JPS6052552B2 - 遠赤外線放射素子の製造法 - Google Patents

遠赤外線放射素子の製造法

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JPS6052552B2
JPS6052552B2 JP11534177A JP11534177A JPS6052552B2 JP S6052552 B2 JPS6052552 B2 JP S6052552B2 JP 11534177 A JP11534177 A JP 11534177A JP 11534177 A JP11534177 A JP 11534177A JP S6052552 B2 JPS6052552 B2 JP S6052552B2
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JP
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thermal
heat
far
emissivity
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JP11534177A
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明夫 三友
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Hitachi Netsu Kigu KK
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Hitachi Netsu Kigu KK
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は塗料の焼付乾燥、食品の加熱、暖房用等の熱源
として使用する遠赤外線放射素子の製造法に関する。
一般に遠赤外線放射素子から放射されるエネルギーEは
Stefan−Bol2mannの式E=EσP但し
E:放射率、σ:定数、T:絶対温度からもわかるよう
に放射素子の表面温度とその放射率に比例する。
従つて、放射率の大きい物質を高温に保持すれば、強力
な遠赤外線が放射されることになる。一方、熱エネルギ
ーの伝播には、伝導、放射、対流の3種類があり、被加
熱物が遠赤外線放射ヒータにより、効率よく加熱される
ためには、少なくとも次の3つを満す必要がある。
1 熱放射体から放射素子への熱伝導が良好なこと。
2 放射物質の放射率が遠赤外線波長全領域にわたり大
きなこと。
3 対流損失が小さく集光構造であること。
さらに、放射物質が容易に発熱体表面に形成でき、かつ
生産性の良い方法が得られることが必要である。一 −
−−u−^1゛ LL、l曾一 i↓ムvf、、るも
のとしては、赤外線ランプ、石英管ヒータ、金属表面に
放射率大なるセラミックを溶射してなるいわゆるセラミ
ック溶射上−タ等がある。
しかし赤外線ランプや石英管ヒータ等から放射される赤
外線は、ガラスや石英管が一種のフィルター的作用する
ため5μ以上の遠赤外線は放射されす熱エネルギーを十
分有効に活用できず、効率の悪い他に破損し易い欠点が
あつた。また、セラミック溶射ヒータは3〜50μの波
長領域にわたつて放射率が大きく、有効な放射エネルギ
ーを十分利用できる長所がある反面、熱伝導率の小さい
セラミック層を0.1〜0、ゝ形成するため、放射層が
一種の断熱層的役割をすることにより、熱放射体と放射
層表面間に大きな温度勾配が生じ、強力な放射エネルギ
ーを放射するためには多くの入力エネルギーが必要にな
る他、溶射によつて形成されたセラミック放射層は、機
械的にもろく、金属の熱放射体との熱膨張率の差が大な
るための冷却サイクルで剥離し易い欠点があつた。本発
明は上記の欠点を補うためになされたもので、3〜50
μの波長領域において放射率の大きな酸化物と金属の混
合粉体を溶射法により熱放射体表面にライニングせしめ
た後、高温の熱処理を施すことにより熱放射体から放射
層への熱伝導率を向上し、放射層を高温に保持できる他
にライニングした放射層の熱的、物理的、機械的強度に
優れ、長時間の冷却サイクルにおいてもクラックや剥離
がなく、かつ経済的に製造できる遠赤外線放射素子の製
造法を提供するものである。
以以本発明の実施例につき説明する。
すなわち本発明はNi−Cr,Ni−Cr−A1などの
金属を溶射法例えば、フレーム溶射やプラズマ溶射によ
り被溶射金属表面にライニングするアンダーコート処理
と称する第1工程と、アンダーコートと同一の金属ある
いは異なつた金属と放射率大なる金属酸化物例えばFe
2O3,MnO2,TiO2,Al2O3,cr2O3
,zrO2,caOなどの中から組合せた混合物を溶射
する第2工程および第2工程を完了した放射体を700
〜1.100℃で加熱処理する第3工程より製造される
ものである。第1工程のアンダーコート処理は、第2工
程の放射層と熱放射体との密着性を向上させる目的で行
うもので、Ni−Cr,Ni−Cr−になどの金属が適
しているが、特にこれらに限定するものではない。
放射層から強力な赤外線を放射するためには、放射層を
高温に保つ必要があり、そのためには、金属の熱放射体
で発生した熱が放射層表面まで効果的に伝導するような
放射物質でなければならない。
しかし従来放射物質として使われているセラミツク類は
