JPH01243597A - 半導体装置及び半導体発光装置 - Google Patents
半導体装置及び半導体発光装置Info
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- JPH01243597A JPH01243597A JP63069640A JP6964088A JPH01243597A JP H01243597 A JPH01243597 A JP H01243597A JP 63069640 A JP63069640 A JP 63069640A JP 6964088 A JP6964088 A JP 6964088A JP H01243597 A JPH01243597 A JP H01243597A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置にかかわり、特に同一の導電形を
有するＧａＡｓ半導体層とＩ ｎＧａＡＩＰ半導体層と
の間に電流を流す機能を有する半導体装置に関する。
有するＧａＡｓ半導体層とＩ ｎＧａＡＩＰ半導体層と
の間に電流を流す機能を有する半導体装置に関する。
（従来の技術）
ＩｎＧａＡＩＰ系材料は窒化物を除＜： ｌ１ｌ−Ｖ族
化合物半導体混晶中で最大のエネルギーギヤツブを有し
、短波長の発光素子材料として注目されている。特にＧ
ａＡｓに格子整合する組成は、有機金属を用いた化学気
相成長法（以下ＭＯＣＶＤ法と略記する）などにより結
晶欠陥の少ない、良好なエピタキシャル成長が可能であ
る。
化合物半導体混晶中で最大のエネルギーギヤツブを有し
、短波長の発光素子材料として注目されている。特にＧ
ａＡｓに格子整合する組成は、有機金属を用いた化学気
相成長法（以下ＭＯＣＶＤ法と略記する）などにより結
晶欠陥の少ない、良好なエピタキシャル成長が可能であ
る。
ＩｎＧａＡＩＰ系材料を能動部とする発光素子、電子素
子を作成する場合、良好なオーミック接触を得るため、
これと格子整合するＧａＡｓを介して金属との接触を行
うことが、しばしば行われてきた（例えば、Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ、 ４８ （１
９８６）Ｉ）り２０７．） 、 Ｌかしながら、ＧａＡ
ｓとＩｎＧａＡＩＰ系材料とのエネルギーギャップの差
が非常に大きいため、これらの界面にはバンドの不連続
による大きなノツチやスパイクが現れ、オーミックな電
流注入に支障をきたす、特に移動度の小さいポールがキ
ャリアとなるＰ形のへテロ接合に、大きな影響が現れや
すい。
子を作成する場合、良好なオーミック接触を得るため、
これと格子整合するＧａＡｓを介して金属との接触を行
うことが、しばしば行われてきた（例えば、Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ、 ４８ （１
９８６）Ｉ）り２０７．） 、 Ｌかしながら、ＧａＡ
ｓとＩｎＧａＡＩＰ系材料とのエネルギーギャップの差
が非常に大きいため、これらの界面にはバンドの不連続
による大きなノツチやスパイクが現れ、オーミックな電
流注入に支障をきたす、特に移動度の小さいポールがキ
ャリアとなるＰ形のへテロ接合に、大きな影響が現れや
すい。
これを回避する方法として二つの層の中間のエネルギー
ギャップを持つ低Ａ１組成のＩ ｎＧａＡＩＰをＧａＡ
ｓ層とＩ ｎＧａＡ Ｉ Ｐ層の間に設けることでオー
ミックな電流注入が行なえることがある（例えば、特開
昭６２−２００７８４）、Ｌかし、Ｉ ｎＧａＡ Ｉ
Ｐ中間エネルギーギャップ層を介しても、必ずしもオー
ミックな特性になるとは限らず、そこでの電圧降下がデ
バイスの動作電圧を高くするという問題をきなし、半導
体レーザなどへの応用上、過剰な発熱により高温での発
振特性に支障をきたす。
ギャップを持つ低Ａ１組成のＩ ｎＧａＡＩＰをＧａＡ
ｓ層とＩ ｎＧａＡ Ｉ Ｐ層の間に設けることでオー
ミックな電流注入が行なえることがある（例えば、特開
昭６２−２００７８４）、Ｌかし、Ｉ ｎＧａＡ Ｉ
Ｐ中間エネルギーギャップ層を介しても、必ずしもオー
ミックな特性になるとは限らず、そこでの電圧降下がデ
バイスの動作電圧を高くするという問題をきなし、半導
体レーザなどへの応用上、過剰な発熱により高温での発
振特性に支障をきたす。
（発明が解決しようとする課題）
このように、Ｉ ｎＧａＡ ］ Ｐからなる能動部をも
つ半導体装置に対し、ＧａＡｓを介してオーミック接触
を得ようとする場合、ＩｎＧａＡ］ＰとＧａＡｓとの良
好なオーミック接触が得られず。
つ半導体装置に対し、ＧａＡｓを介してオーミック接触
を得ようとする場合、ＩｎＧａＡ］ＰとＧａＡｓとの良
好なオーミック接触が得られず。
しいては素子の動作電圧の上昇、熱特性の悪化をきなす
。
。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、良好なオーミック接触を得るために半
導体層に課せられる条件を提供することにある。
とするところは、良好なオーミック接触を得るために半
