JPH01261820A - レーザ照射装置 - Google Patents
レーザ照射装置Info
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- JPH01261820A JPH01261820A JP8929888A JP8929888A JPH01261820A JP H01261820 A JPH01261820 A JP H01261820A JP 8929888 A JP8929888 A JP 8929888A JP 8929888 A JP8929888 A JP 8929888A JP H01261820 A JPH01261820 A JP H01261820A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体製造プロセスなどに用いられるレーザ照
射装置に関するものである。なお、本発明のレーザ照射
装置は、レーザアニールやゲッタリングの歪導入など種
々の、レーザ照射に用いられるが、以下ではレーザ照射
の例として多く用いられている再結晶化について説明す
る。
射装置に関するものである。なお、本発明のレーザ照射
装置は、レーザアニールやゲッタリングの歪導入など種
々の、レーザ照射に用いられるが、以下ではレーザ照射
の例として多く用いられている再結晶化について説明す
る。
（従来の技術）
近年、半導体集積回路の高密度化が進むにともない、半
導体集積回路の各素子寸法の微細化を図って横方向の集
積度を向上させる他に、いったん形成された素子構造の
上に絶縁膜を全面にわたって形成し、さらに、この絶縁
膜の上に半導体薄膜を設けて、この半導体薄膜を用いて
素子を形成するというような三次元構造が盛んに研究開
発されている。とくに、絶縁膜上に形成した多結晶シリ
コン膜をレーザビームにより照射し再結晶化させる方法
が注目されている。また、半導体集積回路の高速化が進
むにともない半導体集積回路の各素子あるいは配線部分
と基板シリコンとの間の電気容量を小さくすることが重
要な課題となっている。これまでによく用いられている
ｐｎ接合分離と比較すると、絶縁膜上に形成したシリコ
ン膜を用いれば寄生容量を小さくできるので、この意味
でもレーザビームにより再結晶化技術すなわちレーザ再
結晶化技術が注目されている。これまでにシリコン基板
構造の最適化、レーザビーム形状の最適化、あるいはレ
ーザビーム走査方法の最適化により通常の集積回路作製
の目的に使用できる程度の結晶性のものが得られるまで
になってきた。
導体集積回路の各素子寸法の微細化を図って横方向の集
積度を向上させる他に、いったん形成された素子構造の
上に絶縁膜を全面にわたって形成し、さらに、この絶縁
膜の上に半導体薄膜を設けて、この半導体薄膜を用いて
素子を形成するというような三次元構造が盛んに研究開
発されている。とくに、絶縁膜上に形成した多結晶シリ
コン膜をレーザビームにより照射し再結晶化させる方法
が注目されている。また、半導体集積回路の高速化が進
むにともない半導体集積回路の各素子あるいは配線部分
と基板シリコンとの間の電気容量を小さくすることが重
要な課題となっている。これまでによく用いられている
ｐｎ接合分離と比較すると、絶縁膜上に形成したシリコ
ン膜を用いれば寄生容量を小さくできるので、この意味
でもレーザビームにより再結晶化技術すなわちレーザ再
結晶化技術が注目されている。これまでにシリコン基板
構造の最適化、レーザビーム形状の最適化、あるいはレ
ーザビーム走査方法の最適化により通常の集積回路作製
の目的に使用できる程度の結晶性のものが得られるまで
になってきた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、現在の段階では、レーザ再結晶化に要する処理
時間は半導体集積回路を形成する目的に対してまだ長い
という問題点があった。直径４インチのシリコン基板を
処理するのに要する時間は、第２図（ａ）に示すような
ＸＹ移動ステージ方式の装置では２時間ないし３時間、
第２図（ｂ）に示すような振動ミラ一方式の装置では３
０分ないし１時間である。半導体集積回路の生産に使用
するためにはこの処理時間を１０分以下にする必要があ
る（例えば弁上、画材、赤坂；応用物理５５巻、１９８
６、ｐ、８００）。また、いずれの方式においてもより
短時間で処理しようとするとレーザビームの試料上での
位置精度や位置安定性が低下するという問題点があった
