JP3350352B2 - 配線パターンを有する半導体装置の支持基体 - Google Patents

配線パターンを有する半導体装置の支持基体

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線パターンを有
する半導体装置の支持基体に関し、より詳しくは、2つ
の装置構成要素間を接続する複数の配線からなる配線パ
ターンがフィルム等の基板上に形成された半導体装置の
支持基体に関する。装置の小型化に伴い、回路構成に必
要な各要素は統合されて同一の基板に搭載されることが
多くなってきている。この場合、2つの要素間を接続す
るため、小型化,薄型化が可能な、複数の配線がポリイ
ミドフィルム上に形成されたテープキャリアが用いられ
る。テープキャリアのことをテープキャリアパッケージ
(TCP)ともいう。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置の場合、液晶表示部のTF
Tを駆動するためにドライバLSIチップが実装された
テープキャリアが用いられる。図11はテープキャリア
1の全体の構成を示す平面図であり、一端は配線回路が
形成されたプリント基板と接続され、他端は液晶表示部
と接続される。同図に示すように、ポリイミドフィルム
2上のパッドの上にドライバ用半導体チップ4が搭載さ
れ、複数の配線からなる配線パターン3が形成されてい
る。配線パターンにより半導体チップ4上の複数の端子
電極と液晶表示部のトランジスタマトリックス上の複数
の端子電極が接続される。なお、図中、5aは半導体チ
ップ4上の複数の端子電極とプリント基板側の配線パタ
ーンを接続するリード線、5bは半導体チップ4上の別
の複数の端子電極と液晶表示部側の配線パターン3を接
続するリード線である。
【0003】図10は図11の配線パターンの形成領域
の中央部(B部)の構成を示す平面図である。一般に、
半導体チップ4の端子電極の大きさ及び横並びのピッチ
と、液晶表示部の端子電極の大きさ及び横並びのピッチ
とは異なっているため、それぞれの側の配線パターンの
幅と並びのピッチPin,Pout も異なっている。このた
め、端子電極から直に延びてくる相互の配線3a,3b
同士が出会う接続領域では、一方のピッチから他方のピ
ッチに移行させるため非平行部分3cにより相互の配線
3a,3b間が接続される。この場合、相互の配線3
a,3b同士のピッチずれΔPが他よりも小さくなる領
域(図11の場合接続領域の中央部となる。)では、斜
めの配線3cの長さは短くなる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記液晶表
示装置の品質保証のため、テープキャリアは温度サイク
ル試験にかけられる。また、テープキャリアにプリント
基板や液晶表示部を取り付けた後、最終装置への組み込
みの際に液晶表示部にはコネクタの着脱が行われる。上
記のような場合、テープキャリア1には熱的に或いは機
械的に引張り応力が加わる。このような引張り応力が加
わった場合、中央部の配線が周辺部の配線よりも破断さ
れやすいことが確かめられている。特に、相互の配線3
a,3b同士が出会う、ピッチの移行領域B1で破断す
ることが多い。
【0005】本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて
創作されたものであり、フィルム上に形成された複数の
配線の応力耐性を中央部とその周辺部で均等にし、かつ
その応力耐性自体を一層向上させることができるテープ
キャリアを提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1記載の発明は、配線パターンを有する半導
体装置の支持基体に係り、入力側接続端子のピッチと出
力側接続端子のピッチの相違により該入力側接続端子と
該出力側接続端子間を接続する複数の配線が途中で屈曲
している配線パターンが基板上に形成された配線パター
ンを有する半導体装置の支持基体において、前記各配線
の非平行部分の全体の長さをほぼ等しくしたことを特徴
とし、請求項2記載の発明は、配線パターンを有する半
導体装置の支持基体に係り、入力側接続端子と出力側接
続端子の間を接続する複数の配線からなる配線パターン