導体層に課せられる条件を提供することにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の骨子は、同一導電形を有するＩｎＧ−ａＡＩＰ
層とＧａＡｓ層との間に電流を流す半導体装置において
、前記Ｇ ａ Ａ ｓ層と接するＩｎＧａＡＩＰ層の少
なくとも一部に、キャリア濃度がＩり ５Ｘ１０ ｃｍ−３以上で厚さが４０ＯＡ乃至８０
０Ａの高キャリア濃度領域を設けることにより、良好な
オーミック接触を実現し、しいては動作電圧の低い、熱
特性の良い半導体素子を提供することにある。
層とＧａＡｓ層との間に電流を流す半導体装置において
、前記Ｇ ａ Ａ ｓ層と接するＩｎＧａＡＩＰ層の少
なくとも一部に、キャリア濃度がＩり ５Ｘ１０ ｃｍ−３以上で厚さが４０ＯＡ乃至８０
０Ａの高キャリア濃度領域を設けることにより、良好な
オーミック接触を実現し、しいては動作電圧の低い、熱
特性の良い半導体素子を提供することにある。
（作用）
本発明によれば同一導電形を有するＩｎＧａＡＩＰ層と
ＧａＡｓ層との間に電流を流す半導体装置において、良
好なオーミック接触を実現し、しいては動作電圧の低い
、熱特性の良い半導体素子を提供することが可能となる
。
ＧａＡｓ層との間に電流を流す半導体装置において、良
好なオーミック接触を実現し、しいては動作電圧の低い
、熱特性の良い半導体素子を提供することが可能となる
。
（実施例）
以下本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す概念図である０図
中１０１はＩ ｎｌ−ｘ−ｙ ＧａｙＡ ＩＸ Ｐ（０
≦ｘ、ｙ≦１）層、１０２はＴ ｎ １−Ｘ−Ｖ Ｇ
ａＶ ＡＩＸ Ｐ層１０１中の高キャリア濃度領域、１
０３はＧａＡｓ［である、いずれの層も同一の導電形を
有しており、ここではｐ形について示しである。 Ｉ
ｎｌ−Ｘ−ｙＧａｌ／ Ａ ＩＸ Ｐ層１０１はＧａＡ
ｓに格子整合していることが、エピタキシャル成長層と
して、結晶性を損なわずに済むため、特に発光素子など
では重要である。これらの条件を満たす組成ｕ、ｖの一
例は、 ｕ＋ｖ＝０．５ である。
中１０１はＩ ｎｌ−ｘ−ｙ ＧａｙＡ ＩＸ Ｐ（０
≦ｘ、ｙ≦１）層、１０２はＴ ｎ １−Ｘ−Ｖ Ｇ
ａＶ ＡＩＸ Ｐ層１０１中の高キャリア濃度領域、１
０３はＧａＡｓ［である、いずれの層も同一の導電形を
有しており、ここではｐ形について示しである。 Ｉ
ｎｌ−Ｘ−ｙＧａｌ／ Ａ ＩＸ Ｐ層１０１はＧａＡ
ｓに格子整合していることが、エピタキシャル成長層と
して、結晶性を損なわずに済むため、特に発光素子など
では重要である。これらの条件を満たす組成ｕ、ｖの一
例は、 ｕ＋ｖ＝０．５ である。
さて、ＧａＡｓ層１０３とＩ ｎＧａＡｌ Ｐ層１０１
の間が良好な電流−電圧特性になるには、高キャリア濃
度領域１０２のキャリア濃度ｐおよび厚さｄに大きく依
存することが実験的に得られた。
の間が良好な電流−電圧特性になるには、高キャリア濃
度領域１０２のキャリア濃度ｐおよび厚さｄに大きく依
存することが実験的に得られた。
第２図は高キャリア濃度領域１０２のキャリア濃度ｐに
対するＧａＡｓ層１０３と高キャリア濃度領域１０２の
界面での、注入電流密度１ｋＡ／ｃｍ−２時の電圧降下
の大きさを示したものである。
対するＧａＡｓ層１０３と高キャリア濃度領域１０２の
界面での、注入電流密度１ｋＡ／ｃｍ−２時の電圧降下
の大きさを示したものである。
ｔり
ｐ≧５Ｘ１０ ｃｍ−３のとき電圧降下の影響は全
くなく動作電圧の増加、発熱の増加は問題とな＋’１ らない、ただし、Ｐ＞３Ｘ１０ ｃｍ−３の高キャ
リア濃度とすると高キャリア濃度層中に形成される欠陥
が急激に増え、５０℃、３ｍＷでの連続動作試験で、１
００時間程度で劣化し、ｐ≦３×１０ ｃｍ−３の
ときに得られる１０００時間以上という値に対し、信頼
性の面で大きく劣った。
くなく動作電圧の増加、発熱の増加は問題とな＋’１ らない、ただし、Ｐ＞３Ｘ１０ ｃｍ−３の高キャ
リア濃度とすると高キャリア濃度層中に形成される欠陥
が急激に増え、５０℃、３ｍＷでの連続動作試験で、１
００時間程度で劣化し、ｐ≦３×１０ ｃｍ−３の
ときに得られる１０００時間以上という値に対し、信頼
性の面で大きく劣った。
＋７
ｐ＜５Ｘ１０ ｃｍ−３のとき電圧降下の影響は大
きく、過剰な動作電圧の上昇、発熱を引起こした。
きく、過剰な動作電圧の上昇、発熱を引起こした。
また、さらにこのような電圧降下は、高キャリア濃度領
域１０２の厚さｄが非常に薄い場合にも起こることが判
った。第３図は高キャリア濃度領ぼ 域１０２のキャリア濃度をｌＸｌ０ ｃｍ−３とし
た場合の高キャリア濃度領域１０２の厚さｄに対するＧ
ａＡｓ層１０３とＩ ｎＧａＡ Ｉ Ｐ層１０１の間で
の、注入電流密度１ ｋ Ａ ／ ｃ ｍ−ｆＢ！４の
電圧降下の大きさを示したものである。ｄ＜４００人の
時、急激に電圧降下が大きくなる。またｄ≧４００′Ａ
でも、層厚の増加による直列抵抗の増加により電圧降下
は漸増する。
域１０２の厚さｄが非常に薄い場合にも起こることが判
った。第３図は高キャリア濃度領ぼ 域１０２のキャリア濃度をｌＸｌ０ ｃｍ−３とし
た場合の高キャリア濃度領域１０２の厚さｄに対するＧ