。
時間は半導体集積回路を形成する目的に対してまだ長い
という問題点があった。直径４インチのシリコン基板を
処理するのに要する時間は、第２図（ａ）に示すような
ＸＹ移動ステージ方式の装置では２時間ないし３時間、
第２図（ｂ）に示すような振動ミラ一方式の装置では３
０分ないし１時間である。半導体集積回路の生産に使用
するためにはこの処理時間を１０分以下にする必要があ
る（例えば弁上、画材、赤坂；応用物理５５巻、１９８
６、ｐ、８００）。また、いずれの方式においてもより
短時間で処理しようとするとレーザビームの試料上での
位置精度や位置安定性が低下するという問題点があった
。
本発明の目的は、レーザビームを走査するレーザビーム
走査部において回転ミラーを使用することにより試料上
での走査位置の安定性と走査速度の高速性とを両立させ
て半導体集積回路の生産にも使用できるようなレーザ照
射装置を提供することにある。
走査部において回転ミラーを使用することにより試料上
での走査位置の安定性と走査速度の高速性とを両立させ
て半導体集積回路の生産にも使用できるようなレーザ照
射装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、レーザビームを発振するレーザ光源部と、レ
ーザビーム形状を成形するレーザビーム成形部と、レー
ザビームを試料上で走査するレーザビーム走査部と、試
料を保持する試料保持部とを備えたレーザ照射装置にお
いて、前記レーザビーム走査部の構成要素として一定速
度で回転する回転ミラーを備え、かつ、この回転ミラー
への入射レーザビームの入射方向は回転ミラーの回転軸
と一致することを特徴とするレーザ照射装置である。
ーザビーム形状を成形するレーザビーム成形部と、レー
ザビームを試料上で走査するレーザビーム走査部と、試
料を保持する試料保持部とを備えたレーザ照射装置にお
いて、前記レーザビーム走査部の構成要素として一定速
度で回転する回転ミラーを備え、かつ、この回転ミラー
への入射レーザビームの入射方向は回転ミラーの回転軸
と一致することを特徴とするレーザ照射装置である。
（作用）
本発明では、レーザビーム走査部の構成要素として一定
速度で回転する回転ミラーを備えることによって、振動
ミラ一方式に比較してはるかに高度の走査位置の安定性
と走査速度の高速性が実現でき、かつ、この回転ミラー
への入射レーザビームの入射方向は回転ミラーの回転軸
と一致させることによって、平坦な試料基板上に直線状
の走査を実現できる。
速度で回転する回転ミラーを備えることによって、振動
ミラ一方式に比較してはるかに高度の走査位置の安定性
と走査速度の高速性が実現でき、かつ、この回転ミラー
への入射レーザビームの入射方向は回転ミラーの回転軸
と一致させることによって、平坦な試料基板上に直線状
の走査を実現できる。
（実施例）
次に本発明の一実施例について図面を参照して説明する
。
。
本発明のレーザ照射装置は第１図（ａ）のブロック図で
示すような構成であり、具体的には第１図（ｂ）のよう
に構成されている。レーザ発振器１１から出たガウス型
の強度分布を有するレーザビーム１２は固定ミラー１３
で反射した後にビーム成形用光学系２１を通って楕円形
あるいは双峰形の強度分布を有するものとなり、次いで
、回転ミラー３１にて反射してｆ→レンズ３２により試
料台４２の上のシリコン基板４１に集光される。このと
きビーム成形用光学系２１は回転ミラー３１の前ではな
くて後に配設されていてもよいし、目的によっては、固
定ミラー１３の前に配設されていてもよいし、あるいは
、ビーム成形用光学系２１を用いずにガウス型の強度分
布のままであってもよい。
示すような構成であり、具体的には第１図（ｂ）のよう
に構成されている。レーザ発振器１１から出たガウス型
の強度分布を有するレーザビーム１２は固定ミラー１３
で反射した後にビーム成形用光学系２１を通って楕円形
あるいは双峰形の強度分布を有するものとなり、次いで
、回転ミラー３１にて反射してｆ→レンズ３２により試
料台４２の上のシリコン基板４１に集光される。このと
きビーム成形用光学系２１は回転ミラー３１の前ではな
くて後に配設されていてもよいし、目的によっては、固
定ミラー１３の前に配設されていてもよいし、あるいは
、ビーム成形用光学系２１を用いずにガウス型の強度分
布のままであってもよい。
回転ミラー３１は回転方向が一定で、回転速度も変化し
ない。一方、振動ミラーでは周期的に回転方向が逆転す
