JPH01269294A - メモリリフレッシュ制御方式 - Google Patents
メモリリフレッシュ制御方式Info
- Publication number
- JPH01269294A JPH01269294A JP63097890A JP9789088A JPH01269294A JP H01269294 A JPH01269294 A JP H01269294A JP 63097890 A JP63097890 A JP 63097890A JP 9789088 A JP9789088 A JP 9789088A JP H01269294 A JPH01269294 A JP H01269294A
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- JP
- Japan
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- refresh
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- processor
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- main memory
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- Pending
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000010365 information processing Effects 0.000 claims description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Dram (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はメモリリフレッシュ制御方式に関し、特に情報
処理装置における主記憶のダイナミック型ランダムアク
セスメモリのリフレッシュ制御方式に関する。
処理装置における主記憶のダイナミック型ランダムアク
セスメモリのリフレッシュ制御方式に関する。
従】す1街
従来のこの種のダイナミック型ランダムアクセスメモリ
のリフレッシュ制御方式を図面を用いて説明する。第2
図に示すのが、典型的なダイナミック型256kbit
x 1 bit 1m成のランダムアクセスメモリチ
ップの外観図であり、第3図が当該メモリチップのピン
の名称と機能とを夫々対応して示すものである0例えば
、物理ピン番号1はピン名称へ8であり、これは9ビツ
トからなるアドレスのうちの1ビツトの入力ピンである
。
のリフレッシュ制御方式を図面を用いて説明する。第2
図に示すのが、典型的なダイナミック型256kbit
x 1 bit 1m成のランダムアクセスメモリチ
ップの外観図であり、第3図が当該メモリチップのピン
の名称と機能とを夫々対応して示すものである0例えば
、物理ピン番号1はピン名称へ8であり、これは9ビツ
トからなるアドレスのうちの1ビツトの入力ピンである
。
このメモリはRAS 、 CAS 、 WEの3つの制
御入力ピンを持っており、この3つの制御ピンの組合せ
によって4つの動作モードすなわち、ライトモード、リ
ードモード、リフレッシュモード、スタンバイモードを
選択するようになっている。この様子を第4図に示す。
御入力ピンを持っており、この3つの制御ピンの組合せ
によって4つの動作モードすなわち、ライトモード、リ
ードモード、リフレッシュモード、スタンバイモードを
選択するようになっている。この様子を第4図に示す。
また、このメモリは256kbit x 1 bitの
構成であってアドレスが18ビツト必要であるが、アド
レスだけで18ピンも必要となり、チップサイズを大き
くしてしまう、そこで、このアドレスを2分割して上位
9ビツト(カラムアドレスと称する)と下位9ビツト(
ロウアドレスと称する)とし、それぞれCAS 、 R
AS信号が“0″レベルになったときに内部にそのアド
レスを取込むようになっている。
構成であってアドレスが18ビツト必要であるが、アド
レスだけで18ピンも必要となり、チップサイズを大き
くしてしまう、そこで、このアドレスを2分割して上位
9ビツト(カラムアドレスと称する)と下位9ビツト(
ロウアドレスと称する)とし、それぞれCAS 、 R
AS信号が“0″レベルになったときに内部にそのアド
レスを取込むようになっている。
第5図にメモリチップのアドレスピンと内部アドレスの
関係を示す、第5図において20〜2+7はアドレスの
重みづけであり、2°〜28がロウアドレス、29〜2