ａＡｓ層１０３とＩ ｎＧａＡ Ｉ Ｐ層１０１の間で
の、注入電流密度１ ｋ Ａ ／ ｃ ｍ−ｆＢ！４の
電圧降下の大きさを示したものである。ｄ＜４００人の
時、急激に電圧降下が大きくなる。またｄ≧４００′Ａ
でも、層厚の増加による直列抵抗の増加により電圧降下
は漸増する。
以上のようにＧａＡｓ層１０３とＩ ｎＧａＡ １２層
１０１との間での電流・−電圧特性は、ＩｎＧａＡＩＰ
層１０１中でＧａＡｓ層１０３との界面近傍に形成され
た高キャリア濃度領域１０２のキャリア濃度ｐ及びその
領域の厚さｄに大きく影響され、キャリア？農度ｐがｐ
≧５Ｘ１０ ｃｒｒ皇−３で厚さｄがｄ≧４ｏｏＸ
であることが必要である。
１０１との間での電流・−電圧特性は、ＩｎＧａＡＩＰ
層１０１中でＧａＡｓ層１０３との界面近傍に形成され
た高キャリア濃度領域１０２のキャリア濃度ｐ及びその
領域の厚さｄに大きく影響され、キャリア？農度ｐがｐ
≧５Ｘ１０ ｃｒｒ皇−３で厚さｄがｄ≧４ｏｏＸ
であることが必要である。
またキャリア濃度ｐに関しては、Ｐ＞３Ｘ１０１″ｃｍ
−３では上記の問題が生じるので、ｐは５×１０Ｉｑ
ｃｍ−３≦ｐ≦３ Ｘ １０ ｃ ｍ−３”Ｃある
ことが望ましい、。
−３では上記の問題が生じるので、ｐは５×１０Ｉｑ
ｃｍ−３≦ｐ≦３ Ｘ １０ ｃ ｍ−３”Ｃある
ことが望ましい、。
第４図は本発明の第２の実施例に関わる半導体発光装置
であり、ＧａＡｓ層をオーミックコンタクト層、ＩｎＧ
ａＡＩＰ層をクラッド層とする半導体レーザの概略格造
を示す断面図である０図中４０１はｎ −Ｇ ａ Ａ
ｓ基板であり、基板４０１上にはｎ−ＩｎＧａＡＩＰク
ラッド層４０２、ＩｎＣ＝ ａ Ａ Ｉ Ｐ活性層４０
３．ｐ−１ｎＧａＡＩＰクラッド層１０４からなり発光
能動部となるダブルへテロ接合部が形成されている。ｐ
＝ＩｎＧａＡ］Ｐクラッド層４０４上には、ｐ−１ｎＧ
ａＰキャップ層４０５、ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層４０６
が形成されている。ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層４０６はス
トライブ状に選択除去されており、ｎ−ＧａＡｓ電流狭
窄層４０６が除去された部分のｐ −ＩｎＧａＰキャッ
プ層４０５およびｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層４０６上には
ｐ−ＧａＡｓオーミックコンタクト層４０７が形成され
ている。ダブルへテロ接合部の各層およびｐ−１ｎＧａ
Ｐキャップ層４０５の格子定数は基板とほぼ等しくかつ
クラッド層４０２．４０４のバンドギャップエネルギー
は活性層４０３のそれより大きくなるようにＩｎ、Ｇａ
、ＡＩの組成が設定されている。
であり、ＧａＡｓ層をオーミックコンタクト層、ＩｎＧ
ａＡＩＰ層をクラッド層とする半導体レーザの概略格造
を示す断面図である０図中４０１はｎ −Ｇ ａ Ａ
ｓ基板であり、基板４０１上にはｎ−ＩｎＧａＡＩＰク
ラッド層４０２、ＩｎＣ＝ ａ Ａ Ｉ Ｐ活性層４０
３．ｐ−１ｎＧａＡＩＰクラッド層１０４からなり発光
能動部となるダブルへテロ接合部が形成されている。ｐ
＝ＩｎＧａＡ］Ｐクラッド層４０４上には、ｐ−１ｎＧ
ａＰキャップ層４０５、ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層４０６
が形成されている。ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層４０６はス
トライブ状に選択除去されており、ｎ−ＧａＡｓ電流狭
窄層４０６が除去された部分のｐ −ＩｎＧａＰキャッ
プ層４０５およびｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層４０６上には
ｐ−ＧａＡｓオーミックコンタクト層４０７が形成され
ている。ダブルへテロ接合部の各層およびｐ−１ｎＧａ
Ｐキャップ層４０５の格子定数は基板とほぼ等しくかつ
クラッド層４０２．４０４のバンドギャップエネルギー
は活性層４０３のそれより大きくなるようにＩｎ、Ｇａ
、ＡＩの組成が設定されている。
ストライブ状に選択除去されたｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層
４０６の幅は７μｍ、共振器長は３００／１． ｍであ
る。ここで、ｐ−１ｎＧａＰキャップ層１Ｆ？ ４０５のキャリア濃度をｌＸｌ０ ｃｍ−３，厚さ
を５０ＯＡに設定した場合、この半導体レーザのパルス
動作での発振しきい値電流は７０ ｒｎ Ａであり、さ
らに素子の連続動作での発振しきい値電流は７２ｍＡと
、発熱によるパルス動作に対するしきい値電流の変化は
非常に小さかった。また最高連続発振温度も９０℃が得
られた。これはｐ −ＧａＡｓ／ｐ−１ｎＧａＰ／ｐ−
１ｎＧａＡ］Ｐへテロ界面での過剰な電圧降下がなく、
しきい値での動作電圧が２．３ボルトと低く抑えられた
ことによる。
４０６の幅は７μｍ、共振器長は３００／１． ｍであ
る。ここで、ｐ−１ｎＧａＰキャップ層１Ｆ？ ４０５のキャリア濃度をｌＸｌ０ ｃｍ−３，厚さ
