JPS63121664A - 薄膜製造装置 - Google Patents
薄膜製造装置Info
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- JPS63121664A JPS63121664A JP26706486A JP26706486A JPS63121664A JP S63121664 A JPS63121664 A JP S63121664A JP 26706486 A JP26706486 A JP 26706486A JP 26706486 A JP26706486 A JP 26706486A JP S63121664 A JPS63121664 A JP S63121664A
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- Pending
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発業上の利用分野〕
本発明は、加熱ガス出し室、ロード室及び、アンロード
室付き薄膜製造装置に閃する。
室付き薄膜製造装置に閃する。
薄れを成膜する方法としてスパッタ、蒸ｆｌ、ＣＶＤ、
イオンブレーティング等があるが、通常、実験ｚＬで用
いられるＶ：、 ａはバッチ式が主である。
イオンブレーティング等があるが、通常、実験ｚＬで用
いられるＶ：、 ａはバッチ式が主である。
しかし、このバッチ式は、基板セットのたび、成膜源や
成膜室が大気に晒される問題があった。
成膜室が大気に晒される問題があった。
そこで、次に考えられた装置が、基板をセットするＩｆ
、； （（＋−ド吏）や基板を取り出す室（アンロード
室）と成膜室を分ボしたイオン型ＦＩＪ膜製造装置であ
る。
、； （（＋−ド吏）や基板を取り出す室（アンロード
室）と成膜室を分ボしたイオン型ＦＩＪ膜製造装置であ
る。
さらに、プラスデック基板（ポリカーボネート、・ｌ？
リメチルメタクリレート、エポキシ樹脂等）のようにガ
ス放出の多い基板の場合は、ガス出し専用の真空ガス出
し室が必要であった。
リメチルメタクリレート、エポキシ樹脂等）のようにガ
ス放出の多い基板の場合は、ガス出し専用の真空ガス出
し室が必要であった。
第２図に、従来の、真空ガス出し室があるインライン型
の薄膜製造装置の概略図を示す。
の薄膜製造装置の概略図を示す。
まずトレー１にポリカーボネ−ト基板２をセットし、ロ
ード室１４より真空ガス出し室１５へ入れる。
ード室１４より真空ガス出し室１５へ入れる。
真空ガス出し室１５では、ロード室１４から第１スパツ
タ室８の側まで、スパッタタクトごと順次移動し、その
間に真空ガス出し室１５を真空に引くため基板のガス出
しを終了していた。
タ室８の側まで、スパッタタクトごと順次移動し、その
間に真空ガス出し室１５を真空に引くため基板のガス出
しを終了していた。
前述の様に、従来のインライン型薄膜製造装置の場合、
基板のガス出しに真空室が必要であることや真空室での
送り機構などは、高価な薄膜製造装置となる。
基板のガス出しに真空室が必要であることや真空室での
送り機構などは、高価な薄膜製造装置となる。
そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、機械の機構を簡単にし、安価
な薄膜製造装置を提供するところにある。
その目的とするところは、機械の機構を簡単にし、安価
な薄膜製造装置を提供するところにある。
本発明の薄膜製造装置は薄膜を連続して成膜し、基板を
ｉ！１！続して出し入れすることが出来るロード、アン
ロード室付き薄膜製造装置において、ロード室の前に基
板を、真空によるガス出しでなく、大気中加熱による加
熱ガス出し室を設け、さらに、加熱ガス出し室に基板を
順次送り機構が設けられていることを特徴とする。
ｉ！１！続して出し入れすることが出来るロード、アン
ロード室付き薄膜製造装置において、ロード室の前に基
板を、真空によるガス出しでなく、大気中加熱による加
熱ガス出し室を設け、さらに、加熱ガス出し室に基板を
順次送り機構が設けられていることを特徴とする。
本発明の上記構成によれば、プラスチックＬＶ Ｅに含
まれるガスは、はとんど水分であり、加熱することによ
りガス出しができる。そして、タクトタイｌ、を３０分
、基板のガス出し必要時間を２４時間と仮定すると、加
熱ガス出し室内をトレーがｌＩ ８牧人る容積とし、３
０分ごとにトレーが順次加熱ガス出し室内に送り込まれ
る。そして、加熱ガス出し室内にあるトレーは順次加熱
ガス出し室内を移動し、加熱ガス出し室内に２４時間あ
ったトレーは次工程の成膜室へ、ロード室を経て、送り
込まれることになる。
