JPH01237524A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01237524A JPH01237524A JP63064190A JP6419088A JPH01237524A JP H01237524 A JPH01237524 A JP H01237524A JP 63064190 A JP63064190 A JP 63064190A JP 6419088 A JP6419088 A JP 6419088A JP H01237524 A JPH01237524 A JP H01237524A
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- JP
- Japan
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- wiring layer
- wiring
- wiring layers
- straight
- length
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕・
本発明は大面積の液晶表示パネル用半導体装置などのよ
うに、長さが501fl+を越える連続した配線層を有
する半導体装置に一関する。
うに、長さが501fl+を越える連続した配線層を有
する半導体装置に一関する。
従来の半導体装置では、長さが50amを越える連続し
た配線層を有することは殆どなかった。シ。
た配線層を有することは殆どなかった。シ。
かしアクティブマトリックス方式の液晶表示パネル用半
導体装置などでは、数1を越える長さを有する連続した
配線層が使用されるようになって来ている。前記配線層
は前記半導体装置においてデータ線やタイミング線とし
て使用され、通常片方の一端から他方の一端まで一直線
に配線される。
導体装置などでは、数1を越える長さを有する連続した
配線層が使用されるようになって来ている。前記配線層
は前記半導体装置においてデータ線やタイミング線とし
て使用され、通常片方の一端から他方の一端まで一直線
に配線される。
一本の連続した配線層でその直線部分の長さが数1を越
えると、前記配線層或は前記配線層の上または下の層に
クラックがはいることがある。前記クラックは最終的に
前記配線層や他の配線層の断線を惹き起こす、従って本
発明の目的は、連続した数1を越える長い配線層にクラ
ックがはいっ゛たり断線したりする。ことを防止するこ
と、である。
えると、前記配線層或は前記配線層の上または下の層に
クラックがはいることがある。前記クラックは最終的に
前記配線層や他の配線層の断線を惹き起こす、従って本
発明の目的は、連続した数1を越える長い配線層にクラ
ックがはいっ゛たり断線したりする。ことを防止するこ
と、である。
前記目的を達成するため本発明は、長さ50鮨を越える
連続した配線層において、前記配線層の直線部分の長さ
が50am以下に制限された、複数の直線部分からなる
ことを特徴とする。
連続した配線層において、前記配線層の直線部分の長さ
が50am以下に制限された、複数の直線部分からなる
ことを特徴とする。
以下実施例に基づき本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明による一実施例である。第°1図におい
て、101.101′は同一材料により同一平面に形成
された配線層であり、102は前記配線層の上に眉間絶
縁膜をはさんで前記配線層と直交し、長さが5011I
Iを越える配線層である。第1図において配線層102
は、他の配線層101及びiot’の間で折れ曲がりが
形成されており、該折れ曲がり部の左右では、配線層1
02が一直線にならない、また配線層102の前記折れ
曲がり部の左側で一直線になっている部分の長さ及び前
記折れ曲がり部の右側で一直線になっている部分は、夫
々その一直線部分の長さが50關を越えない長さとなっ
ている。
て、101.101′は同一材料により同一平面に形成
された配線層であり、102は前記配線層の上に眉間絶
縁膜をはさんで前記配線層と直交し、長さが5011I
Iを越える配線層である。第1図において配線層102
は、他の配線層101及びiot’の間で折れ曲がりが
形成されており、該折れ曲がり部の左右では、配線層1
02が一直線にならない、また配線層102の前記折れ
曲がり部の左側で一直線になっている部分の長さ及び前
記折れ曲がり部の右側で一直線になっている部分は、夫
々その一直線部分の長さが50關を越えない長さとなっ
ている。
本発明の第1図に対し、従来技術による配線例を第3図
に示す、301.301′及び302は第1図の101
.101′及び102に夫々対応する。第3図において
配線層302は他の配線層301及び301′の間で折
れ曲がり部がないため、直線部分の長さが50mmを越
えるものである。
に示す、301.301′及び302は第1図の101
.101′及び102に夫々対応する。第3図において
配線層302は他の配線層301及び301′の間で折
れ曲がり部がないため、直線部分の長さが50mmを越
えるものである。
第4図は第3図において配線層301と配線層302が
直交し、交わっている部分の断面を示している。第4図
の401.402は第3図301.302に夫々対応し
ている。配線層302乃至402はその直線部分が長い
ため、配線層自身の応力、戒は眉間絶縁膜404から受
ける応力、或は半導体装置の基板403から受ける応力
により、第4図のに示すようにクラックにより断線する
。
直交し、交わっている部分の断面を示している。第4図
の401.402は第3図301.302に夫々対応し
ている。配線層302乃至402はその直線部分が長い
ため、配線層自身の応力、戒は眉間絶縁膜404から受