を５０ＯＡに設定した場合、この半導体レーザのパルス
動作での発振しきい値電流は７０ ｒｎ Ａであり、さ
らに素子の連続動作での発振しきい値電流は７２ｍＡと
、発熱によるパルス動作に対するしきい値電流の変化は
非常に小さかった。また最高連続発振温度も９０℃が得
られた。これはｐ −ＧａＡｓ／ｐ−１ｎＧａＰ／ｐ−
１ｎＧａＡ］Ｐへテロ界面での過剰な電圧降下がなく、
しきい値での動作電圧が２．３ボルトと低く抑えられた
ことによる。
これに対し、ｐ−１ｎＧａＰキャップ層４０５のキャリ
ア濃度を４Ｘ１０ ｃｍ−３としたものでは、動作電
圧は非常に大きくなり、３．０ボルトであり、それに伴
い連続動作での発熱も大きく、しきい値電流は７７ｍＡ
と大きな値となった。また最高連続発振温度も６０℃と
低かった。これはｐ−ＧａＡｓ／ｐ−Ｉ ｎＧａＰ／ｐ
−Ｉ ｎＧａＡＩＰへテロ界面での過剰な電圧降下によ
ると考えられる。
ア濃度を４Ｘ１０ ｃｍ−３としたものでは、動作電
圧は非常に大きくなり、３．０ボルトであり、それに伴
い連続動作での発熱も大きく、しきい値電流は７７ｍＡ
と大きな値となった。また最高連続発振温度も６０℃と
低かった。これはｐ−ＧａＡｓ／ｐ−Ｉ ｎＧａＰ／ｐ
−Ｉ ｎＧａＡＩＰへテロ界面での過剰な電圧降下によ
ると考えられる。
また、ｐ−１ｎＧａＰ−’ｒヤップ層４０５のキヤｇ
リア濃度をｌＸｌ０ ｃｍ−３とした場合でも、キ
ャップ層４０５の厚さを２５ＯＡとしたものでは動作電
圧は非常に大きくなり、３．０ボルトであり、それに伴
い、連続動作での発熱も大きく、しきい値電流は７７ｍ
Ａと大きな値となった。また最高連続発振温度も６０℃
と低かった。逆に、ｐ−１ｎＧａＰキャップ層４０５の
厚さが１０００Ａ程度と厚い場合、直列抵抗の増加によ
る発熱の増加のほか、電流の広がりによるしきい値電流
の増加や、熱抵抗の増加により、最高連続発振温度は３
０℃と低かった。
ャップ層４０５の厚さを２５ＯＡとしたものでは動作電
圧は非常に大きくなり、３．０ボルトであり、それに伴
い、連続動作での発熱も大きく、しきい値電流は７７ｍ
Ａと大きな値となった。また最高連続発振温度も６０℃
と低かった。逆に、ｐ−１ｎＧａＰキャップ層４０５の
厚さが１０００Ａ程度と厚い場合、直列抵抗の増加によ
る発熱の増加のほか、電流の広がりによるしきい値電流
の増加や、熱抵抗の増加により、最高連続発振温度は３
０℃と低かった。
第５図にｐ−１ｎＧａＰキャップ層４０５の厚さｄに対
する最高連続発振温度の依存性を示す。
する最高連続発振温度の依存性を示す。
度は８０℃以上と高い値が得られ、その範囲外では最高
連続発振温度は急激に低下した。また、特に４００Ａ≦
ｄ≦６０ＯＡでは、最高連続発振温度は８５℃以、Ｅと
なり、非常に良好な熱特性を示した。
連続発振温度は急激に低下した。また、特に４００Ａ≦
ｄ≦６０ＯＡでは、最高連続発振温度は８５℃以、Ｅと
なり、非常に良好な熱特性を示した。
第６図は本発明の第３の実施例に関わる半導体発光装置
であり、ＧａＡｓ層をオーミックコンタクト層、ＩｎＧ
ａＡＩＰ層をクラッド層とする半導体レーザの概略構造
を示す断面図である０図中６０１はｎ−ＧａＡｓ基板で
あり、基板６０１上にはｎ−ＩｎＧａＡＩＰクラッド層
６０２、ＩｎＧａＡＩＰ活性層６０３．ｐ−ＩｎＧａＡ
］Ｐ第１クラッド層６０４、ｐ−ＩｎＧａＡＩＰエツチ
ング停止層６０５、ストライプ状で凸形状をしたｐ −
Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ｐ第２クラッド層６０６から
なり発光能動部となるダブルへテロ接合部が形成されて
いる。ｐ−ＴｎＧａＡＩＰ第２クラッド層６０６の凸部
上にはｐ’−ＩｎＧａＰキャップ層６０７が形成されて
いる。ｐ−１ｎＧａＡＩＰクラッド層６０６の凸部以外
の部分ではｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層６０８が形成されて
いる。ｐ−ＩｎＧａＰキャップ層６０７およびｎ−Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層６０８上にはｐ−ＧａＡｓオーミックコ
ンタクト層６０９が形成されている。ダブルへテロ接合
部の各層およびｐ−ＩｎＧａＰキャップ層６０７の格子
定数は基板とほぼ等しくかつクラッド層６０２．６０４
．６０６のバンドギャップエネルギーは活性層６０３の
それより大きくなるようにＩｎ、Ｇａ、ＡＩの組成が設
定されている。
であり、ＧａＡｓ層をオーミックコンタクト層、ＩｎＧ
ａＡＩＰ層をクラッド層とする半導体レーザの概略構造
を示す断面図である０図中６０１はｎ−ＧａＡｓ基板で
あり、基板６０１上にはｎ−ＩｎＧａＡＩＰクラッド層
６０２、ＩｎＧａＡＩＰ活性層６０３．ｐ−ＩｎＧａＡ
］Ｐ第１クラッド層６０４、ｐ−ＩｎＧａＡＩＰエツチ
ング停止層６０５、ストライプ状で凸形状をしたｐ −
Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ｐ第２クラッド層６０６から
なり発光能動部となるダブルへテロ接合部が形成されて
いる。ｐ−ＴｎＧａＡＩＰ第２クラッド層６０６の凸部
