JPS5923428B2 - 遠赤外線放射素子 - Google Patents

遠赤外線放射素子

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JPS5923428B2
JPS5923428B2 JP54056619A JP5661979A JPS5923428B2 JP S5923428 B2 JPS5923428 B2 JP S5923428B2 JP 54056619 A JP54056619 A JP 54056619A JP 5661979 A JP5661979 A JP 5661979A JP S5923428 B2 JPS5923428 B2 JP S5923428B2
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JP
Japan
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layer
radiation
infrared radiation
infrared
radiation element
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JP54056619A
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JPS55148382A (en
Inventor
明夫 三友
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Hitachi Netsu Kigu KK
Original Assignee
Hitachi Netsu Kigu KK
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Publication date
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  • Resistance Heating (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は主に3〜50μにおける赤外線を効率良く放射
し、塗料の乾燥焼付、食品の調理や保温、暖房などに適
した遠赤外線放射素子に関する。
従来、この種の遠赤外線放射素子は(イ)ZrO2を9
0〜98重量%とTiO2を10〜2重量%とからなる
混合粉を金属からなる熱放射体表面に溶射法により放射
層を形成せしめてなるものや、(Tj)Al2O3、S
iO2の少なくとも一種類とFe2O3、QO、MnO
2、NiOなどの黒色セラミック添加物を少なくとも一
種類とからなる混合粉を金属からなる熱放射体表面に溶
射法により放射層を形成せしめてなるものなどが知られ
ている。しかし、に)の場合ZrO2をCaOで安定化
していないため、溶射した放射層がもろくかつTiO2
を含む放射層は緻密組織になるため、熱衝撃に対して弱
くクラックや剥離を起し易いこと、またTiO2は約5
50℃以上になると転移して白色になわ3〜8μにおけ
る赤外線放射量が著しく低下するなどの欠点があつた。
(リの場合、融点の高いAl2O3と融点の低い黒色添
加物との混合粉を溶射した放射層は、溶射条件によりも
ろくなつたク緻密になるため、放射層がクラックや剥離
を起し易い欠点があり、また単体のSiO2を含む放射
層はもろく黒色セラミックとの結合が弱いため粒状に剥
離する欠点があつた。本発明は、従来の欠点を鑑みてな
されたもので20重量%以上のムライト(3Al2・2
Si0! )と黒色セラミックとからなる混合粉を溶射
法により金属からなる熱放射体に被着した放射層を形成
することにより、約3〜50μの遠赤外線を強力に放射
し、溶射時の作業性も良好になサ、かつ長時間使用して
も剥離やクラックを起さない長寿命の遠赤外線放射素子
を提供するものである。
以下本発明の一実施例につき図面に従い詳細に説明する
。第1図は、ステンレス、鉄、アルミニウムなどのいず
れかの材質からなる熱放射体1の内部に両端にターミナ
ル2を有するFe−Cr、Ni−Crなどの発熱線3を
MgO、Al2O3などの絶縁層4を介して挿入したい
わゆるシーズヒータにおいて、熱放射体1の外表面にム
ライトと黒色セラミックとからなる混合粉をプラズマ溶
射法により被着して放射層5を形成したものである。
放射層5の形成は、先ず熱放射体表面を40〜100メ
ッシュのAl2Q3やSiCなどのグリッドによりブラ
スト処理を行い、次にNi−Cr、Ni−Alなどの金
属粉を溶射して下地層を形成する前処理を行う。ブラス
ト前処理の目的は金属からなる熱放射体の表面に付着し
ている酸化物や汚れなどを除去するものであわ、下地層
形成の前処理は熱放射体と放射層との密着性と熱衝撃性
を向上する。放射層にムライト(3A2l3・2Si(
)!井用いる理由は以下の通Dである。l)従来、放射
層に用いる混合粉は融点の差があわすぎる為、わずかな
溶射条件の差により、放射層がぼろぼろになつたり緻密
になつてクラツクや剥離を生じたが3A120:3・2
Si0.の融点は1760℃であV)1450〜165
0℃の低融点を有する黒色セラミツクとの融点差が小さ
い為溶射し易くクラツクや剥離を生じない。
2) 3A1203・2Si02のSiO2分は単体に
混合したSlO2と異なり、溶射により被着されてもぼ
ろぼろにならず、放射層を多孔質化し、放射表面を広く
する効果と、放射層の熱衝撃を小さくする効果がある。
その結果、放射エネルギー量を増し、放射層の剥離を防
止する。3) 3A1,03・2Si0!は黒色セラミ
ツクとの結合が強く、粒状に剥離することがない。
4) 3A1203・2Si02粉は流動性が良いため
溶射し易く均一な厚みの放射層を形成することができる
5) 3A1203・2Si01.粉は溶射に適した一
定粒度の粉を入手し易い。