ける応力、或は半導体装置の基板403から受ける応力
により、第4図のに示すようにクラックにより断線する
。
前記各種の応力は段差部に集中すると同時に、段差部で
は、配線層の膜厚が薄くなるためである。
は、配線層の膜厚が薄くなるためである。
第3図に示すように配線層302に対応する本発明の配
線層102(第1図)は、折れ曲がり部があるため、前
述した各種応力は折れ曲げり部に緩和され、従って第4
図のに示すようにクラック乃至断線が発生することはな
い。
線層102(第1図)は、折れ曲がり部があるため、前
述した各種応力は折れ曲げり部に緩和され、従って第4
図のに示すようにクラック乃至断線が発生することはな
い。
第2図は本発明による他の実施例である。長い配線層2
02が他の配線層201.201′の間で折れ曲がりを
有している。該折れ曲がり部が前述した各種応力を緩和
し、配線層202のクラック乃至断線を防止する役目を
果たしている。
02が他の配線層201.201′の間で折れ曲がりを
有している。該折れ曲がり部が前述した各種応力を緩和
し、配線層202のクラック乃至断線を防止する役目を
果たしている。
第3図は本発明による更に別な実施例である。
第3図において長い配線層302.302′は、 。
該配線層と異なる工程で形成される別の短かい配線層を
介して左右で電気的に接続されている。配線層302及
び302′は一直線上にあるが、前記両者はバタン上は
離れているので、前述した各種応力は緩和され、クラッ
クや断線が発生することはない。
介して左右で電気的に接続されている。配線層302及
び302′は一直線上にあるが、前記両者はバタン上は
離れているので、前述した各種応力は緩和され、クラッ
クや断線が発生することはない。
本発明によれば、数1以上の長い連続した配線層を、ク
ラック発生や断線発生することなく配線することが可能
である。従って前記長い配線層を有する半導体装置を高
い歩留りで製造する効果がある。
ラック発生や断線発生することなく配線することが可能
である。従って前記長い配線層を有する半導体装置を高
い歩留りで製造する効果がある。
第1.2.3図は本発明による配線層の一部を示した図
、第4図は従来技術による配線層の一部を示した図、第
5図は従来技術による配線層のり、ロス部の断面図。 lot 、 101’ 、201.201′ 、30
1.301’ 、401.401’ 501・・・
第1の配線層 102.202.302.302’、402.502・
・・第2の配線層 303・・・第2の配線層どうしを接続する第3の配線
層 503・・・基板 504・・・配線層間の絶縁膜 以上 第4図 第5図
、第4図は従来技術による配線層の一部を示した図、第
5図は従来技術による配線層のり、ロス部の断面図。 lot 、 101’ 、201.201′ 、30
1.301’ 、401.401’ 501・・・
第1の配線層 102.202.302.302’、402.502・
・・第2の配線層 303・・・第2の配線層どうしを接続する第3の配線
層 503・・・基板 504・・・配線層間の絶縁膜 以上 第4図 第5図
Claims (1)
- (1)長さが50mmを越える連続した配線層において
、前記配線層の直線部分の長さが50mm以下に制限さ
れた、複数の直線部分からなることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63064190A JPH01237524A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63064190A JPH01237524A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01237524A true JPH01237524A (ja) | 1989-09-22 |
Family
ID=13250896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63064190A Pending JPH01237524A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01237524A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997040528A1 (fr) * | 1996-04-19 | 1997-10-30 | Matsushita Electronics Corporation | Dispositif pour semi-conducteur |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP63064190A patent/JPH01237524A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997040528A1 (fr) * | 1996-04-19 | 1997-10-30 | Matsushita Electronics Corporation | Dispositif pour semi-conducteur |
US6081036A (en) * | 1996-04-19 | 2000-06-27 | Matsushita Electronics Corp. | Semiconductor device |
KR100299338B1 (ko) * | 1996-04-19 | 2001-10-19 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 반도체장치 |
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