が基板上に形成された配線パターンを有する半導体装置
の支持基体において、前記配線の非形成領域にダミーパ
ターンが形成されてなることを特徴とし、請求項3記載
の発明は、請求項1又は2記載の配線パターンを有する
半導体装置の支持基体に係り、前記半導体装置の支持基
体は、前記入力側接続端子と出力側接続端子の間を接続
する複数の配線からなる配線パターンがフィルム上に形
成されたテープキャリアであることを特徴としている。
【0007】本発明においては、複数の配線に非平行部
分を設け、各配線の非平行部分の全体の長さをほぼ等し
くしているので、各配線はそれぞれ等しくバネ性を有す
ることになり、機械的応力や熱による引張り応力が配線
方向に生じたとき、その応力耐性が向上する。また、複
数の配線に非平行部分を新たに設け、各配線の非平行部
分の全体の長さをほぼ等しくしているので、各配線はそ
れぞれ等しくバネ性を有することになり、特に応力耐性
の低いところに応力が集中することはなくなる。このた
め、配線方向に引張り応力が生じたとき、その応力耐性
が向上する。
【0008】特に、複数の入力側接続端子のピッチと複
数の出力側接続端子のピッチが異なるような場合、両接
続端子間のピッチずれが他より小さくなる配線では、特
に非平行部分が短くなりがちであり、そこに新たに非平
行部分を設けて各配線の非平行部分の全体の長さをほぼ
等しくするとよい。更に、配線の非形成領域にダミーパ
ターンが形成されている。このダミーパターンにより配
線パターンの下地の基板、例えばフィルムの伸びが抑制
されるため、その周辺の配線に及ぼされる応力が緩和さ
れる。
【0009】特に、本発明の配線パターンを有する半導
体装置の支持基体をテープキャリアに適用した場合に有
効である。
【0010】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。 (1)本発明の第1の実施の形態 図2は液晶表示装置に用いられるテープキャリア或いは
テープキャリアパッケージ(TCP)の全体の構成を示
す平面図である。
【0011】図2に示すように、テープキャリア(配線
パターンを有する半導体装置の支持基体)11の一端に
は配線回路が形成されたプリント基板が接続され、他端
には液晶表示部が接続される。テープキャリア11のポ
リイミドフィルム(基板)12上に形成されたパッドの
上にドライバ用半導体チップ14が搭載されている。ま
た、半導体チップ14の搭載位置よりも液晶表示部側の
ポリイミドフィルム12の上には複数の配線(配線パタ
ーン)13が形成されている。
【0012】半導体チップ14の端子電極群とプリント
基板側の配線パターンとはリード線15aにより接続さ
れ、半導体チップ14の別の端子電極群と液晶表示部側
の配線パターン13とはリード線15bにより接続され
ている。また、液晶表示部の端子電極群と配線パターン
13とは接着剤で相互に接続される。図1は、本発明の
第1の実施の形態に係るテープキャリアの配線パターン
の詳細な構成について示す平面図である。図1は図2に
示す配線形成領域の中央部(A部)の拡大図である。
【0013】図1に示すように、各配線はその両端に入
力側接続端子及び出力側接続端子を有している。半導体
チップ14側に横並びした複数の入力側接続端子の集合
を入力側接続端子群18aといい、液晶表示部側に横並
びした複数の出力側接続端子の集合を出力側接続端子群
18bという。入力側接続端子群18aはピッチPinを
有し、そのピッチは半導体チップ14の端子電極群のピ
ッチと合わせてある。また、出力側接続端子群18bは
ピッチPout を有し、そのピッチは液晶表示部のトラン
ジスタマトリックスの端子電極群のピッチと合わせてあ
る。
【0014】一般に、半導体チップ14の端子電極の大
きさ及びそれらの並びのピッチと、液晶表示部の端子電
極の大きさ及びそれらの並びのピッチとは異なっている
ためピッチPin,Pout も互いに異なっている。第1の
実施の形態では、配線13a,13b,13cの材料と
して膜厚約12.5μmの銅箔を用い、半導体チップ1
4側の配線13aの幅を35μmとし、それらの間隔を
35μmとし、ピッチPinを70μmとしている。ま
た、液晶表示部側の配線13bの幅を50〜100μm
