JPH01216232A - 微粒子サイズ光学測定装置 - Google Patents

微粒子サイズ光学測定装置

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JPH01216232A
JPH01216232A JP1005862A JP586289A JPH01216232A JP H01216232 A JPH01216232 A JP H01216232A JP 1005862 A JP1005862 A JP 1005862A JP 586289 A JP586289 A JP 586289A JP H01216232 A JPH01216232 A JP H01216232A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、流体ストリーム(流れ)中の微粒子のサイ
ズを測定するための装置、詳しくは、流体ストリームを
通過しているライトビームに及ぼす微粒子の影響を検出
することにより、広範囲の微粒子サイズを測定する装置
に関する。
(従来の技術) 流体ストリーム中の微粒子のサイズを測定する装置とし
て、レーザービームを使用したものが知られている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、このような従来の装置にあっては、微粒
子サイズの測定範囲が比較的狭い範囲に限定されている
という問題がある。例えば、本発明の譲受人によって市
販されている装置は、微粒子サイズの測定範囲が0.5
〜25ミクロンに限定されている。
(発明の目的) そこで本発明は、微粒子サイズの測定範囲を300ミク
ロンまで拡大することにより、広範囲の微粒子サイズに
亘って流体ストリーム中の微粒子を測定できる装置を提
供することを目的とする。
(課題を解決するための手段) 本発明による流体中の広範囲の微粒子のサイズを測定す
るための装置は上記目的達成のため、微粒子を含んだ流
体サンプルストリームを画する手段と、ライトビームを
前記サンプルストリームに向ける手段と、前記ビームを
通過する各微粒子に対応してパルスを発生するために前
記ビームを通過する前記サンプルストリームの微粒子に
対応して前記ビームから散乱したライトを検出する光検
出手段と、前記光検出手段により産出された各パルスの
振幅及び前記光検出手段により産出された各パルスの幅
を測定する測定手段と、を備え、光検出手段により産出
されるパルスの振幅により第1範囲における微粒子のサ
イズを測定し、光検出手段により産出されるパルスの幅
により前記第1範囲より大きな第2範囲における微粒子
のサイズを測定することを特徴とする流体中の広範囲の
微粒子のサイズを測定することを特徴とする。
(作用) 本発明の装置においては、ライトビームは、フラットシ
ートの形状にされ流体ストリームを通過する。第1光検
出器がライトビームを直接検出するように配置され、第
2光検出器はライトビームが流体ストリームを通過する
時にレーザービームから散乱したライトを検出するよう
に配置されている。微粒子がレーザービームを通過する
ごとに、微粒子はレーザービームを部分的に遮光し、こ
れにより光検出器がパルスを発生する。また、各微粒子
は、第2光検出器により検出される散乱ライトを変化さ
せ、第1光検出器にパルスを発生させる。10〜50ミ
クロンの範囲内の微粒子については、第1光検出器がそ
の範囲内の微粒子サイズに正確に対応した振幅を有する
パルスを発生する。0.5〜10ミクロンの範囲内の微
粒子に関しては、第2光検出器がその範囲内の微粒子サ
イズに正確に対応した振幅を有するパルスを発生する。
50〜300ミクロンの範囲内の微粒子に関しては、第
2光検出器がその範囲内の微粒子サイズに正確に対応し
たパルス幅を有するパルスを発生する。
本発明に従って、第1光検出器及び第2光検出器からの
各パルスの振幅がデジタル値に変換されてマイクロプロ
センサーに送られ、また、第2光検出器からのパルス幅
もデジタル値に変換されてマイクロプロセンサーに送ら
れる。微粒子サイズが10〜50ミクロンの範囲内であ
れば、マイクロプロセッサ−は、第1光検出器により産
出されたパルスの振幅に対応したデジタル値をその範囲
内の微粒子サイズ°を示すものとして用いる。微粒子サ
イズが0.5〜10ミクロンの範囲内であれば、マイク
ロプロセッサ−は、第2光検出器により産出されたパル
スの振幅に対応するデジタル値をその範囲内の微粒子サ
イズを示すものとして用いる。微粒子のサイズが50〜
300 ミクロンの範囲内であれば、マイクロプロセン
サーは、第2光検出器に産出されたパルス幅に対応する
デジタル値をその範囲内の微粒子サイズを示すものとし
て用いる。このようにして、0.5〜300ミクロンの
微粒子が正確に測定される。したがって、本発明に基づ