上にはｐ’−ＩｎＧａＰキャップ層６０７が形成されて
いる。ｐ−１ｎＧａＡＩＰクラッド層６０６の凸部以外
の部分ではｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層６０８が形成されて
いる。ｐ−ＩｎＧａＰキャップ層６０７およびｎ−Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層６０８上にはｐ−ＧａＡｓオーミックコ
ンタクト層６０９が形成されている。ダブルへテロ接合
部の各層およびｐ−ＩｎＧａＰキャップ層６０７の格子
定数は基板とほぼ等しくかつクラッド層６０２．６０４
．６０６のバンドギャップエネルギーは活性層６０３の
それより大きくなるようにＩｎ、Ｇａ、ＡＩの組成が設
定されている。
ストライプ幅は５μｍ、共振器長は３００μｍとした。
この半導体レーザの最高連続発振温度はｐ−ＩｎＧａＰ
キャップ層６０７のキャリア濃度および厚さに依存し、
それは、第４図に示した第２の実施例の構造の素子とほ
ぼ同等であった。また、本構造の素子では、ストライプ
状で凸形状をしたｐ−１ｎＧａＡＩＰクラッド層６０６
を形成する際、ｐ−ＩｎＧ、ａＰキャップ層６０７を凸
部以外で選択的に除去することが必要である。このとき
ｐ−ＩｎＧａＰキャップ層６０７をエツチングする方法
として、Ｂｒ２とＨＢｒとＨ２Ｏの混合液などを用いる
場合、ストライプ近傍でｐ−１ｎＧａＰキャップ層６０
７とｐ−１ｎＧａＡＩＰクラッド層６０６のエツチング
レートが部分的に大きくなりやすい、そのため平坦で、
良好なエツチングをするには、ｐ−１ｎＧａＰキャップ
層６０７の厚さを薄くし、ｐ−１ｎＧａＰキャップ層６
０７を除去するためのエツチング時間を極力短くするこ
とが望ましい、このとき、平坦で、良好なエツチングが
可能なｐ−１ｎＧａＰ４ヤップ層６０７の厚さは６００
Ａ以下であった。
キャップ層６０７のキャリア濃度および厚さに依存し、
それは、第４図に示した第２の実施例の構造の素子とほ
ぼ同等であった。また、本構造の素子では、ストライプ
状で凸形状をしたｐ−１ｎＧａＡＩＰクラッド層６０６
を形成する際、ｐ−ＩｎＧ、ａＰキャップ層６０７を凸
部以外で選択的に除去することが必要である。このとき
ｐ−ＩｎＧａＰキャップ層６０７をエツチングする方法
として、Ｂｒ２とＨＢｒとＨ２Ｏの混合液などを用いる
場合、ストライプ近傍でｐ−１ｎＧａＰキャップ層６０
７とｐ−１ｎＧａＡＩＰクラッド層６０６のエツチング
レートが部分的に大きくなりやすい、そのため平坦で、
良好なエツチングをするには、ｐ−１ｎＧａＰキャップ
層６０７の厚さを薄くし、ｐ−１ｎＧａＰキャップ層６
０７を除去するためのエツチング時間を極力短くするこ
とが望ましい、このとき、平坦で、良好なエツチングが
可能なｐ−１ｎＧａＰ４ヤップ層６０７の厚さは６００
Ａ以下であった。
上記実施例では、キャップ層としてｐ−ＩｎＧａＰを用
いた場合の半導体レーザについて述べたが、キャップ層
は一般にＩ ｎＧａＡ Ｉ Ｐでも楕わない、このとき
キャップ層のエネルギーギャップがクラッド層に比べて
小さいと、ＧａＡｓ層とのエネルギーギャップ差が小さ
くなり［オーミックな特性が得られやすい、また本発明
は発光ダイオードやその他の電子素子になど、同一導電
形を有するＩｎＧａＡＩＰ層とＧａＡｓ層の接触界面を
有し、この界面を通して電流を流す機能を有する半導体
装置に適用することができるの、はいうまでもない、そ
の他本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。
いた場合の半導体レーザについて述べたが、キャップ層
は一般にＩ ｎＧａＡ Ｉ Ｐでも楕わない、このとき
キャップ層のエネルギーギャップがクラッド層に比べて
小さいと、ＧａＡｓ層とのエネルギーギャップ差が小さ
くなり［オーミックな特性が得られやすい、また本発明
は発光ダイオードやその他の電子素子になど、同一導電
形を有するＩｎＧａＡＩＰ層とＧａＡｓ層の接触界面を
有し、この界面を通して電流を流す機能を有する半導体
装置に適用することができるの、はいうまでもない、そ
の他本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。
［発明の効果コ
以上詳述したように本発明によれば、同一導電形を有す
る１ｎＧａＡＩＰ層とＧ ａ Ａ Ｓ層の間特性の良い
半導体素子が得られる。
る１ｎＧａＡＩＰ層とＧ ａ Ａ Ｓ層の間特性の良い
半導体素子が得られる。
第１図乃至第３図は本発明の第１の実施例を示す図、第
４図、第５図は第２の実施例を示す図、第６図は第３の
実施例を示す図である。 １０１・・−１ｎｌ−Ｘ−ｙＧａｙＡＩＸ Ｐ層１０２
・・・高キャリア濃度領域 １０３−・・ＧａＡｓ層 ４０１−−− ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板４０２−・−
ｎ−１ｎＧａＡｌ Ｐクラッド層４０３・−ＴｎＧａＡ
ＩＰ活性層 ４０４−・・ｐ−１ｎＧａＡｌ Ｐクラッド層４０５−