とし、それらの間隔を50〜100μmとし、ピッチP
out を100〜200μmとしている。なお、配線13
aは入力側接続端子群から延びる複数の配線のことをい
い、配線13bは出力側接続端子群から延びる複数の配
線のことをいう。
【0015】ところで、図10に示すように、配線3a
のピッチから配線3bのピッチへの移行領域では、入力
側接続端子と出力側接続端子のピッチずれΔP0 ,ΔP
1 ・・が他よりも小さくなる中央部(ΔP0 )で配線3
の非平行部分3cの長さは短くなる。これに対して、第
1の実施の形態では、図1に示すように、中央部の2つ
の配線のピッチの移行領域で左側の配線13cを「く」
の字形状とし、右側の配線13cを逆「く」の字形状と
している。即ち、特にピッチずれの小さい配線の配線方
向に対して非平行な部分(以下、非平行部分と称す
る。)13cを長くし、応力耐性の低い部分のバネ性を
増している。また、各配線の非平行部分13cの全体の
長さをほぼ等しくする。これにより、各配線はそれぞれ
等しくバネ性を有することになり、特に応力耐性の低い
ところに応力が集中することはなくなる。このため、配
線方向に引張り応力が生じたとき、その応力耐性が向上
する。
【0016】また、配線を屈曲させることにより生じた
菱形形状の配線の非形成領域に、この非形成領域の形状
と相似した膜厚約12.5μmの銅箔からなる菱形形状
のダミーパターン16aを形成している。このダミーパ
ターン16aはその部分のポリイミドフィルム12の伸
びを抑制するため、その周辺部の配線に及ぼされる応力
が緩和される。
【0017】以上のように、本発明の第1の実施の形態
によれば、応力耐性の低い部分の配線のバネ性を増して
引張り応力を緩和するとともに、各配線の非平行部分1
3cの全長を等しくして各配線の応力耐性を均等化して
いる。また、ダミーパターン16aによりその周辺部の
配線に及ぼされる応力を緩和している。これにより、テ
ープキャリア11の応力耐性を向上させることができ
る。特に、本発明をピッチの移行領域に適用しているの
で、応力耐性の向上の効果は大きい。
【0018】なお、第1の実施の形態では、配線13を
屈曲させた領域を、特に大きな応力がかかる配線13の
ピッチの移行領域に設けているが、これに限らず、ピッ
チの移行領域以外の他の領域にそれを設けてもよい。更
に、配線13の下地のフィルム12としてポリイミドフ
ィルムが用いられているが、熱や機械的応力に対する配
線パターンの伸びに比較してフィルムの伸びが大きいよ
うなテープキャリアに適用することができる。
【0019】また、図4に示すように、入力側接続端子
群21aと出力側接続端子群21bのピッチが等しい場
合でも、それらを接続する配線22a〜22cの途中に
非平行部分22cを設けることにより、配線のバネ性が
増すため、引張り応力に対する機械的強度を向上させる
ことができる。なお、図3は、図4に示す配線の非形成
領域24にダミーパターン23を設けたものである。ダ
ミーパターン23によりその部分のフィルムの伸びが抑
制されて、その周辺部の配線13cへの引っ張り応力が
緩和される。これにより、配線パターンの応力耐性を向
上させることができる。
【0020】(2)本発明の第2〜第6の実施の形態 (第2の実施の形態)図5は、本発明の第2の実施の形
態に係るテープキャリアの配線パターンの詳細な構成に
ついて示す平面図である。第1の実施の形態と異なると
ころは、両端子間のピッチずれが小さい配線に「コ」の
字形状の屈曲部分を設け、これに隣接する配線に逆
「コ」の字形状の屈曲部分を設けていることである。更
に、それにより生じた六角形状の配線の非形成領域に、
その非形成領域の形状に合わせて六角形のダミーパター
ン16bを設けていることである。
【0021】この場合にも、配線13は屈曲部分で非平
行部分13cを有しているので、配線13のバネ性を増
すことができる。また、各配線の非平行部分13cの全
体の長さをほぼ等しくすることにより、各配線はそれぞ
れ等しくバネ性を有することになり、特に応力耐性の低
いところに応力が集中することはなくなる。更に、配線
の非形成領域に、この非形成領域の形状と相似した膜厚
約12.5μmの銅箔からなる六角形のダミーパターン