17がカラムアドレスとなっている。また21〜28は
リフレッシュアドレスと称しており、このうちのあるひ
とつのアドレスが一度アクセスされた後、すなわちリー
ドサイクルかライトサイクルか、リフレッシュサイクル
かのいずれかになった後、4ミリ秒以内に再びアクセス
されれば、そのアドレスがリフレッシュされる。
関係を示す、第5図において20〜2+7はアドレスの
重みづけであり、2°〜28がロウアドレス、29〜2
17がカラムアドレスとなっている。また21〜28は
リフレッシュアドレスと称しており、このうちのあるひ
とつのアドレスが一度アクセスされた後、すなわちリー
ドサイクルかライトサイクルか、リフレッシュサイクル
かのいずれかになった後、4ミリ秒以内に再びアクセス
されれば、そのアドレスがリフレッシュされる。
これをこのリフレッシュアドレスすべてに対して行うこ
とにより、このメモリのすべての記憶素子がリフレッシ
ュされる。従って、4ミリ秒÷28=16マイクロ秒ご
とにリフレッシュアドレスを1ずつ増加させ、かつリフ
レッシュサイクルでメモリを動作させればプロセッサか
ら読出しかまたは書込み指示がなくても主記憶装置はそ
の記憶内容を保持し続けることになる。
とにより、このメモリのすべての記憶素子がリフレッシ
ュされる。従って、4ミリ秒÷28=16マイクロ秒ご
とにリフレッシュアドレスを1ずつ増加させ、かつリフ
レッシュサイクルでメモリを動作させればプロセッサか
ら読出しかまたは書込み指示がなくても主記憶装置はそ
の記憶内容を保持し続けることになる。
第6図にはこのメモリの4つの動作モード時の各入出力
端子のタイムチャートを示す1例えば、メモリから記憶
されているデータを読出す場合、RAS=0としてAO
〜A8にロウアドレスを入力し、次にCAS=Oとして
AO〜八8へカラムアドレスを入力すればD OUT端
子に該当するアドレスのデータが現れる。
端子のタイムチャートを示す1例えば、メモリから記憶
されているデータを読出す場合、RAS=0としてAO
〜A8にロウアドレスを入力し、次にCAS=Oとして
AO〜八8へカラムアドレスを入力すればD OUT端
子に該当するアドレスのデータが現れる。
プロセッサが主記憶をアクセスする場合、基本的には第
7図のようなREAD]RITE指示信号のインタフェ
ースであるのが普通である6例えば主記憶からデータを
読出すときは、アドレス線に読出したいデータのアドレ
スを出力し、READ信号を出すことによって、主記憶
はリードデータ信号線に読出されたデータを出力し、プ
ロセッサはこれを内部に取込む、これらの条件を満たす
ダイナミック型ランダムアクセスメモリを主記憶とする
情報処理装置の例を第8図に示す。
7図のようなREAD]RITE指示信号のインタフェ
ースであるのが普通である6例えば主記憶からデータを
読出すときは、アドレス線に読出したいデータのアドレ
スを出力し、READ信号を出すことによって、主記憶
はリードデータ信号線に読出されたデータを出力し、プ
ロセッサはこれを内部に取込む、これらの条件を満たす
ダイナミック型ランダムアクセスメモリを主記憶とする
情報処理装置の例を第8図に示す。
この情報処理装置はダイナミック型ランダムアクセスメ
モリを主記憶9とし、その主記憶9に格納された命令語
によって、同じく主記憶9に格納されたデータの処理を
行なうプロセッサ8と、このプロセッサ8から出された
読出しまたは書込み指示信号から、主記憶9のリード/
ライト/リフレッシュサイクルのタイミングを発生する
メモリコントローラ10とからなっている。
モリを主記憶9とし、その主記憶9に格納された命令語
によって、同じく主記憶9に格納されたデータの処理を
行なうプロセッサ8と、このプロセッサ8から出された
読出しまたは書込み指示信号から、主記憶9のリード/
ライト/リフレッシュサイクルのタイミングを発生する
メモリコントローラ10とからなっている。
この装置の動作を簡単に説明すると、プロセッサ8が主
記憶9からデータを読出したい場合、18ビツトのアド
レスレジスタ11に主記憶9のアドレスをセットし、R
EAD信号を出力する。これに応答してメモリコントロ
ーラ10はまずアドレスレジスタ11のアドレスのうち
ロウアドレス部9ビットをアドレスマルチプレクサ14
、ロウアドレスセレクタ16を選択して主記憶9のAO
〜A8に出力し、タイミング発生回路13により預=0
とする。
記憶9からデータを読出したい場合、18ビツトのアド
レスレジスタ11に主記憶9のアドレスをセットし、R
EAD信号を出力する。これに応答してメモリコントロ
ーラ10はまずアドレスレジスタ11のアドレスのうち
ロウアドレス部9ビットをアドレスマルチプレクサ14
、ロウアドレスセレクタ16を選択して主記憶9のAO
