JPH09289072A - 遠赤外線ヒータの製造方法 - Google Patents
遠赤外線ヒータの製造方法Info
- Publication number
- JPH09289072A JPH09289072A JP8134066A JP13406696A JPH09289072A JP H09289072 A JPH09289072 A JP H09289072A JP 8134066 A JP8134066 A JP 8134066A JP 13406696 A JP13406696 A JP 13406696A JP H09289072 A JPH09289072 A JP H09289072A
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- Japan
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- infrared radiation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】セラミック質遠赤外線ヒータの高温での高絶縁
性を付与する。 【解決手段】アルミノケイ酸塩を主体とし、導電材とし
て珪素化合物を含有したセラミック質の遠赤外線ヒータ
で、ヒータ表面にＡＬ２Ｏ３、ＳｉＯ２を主成分とし
た、絶縁性被膜をプラズマ溶射法で施工し、さらに被膜
の微小気孔をＳｉＯ２で充填焼き付けして、封孔処理し
たヒータの製造方法。
性を付与する。 【解決手段】アルミノケイ酸塩を主体とし、導電材とし
て珪素化合物を含有したセラミック質の遠赤外線ヒータ
で、ヒータ表面にＡＬ２Ｏ３、ＳｉＯ２を主成分とし
た、絶縁性被膜をプラズマ溶射法で施工し、さらに被膜
の微小気孔をＳｉＯ２で充填焼き付けして、封孔処理し
たヒータの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック質の遠
赤外線ヒータであって、特にヒータ外表面に高絶縁性の
被膜を施工する製造方法に関する。
赤外線ヒータであって、特にヒータ外表面に高絶縁性の
被膜を施工する製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】遠赤外線を放射するヒータは従来から種
々報告されている。例えば石英管内にタングステンフィ
ラメントを封入したものや、金属管内にニクロム線を封
入したシーズヒータとセラミック質パイプを組合わせた
もの等がある。また、さらにはこれらとは別に本出願人
が昭和６３年に特開昭６３−３０７６８２号で開示した
セラミック質のみでできた遠赤外線ヒータがある。
々報告されている。例えば石英管内にタングステンフィ
ラメントを封入したものや、金属管内にニクロム線を封
入したシーズヒータとセラミック質パイプを組合わせた
もの等がある。また、さらにはこれらとは別に本出願人
が昭和６３年に特開昭６３−３０７６８２号で開示した
セラミック質のみでできた遠赤外線ヒータがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記セラミック質遠赤
外線ヒータは、その組成がアルミノケイ酸塩を主成分と
し、珪素化合物を導電材として用い、セラミックスを直
接、通電させて遠赤外線を放射するものである。したが
って非常にヒータ効率のよいものとなっている。しかし
ながら、セラミック質遠赤外線ヒータは他のヒータと異
なり、上記に示したように直接通電するため、ヒータ材
料の表面は絶縁が取れないという欠点をもちあわせ、感
電等の危険性が問題点として指摘されていた。そこで本
出願人は特開平１−２２６７６５号でヒータの外周に絶
縁層を設けることを開示したが、これは、常温では一定
の絶縁効果が得られたが、温度上昇に伴い絶縁抵抗が急
激に低下するため、問題であった。
外線ヒータは、その組成がアルミノケイ酸塩を主成分と
し、珪素化合物を導電材として用い、セラミックスを直
接、通電させて遠赤外線を放射するものである。したが
って非常にヒータ効率のよいものとなっている。しかし
ながら、セラミック質遠赤外線ヒータは他のヒータと異
なり、上記に示したように直接通電するため、ヒータ材
料の表面は絶縁が取れないという欠点をもちあわせ、感
電等の危険性が問題点として指摘されていた。そこで本
出願人は特開平１−２２６７６５号でヒータの外周に絶
縁層を設けることを開示したが、これは、常温では一定
の絶縁効果が得られたが、温度上昇に伴い絶縁抵抗が急
激に低下するため、問題であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、セラミ
ック質の遠赤外線ヒータの表面に放射特性を損うことな
く、しかも高温度で安定した高絶縁性を付与することに
ある。すなわち、アルミノケイ酸塩を主体とし、導電材
として珪素化合物を含有したセラミック質の遠赤外線ヒ
ータで、ヒータ表面にＡＬ２Ｏ３、ＳｉＯ２を主成分と
した絶縁被膜をプラズマ溶射法で施工し、さらに被膜の
微小気孔にＳｉＯ２を充填、焼き付け封孔処理すること
を特徴とする。
ック質の遠赤外線ヒータの表面に放射特性を損うことな
く、しかも高温度で安定した高絶縁性を付与することに
ある。すなわち、アルミノケイ酸塩を主体とし、導電材
として珪素化合物を含有したセラミック質の遠赤外線ヒ
ータで、ヒータ表面にＡＬ２Ｏ３、ＳｉＯ２を主成分と
した絶縁被膜をプラズマ溶射法で施工し、さらに被膜の
微小気孔にＳｉＯ２を充填、焼き付け封孔処理すること
を特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の遠赤外線ヒータは、管
状、棒状、平板状等任意の形で造られる。該ヒータの両
端に金属溶射、はんだ付け、導電性ペーストの焼き付け
等の方法により導電膜を形成し、電極とする。このよう
にして得られる本発明の遠赤外線ヒータは、絶縁層と導
電層がほぼ同一の組成のため、熱膨張率もほぼ同一とな
り、二層が使用中分離することもなく、６００℃まで安
定して使用することができ、そのうえ直接通電できるも
のである。
状、棒状、平板状等任意の形で造られる。該ヒータの両
端に金属溶射、はんだ付け、導電性ペーストの焼き付け
等の方法により導電膜を形成し、電極とする。このよう
