JPH01226765A - 遠赤外線放射部材 - Google Patents
遠赤外線放射部材Info
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- JPH01226765A JPH01226765A JP63051611A JP5161188A JPH01226765A JP H01226765 A JPH01226765 A JP H01226765A JP 63051611 A JP63051611 A JP 63051611A JP 5161188 A JP5161188 A JP 5161188A JP H01226765 A JPH01226765 A JP H01226765A
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Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、遠赤外線を高放射する新規材料に関する。特
に、本発明は、電気を熱源とした遠赤外線ヒータで各波
長において安定した高い放射率ををするものである。
に、本発明は、電気を熱源とした遠赤外線ヒータで各波
長において安定した高い放射率ををするものである。
遠赤外放射材料としては、従来から種々報告されている
。遠赤外線による加熱は塗料の焼付、食品の熱処理など
に用いられているが、波長が４μ■以上の遠赤外領域に
おいて高い放射特性を示すものが良いとされている。例
えば、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ｐ＋１２０３、Ｓｉｎ、か
らなる材料が提案されている。
。遠赤外線による加熱は塗料の焼付、食品の熱処理など
に用いられているが、波長が４μ■以上の遠赤外領域に
おいて高い放射特性を示すものが良いとされている。例
えば、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ｐ＋１２０３、Ｓｉｎ、か
らなる材料が提案されている。
しかしながら、物質を遠赤外線で加熱する場合、５μｍ
以上の長波長側の放射エネルギーは絶対値としては５μ
ｍ以下に比べ少ないため、効率の悪い場合が多い。特に
有機物の加熱は、３μｍ程度の波長のものが有効で、５
μ■以下の放射エネルギーを必要とする。
以上の長波長側の放射エネルギーは絶対値としては５μ
ｍ以下に比べ少ないため、効率の悪い場合が多い。特に
有機物の加熱は、３μｍ程度の波長のものが有効で、５
μ■以下の放射エネルギーを必要とする。
すなわち、単に遠赤外線領域のみ高い放射率をもつ材料
を用いるより、各波長で安定した放射率をもつ材料を用
いた方が、加熱効率が一般的には良い。このため、黒体
型の放射特性すなわち、各波長において安定して、１．
０に近い放射率をもつ材料が望まれている。
を用いるより、各波長で安定した放射率をもつ材料を用
いた方が、加熱効率が一般的には良い。このため、黒体
型の放射特性すなわち、各波長において安定して、１．
０に近い放射率をもつ材料が望まれている。
本山願人は、前記に対応できる高効率のヒータとして、
昭和６２年特許願１４３５０９号にて、アルミノケイ酸
を主成分とし、ケイ素を導電材料としたものを開示して
いる。上記発明は、放射材料に直接通電ができ、非常に
効果の大きいものであるが、逆に表面の絶縁性がないと
いう欠点を合わせもっている。絶縁性の付与は一般的に
絶縁被覆により対応されるが、遠赤外線ヒータとして用
いる場合、被覆材の放射特性が優先的となるため、素体
の放射特性が生かせないことや熱膨張率の違いにより被
覆材がはくすするなどの問題があった。
昭和６２年特許願１４３５０９号にて、アルミノケイ酸
を主成分とし、ケイ素を導電材料としたものを開示して
いる。上記発明は、放射材料に直接通電ができ、非常に
効果の大きいものであるが、逆に表面の絶縁性がないと
いう欠点を合わせもっている。絶縁性の付与は一般的に
絶縁被覆により対応されるが、遠赤外線ヒータとして用
いる場合、被覆材の放射特性が優先的となるため、素体
の放射特性が生かせないことや熱膨張率の違いにより被
覆材がはくすするなどの問題があった。
本発明の目的は、高効率放射材料で直接通電できる遠赤
外線ヒータで、放射特性を損うことなく、またばくりな
どもない、遠赤外線放射部材を提供することにある。
外線ヒータで、放射特性を損うことなく、またばくりな
どもない、遠赤外線放射部材を提供することにある。
すなわち、本発明の遠赤外線放射部材はＡ ｌ ｔｏｓ
、５ｉＯｚを主成分とし、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ：＋
、Ｍｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｔｉ０ｚ 、 Ｍｎ０ｚ 、
Ｌｉ２Ｏ、ＣａＯ、ＭｇＯｓ ＮｉＯ、Ｃｏ０１Ｃｕ２
０から選ばれた金属酸化物のうち少なくとも一種以上３
重量％〜２０重量％含んだ絶縁層と上記の成分に更にＳ
ｉが外側で５重量％〜５０重量％含んだ導電層からなる
ことを特徴とする。
、５ｉＯｚを主成分とし、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ：＋
、Ｍｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｔｉ０ｚ 、 Ｍｎ０ｚ 、
Ｌｉ２Ｏ、ＣａＯ、ＭｇＯｓ ＮｉＯ、Ｃｏ０１Ｃｕ２
０から選ばれた金属酸化物のうち少なくとも一種以上３
重量％〜２０重量％含んだ絶縁層と上記の成分に更にＳ
ｉが外側で５重量％〜５０重量％含んだ導電層からなる
ことを特徴とする。
上記金属酸化物が３重量％未満の場合低波長側での放射
特性がわるく、４０重量％以上になると高波長側の特性
が悪く、各波長域で安定した放射特性が得られない。
特性がわるく、４０重量％以上になると高波長側の特性
が悪く、各波長域で安定した放射特性が得られない。
またＳｉ星については、求められる電気特性により決定
される。Ｓｉが５重量％より少ないと抵抗が高くなりす
ぎヒータとして好ましくない。また５０重量％より大き
くなると抵抗が小さすぎることと強化的強度が著しく劣
る。
される。Ｓｉが５重量％より少ないと抵抗が高くなりす
ぎヒータとして好ましくない。また５０重量％より大き
くなると抵抗が小さすぎることと強化的強度が著しく劣
る。
向上記の二層は一体に成形して焼成する方法、また各々
に成形し、接着後焼成する方法、焼成後接着する方法の
いずれも可能である。
に成形し、接着後焼成する方法、焼成後接着する方法の
いずれも可能である。
本発明を図面により説明する。第１図、第２図及び第３
図は本発明の一実施例を示す斜視図である。
図は本発明の一実施例を示す斜視図である。
第１図は、パイプ状ヒータであり、外側に絶縁層１、内
側に導電層２が配置されている。また、第２図及び第３
図は板状ヒータの場合で、片面又は両面を放射面し、！
！！縁層１を配置し隣接して導電層２がある構造となっ
ている。
側に導電層２が配置されている。また、第２図及び第３
図は板状ヒータの場合で、片面又は両面を放射面し、！
！！縁層１を配置し隣接して導電層２がある構造となっ
ている。
上記のように本発明は、絶縁層と導電性がＳｉを除いて
ほぼ同一の組成をもつため、遠赤外放射特性を損わずま
た、熱膨張率もほぼ同一のため、二層が使用中分離する
こともない直接通電できる放射部材である。
ほぼ同一の組成をもつため、遠赤外放射特性を損わずま
た、熱膨張率もほぼ同一のため、二層が使用中分離する
こともない直接通電できる放射部材である。
第１図において、絶縁層としてＡｌ□０３３５％５ｉＯ
ｚ ５５％ Ｆｅ２Ｏ３５％ Ｍｎ０ｚ ５％の組成が
円周に、また前記組成に外側で５ｉ３０％を加えた導電
層が内径側になるように一体に成形し、１３００℃にて
焼成した。
ｚ ５５％ Ｆｅ２Ｏ３５％ Ｍｎ０ｚ ５％の組成が
円周に、また前記組成に外側で５ｉ３０％を加えた導電
層が内径側になるように一体に成形し、１３００℃にて
焼成した。
該部材の寸法は外径１８龍、内径９酊、長さ２５０ｆｌ
で抵抗値３３Ω、電力３００Ｗ、表面温度４００℃のパ
イプ状ヒータを得た。
で抵抗値３３Ω、電力３００Ｗ、表面温度４００℃のパ
イプ状ヒータを得た。
本部材の導電層の厚みは３１ｍ、絶縁層は１．５ｍｍで
あった。上記の表面の絶縁抵抗は５０ＭΩであり、また
熱膨張係数は４． Ｉ Ｘ １０〜’（１／’Ｃ）で使
用中のはくりは全く見られなかった。また、分光放射率
は３μ〜２０μの範囲で０．９〜０．９５の値を得た。
あった。上記の表面の絶縁抵抗は５０ＭΩであり、また
熱膨張係数は４． Ｉ Ｘ １０〜’（１／’Ｃ）で使
用中のはくりは全く見られなかった。また、分光放射率
は３μ〜２０μの範囲で０．９〜０．９５の値を得た。
上述してきたように、本発明に係る遠赤外放射部材は各
波長域で安定した高放射特性を示し、直接通電できる為
、応答性は良好であるのに加え、絶縁性が付与され、被
覆層のばくりもない画期的なものである。特に有機物の
乾燥、焼付けや水分の除去には大きな効果があり産業上
の期待は大といえる。
波長域で安定した高放射特性を示し、直接通電できる為
、応答性は良好であるのに加え、絶縁性が付与され、被
覆層のばくりもない画期的なものである。特に有機物の
乾燥、焼付けや水分の除去には大きな効果があり産業上
の期待は大といえる。
第１図、第２図及び第３図は、本発明の一実施例を示す
斜視図である。 １・・・・・・絶縁層 ２・・・・・・導電層 特許出願人 東海高熱工業株式会社
斜視図である。 １・・・・・・絶縁層 ２・・・・・・導電層 特許出願人 東海高熱工業株式会社
Claims (1)
- Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２を主成分とし、Ｆｅ＿２Ｏ
＿３、Ｃｒ＿２Ｏ＿３、Ｍｎ＿２Ｏ＿３、ＺｒＯ＿２、
ＴｉＯ＿２、ＭｎＯ＿２、Ｌｉ＿２Ｏ、ＣａＯ、ＭｇＯ
、ＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｃｕ＿２Ｏから選ばれた金属酸化物
のうち少なくとも一種以上３重量％〜２０重量％含んだ
絶縁層と上記の成分に更にＳｉが外割で５重量％〜５０