〜A8に出力し、タイミング発生回路13により預=0
とする。
次に、アドレスレジスタ11のアドレスのうちカラムア
ドレス部9ビットを同じようにアドレスマルチプレクサ
14、ロウアドレスセレクタ16を選択して主記憶のA
O〜A8に出力し、タイミング発生口N13によりCA
S=Oとする。すると、主記憶9は第6図に示すリード
サイクルであるなめ、該当するアドレスのデータをD
OUT端子に出力し、プロセッサ8はこのデータを取込
む。
ドレス部9ビットを同じようにアドレスマルチプレクサ
14、ロウアドレスセレクタ16を選択して主記憶のA
O〜A8に出力し、タイミング発生口N13によりCA
S=Oとする。すると、主記憶9は第6図に示すリード
サイクルであるなめ、該当するアドレスのデータをD
OUT端子に出力し、プロセッサ8はこのデータを取込
む。
また、このメモリコントローラ10は16マイクロ秒の
パルス発生器12を内蔵しており、16マイクロ秒毎に
主記憶9がリフレッシュサイクルになるように制御して
いる。これは、16マイクロ秒毎に1加算される8ビツ
トのりフレッシュカウンタ15の出力がAO〜A7に入
力されるように、ロウアドレスセレクタ16を選択し、
タイミング発生回路13によりRAS=Oとすることに
より行っている。
パルス発生器12を内蔵しており、16マイクロ秒毎に
主記憶9がリフレッシュサイクルになるように制御して
いる。これは、16マイクロ秒毎に1加算される8ビツ
トのりフレッシュカウンタ15の出力がAO〜A7に入
力されるように、ロウアドレスセレクタ16を選択し、
タイミング発生回路13によりRAS=Oとすることに
より行っている。
この際に問題となるのは、プロセッサ8がREAD信号
または14RITE信号を出力しかつメモリコントロー
ラ10が主記憶9に対してリフレッシュサイクルを実行
するように制御する場合には、通常はタイミング発生回
路13からプロセッサを持たせる]1^[■信号を出力
してリフレッシュサイクルとプロセッサの主記憶の動作
要求との競合をプロセッサのREADまたは讐旧TE要
求を遅らせることによって回避するようになっている。
または14RITE信号を出力しかつメモリコントロー
ラ10が主記憶9に対してリフレッシュサイクルを実行
するように制御する場合には、通常はタイミング発生回
路13からプロセッサを持たせる]1^[■信号を出力
してリフレッシュサイクルとプロセッサの主記憶の動作
要求との競合をプロセッサのREADまたは讐旧TE要
求を遅らせることによって回避するようになっている。
すなわち、11^[■信号がメモリコントローラ10か
ら出されると、プロセッサ8は動作を停止し、リフレッ
シュサイクルが終わるとHALT信号が出なくなり、再
びプロセッサ8はREAD信号を出力し、今度はメモリ
コントローラ10は要求を受付けて主記憶9はリードサ
イクルに入る。この様子を第9図に示す。
ら出されると、プロセッサ8は動作を停止し、リフレッ
シュサイクルが終わるとHALT信号が出なくなり、再
びプロセッサ8はREAD信号を出力し、今度はメモリ
コントローラ10は要求を受付けて主記憶9はリードサ
イクルに入る。この様子を第9図に示す。
このように、第8図のような従来の情報処理装置では、
一定周期でリフレッシュサイクルを動作させるために、
一定周期のパルス発生器12と、リフレッシュアドレス
を発生するリフレッシュカウンタ15と、プロセッサか
らのアドレスとリフレッシュカウンタ15とを選択して
出力するセレクタ16と、リフレッシュサイクルとプロ
セッサからのREAD/14RTTE要求とが競合した
時にプロセッサを停止状態にさせる回路とを内蔵してい
る。
一定周期でリフレッシュサイクルを動作させるために、
一定周期のパルス発生器12と、リフレッシュアドレス
を発生するリフレッシュカウンタ15と、プロセッサか
らのアドレスとリフレッシュカウンタ15とを選択して
出力するセレクタ16と、リフレッシュサイクルとプロ
セッサからのREAD/14RTTE要求とが競合した
時にプロセッサを停止状態にさせる回路とを内蔵してい
る。
上述した従来のダイナミック型ランダムアクセスメモリ
のリフレッシュ制御方式は、一定周期毎に主記憶をリフ
レッシュサイクルで動作させ、しかもその際プロセッサ
から主記憶への動作要求があると、プロセッサを停止状
態にさせるというハードウェアが必要である。すなわち
、リフレッシュアドレスを発生させるリフレッシュカウ
ンタと、リフレッシュカウンタとプロセッサとからのア
ドレスを選択するセレクタと、リフレッシュサイクルと
プロセッサからのREAD/WRITE要求が競合した
時にプロセッサを停止状態にさせる回路とが必要である
という欠点がある。