る。従って、回転の高速性、速度の安定性およびレーザ
ビームの反射ミラーとして使用した場合の反射ビームの
位置精度の点で、回転ミラーの方が振動ミラーに比べは
るかに優れている。回転ミラーから５０ｃｍ離れたシリ
コン基板上でのレーザビーム走査速度として振動ミラー
の場合の最高値である５０ｃｍ／ｓｅｃの１０倍にあた
る５００ｃｍ／ｓｅｅあるいはそれ以上の走査速度が容
易に得られる。また、振動ミラーの場合には、周期的に
回転方向が逆転する際に、目的とする回転方向とは異な
る回転あるいは振動成分が発生し、これがレーザビーム
の反射ミラーとして使用した場合の反射ビームの位置精
度を落とす原因となるが、回転ミラーの場合は回転方向
が一定で変化しないため目的とする回転方向とは異なる
回転あるいは振動成分がほとんど無視できる。以上回転
ミラーと振動ミラーとの比較を述べたが、回転ミラーと
ＸＹステージとの比較においてもまったく同様で、レー
ザビーム走査速度の点ではＸＹステージの場合はさらに
最高値が小さく、たかだか２０ｃｍ／ｓｅｃであり、回
転ミラーの優位性は明確である。
ない。一方、振動ミラーでは周期的に回転方向が逆転す
る。従って、回転の高速性、速度の安定性およびレーザ
ビームの反射ミラーとして使用した場合の反射ビームの
位置精度の点で、回転ミラーの方が振動ミラーに比べは
るかに優れている。回転ミラーから５０ｃｍ離れたシリ
コン基板上でのレーザビーム走査速度として振動ミラー
の場合の最高値である５０ｃｍ／ｓｅｃの１０倍にあた
る５００ｃｍ／ｓｅｅあるいはそれ以上の走査速度が容
易に得られる。また、振動ミラーの場合には、周期的に
回転方向が逆転する際に、目的とする回転方向とは異な
る回転あるいは振動成分が発生し、これがレーザビーム
の反射ミラーとして使用した場合の反射ビームの位置精
度を落とす原因となるが、回転ミラーの場合は回転方向
が一定で変化しないため目的とする回転方向とは異なる
回転あるいは振動成分がほとんど無視できる。以上回転
ミラーと振動ミラーとの比較を述べたが、回転ミラーと
ＸＹステージとの比較においてもまったく同様で、レー
ザビーム走査速度の点ではＸＹステージの場合はさらに
最高値が小さく、たかだか２０ｃｍ／ｓｅｃであり、回
転ミラーの優位性は明確である。
第１図（ｂ）において、回転ミラー３１への入射レーザ
ビームは回転ミラーに対し４５度の入射角となり、かつ
、回転ミラーの回転軸と一致するように構成されている
。従って、出射レーザビームは入射レーザビームの方向
に対して垂直な平面上にて回転することになり、この平
面に対して垂直に配置されたシリコン基板を走査すると
きの走査線は直線となる。
ビームは回転ミラーに対し４５度の入射角となり、かつ
、回転ミラーの回転軸と一致するように構成されている
。従って、出射レーザビームは入射レーザビームの方向
に対して垂直な平面上にて回転することになり、この平
面に対して垂直に配置されたシリコン基板を走査すると
きの走査線は直線となる。
第１図（ｂ）において、試料台４２上のシリコン基板４
１は２組配置されているが、これに限られることはなく
、３組以上でもよいし、１組であってもよい。
１は２組配置されているが、これに限られることはなく
、３組以上でもよいし、１組であってもよい。
試料台４２はシリコン基板４１の傾きや位置を調整でき
るような機能、および、レーザビームの走査位置を連続
的に変えられるような機能を有している。これらの機能
によりシリコン基板の傾きと位置を設定した後回転ミラ
ーの回転に同期して一定の方向にレーザビームの走査位
置を変えていけば、シリコン基板全体を短時間でレーザ
再結晶化することができる。
るような機能、および、レーザビームの走査位置を連続
的に変えられるような機能を有している。これらの機能
によりシリコン基板の傾きと位置を設定した後回転ミラ
ーの回転に同期して一定の方向にレーザビームの走査位
置を変えていけば、シリコン基板全体を短時間でレーザ
再結晶化することができる。
本実施例では、回転ミラーの回転が毎秒２回、回転ミラ
ーからシリコン基板までの距離が５０ｃｍであるので、
レーザビーム走査速度は６００ｃｍ／ｓｅｅ程度となる
。レーザビームの走査間隔は５０ｐｍに設定しであるの
で４インチ径のシリコン基板全体を走査するのに要する
時間は約１７分であり、このとき同時に２ケ所の試料台
上のシリコン基板２枚が処理されるので、１枚あたりの
処理時間としては９分弱となる。さらに、試料台を増設
して４ケ所とすれば１枚あたりの処理時間は５分弱とな