まれるガスは、はとんど水分であり、加熱することによ
りガス出しができる。そして、タクトタイｌ、を３０分
、基板のガス出し必要時間を２４時間と仮定すると、加
熱ガス出し室内をトレーがｌＩ ８牧人る容積とし、３
０分ごとにトレーが順次加熱ガス出し室内に送り込まれ
る。そして、加熱ガス出し室内にあるトレーは順次加熱
ガス出し室内を移動し、加熱ガス出し室内に２４時間あ
ったトレーは次工程の成膜室へ、ロード室を経て、送り
込まれることになる。
本発明を実施例にもとづいて詳述する。
第１図が本発明のロード、アンロード室付きイノライン
型スパック装置の概略図である。７が【」−ド疫で、１
）がアンロード室である。そして、３が入口室で、ここ
からトレーを加熱ガス出し寄４へ入れるところである。
型スパック装置の概略図である。７が【」−ド疫で、１
）がアンロード室である。そして、３が入口室で、ここ
からトレーを加熱ガス出し寄４へ入れるところである。
トレー１にはポリカーボネート基板２がセットしである
。加熱ガス出し室４では、トレー１を入口室３より順次
ロード室の側〆＼移動するとともに、常、旦より赤外線
ヒーター５で段々高温に加熱され、８０＠Ｃに５時間保
持される。そして、ガスは強制排気管６より外へ排気さ
れる。さらに、段々常温まで冷やし、ロード室７の側ま
でいくようになっている。
。加熱ガス出し室４では、トレー１を入口室３より順次
ロード室の側〆＼移動するとともに、常、旦より赤外線
ヒーター５で段々高温に加熱され、８０＠Ｃに５時間保
持される。そして、ガスは強制排気管６より外へ排気さ
れる。さらに、段々常温まで冷やし、ロード室７の側ま
でいくようになっている。
加熱ガス出しＭ ４の容積は、タクトタイムとポリカー
ボネート基板のガス出し必要時間から決定され、本実施
例の場合、ポリカーボネートのガス出し必要時間は２４
時間で、タクトタイムは３０分であるため、加熱ガス出
し室内にはトレーが４８枚牧人スペースがあり、順送り
に１枚ずつ搬送出来るようになっている。ガス出しが終
了すると、ロード室７に入り、ここで初めて真空に引か
れる。このロード室７は、トレー１枚が入る容積があれ
ば良く、大気に晒される室もこのロード室７だけのため
荒引きのための排気時間は少なくてずむ。
ボネート基板のガス出し必要時間から決定され、本実施
例の場合、ポリカーボネートのガス出し必要時間は２４
時間で、タクトタイムは３０分であるため、加熱ガス出
し室内にはトレーが４８枚牧人スペースがあり、順送り
に１枚ずつ搬送出来るようになっている。ガス出しが終
了すると、ロード室７に入り、ここで初めて真空に引か
れる。このロード室７は、トレー１枚が入る容積があれ
ば良く、大気に晒される室もこのロード室７だけのため
荒引きのための排気時間は少なくてずむ。
次にロード室７の排気が終ったトレーは、第１スパツタ
ｉｉ８、ｍ２スパック’ｆＭ９、ｍ３スパツタ室１０、
と順に送られ成膜されてい（。本実施例の場合、第１ス
バブタ室８で窒化シリコン瞑１０００人が成膜され、第
２スパツク室９、ではＮｄＩ） ｙ Ｆ ｅ Ｃｏ光磁
気配Ｌ１層４００人を成膜、さらに、第３スパツタ室１
０では窒化シリコン膜１０００人をＩ皮膜するものであ
る。そして、アンロード室１）から地り出し、終了する
。
ｉｉ８、ｍ２スパック’ｆＭ９、ｍ３スパツタ室１０、
と順に送られ成膜されてい（。本実施例の場合、第１ス
バブタ室８で窒化シリコン瞑１０００人が成膜され、第
２スパツク室９、ではＮｄＩ） ｙ Ｆ ｅ Ｃｏ光磁
気配Ｌ１層４００人を成膜、さらに、第３スパツタ室１
０では窒化シリコン膜１０００人をＩ皮膜するものであ
る。そして、アンロード室１）から地り出し、終了する
。
本発明のようにガス出し室の容積及び機構を決めておく
と、基板のガス放出■の多いものを用いても、ノｆス出
し必要時間に拘束されず、光磁気ディスクの大量生産が
可能となる。
と、基板のガス放出■の多いものを用いても、ノｆス出
し必要時間に拘束されず、光磁気ディスクの大量生産が
可能となる。
本実施例は、−例として光磁気記録媒体の成膜のための
スパッタ装置について述べたが、シにｕ Ｒ置、イオン
ブレーティング等の薄膜製造装置全てについて、本発明
は作動である。
スパッタ装置について述べたが、シにｕ Ｒ置、イオン
ブレーティング等の薄膜製造装置全てについて、本発明
は作動である。
以−Ｊユ述べたごとく本発明によれば、ガス放出量の多
い基板を用いしかも、ガス放出によって股特性の劣化が
生じる場合、加熱によるガス出し室を設け、さらに、ガ
ス出し室の容積をガス出し必要時間やタクトタイムによ
らず、タクトタイムは、はとんどスパックあるいは蒸行
等の成膜時間のみで決めることが出来る。又、ガス出し