のリフレッシュ制御方式は、一定周期毎に主記憶をリフ
レッシュサイクルで動作させ、しかもその際プロセッサ
から主記憶への動作要求があると、プロセッサを停止状
態にさせるというハードウェアが必要である。すなわち
、リフレッシュアドレスを発生させるリフレッシュカウ
ンタと、リフレッシュカウンタとプロセッサとからのア
ドレスを選択するセレクタと、リフレッシュサイクルと
プロセッサからのREAD/WRITE要求が競合した
時にプロセッサを停止状態にさせる回路とが必要である
という欠点がある。
九匪二旦貝
本発明は従来必要であったハードウェアをなくすことが
可能なメモリリフレッシュ制御方式を提供することを目
的としている。
可能なメモリリフレッシュ制御方式を提供することを目
的としている。
1匪ム且虞
本発明によれば、ダイナミック型のランダムアクセスメ
モリからなる主記憶に格納されている命令を読出してデ
ータ処理を行う情報処理装置におけるメモリリフレッシ
ュ制御方式であって、前記主記憶のリフレッシュを実行
するリフレッシュ命令をこの主記憶に予め格納しておき
、割込み動作により前記リフレッシュ命令を読出してリ
フレッシュ動作を行うようにしたことを特徴とするメモ
リリフレッシュ制御方式が得られる。
モリからなる主記憶に格納されている命令を読出してデ
ータ処理を行う情報処理装置におけるメモリリフレッシ
ュ制御方式であって、前記主記憶のリフレッシュを実行
するリフレッシュ命令をこの主記憶に予め格納しておき
、割込み動作により前記リフレッシュ命令を読出してリ
フレッシュ動作を行うようにしたことを特徴とするメモ
リリフレッシュ制御方式が得られる。
聚腹週
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
主記憶2は第2図に示す256 kbitx 1 bi
t構成のダイナミック型ランダムアクセスメモリを並列
に16個並べて256kbit x 16 bit構成
とした主記憶装置であり、RAS 、 CAS 、 W
Eのそれぞれの信号によってライトモード、リードモー
ド、スタンバイモードを選択する。
t構成のダイナミック型ランダムアクセスメモリを並列
に16個並べて256kbit x 16 bit構成
とした主記憶装置であり、RAS 、 CAS 、 W
Eのそれぞれの信号によってライトモード、リードモー
ド、スタンバイモードを選択する。
また、ロウアドレス、カラムアドレス、リフレッシュア
ドレスの定義およびそれぞれ4つの動作モード時の信号
線のタイミングチャートなどは第4図〜第7図に示すと
おり、従来技術の第8図で説明したものと同じである。
ドレスの定義およびそれぞれ4つの動作モード時の信号
線のタイミングチャートなどは第4図〜第7図に示すと
おり、従来技術の第8図で説明したものと同じである。
この主記憶2は、第10図のようにooooo〜3FF
FF(tlax)まで番地付けされており、その中にお
いて、ooooo番地にはプログラムへの分岐命令、0
0001番地には後述するREFRESH命令、プログ
ラムおよびデータが格納されている。
FF(tlax)まで番地付けされており、その中にお
いて、ooooo番地にはプログラムへの分岐命令、0
0001番地には後述するREFRESH命令、プログ
ラムおよびデータが格納されている。
プロセッサ1は主記憶2に格納されている命令語を読出
して解読し、同じく主記憶2に格納されているデータに
操作を加える情報処理装置である。
して解読し、同じく主記憶2に格納されているデータに
操作を加える情報処理装置である。
このプロセッサ1は第11図に示すようにリセットをか
けるとooooo番地から実行を始め、従ってoooo
o番地にはプログラムへの分岐命令が格納されているた
めプログラムの実行を始める。また、このプロセッサ1
はREFRESI+命令を具備しており、その動作は第
12図に示すようにooooo番地から001 FE番
地までREADすることにより主記憶をリフレッシュす
るものである。この命令を、後述するメモリコントロニ
ラからの割込みで分岐する00001番地で実行するこ
とにより主記憶をリフレッシュする。
けるとooooo番地から実行を始め、従ってoooo
o番地にはプログラムへの分岐命令が格納されているた
めプログラムの実行を始める。また、このプロセッサ1
はREFRESI+命令を具備しており、その動作は第
12図に示すようにooooo番地から001 FE番
地までREADすることにより主記憶をリフレッシュす
るものである。この命令を、後述するメモリコントロニ
ラからの割込みで分岐する00001番地で実行するこ
とにより主記憶をリフレッシュする。
メモリコントローラ3はプロセッサ1から主記憶2への