尚、ムライトには3A1203・2Si0!と2A12
03・SiO!のタイプがあるが、いずれでも良くまた
混合物でもよい。
また、3A1203・2Si02を20重量%にした理
由は以下の通りである。
3A!203・2Si02を20重量%未満にすると、
1)溶射時の流動性が低下し生産性が劣る。
2)放射層が多孔質化せず表面が平坦になるため耐熱衝
撃性が低下したり、放射エネルギー量が低下する。
黒色セラミツクとしては周期律表第4周期の〜族元素の
酸化物、炭化物、窒化物、砂鉄、フエライト等が考えら
れ、その理由は以下の通りである。
3A12へ・2Si02は8μ〜50μにおける赤外線
の放射量は多いが、3〜8μにおける赤外線放射量は少
ない。
被加熱物によつては、例えば水のように3〜8μにおけ
る赤外線を効率良く吸収し加熱する物質があるため、3
〜8μの赤外線を効率良く放射させる黒色セラミツクを
放射層に添加する必要性がある。周期律表第4周期の〜
族元素のCr,Mn,Fe,CO,Niなどの酸化物、
炭化物、窒化物は、3〜8μにおける赤外線放射量が多
いことから、3AI203・2Si02と混合し溶射法
により放射層を形成するものである。同様にイ砂鉄、ロ
フエライトなども3〜8μにおける赤外線放射量が多い
ことから、3A1203・2Si0!と混合して放射層
を形成することにより、3〜50μにおける赤外線放射
量が大きく、優れた遠赤外線放射素子を提供できる。次
に本発明の実施例の実験結果について説明する。
実施例 1 ステンレス製のシーズヒータ(直径12篤」長さ500
詣)100V,600Wの表面をAl2O3のグリッド
でブラスト処理し、Ni−Crの下地層を100μの厚
みに溶射し、以下に示す配合の混合粉をプラズマ溶射法
で被着して100μの放射層を形成した。
実施例 2 実施例1と同様なシーズヒータと前処理を行い、以下に
示す配合の混合粉をプラズマ溶射法で被着して80μの
放射層を形成した。
実施例 3 実施例1と同様なシーズヒータと前処理を行い、以下に
示す配合の混合粉をプラズマ溶射法で被着して100μ
の放射層を形成した。
3A1203・2Si0280wt% フエライト(Fe2O3,MnO2,znO糸)20〃
実施例1〜3の遠赤外線放射素子を従来のZrO!90
重量%とTiO!10重量%からなる放射層を有する放
射素子との放射エネルギー量を比較すると第2図のよう
になる。
第2図は赤外分光光度計を用いて放射素子から放射され
る3〜50μの赤外線エネルギーを測定したものである
。この図において曲線6が実施例1における測定結果、
曲線7が実施例2、曲線8が実施例3における測定結果
をそれぞれ示してお勺、破線の曲線9が従来品の測定結
果を示している。その結果、従来品は3〜8μにおける
放射エネルギーが小さいが本発明の放射素子はいずれも
優れた特性を有する。また、実施例1〜3の放射素子と
従来のZrO!90重量%とTiO2lO重量%からな
る放射素子とを定格の120%に1時間通電した後1時
間冷却するヒートサイクルを3000サイクル行なつた
結果、従来品は約1000サイクルでクラツクが発生し
、1800サイクルで剥離が生じたのに対し、本発明品
は、放射層の剥離やクラツクの発生が全く認められず、
寿命的にも優れている。さらに、3A120s・2Si
02を20重量%含む放射層は溶射時の流動性が良好で
あることから、均一な放射層を得やすく、作業性も優れ
る。以上に述べた如く、本発明によればムライトを含有
する放射層すなわちムライト(3A1203・2Si0
!)を20重量%と周期律表第4周期〜族元素の酸化物
、窒化物、炭化物のうちの少なくとも1種類以上を含む
混合粉、あるいは砂鉄とフの混合粉、あるいはフエライ
トとの混合粉を溶射法により被着して放射層を形成した
ものであるため、3〜50μに}ける赤外線放射特性が
優れ過酷なヒートサイクルの使用においてもクラツクや
剥離もなく長寿命であり、溶射処理時の作業性向上が望
めることから生産性にも優れるなどの著しい効果があジ
、工業的価値は大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である遠赤外線放射素子の一
部切欠いた断面図、第2図は本発明と従来品との放射エ
ネルギー特性を示す図である。 5・・・放射層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 放射層にムライト(3Al_2O_3・2SiO_
    2)を少なくとも20重量%以上含有することを特徴と
    する遠赤外線放射素子。
JP54056619A 1979-05-09 1979-05-09 遠赤外線放射素子 Expired JPS5923428B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP54056619A JPS5923428B2 (ja) 1979-05-09 1979-05-09 遠赤外線放射素子

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JPS55148382A JPS55148382A (en) 1980-11-18
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JPH01226765A (ja) * 1988-03-07 1989-09-11 Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd 遠赤外線放射部材
DE10217011A1 (de) * 2002-04-16 2003-11-13 Ibt Infrabio Tech Gmbh Emitter zur Infrarotbestrahlung von biologischem Material

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