室がｒも空によらず、ただ加熱するだけでよい。そのた
め、非常に安価で高いユ産性を有する装置を提供できる
ものである。
い基板を用いしかも、ガス放出によって股特性の劣化が
生じる場合、加熱によるガス出し室を設け、さらに、ガ
ス出し室の容積をガス出し必要時間やタクトタイムによ
らず、タクトタイムは、はとんどスパックあるいは蒸行
等の成膜時間のみで決めることが出来る。又、ガス出し
室がｒも空によらず、ただ加熱するだけでよい。そのた
め、非常に安価で高いユ産性を有する装置を提供できる
ものである。
第１図が本発明の加熱ガス出し室、ロード室及び、アン
ロード室付きインライン型スパッタ装置の概略図である
。 第２図が従来の１−ド宣、アンロード寄付きインライン
型Ｆｉｖ膜製造装置の概略図である。 １・・・トレー ２・・・ポリカーボネート基板 ３・・・入口室 ４・・・加熱ガス出し室 ５・・・赤外線ヒーター ６・・・強制排気管 ７・・・ロード室 ８・・・第１スパツク室 ９・・・第２スバフタ室 １０・・・第３スパツタ室 １）・・・アンロード室 １２・・・排気ポンプ １３・・・メインバルブ １４・・・従来のロード室 １５・・・従来の真空ガス出し室 以 上
ロード室付きインライン型スパッタ装置の概略図である
。 第２図が従来の１−ド宣、アンロード寄付きインライン
型Ｆｉｖ膜製造装置の概略図である。 １・・・トレー ２・・・ポリカーボネート基板 ３・・・入口室 ４・・・加熱ガス出し室 ５・・・赤外線ヒーター ６・・・強制排気管 ７・・・ロード室 ８・・・第１スパツク室 ９・・・第２スバフタ室 １０・・・第３スパツタ室 １）・・・アンロード室 １２・・・排気ポンプ １３・・・メインバルブ １４・・・従来のロード室 １５・・・従来の真空ガス出し室 以 上
Claims (2)
- （１）薄膜を連続して成膜し、基板を連続して出し入れ
することが出来るロード・アンロード室付き薄膜製造装
置において、該ロード室の前に該基板を、真空によるガ
ス出しでなく、大気中加熱による加熱ガス出し室を設け
、さらに該加熱ガス出し室に該基板を順次送る送り機構
が設けられていることを特徴とする薄膜製造装置。 - （２）該ガス出し室の容積が、該基板のガス出し必要時
間と、タクトタイムから決められていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26706486A JPS63121664A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26706486A JPS63121664A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 薄膜製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63121664A true JPS63121664A (ja) | 1988-05-25 |
Family
ID=17439531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26706486A Pending JPS63121664A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63121664A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009221541A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fujifilm Corp | 無機層の真空成膜法、バリア性積層体、デバイスおよび光学部材 |
-
1986
- 1986-11-10 JP JP26706486A patent/JPS63121664A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009221541A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fujifilm Corp | 無機層の真空成膜法、バリア性積層体、デバイスおよび光学部材 |
| US9017524B2 (en) | 2008-03-17 | 2015-04-28 | Fujifilm Corporation | Vacuum film formation method for inorganic layer, barrier laminate, device, and optical component |
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