ｐ−１ｎＧａＰキャップ層 ４０６− ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層４０７・・
・ｐ−ＧａＡｓオーミックコンタクト層図面の浄書Ｃ内
容に変更なし） 第 １ ロ 第 ２Ｕｆ３ 第 ３ 目 第４図 厚さ ｄ （大） 第 ５ 霞 第 ６ 図
４図、第５図は第２の実施例を示す図、第６図は第３の
実施例を示す図である。 １０１・・−１ｎｌ−Ｘ−ｙＧａｙＡＩＸ Ｐ層１０２
・・・高キャリア濃度領域 １０３−・・ＧａＡｓ層 ４０１−−− ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板４０２−・−
ｎ−１ｎＧａＡｌ Ｐクラッド層４０３・−ＴｎＧａＡ
ＩＰ活性層 ４０４−・・ｐ−１ｎＧａＡｌ Ｐクラッド層４０５−
ｐ−１ｎＧａＰキャップ層 ４０６− ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層４０７・・
・ｐ−ＧａＡｓオーミックコンタクト層図面の浄書Ｃ内
容に変更なし） 第 １ ロ 第 ２Ｕｆ３ 第 ３ 目 第４図 厚さ ｄ （大） 第 ５ 霞 第 ６ 図
Claims (5)
- （１）ＧａＡｓ半導体層と、このＧａＡｓ半導体層と同
一の導電形を有するＩｎ１−ｘ−ｙＧａｙＡｌｘＰ（０
≦ｘ、ｙ≦１）半導体層とからなり、前記ＧａＡｓ半導
体層とＩｎ１−ｘ−ｙＧａｙＡｌｘＰ（０≦ｘ、ｙ≦１
）半導体層との間に電流を流す半導体装置において、前
記ＧａＡｓ半導体層と接する前記Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｙ
ＡｌｘＰ（０≦ｘ、ｙ≦１）半導体層の一部なくとも一
部に、キャリア濃度が５×１０＾１＾７ｃｍ−３以上で
厚さが４００Å乃至８００Åの高キャリア濃度領域が設
けられていることを特徴とする半導体装置。 - （２）前記ＧａＡｓ半導体層と前記Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａ
ｙＡｌｘＰ半導体層は、導電形がｐ形であることを特徴
とする請求項１記載の半導体装置。 - （３）前記高キャリア濃度領域のキャリア濃度は５×１
０＾１＾７ｃｍ−３乃至３×１０＾１＾９ｃｍ−３であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - （４）ｎ形Ｉｎ１−ｕ−ｖＧａｖＡｌｕＰクラッド層、
Ｉｎ１−ｓ−ｔＧａｔＡｌｓＰ活性層、ｐ形Ｉｎ１−ｕ
−ｖＧａｖＡｌｕＰクラッド層からなるダブルヘテロ構
造を有し、前記ｐ形Ｉｎ１−ｕ−ｖＧａｖＡｌｕＰクラ
ッド層上にｐ形ＧａＡｓオーミックコンタクト層を有す
る半導体発光装置において、前記ｐ形Ｉｎ１−ｕ−ｖＧ
ａｖＡｌｕＰクラッド層と前記ｐ形ＧａＡｓオーミック
コンタクト層との間に、ｐ形Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｙＡｌ
ｘＰ（０≦ｘ、ｙ≦１）からなり、キャリア濃度が５×
１０＾１＾７ｃｍ−３以上で厚さが４００Å乃至８００
Åの高キャリア濃度領域が設けられていることを特徴と
する半導体発光装置。 - （５）ｎ形Ｉｎ１−ｕ−ｖＧａｖＡｌｕＰクラッド層、
Ｉｎ１−ｓ−ｔＧａｔＡｌｓＰ活性層、第１のｐ形Ｉｎ
１−ｕ−ｖＧａｖＡｌｕＰクラッド層、ｐ形Ｉｎ１−ｐ
−ｑＧａｑＡｌｐＰ（０≦ｐ＜ｕ）層、ストライプ状の
第２のｐ形Ｉｎ１−ｕ−ｖＧａｖＡｌｕＰクラッド層か
らなるダブルヘテロ構造を有し、この第２のｐ形Ｉｎ１
−ｕ−ｖＧａｖＡｌｕＰクラッド層上にｐ形ＧａＡｓオ
ーミックコンタクト層を有する半導体発光装置において
、前記第２のｐ形Ｉｎ１−ｕ−ｖＧａｖＡｌｕＰクラッ
ド層と前記ｐ形ＧａＡｓオーミックコンタクト層との間
に、ｐ形Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｙＡｌｘＰ（０≦ｘ、ｙ≦
１）からなり、キャリア濃度が５×１０＾１＾７ｃｍ−
３以上で厚さが４００Å乃至８００Åの高キャリア濃度
領域が設けられていることを特徴とする半導体発光装置
。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069640A JP2685209B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置及び半導体発光装置 |
| EP19890302854 EP0334637A3 (en) | 1988-03-25 | 1989-03-22 | A semiconductor device |
| US07/708,806 US5138404A (en) | 1988-03-25 | 1991-05-31 | Semiconductor device for passing current between a GaAs layer and an InGaAlP layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069640A JP2685209B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置及び半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01243597A true JPH01243597A (ja) | 1989-09-28 |