、放射率は大きいが熱伝導率が小さく一方、金属は熱伝
導率が大きい反面放射率が小さい性質を有している。ま
た放射層は金属の放射体と大きな膨張率の差があり、冷
熱サイクルによりクラツクや剥離が生じたり、機械的衝
撃に対してもろい欠点がある。本発明は、こうした上記
の欠点を除去するため、金属とセラミツクの混合粉を第
1工程の処理表面上に溶射法例えばプラズマ溶射により
放射層を形成する第2工程を行う。溶射により形成され
た金属とセラミツクとの混合体の.放射層はセラミツク
粒子間に金属粒子が入り込みセラミツク同志の密着性を
上げる動きをするため熱伝導が上がり放射層の機械的性
質が向上する他に、第1工程の表面層と強力に接着し、
膨張率が金属の熱放射体に近ずくため冷熱によるクラツ
ク.や剥離がなくなる。セラミツクと混合する金属とし
てはNi−Al,Ni−Cr,Ni−Cr−Al,ステ
ンレスなどの粉体で200〜300メツシユのものが適
している。特にNi−Cr−AIの金属は溶射時にA1
が発熱し、セラミツクや第1工程で処理したアンダー・
コート表面との密着性を上げる作用があり、本発明の適
用には適している。第2工程で溶射して形成した放射層
は、表面に金属が部分的に露出しているため、放射率を
低下させるので、第3工程で金属を酸化させる熱処理を
行う。
熱処理の条件は700〜1,100℃で、5〜12紛行
うことにより、放射率はセラミツクと同等になる。熱処
理温度は700℃未満では放射率向上に効果がなく、1
,100℃以上では発熱体の耐熱限度を超えてしまい好
ましくない。以上のように、本発明は第1工程、第2工
程および第3工程によつて遠赤外線放射素子に要求され
る大きな放射率、優れた物理的、熱的、機械的易性質を
具備するものである。以下、本発明の実施例につき、図
面と)もに詳細に説明する。
実施例 1 第1図においてステンレスパイプの熱放射体1の中に両
端に電極ターミナル2を有する線状発熱体3を押通し、
耐熱絶縁性充填材4、例えばMgOを充填し、両端を気
密材5でシールした構造を有する発熱体とシーズヒータ
の熱放射体表面をあらかじめアルミナのグリッドでブラ
スト処理後Ni−Crのアンダーコート6をプラズマ溶
射により施し、次にNi−Cr−A1金属粉30wt%
、ZrO,65Wt%CaO5Wt%から成る混合物を
プラズマ溶射により0.05〜0.157177!の放
射層7を形成し試料1を得た。
実施例 2 実施例1と同様のシーズヒータの表面をアルミナのグリ
ッドでプラスト処理後、Ni−Crのアンダーコートを
プラズマ溶射により施し、次にNi一Cr−A1金属粉
30wt%,ZrO,65Wt%,CaO5Wt%から
成る混合粉をプラズマ溶射により0.05〜0.15瓢
の放射層を形成させ、更に850℃20rr1inの熱
処理を行い試料2を得た。
実施例1,2で得た試料1と2および比較として従来例
の赤外線ランプについて、赤外分光々度計で比放射エネ
ルギーを測定した結果第2図を得た、第2図の結果から
、第3工程の熱処理を施していない実施例1は、施した
実施例2により劣ることから、本発明の製造法である第
1工程から第3工程までを組合せた場合にのみ優れた放
射素子が得られることが歴然とわかり、また従来例は5
p以上の波長で赤外線をほとんど放射せず、遠赤外線加
熱には不適当であることがわかる。
さらに、本発明の製造法で得た放射素子は3〜50μの
波長領域において平均放射率0.9と優れ室温と700
℃の冷熱サイクル試験においても、従来のセラミツク溶
射ヒータの2倍以上の剥離強度を示す他に機械的衝撃に
対しても放射層の破損や剥離がなく寿命的には半永久的
に使用できる特徴を有する。
以上のように、本発明による製造法で得た放射素子は放
射率が大きく、熱的、物理的、機械的性質にも優れ、か
つ製造が容易であることから、優れた放射素子の製造法
であることが立証される。
【図面の簡単な説明】
第1図はシーズヒータパイプ表面に放射物質を形成させ
た放射素子の一部切断面図、第2図は縦軸に比放射エネ
ルギー、横軸に波長をとつたときの実施例と従来例の特
性を示す。 1・・・・・・熱放射体、6・・・・・・アンダーコー
ト、7・・・・・・放射層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 金属の熱放射体表面に、金属と放射率大なる放射物
    質との混合物を溶射ライニングせしめた後、次いで溶射
    層を700〜1100℃で加熱処理することを特徴とす
    る遠赤外線放射素子の製造法。
JP11534177A 1977-09-26 1977-09-26 遠赤外線放射素子の製造法 Expired JPS6052552B2 (ja)

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JPS5449644A JPS5449644A (en) 1979-04-19
JPS6052552B2 true JPS6052552B2 (ja) 1985-11-20

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JPH01111367U (ja) * 1988-01-12 1989-07-27

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