データの読出しまたは書込みを指示する信号およびアド
レス信号を受は取り、主記憶2のRAS 、 CAS
、 WEAO〜A8の信号のタイミングを作成する回路
である。
データの読出しまたは書込みを指示する信号およびアド
レス信号を受は取り、主記憶2のRAS 、 CAS
、 WEAO〜A8の信号のタイミングを作成する回路
である。
アドレスレジスタ4はプロセッサ1が主記憶2をアクセ
スする際のアドレス18ビツトを保持するものである。
スする際のアドレス18ビツトを保持するものである。
インタバルタイマ5は4ミリ秒ごとにプロセッサ1に割
込みをかけて00001番地の命令を実行させるもので
ある。アドレスマルチプレクサ6はアドレスレジスタ4
の出力の18ビツトのロウアドレスとカラムアドレスを
選択して出力するものである。タイミング回路7はプロ
セッサ1からのREADまたは−RITE信号を受取っ
てアドレスマルチプレクサ6のロウアドレスとカラムア
ドレスを出力するタイミングを指示し、主記憶2に対し
てRAS 、 CAS 、 14E各信号のタイミング
を出力するものである。
込みをかけて00001番地の命令を実行させるもので
ある。アドレスマルチプレクサ6はアドレスレジスタ4
の出力の18ビツトのロウアドレスとカラムアドレスを
選択して出力するものである。タイミング回路7はプロ
セッサ1からのREADまたは−RITE信号を受取っ
てアドレスマルチプレクサ6のロウアドレスとカラムア
ドレスを出力するタイミングを指示し、主記憶2に対し
てRAS 、 CAS 、 14E各信号のタイミング
を出力するものである。
ここで、主記憶のリフレッシュ動作を詳しく説明する。
プロセッサ1は第10図のプログラム部にある命令語を
取出して実行している。インタバルタイマ5は4ミリ秒
ごとにプロセッサ1に対して割込みをかけている0割込
み信号が出ると、プロセッサはプログラムの実行を中断
して00001番地へ分岐する。00001番地には、
第10図に示すようにREFRESI+命令が格納され
ている。このREFFIESH命令は第12図に示すよ
うに、0000〜001 FE (II E X )番
地の内容をREADする。すると主記憶のリフレッシュ
アドレスを全て網羅しており、主記憶はリフレッシュさ
れることになる。その後割込まれたプログラムへ復帰す
るのである。
取出して実行している。インタバルタイマ5は4ミリ秒
ごとにプロセッサ1に対して割込みをかけている0割込
み信号が出ると、プロセッサはプログラムの実行を中断
して00001番地へ分岐する。00001番地には、
第10図に示すようにREFRESI+命令が格納され
ている。このREFFIESH命令は第12図に示すよ
うに、0000〜001 FE (II E X )番
地の内容をREADする。すると主記憶のリフレッシュ
アドレスを全て網羅しており、主記憶はリフレッシュさ
れることになる。その後割込まれたプログラムへ復帰す
るのである。
几匪立ヱ遇
以上説明したように本発明によれば、ダイナミック型ラ
ンダムアクセスメモリのリフレッシュを、その記憶内容
が失われる前にリフレッシュを行う命令を実行すること
で行なうことにより、従来必要であったリフレッシュカ
ウンタ、ロウアドレスセレクタおよびリフレッシュサイ
クルとプロセッサの主記憶アクセスとが競合した際プロ
セッサを停止させる機構が不要となるという効果がある
。
ンダムアクセスメモリのリフレッシュを、その記憶内容
が失われる前にリフレッシュを行う命令を実行すること
で行なうことにより、従来必要であったリフレッシュカ
ウンタ、ロウアドレスセレクタおよびリフレッシュサイ
クルとプロセッサの主記憶アクセスとが競合した際プロ
セッサを停止させる機構が不要となるという効果がある
。
第1図は本発明の一実施例である情報処理装置の構成を
表わすブロック図、第2図はダイナミック型ランダムア
クセスメモリの外観図、第3図は第2図のメモリのビン
番号とそれに対応する機能を示した図、第4図は第2図
のメモリの動作モードと制御信号との関係を示した図、
第5図は第2図のメモリのアドレス入力端子と内部アド
レス。 カラムアドレス、ロウアドレス、リフレッシュアドレス
の関係を示した図、第6図は第2図のメモリの各動作モ
ードにおける信号線の時間的推移を示したタイムチャー
ト、第7図はプロセッサと主記憶の一般的なインタフェ
ースのタイムチャート、第8図は従来のダイナミック型
ランダムアクセスメモリを主記憶とする情報処理装置の
一例を示したブロック図、第9図は第8図の情報処理装
置においてメモリコントローラが主記憶に対してリフレ
ッシュサイクルを実行している時にプロセッサから主記
憶リード要求が出たときの様子を示すタイムチャート、