| JP2685209B2 JP2685209B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=13408662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63069640A Expired - Lifetime JP2685209B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置及び半導体発光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5138404A (ja) |
| EP (1) | EP0334637A3 (ja) |
| JP (1) | JP2685209B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5278857A (en) * | 1989-10-16 | 1994-01-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Indium gallium aluminum phosphide silicon doped to prevent zinc disordering |
| JPH03129892A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| US5008718A (en) * | 1989-12-18 | 1991-04-16 | Fletcher Robert M | Light-emitting diode with an electrically conductive window |
| JP2893827B2 (ja) * | 1990-03-27 | 1999-05-24 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ |
| DE69115555T2 (de) * | 1990-05-07 | 1996-09-05 | Toshiba Kawasaki Kk | Halbleiterlaser |
| US5161167A (en) * | 1990-06-21 | 1992-11-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser producing visible light |
| JP2656397B2 (ja) * | 1991-04-09 | 1997-09-24 | 三菱電機株式会社 | 可視光レーザダイオードの製造方法 |
| KR100292308B1 (ko) * | 1992-06-19 | 2001-09-17 | 이데이 노부유끼 | 반도체장치 |
| JP3095545B2 (ja) * | 1992-09-29 | 2000-10-03 | 株式会社東芝 | 面発光型半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP3217490B2 (ja) * | 1992-09-29 | 2001-10-09 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
| JP3198016B2 (ja) * | 1994-08-25 | 2001-08-13 | シャープ株式会社 | 発光ダイオードアレイ及びその製造方法 |
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| JP3233569B2 (ja) * | 1996-03-22 | 2001-11-26 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子 |
| GB2312783B (en) * | 1996-05-01 | 2000-12-13 | Epitaxial Products Internat Lt | Opto-electronic device with transparent high lateral conductivity current spreading layer |
| JP3807638B2 (ja) | 1997-01-29 | 2006-08-09 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP3332785B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2002-10-07 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP3797748B2 (ja) | 1997-05-30 | 2006-07-19 | シャープ株式会社 | 発光ダイオードアレイ |