り、実用上十分短時間で処理できる。
ーからシリコン基板までの距離が５０ｃｍであるので、
レーザビーム走査速度は６００ｃｍ／ｓｅｅ程度となる
。レーザビームの走査間隔は５０ｐｍに設定しであるの
で４インチ径のシリコン基板全体を走査するのに要する
時間は約１７分であり、このとき同時に２ケ所の試料台
上のシリコン基板２枚が処理されるので、１枚あたりの
処理時間としては９分弱となる。さらに、試料台を増設
して４ケ所とすれば１枚あたりの処理時間は５分弱とな
り、実用上十分短時間で処理できる。
なお、以上の説明では、回転ミラーが平面鏡である場合
について説明したが、これに限られることはなく、凹面
鏡あるいは凸面鏡を用いてシリコン基板上のレーザビー
ム形状を所望の形状にしてもよい。
について説明したが、これに限られることはなく、凹面
鏡あるいは凸面鏡を用いてシリコン基板上のレーザビー
ム形状を所望の形状にしてもよい。
また、本発明による装置は再結晶化のみならずイオン注
入の回復アニール、ゲッタリングの歪導入などレーザ照
射を必要とする種々の目的に使えることは言うまでもな
い。
入の回復アニール、ゲッタリングの歪導入などレーザ照
射を必要とする種々の目的に使えることは言うまでもな
い。
（発明の効果）
本発明によれば、レーザビーム走査部の構成要素として
一定速度で回転する回転ミラーを備えることによって、
振動ミラ一方式やｘＹステージ方式に比較してはるかに
高度の走査位置の安定性と走査速度の高速性が実現でき
、かつ、この回転ミラーへの入射レーザビームの入射方
向は回転ミラーの回転軸と一致させることによって、平
坦な試料基板上に直線状の走査を実現できる。従って、
レーザ照射を必要とする半導体プロセスにおいて短時間
での処理が可能なレーザ照射装置を提供することができ
る。
一定速度で回転する回転ミラーを備えることによって、
振動ミラ一方式やｘＹステージ方式に比較してはるかに
高度の走査位置の安定性と走査速度の高速性が実現でき
、かつ、この回転ミラーへの入射レーザビームの入射方
向は回転ミラーの回転軸と一致させることによって、平
坦な試料基板上に直線状の走査を実現できる。従って、
レーザ照射を必要とする半導体プロセスにおいて短時間
での処理が可能なレーザ照射装置を提供することができ
る。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明のレーザ再結晶化装置
の説明図で、（ａ）はブロック図、（ｂ）は、実施例の
概略図、第２図（ａ）、 （ｂ）は従来のレーザ再結晶
化装置の説明図で、（ａ）はＸＹ移動ステージ方式の装
置の概略図、（ｂ）は振動ミラ一方式の装置の概略図で
ある。 図において、１はレーザ光源部、２はレーザビーム成形
部、３はレーザビーム走査部、４は試料保持部、１１．
１１１．２１１はレーザ発振部、１２．１１２．２１２
はレーザビーム、１３は固定ミラー、２１．１２１．２
２１はビーム成形用光学系、３１は回転ミラー、１３１
はＸステージ上反射ミラー、２３１は第１振動ミラー、
２３２は第２振動ミラー、３２．２３３はｆ→レンズ、
１３２は対物レンズ、４１．１４１．２４１はシリコン
基板、４２．１４２．２４２は試料台、１５１はＸ方向
ステージ、１５２はＹ方向ステージである。 特許出願人 工業技術院長 飯塚幸三 浄 ！ 図 （ａ） １３、固定ミラー
の説明図で、（ａ）はブロック図、（ｂ）は、実施例の
概略図、第２図（ａ）、 （ｂ）は従来のレーザ再結晶
化装置の説明図で、（ａ）はＸＹ移動ステージ方式の装
置の概略図、（ｂ）は振動ミラ一方式の装置の概略図で
ある。 図において、１はレーザ光源部、２はレーザビーム成形
部、３はレーザビーム走査部、４は試料保持部、１１．
１１１．２１１はレーザ発振部、１２．１１２．２１２
はレーザビーム、１３は固定ミラー、２１．１２１．２
２１はビーム成形用光学系、３１は回転ミラー、１３１
はＸステージ上反射ミラー、２３１は第１振動ミラー、
２３２は第２振動ミラー、３２．２３３はｆ→レンズ、
１３２は対物レンズ、４１．１４１．２４１はシリコン
基板、４２．１４２．２４２は試料台、１５１はＸ方向
ステージ、１５２はＹ方向ステージである。 特許出願人 工業技術院長 飯塚幸三 浄 ！ 図 （ａ） １３、固定ミラー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レーザビームを発振するレーザ光源部と、レーザビ
ームを試料上で走査するレーザビーム走査部と、試料を