第10図は第1図の主記憶2のアドレスマツプ、第11
図は第10図の固定番地を説明する図、第12図はRE
FRESH命令の動作を示すフローチャートである。 主要部分の符号の説明 1・・・・・・プロセッサ 2・・・・・・主記憶
表わすブロック図、第2図はダイナミック型ランダムア
クセスメモリの外観図、第3図は第2図のメモリのビン
番号とそれに対応する機能を示した図、第4図は第2図
のメモリの動作モードと制御信号との関係を示した図、
第5図は第2図のメモリのアドレス入力端子と内部アド
レス。 カラムアドレス、ロウアドレス、リフレッシュアドレス
の関係を示した図、第6図は第2図のメモリの各動作モ
ードにおける信号線の時間的推移を示したタイムチャー
ト、第7図はプロセッサと主記憶の一般的なインタフェ
ースのタイムチャート、第8図は従来のダイナミック型
ランダムアクセスメモリを主記憶とする情報処理装置の
一例を示したブロック図、第9図は第8図の情報処理装
置においてメモリコントローラが主記憶に対してリフレ
ッシュサイクルを実行している時にプロセッサから主記
憶リード要求が出たときの様子を示すタイムチャート、
第10図は第1図の主記憶2のアドレスマツプ、第11
図は第10図の固定番地を説明する図、第12図はRE
FRESH命令の動作を示すフローチャートである。 主要部分の符号の説明 1・・・・・・プロセッサ 2・・・・・・主記憶
Claims (1)
- (1)ダイナミック型のランダムアクセスメモリからな
る主記憶に格納されている命令を読出してデータ処理を
行う情報処理装置におけるメモリリフレッシュ制御方式
であって、前記主記憶のリフレッシュを実行するリフレ
ッシュ命令をこの主記憶に予め格納しておき、割込み動
作により前記リフレッシュ命令を読出してリフレッシュ
動作を行うようにしたことを特徴とするメモリリフレッ
シュ制御方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63097890A JPH01269294A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | メモリリフレッシュ制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63097890A JPH01269294A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | メモリリフレッシュ制御方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01269294A true JPH01269294A (ja) | 1989-10-26 |
Family
ID=14204348
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63097890A Pending JPH01269294A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | メモリリフレッシュ制御方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01269294A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004502267A (ja) * | 2000-07-07 | 2004-01-22 | モサイド・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | アクセス待ち時間が均一な高速dramアーキテクチャ |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP63097890A patent/JPH01269294A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004502267A (ja) * | 2000-07-07 | 2004-01-22 | モサイド・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | アクセス待ち時間が均一な高速dramアーキテクチャ |
US8503250B2 (en) | 2000-07-07 | 2013-08-06 | Mosaid Technologies Incorporated | High speed DRAM architecture with uniform access latency |
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