にして得られる本発明の遠赤外線ヒータは、絶縁層と導
電層がほぼ同一の組成のため、熱膨張率もほぼ同一とな
り、二層が使用中分離することもなく、６００℃まで安
定して使用することができ、そのうえ直接通電できるも
のである。
【０００６】
【実施例】本発明を実施例で詳細に説明する。 （実施例１）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
の比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し
成形した。通常のセラミック製品と同様の工程を経て遠
赤外線ヒータを得た。該ヒータを回転装置に取り付け、
プラズマ溶射装置を用いて３ＡＬ２Ｏ３２ＳｉＯ２（ム
ライト）をプラズマ溶射し、絶縁被膜を施工した。この
絶縁被膜は微小気孔が約３％あり、これをＳｉＯ２ゾル
を含浸、焼き付けすることによって封孔処理した。処理
後の気孔率は１％以下であった。このヒータを５００℃
に発熱させ、その時の絶縁被膜の漏れ電流を測定した結
果、０．５ｍＡであった。また被膜の剥離もなく、良好
であった。 （比較例１）上記実施例１と同様にアルミノケイ酸塩ガ
ラスとＦｅＳｉを一定比率で配合し、通常の方法で、ヒ
ータサンプルを得た。該ヒータを回転装置に取り付け、
プラズマ溶射装置を用いて３ＡＬ２Ｏ３２ＳｉＯ２（ム
ライト）をプラズマ溶射し、絶縁被膜を施工した。この
ヒータを５００℃に発熱させ、その時の絶縁被膜の漏れ
電流を測定した結果、１〜２０ｍＡの範囲で流れ、非常
に不安定となり測定を中止した。 （比較例２）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し成
形した。ＡＬ２Ｏ３３５％、ＳｉＯ２５５％、Ｆｅ２Ｏ
３５％、ＭｎＯ２５％の組成の絶縁被膜を塗布し、十分
乾燥したのち、１２００〜１２５０℃の高温で焼結し
て、ヒータサンプルを得た。このヒータを５００℃に発
熱させ、その時の絶縁被膜の漏れ電流を測定した結果、
１０ｍＡ以上流れ、測定を中止した。また、絶縁膜の剥
離も観察された。 （比較例３）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し成
形した。成形、乾燥品の表面にＡＬ２Ｏ３、ＳｉＯ２を
分散させた水溶液をスプレー塗布した。十分乾燥したの
ち、１２００〜１２５０℃の高温で焼結して、ヒータサ
ンプルを得た。絶縁被膜の膜厚を測定したところ、０．
５μｍであった。このヒータを５００℃に発熱させ、そ
の時の絶縁被膜の漏れ電流を測定した結果、１５ｍＡで
あった。 （比較例４）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し成
形した。成形、乾燥品の表面にＡＬ２Ｏ３、ＳｉＯ２を
分散させた水溶液をスプレー塗布した。十分乾燥したの
ち、１２００〜１２５０℃の高温で焼結して、ヒータサ
ンプルを得た。絶縁被膜の膜厚を測定したところ、５５
μｍであった。このヒータを５００℃に発熱させ、その
時の絶縁被膜の漏れ電流を測定した結果、１ｍＡであっ
たが、測定終了後に絶縁層が剥離してしまった。以上の
実施例１〜比較例４におけるヒータサンプルの絶縁被膜
の施工条件と発熱させたときの測定結果の比較を表１に
示す。
の比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し
成形した。通常のセラミック製品と同様の工程を経て遠
赤外線ヒータを得た。該ヒータを回転装置に取り付け、
プラズマ溶射装置を用いて３ＡＬ２Ｏ３２ＳｉＯ２（ム
ライト）をプラズマ溶射し、絶縁被膜を施工した。この
絶縁被膜は微小気孔が約３％あり、これをＳｉＯ２ゾル
を含浸、焼き付けすることによって封孔処理した。処理
後の気孔率は１％以下であった。このヒータを５００℃
に発熱させ、その時の絶縁被膜の漏れ電流を測定した結
果、０．５ｍＡであった。また被膜の剥離もなく、良好
であった。 （比較例１）上記実施例１と同様にアルミノケイ酸塩ガ
ラスとＦｅＳｉを一定比率で配合し、通常の方法で、ヒ
ータサンプルを得た。該ヒータを回転装置に取り付け、
プラズマ溶射装置を用いて３ＡＬ２Ｏ３２ＳｉＯ２（ム
ライト）をプラズマ溶射し、絶縁被膜を施工した。この
ヒータを５００℃に発熱させ、その時の絶縁被膜の漏れ
電流を測定した結果、１〜２０ｍＡの範囲で流れ、非常
に不安定となり測定を中止した。 （比較例２）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し成
形した。ＡＬ２Ｏ３３５％、ＳｉＯ２５５％、Ｆｅ２Ｏ
３５％、ＭｎＯ２５％の組成の絶縁被膜を塗布し、十分
乾燥したのち、１２００〜１２５０℃の高温で焼結し
て、ヒータサンプルを得た。このヒータを５００℃に発
熱させ、その時の絶縁被膜の漏れ電流を測定した結果、
１０ｍＡ以上流れ、測定を中止した。また、絶縁膜の剥
離も観察された。 （比較例３）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し成
形した。成形、乾燥品の表面にＡＬ２Ｏ３、ＳｉＯ２を
分散させた水溶液をスプレー塗布した。十分乾燥したの
ち、１２００〜１２５０℃の高温で焼結して、ヒータサ
ンプルを得た。絶縁被膜の膜厚を測定したところ、０．
５μｍであった。このヒータを５００℃に発熱させ、そ
の時の絶縁被膜の漏れ電流を測定した結果、１５ｍＡで
あった。 （比較例４）アルミノケイ酸塩ガラスとＦｅＳｉを一定
比率で配合し、通常の方法でφ１４×３００に押出し成
形した。成形、乾燥品の表面にＡＬ２Ｏ３、ＳｉＯ２を
分散させた水溶液をスプレー塗布した。十分乾燥したの
ち、１２００〜１２５０℃の高温で焼結して、ヒータサ
ンプルを得た。絶縁被膜の膜厚を測定したところ、５５
μｍであった。このヒータを５００℃に発熱させ、その
時の絶縁被膜の漏れ電流を測定した結果、１ｍＡであっ
たが、測定終了後に絶縁層が剥離してしまった。以上の
実施例１〜比較例４におけるヒータサンプルの絶縁被膜
の施工条件と発熱させたときの測定結果の比較を表１に
示す。
【０００７】
【表１】
【０００８】
【発明の効果】上述したように、本発明に係る遠赤外線
ヒータは直接通電できる効率のよいヒータであって、し