16bが形成されているので、このダミーパターン16
bによりその部分のフィルムの伸びが抑制されて、その
周辺部の配線への引っ張り応力が緩和される。これによ
り、配線パターン13の応力耐性を向上させることがで
きる。
【0022】(第3の実施の形態)図6は、本発明の第
3の実施の形態に係るテープキャリアの配線パターンの
詳細な構成について示す平面図である。第2の実施の形
態と異なるところは、配線の非形成領域に、細長い短冊
状のパターンに分割された、全体として六角形となるダ
ミーパターン16cが形成されていることである。
【0023】この場合にも、配線は非平行部分13cを
有しているので、配線のバネ性が増し、引張り応力が緩
和される。また、配線の非形成領域に、この非形成領域
の形状と相似した膜厚約12.5μmの銅箔からなる細
長い短冊状のパターンからなる全体として六角形のダミ
ーパターン16cが形成されているので、このダミーパ
ターン16cによりその部分のフィルムの伸びが抑制さ
れて、その周辺部の配線への引張り応力が緩和される。
これにより、配線パターン13の応力耐性が向上する。
【0024】(第4の実施の形態)図7は、本発明の第
4の実施の形態に係るテープキャリアの配線パターンの
詳細な構成について示す平面図である。配線の屈曲部分
を菱形形状とし、屈曲部分の形成により生じた非形成領
域のダミーパターン16dを菱形形状としていることは
第1の実施の形態と同じであるが、屈曲部分の非平行部
分13cの長さと配線の非形成領域の大きさが小さいこ
とが第1の実施の形態と異なっている。
【0025】この場合にも、配線は非平行部分13cを
有するので、配線のバネ性が増し、応力が緩和される。
また、中央部の配線パターンの非形成領域に、この非形
成領域の形状と相似した膜厚約12.5μmの銅箔から
なる菱形形状のダミーパターン16dが形成されている
ので、このダミーパターン16dにより中央部のフィル
ムの伸びが抑制されて、外部からの引っ張り応力が緩和
される。これにより、配線パターン13の応力耐性が向
上する。
【0026】(第5の実施の形態)図8は、本発明の第
5の実施の形態に係るテープキャリアの配線パターンの
詳細な構成について示す平面図である。第4の実施の形
態と異なるところは、配線の屈曲部分の配線の非形成領
域17には、ダミーパターンが形成されていないことで
ある。
【0027】この場合でも、ピッチの移行領域で非平行
部分13cを長くすることができるので、配線13のバ
ネ性が増す。これにより、テープキャリア11の応力耐
性を向上させることができる。次に、上記第1〜第5の
配線パターンについて有限要素法により引張り応力によ
る最大応力とその発生箇所について調査した。表1にそ
の結果を示す。図7の従来例の配線にかかる最大応力を
100とした。
【0028】
【表1】
【0029】表1の結果によれば、第1〜第5の何れの
配線にかかる最大応力も図7の配線にかかる最大応力の
半分以下になっている。以上のように、配線の途中に屈
曲部分を設けてバネ性を高め、かつその非平行部分の長
さを等しくした効果、及び、配線の非形成領域にダミー
パターンを形成してフィルムの伸びを抑制した効果は大
きいことが確かめられた。
【0030】なお、上記第1〜第5の実施の形態では、
屈曲部分の形状を「く」の字、或いは「コ」の字形状と
しているが、これらに限られないことはいうまでもな
く、半円状その他の形状としてもよい。また、屈曲部分
の非平行部分は、配線方向に対して斜め方向に屈曲した
部分のみならず、横方向に屈曲した部分や滑らかに変化
する曲線状の部分をも含むものとする。この場合も屈曲
部分はバネ性を有する。
【0031】また、ダミーパターンの形状も上記に限ら
れないことはいうまでもなく、多角形状や円形状として
もよい。 (第6の実施の形態)更に、配線材料の熱膨張係数と熱
膨張係数が異なる材料からなる基板上に配線を形成する
場合にも本発明を適用することができる。例えば、図9
に示すように、シリコン基板31上のシリコン酸化膜3
2の上に複数のアルミニウム配線や銅配線33等を一方
向に並行して形成する場合にも適用することができる。
【0032】
【発明の効果】以上のように、本発明の配線接続機構に
おいては、複数の配線に非平行部分を設け、各配線の非
