とリード部１ｂとの
境界から浸入する水（大気中の水分）の浸入距離が短く
なり、半導体装置の耐湿性が低下するという問題点があ
った。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たものであり、信頼性を向上させ、かつ耐湿性を向上さ
せたモールド封止半導体装置を提供することを目的とす
る。
［課題を解決するための手段］ この発明に係るモールド封止半導体装置は、リード部と
、半導体素子と、上記リード部と上記半導体素子とを電
気的に接続する金属線と、を備え、上記リード部の一部
と上記半導体素子と上記金属線とをモールド樹脂内に埋
込んでなるものである。
そして、上述の問題点を解決するために、リード部の埋
込部分が、上記半導体素子の上部または下部領域を横切
るように曲がって長く延びて、上記樹脂モールド内に埋
込まれていることを特徴とする。
［作用］ リード部の埋込部分（リード部先端部）が、上記半導体
素子の上部または下部領域を横切るように曲がって長（
延びて、モールド樹脂内に埋込まれるように構成されて
いる。それゆえ、モールド外径を小さくしても、リード
部先端部の寸法は大きくとれる。また、リード部先端部
の寸法が長くなるため、リード部先端部とモールド樹脂
との密着性が強くなる。さらに、リード部先端部の寸法
が大きいので、リード部に沿って浸入する水の浸入経路
も長くなり、耐湿性が向上する。
［実施例］ 以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例のモールド封止半導体装置に
採用されるリードフレームのモールド樹脂埋込部の平面
図である。図において、１はリードフレームであり、１
ｂはリード部である。第１図を参照して、リード部先端
部１１ｂの少なくとも一部は、半導体素子の搭載される
べき領域６の一方の辺から、該領域６内に入り、該領域
６を横切り、上記一方の辺と直交する他方の辺より抜け
て、領域６の外側にまで延びている。なお、図示のよう
に、従来と同じ形状のリード部先端部１１ｂ′を設けて
もよいことは言うまでもない。
第２図は、上記のような構成のリードフレームに半導体
素子を搭載し、その後モールド樹脂封止をしたときの状
態図である。図中、２は半導体素子である。半導体素子
２には複数個の電極バッド２ａ（図では、便宜上、一箇
所だけに参照符号を付し、他は省略する。）が配設され
ている。これらの電極バッド２ａとリード部先端部１１
ｂがＡｉ、Ａｕ等の金属細線３で、それぞれ電気的接続
されている。半導体素子２と金属細線３とリード部先端
部１１ｂは、エポキシ樹脂等で形成されるモールド樹脂
４に埋込まれて、保護されている。
リード部の他端は、モールド樹脂４の外部にはみ出して
延び、半導体装置の外部電極リード１０１ｂとなってい
る。
上述のように、実施例では、リード部先端部１１ｂが、
半導体素子の上部または下部領域を横切るように曲がっ
て長く延びて、モールド樹脂４内に埋込まれている。そ
れゆえ、モールド外径を小さくしても、リード部先端部
１１ｂの寸法Ａを大きくとれる。また、リード部先端部
の寸法Ａが長いため、リード部先端部１１ｂとモールド
樹脂４との密着性が強くなる。さらに、リード部先端部
て浸入する水（大気中の水）の浸入経路も長くなり、耐
湿性が向上する。
第３図は、この発明の他の実施例を示す図である。ダイ
ボンドバッド１ａが半導体素子より小さく形成されてい
ることが特徴である。他の構成は、上記実施例と同じで
あり、上記実施例と同様の効果を実現する。
なお、上記実施例では、リード部先端部（埋込部）１１
ｂの一部が、半導体素子の上部または下部領域を横切っ
て曲がって長く延びて形成された場合について説明した
が、この発明はこれに限られるものでなく、すべてのリ
ード部先端部１１ｂをそのように構成してもよい。
以上、具体的な実施例を挙げてこの発明のモールド封止
半導体装置について説明したが、本発明は、その精神ま
たは主要な特徴から逸脱することなく、他の色々な形で
実施することができる。それゆえ、前述の実施例はあら
ゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはなら
ない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示すも
のであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに
、本発明の均等範囲に属する変形や変更は、すべて本発
明の範囲内のものである。
［発明の効果コ 以上説明したように、この発明によれば、リード部の埋
込部分の少なくとも一部が、半導体素子の上部または下
部領域を横切るように曲がって長く延びて、樹脂モール
ド内に埋込まれているので、リード部先端部のモールド
樹脂埋込部分が長くなり、リード部先端部とモールド樹
脂との密着性が高められる。また、リード部先端部のモ
ールド樹脂埋込部分が長いので、リード部に沿って浸入
する水の浸入経路も長くなり、耐湿性が向上するという
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例に採用されるリードフレー
ムのリード部先端部を示した図である。 第２図は、本発明の一実施例のモールド封止半導体装置
の図である。第３図はこの発明の他の実施例に採用され
るリードフレームのリード部先端部を示した図である。 第４図は従来のモールド封止半導体装置の斜視図である
。第５図は、従来のモールド封止半導体装置に採用され
るリードフレームのリード部先端部を示した図である。 第６図は、従来のリードフレームに半導体素子を搭載し
、電気的接続したときの図である。 図において、２は半導体素子、３は金属細線、４はモー
ルド樹脂、１ｂはリード部、１１ｂはリード部先端部で
ある。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 　リード部と、半導体素子と、前記リード部と前記半導
    体素子とを電気的かつ機械的に接続する金属線とを備え
    、前記リード部の一部と前記半導体素子と前記金属線と
    をモールド樹脂内に埋込んでなるモールド封止半導体装
    置において、 前記リード部の埋込部分の少なくとも一部が、前記半導
    体素子の上部または下部領域を横切るように曲がって長
    く延びて、前記モールド樹脂内に埋込まれていることを
    特徴とするモールド封止半導体装置。
JP10051488A 1988-04-22 1988-04-22 モールド封止半導体装置 Pending JPH01270338A (ja)

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JP10051488A JPH01270338A (ja) 1988-04-22 1988-04-22 モールド封止半導体装置
US07/273,557 US4937656A (en) 1988-04-22 1988-11-21 Semiconductor device
DE3913221A DE3913221C2 (de) 1988-04-22 1989-04-21 Halbleiteranordnung mit Leiterrahmen und Formharzgehäuse

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JP10051488A JPH01270338A (ja) 1988-04-22 1988-04-22 モールド封止半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5126821A (en) * 1985-03-25 1992-06-30 Hitachi, Ltd. Semiconductor device having inner leads extending over a surface of a semiconductor pellet
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