JPH01229424A - 磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、スパッタ技術を用いてディスク基板の表面に
下地膜や磁気記録膜等を形成する磁気ディスクの製造方
法に関し、更に詳しくは、ディスク基板を搬送するパレ
ットのディスク装着用開口部の近傍に衝立を設けて、ス
パッタ粒子がディスク基板に対して直角もしくはそれに
近い角度で入射するように構成した磁気ディスクの製造
方法に関するものである。

［従来の技術］ 磁気ディスク装置の記録媒体は様々な技術を利用して製
造されているが、近年、ディスク基板の表面にスパッタ
技術により磁性薄膜等を形成した所謂「スパッタディス
ク」が多く用いられるようになってきている。この種の
磁気ディスクはインライン型スパッタ装置等により効率
良く製造される。

この場合、第５図に示すようにディスク基板１０はパレ
ット１２と呼ばれる搬送用の治具に装着されてスパッタ
装置の内部を移動する。パレット１２は、通常、複数（
ここでは９個）のディスク装着用ρ円形開口部１４を有
する。各開口部１４の内周面には第６図に示すように下
通溝部１６と上辺段部１８が設けられており、それらに
よってディスク基板１０は自立した状態で保持される。

このようなパレット１２は第７図に示すようなインライ
ン型スパッタ装置２０の内部を白抜き矢印方向に移動す
る。スパッタ装置２０は、例えばＣｒターゲット２２ａ
、２２ｂを持つ第１のステージ、ＣｏＮｉＣｒターゲフ
ト２４ａ。

２４ｂを持つ第２のステージ、Ｃターゲット２８ａ、２
８ｂを持つ第３のステージ等を有し、ディスク基板上に
Ｃｒ下地膜、ＣｏＮｉＣｒ磁気記録膜、Ｃ保護膜をこの
順序で成膜する。

［発明が解決しようとする課題］ このようにしてスパッタ膜を形成すると、パレットが搬
送されてターゲットの前を通過する過程において、ディ
スク基板に入射するスパッタ粒子の方向が搬送方向に対
して平行な成分を多く持つようになる。そのため下地膜
および磁気記録膜が異方的に結晶成長し、搬送方向に対
して磁気特性の異方性が生じる問題があった。

本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点を解消し
、搬送方向に対して生しる磁気異方性を低減させること
ができる磁気ディスクの製造方法を提供することにある
。

［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成できる本発明は、パレットのディスク
装着用の開口部にディスク基板を装着し、成膜室内を移
送してスパッタリングにより薄膜を形成する磁気ディス
クの製造方法において、前記バレー／　）の前記開口部
近傍に衝立を設け、ディスク基板に対して斜方向から入
射するスパッタ粒子を該衝立で阻止しつつスパッタを行
うようにした磁気ディスクの製造方法である。

ここでパレットに設ける衝立の高さは、ディスク基板と
スパッタ・ターゲットとの最短距離の１／４〜５／８程
度が望ましい。

衝立の形状は、例えばディスク装着用開口部を取り囲む
ような基盤目のような角筒状や円筒状等の他、より単純
には平板を縦方向（搬送方向に対して垂直な方向）に平
行に設けた構造であってもよい。

［作用］ ディスク基板を搭載したパレットがスパッタ装置内部を
移動する時、そのディスク装着用開口部近傍に衝立が設
けられていると、スパッタ・ターゲットからの入射粒子
のうち特にディスク基板に対して斜め方向から入射する
スパッタ粒子は衝立により妨げられディスク基板に達し
難くなる。このため搬送方向に対して磁気特性の異方性
が生じるのを低減できる。つまり搬送方向に平行な方向
の磁気特性と、それに対して垂直な方向の磁気特性の違
いが少なくなり、方向性の少ない良好な磁気特性をもつ
磁気ディスクを製造することが可能となる。

し実施例〕 第１図は本発明で用いるに好適な磁気ディスク製造用の
パレットの一例を示す一部破断斜視図である。このパレ
ット３２はディスク基牟反１０を装着するための開口部
３４を複数個（この実施例では９個）備えており、各開
口部３４は従来技術と同様、下辺溝部と上辺段部を備え
、それらによってディスク基板１０を自立保持可能な構
造になっている。

本発明で用いるパレット３２は、その開口部３４の近傍
に衝立３９が設けられている。この衝立３９はスパッタ
・ターゲットに対向する面に突設され、本実施例では両
面にスパッタ・ターゲットが位置するため両面に衝立３
９が設けられている。ここでは衝立３９は基盤の目のよ
うに配設された角筒状をなしている。

この衝立３９の高さは、スパッタ装置の内部におけるデ
ィスク基半反とスパッタ・ターゲットとの距離の１／４
〜５／８の範囲内とするのが望ましい。

このようなパレット３２は従来同様、インライン型スパ
ッタ装Ｗ２０内を搬送される。この装置は、搬送されて
くるディスク基板の両面にＣｒ下地膜、Ｃｏ　Ｎ　ｉ　
Ｃｒ　磁気記録膜、Ｃ保護膜を順次形成する構成である
。成膜室４０の入口側および出口側にそれぞれディスク
基板の搬入室４２と搬出室４４とが設けられる。成膜室
４ｏの内部は高真空状態にされるため、該成膜室４０と
搬入室４２との間、および成膜室４０と搬出室４４との
間はそれぞれアイソレーション・バルブ４６．４８で仕
切られる。成膜室４０には入口側から出口側に向かって
順次Ｃｒターゲッ）２２ａ、２２ｂを持つ第１のスパッ
タステージ、ＣｏＮｉＣｒターゲット２４ａ。