かも高温使用にも十分な絶縁特性を有するヒータであ
る。これは通常の乾燥や焼き付け、または暖房用として
も漏電や感電のない安定した使用が可能であり、産業上
の期待は大である。
ヒータは直接通電できる効率のよいヒータであって、し
かも高温使用にも十分な絶縁特性を有するヒータであ
る。これは通常の乾燥や焼き付け、または暖房用として
も漏電や感電のない安定した使用が可能であり、産業上
の期待は大である。
Claims (1)
- 【請求項１】 アルミノケイ酸塩を主体とし、導電材と
して珪素化合物を含有したセラミック質の遠赤外線ヒー
タで、ヒータ表面にＡＬ２Ｏ３、ＳｉＯ２を主成分とし
た絶縁被膜をプラズマ溶射法で施工し、さらに施工した
被膜の微小気孔にＳｉＯ２を充填し、焼き付け封孔処理
することを特徴とする遠赤外線ヒータの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8134066A JPH09289072A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 遠赤外線ヒータの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8134066A JPH09289072A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 遠赤外線ヒータの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09289072A true JPH09289072A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=15119583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8134066A Pending JPH09289072A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 遠赤外線ヒータの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09289072A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100445669B1 (ko) * | 2001-03-24 | 2004-08-21 | 조철환 | 석영 표면의 세라믹 코팅방법 |
| CN100337513C (zh) * | 2005-04-28 | 2007-09-12 | 山东皇冠控股集团有限公司 | 红外陶瓷电热基板及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54106943A (en) * | 1978-02-09 | 1979-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Heater member and production thereof |
| JPS5750783A (en) * | 1980-09-11 | 1982-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Heater and method of producing same |
| JPS6093797A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-05-25 | 松下電器産業株式会社 | 遠赤外線ヒ−タ |
| JPH01226765A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | 遠赤外線放射部材 |
| JPH06145946A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-27 | Sharp Corp | 高温加熱用調理機器の調理面構造およびその製造方法 |
| JPH0856845A (ja) * | 1994-08-25 | 1996-03-05 | Sharp Corp | 高温加熱用調理機器の調理面構造 |
-
1996
- 1996-04-22 JP JP8134066A patent/JPH09289072A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54106943A (en) * | 1978-02-09 | 1979-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Heater member and production thereof |
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| JPH01226765A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | 遠赤外線放射部材 |
| JPH06145946A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-27 | Sharp Corp | 高温加熱用調理機器の調理面構造およびその製造方法 |
| JPH0856845A (ja) * | 1994-08-25 | 1996-03-05 | Sharp Corp | 高温加熱用調理機器の調理面構造 |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR100445669B1 (ko) * | 2001-03-24 | 2004-08-21 | 조철환 | 석영 표면의 세라믹 코팅방법 |
| CN100337513C (zh) * | 2005-04-28 | 2007-09-12 | 山东皇冠控股集团有限公司 | 红外陶瓷电热基板及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060117 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060530 |