| US6577658B1 (en) | 1999-09-20 | 2003-06-10 | E20 Corporation, Inc. | Method and apparatus for planar index guided vertical cavity surface emitting lasers |
| US20040227141A1 (en) * | 2003-01-30 | 2004-11-18 | Epistar Corporation | Light emitting device having a high resistivity cushion layer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63179590A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Nec Corp | ＡｌＧａＩｎＰ半導体発光素子 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4661961A (en) * | 1983-06-20 | 1987-04-28 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Buried heterostructure devices with unique contact-facilitating layers |
| US4617724A (en) * | 1983-06-30 | 1986-10-21 | Fujitsu Limited | Process for fabricating heterojunction bipolar transistor with low base resistance |
| JPS6055678A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | Nec Corp | 発光ダイオ−ド |
| JPH0647420B2 (ja) * | 1985-07-15 | 1994-06-22 | 松下電器産業株式会社 | 給紙カセツト |
| US4837775A (en) * | 1985-10-21 | 1989-06-06 | General Electric Company | Electro-optic device having a laterally varying region |
| JPH0671006B2 (ja) * | 1985-12-16 | 1994-09-07 | 日本電気株式会社 | バイポ−ラトランジスタ |
| US4792958A (en) * | 1986-02-28 | 1988-12-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser with mesa stripe waveguide structure |
| JPH0732285B2 (ja) * | 1986-02-28 | 1995-04-10 | 株式会社東芝 | 半導体レ−ザ装置 |
| EP0259026B1 (en) * | 1986-08-08 | 1994-04-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Double-heterostructure semiconductor laser with mesa stripe waveguide |
| US5034957A (en) * | 1988-02-10 | 1991-07-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63069640A patent/JP2685209B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-22 EP EP19890302854 patent/EP0334637A3/en not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-05-31 US US07/708,806 patent/US5138404A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63179590A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Nec Corp | ＡｌＧａＩｎＰ半導体発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0334637A3 (en) | 1991-09-25 |
| JP2685209B2 (ja) | 1997-12-03 |
| US5138404A (en) | 1992-08-11 |
| EP0334637A2 (en) | 1989-09-27 |
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