２４ｂを持つ第２のスパッタステージ、Ｃターゲット２
６ａ、２６ｂを有する第３のスパッタステージが配列さ
れている。

ディスク基板を装着したバレント３２は搬入室４２から
アイソレーション・バルブ４６を通って成膜室４０内に
入り、ヒータ５０により所定温度に加熱されて白抜き矢
印方向に進み各スパッタステージへ向かう。そしてＣｒ
下地膜、ＣｏＮｉＣｒ磁気記録膜、Ｃ保護膜が順次成膜
され、アイソレーション・バルブ４８を通す搬出室４４
に至る。

バレントが各スパッタステージを通る際、各ターゲット
からの入射粒子は第３図に示すようにディスク基板に対
して直角もしくはそれに近い角度（実線矢印にて示す）
のみとは限らない。

破線矢印にて示すような斜め方向の成分もかなりある。

しかし本発明では衝立３９が設けられているため、ディ
スク基板１０に対して斜方向から入射するスバフタ粒子
は衝立゛３９により阻止されディスク基板１０に達し難
くなる。このため搬送方向に対して磁気特性の異方性が
生じるのをかなり防止することができる。

次に実験例について述べる。ディスク基板は直径１３０
Ｉのガラス製である。衝立は１５０ｍｍ角の正方形状に
配設された角筒状であり、その高さは３０ｍｍである。

ターゲットとディスク基板との最短距離は８０ｍｍであ
る。インライン型スパッタ装置は、アルゴン圧が１０　
ｍＩＩＩＴｏｒｒ。

パレットの搬送速度は１８０ｍｍ／分、到達真空度は５
　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒである。ディスク基板の温度は
約１００℃である。ここで形成する各膜の厚さはＣｒ下
地膜が２５００人、ＣｏＮ１（、ｒ６ｆｔ気記録膜が５
００人、Ｃ保護膜が４００人である。

実験の結果、第１表に示すようなディスク磁気特性が得
られた。

第１表 ここで平行方向とは搬送方向に対し平行な方向での測定
値を示し、垂直方向とは搬送方向に対して垂直な方向で
の測定値を示す。本発明方法を採用すると、保磁力およ
び飽和磁化ともに異方性が極めて低減し、良好な磁気特
性が得られることが判る。

また実験の結果、衝立の高さは２０ｍｍ以上で５０ＩＩ
Ｉｍ以下であれば同程度の方間性の少ない好ましい磁気
特性が得られた。このことから、衝立の高さはターゲッ
トとディスク基板との距離の１／４〜５７８程度が好ま
しいことが判る。

なお衝立はステンレス鋼やアルミニウムなど導電性を有
するものが望ましい。

第４図は本発明方法で用いるに好適なパレットの他の例
を示している。基本的な構成は第１図に示すものと同様
であるから、対応する部分には同一符号を付し、それら
についての説明は省略する。この実施例ではディスク装
着用の開口部３４にそれぞれ円筒状の衝立４９を設けて
いる。

更に他の実施例としては、衝立が縦方向（搬入方向に対
して垂直な方向）に平行に配列された単なる平板状の構
造であってもよい。

［発明の効果］ 本発明は上記のようにパレットのディスク装着用の開口
部近傍に衝立を設けてスパッタを行う磁気ディスクの製
造方法であるから、ベレントが搬送されてターゲットの
近傍を通過する過程において、ディスク基板に対して斜
方向に入射するスパッタ粒子がディスク基板に達し難く
なるため、搬送方向に対して磁気特性の異方性が生じる
のを低減でき、方向性のない良好な磁気特性を持つ磁気
ディスクを製造できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明で用いるに好適なパレットの一例を示す
一部破断斜視図、第２図は本発明方法を示す概念図、第
３図はそのスパッタ状態を示す説明図、第４図は本発明
で用いるに好適なパレットの他の例を示す斜視図である
。 また第５図は従来のパレットの一例を示す斜視図、第６
図はそれによるディスク基板の保持状態を示す断面図、
第７図は従来方法の一例を示す概念図である。 １０・・・ディスク基板、２０・・・インライン型スパ
ッタ装置、３２・・・パレット、３４・・・ディスク装
着用開口部、３９．４９・・・衝立、４０・・・成膜室
。 特許出願人　　日本板硝子株式会社 代　　理　　人　　　　　茂　　見　　　　　稽第：図 第３図 第４図 スウ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、パレットのディスク装着用開口部にディスク基板を
   装着し、成膜室内を移送してスパッタリングにより薄膜
   を形成する磁気ディスクの製造方法において、前記パレ
   ットの前記開口部近傍に衝立を設け、ディスク基板に対
   して斜方向から入射するスパッタ粒子を該衝立で阻止し
   つつスパッタを行うようにしたことを特徴とする磁気デ
   ィスクの製造方法。 ２、パレットに設ける衝立の高さが、ディスク基板とス
   パッタ・ターゲットとの最短距離の１／４〜５／８であ
   る請求項１記載の磁気ディスクの製造方法。