重量％含んだ導電層からなる遠赤外線放射部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63051611A JPH01226765A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 遠赤外線放射部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63051611A JPH01226765A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 遠赤外線放射部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01226765A true JPH01226765A (ja) | 1989-09-11 |
Family
ID=12891701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63051611A Pending JPH01226765A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 遠赤外線放射部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01226765A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09289072A (ja) * | 1996-04-22 | 1997-11-04 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | 遠赤外線ヒータの製造方法 |
| KR100464184B1 (ko) * | 2000-09-08 | 2004-12-31 | 삼성물산 주식회사 | 숏크리트용 시멘트 광물계 급결제 및 그 제조방법 |
| NL1023880C2 (nl) * | 2003-07-10 | 2005-01-11 | Tno | Emissieverhogende coating, voorwerp waarop de coating is aangebracht, en werkwijze voor het aanbrengen van de coating op een oppervlak. |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55148382A (en) * | 1979-05-09 | 1980-11-18 | Hitachi Netsu Kigu Kk | Far infrared ray irradiating element |
| JPS6060990A (ja) * | 1983-09-15 | 1985-04-08 | 株式会社デンソー | 遠赤外線放射発熱体 |
| JPS61151986A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-10 | 河村碍子工業株式会社 | セラミツクス質遠赤外線ヒ−タ− |
| JPS61225801A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-07 | 株式会社デンソー | 遠赤外線放射発熱体 |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP63051611A patent/JPH01226765A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55148382A (en) * | 1979-05-09 | 1980-11-18 | Hitachi Netsu Kigu Kk | Far infrared ray irradiating element |
| JPS6060990A (ja) * | 1983-09-15 | 1985-04-08 | 株式会社デンソー | 遠赤外線放射発熱体 |
| JPS61151986A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-10 | 河村碍子工業株式会社 | セラミツクス質遠赤外線ヒ−タ− |
| JPS61225801A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-07 | 株式会社デンソー | 遠赤外線放射発熱体 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09289072A (ja) * | 1996-04-22 | 1997-11-04 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | 遠赤外線ヒータの製造方法 |
| KR100464184B1 (ko) * | 2000-09-08 | 2004-12-31 | 삼성물산 주식회사 | 숏크리트용 시멘트 광물계 급결제 및 그 제조방법 |
| NL1023880C2 (nl) * | 2003-07-10 | 2005-01-11 | Tno | Emissieverhogende coating, voorwerp waarop de coating is aangebracht, en werkwijze voor het aanbrengen van de coating op een oppervlak. |
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