平行部分の全体の長さをほぼ等しくしているので、各配
線はそれぞれ等しくバネ性を有することになり、配線方
向に引張り応力が生じたとき、その応力耐性が向上す
る。
【0033】また、複数の配線に非平行部分を新たに設
け、各配線の非平行部分の全体の長さをほぼ等しくして
いるので、各配線はそれぞれ等しくバネ性を有すること
になり、特に応力耐性の低いところに応力が集中するこ
とはなくなる。このため、配線方向に引張り応力が生じ
たとき、その応力耐性が向上する。更に、配線の非形成
領域にダミーパターンが形成されている。このダミーパ
ターンにより配線パターンの下地のフィルム等基板の伸
びが抑制されるため、その周辺の配線に及ぼされる応力
が緩和される。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の第1の実施の形態に係るテー
プキャリアの配線パターンの詳細な構成について示す平
面図である。
【図2】図2は、本発明の実施の形態に係るテープキャ
リアの全体の構成について示す平面図である。
【図3】図3は、本発明の第1の実施の形態に係る他の
テープキャリアの配線パターンの詳細な構成について示
す平面図である。
【図4】図4は、本発明の第1の実施の形態に係る他の
テープキャリアの配線パターンの詳細な構成について示
す平面図である。
【図5】図5は、本発明の第2の実施の形態に係るテー
プキャリアの配線パターンの詳細な構成について示す平
面図である。
【図6】図6は、本発明の第3の実施の形態に係るテー
プキャリアの配線パターンの詳細な構成について示す平
面図である。
【図7】図7は、本発明の第4の実施の形態に係るテー
プキャリアの配線パターンの詳細な構成について示す平
面図である。
【図8】図8は、本発明の第5の実施の形態に係るテー
プキャリアの配線パターンの詳細な構成について示す平
面図である。
【図9】図9は、本発明の第6の実施の形態に係る配線
パターンを有する半導体装置の支持基体について示す断
面図である。
【図10】図10は、従来例に係るテープキャリアの配
線パターンの詳細な構成について示す平面図である。
【図11】図11は、従来例に係るテープキャリアの全
体の構成について示す平面図である。
【符号の説明】
11 テープキャリア(配線パターンを有する半導体装
置の支持基体)、 12 ポリイミドフィルム(基板)、 13a,22a 入力側接続端子群から延びる複数の配
線、 13b,22b 出力側接続端子群から延びる複数の配
線、 13c,22c 配線の非平行部分、 14 半導体チップ、 15a,15b リード線、 16a〜16d,23 ダミーパターン、 17,24 配線の非形成領域、 18a,21a 入力側接続端子群、 18b,21b 出力側接続端子群、 31 シリコン基板、 32 シリコン酸化膜、 33 配線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力側接続端子のピッチと出力側接続端
    子のピッチの相違により該入力側接続端子と該出力側接
    続端子間を接続する複数の配線が途中で屈曲している配
    線パターンが基板上に形成された配線パターンを有する
    半導体装置の支持基体において、 前記各配線の非平行部分の全体の長さをほぼ等しくした
    ことを特徴とする配線パターンを有する半導体装置の支
    持基体。
  2. 【請求項2】 入力側接続端子と出力側接続端子の間を
    接続する複数の配線からなる配線パターンが基板上に形
    成された配線パターンを有する半導体装置の支持基体に
    おいて、 前記配線の非形成領域にダミーパターンが形成されてな
    ることを特徴とする配線パターンを有する半導体装置の
    支持基体。
  3. 【請求項3】 前記半導体装置の支持基体は、前記入力
    側接続端子と出力側接続端子の間を接続する複数の配線
    からなる配線パターンがフィルム上に形成されたテープ
    キャリアであることを特徴とする請求項1又は2記載の
    配線パターンを有する半導体装置の支持基体。
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