保持する試料保持部とを備えたレーザ照射装置において
、前記レーザビーム走査部の構成要素として一定速度で
回転する回転ミラーを備え、かつ、この回転ミラーへの
入射レーザビームの入射方向は回転ミラーの回転軸と一
致するように配置されてあることを特徴とするレーザ照
射装置。 ２、回転ミラーから出射したレーザビームが入射角度θ
によって焦点距離ｆが異なるようないわゆるｆ−θレン
ズを通って試料に照射されるように前記レンズが配置さ
れてあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
レーザ照射装置。 ３、レーザビーム形状を成形するレーザビーム成形部を
も備え、このレーザビーム成形部の全体あるいは一部が
レーザビームの光軸上に設けられていて回転ミラーの回
転と同期して回転ミラーの回転軸を中心に回転するよう
に構成されてあることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のレーザ照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8929888A JPH01261820A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | レーザ照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8929888A JPH01261820A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | レーザ照射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01261820A true JPH01261820A (ja) | 1989-10-18 |
Family
ID=13966767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8929888A Pending JPH01261820A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | レーザ照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01261820A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045820A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに半導体装置の作製方法 |
| JP2003133253A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー処理装置並びに半導体装置の作製方法 |
| JP2010028128A (ja) * | 2001-11-30 | 2010-02-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US7679800B2 (en) | 2001-07-30 | 2010-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser treatment apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5097234A (ja) * | 1973-12-25 | 1975-08-02 | ||
| JPS5692681A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-27 | Sharp Corp | Optical reader |
| JPS6063518A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ・プリンタ |
-
1988
- 1988-04-13 JP JP8929888A patent/JPH01261820A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| JPS5097234A (ja) * | 1973-12-25 | 1975-08-02 | ||
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