いて、広範囲の微粒子サイズに亘って流体ストリーム中
の微粒子を測定できる装置が提供されている。
(実施例) 以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第1〜3図は本発明の一実施例を示す図である。
第1図に示されるように、本発明の装置において、レー
ザーダイオード11は、プリズム15によりビームイク
スパンダー17に反射されるレーザービーム13を発生
する。ビームイクスパンダー17は、受光レーザービー
ムをフラットシート19の形状にし、本実施例において
は、その形状は幅が500ミクロン、厚さが35ミクロ
ンである。フラットシート状のビームは、テストされる
流体サンプルストリームが上方に流れるようになってい
るテストチャンバー23の透明ウィンドー21を通過す
る。本実施例においては、流体は液体であるが、本発明
は気体中の微粒子のサイズの測定にも適用できる。
チャンバー23の内部を流れている流体中の微粒子と衝
突するレーザービーム19は、一部がその微粒子により
前方散乱され、そして散乱しなかったレーザービームの
部分のみならず前方散乱した部分はチャンバーの出口ウ
ィンド−25を通過する。
導入管27は、測定されるサンプルストリームをテスト
チャンバー23に導き、導出管29は、テストチャンバ
ーを通過した流体を流量制御弁31に運搬する。流量制
御弁31は、チャンバー23を通過する流体の流■が一
定になるように制御し、一定にすることは正確な微粒子
サイズの測定に重要である。
サンプル流体ストリームは、ポンプ等の圧力源33によ
り管27.28及びチャンバー23を通過する。
散乱することなしにテストチャンバー23を通過したダ
イレクトビーム19は、反射器35に当てられて光検出
器37に導かれる。チャンバー23を通過しているサン
プルストリーム中の微粒子によって前方散乱したレーザ
ービームからのライトは、ビーム反射器35の回わりを
通りレンズシステム47に到達し、レンズシステム47
により光検出器49に収束される。微粒子がレーザービ
ームを通過するごとに、微粒子は光検出器49によって
検出される散乱ライトを生じさせ、光検出器49にパル
スを発生させる。また、微粒子がテストチャンバー23
内のレーザービームを通過するごとに、微粒子はダイレ
クトレーザービームの一部を遮光し、したがって光検出
器37によって受光されているダイレクトレーザービー
ムのエネルギー量に影響を及ぼす。その結果、光検出器
37もレーザービームを通過する各微粒子に対応してパ
ルスを発生する。
上述のような形状を有するレーザービームに対して、1
0〜50ミクロンの範囲にある微粒子が光検出器37に
微粒子のサイズと正確に対応した振幅を有しているパル
スを発生させるようになっている。
更に、0.5〜lOミクロンの範囲の微粒子において、
レーザービームを通過する各微粒子によって生じた散乱
ライトが光検出器49にその範囲の微粒子サイズにより
正確に対応した振幅を有するパルスを発生させるように
なっている。更に、50300ミクロンの範囲の微粒子
による散乱ライトが光検出器49にその微粒子のサイズ
により正確に対応したパルス幅を有するパルスを発生さ
せるようになっている。したがって、本実施例において
は、0.5〜300ミクロンの全範囲において微粒子サ
イズを最も正確に測定するために、0.5〜lOミクロ
ンの範囲における微粒子はその範囲の微粒子によって生
じた散乱に対応して光検出器49で発生したパルスの振
幅によって測定され、lO〜50ミクロン′の範囲にお
ける微粒子はその範囲の微粒子による散乱に対応して光
検出器37で発生したパルスの振幅によって測定され、
そして50〜300ミクロンの範囲における微粒子はそ
の範囲の微粒子による散乱に対応して光検出器49で発
生したパルス幅によって測定される。微粒子サイズを正
確に測定するためには、特に50〜300ミクロンの範
囲の微粒子については、チャンバー23を通過する流体
の流量が正確に一定に維持されなければならず、この一
定流量は?jtm制御弁31によって維持されている。
第2図に示されるように、光検出器37からのパルスは
、増幅器51により増幅されてアナログシグナルゲート
52に送信される。光検出器47がらのパルスは、増幅
器59により増幅され、アナログシグナルゲート61及
び電圧比較器63の両方に送信される。電圧比較器63
は、送信されたパルスの振幅を直径10ミクロンの微粒
子に対応して増11i!器59により産出されるパルス
の振幅に対応して選択された電圧値と比較する。送信さ
れた電圧がこのレベル以下であることを電圧比較器63
が検出すれば、電圧比較器63はアナログゲー)61を
使用可能にする。
送信された電圧がこのレベル以上であ゛ることを電圧比
較器63が検出すれば、電圧比較器63はアナログゲー
ト52を使用可能にする。したがって、パルス間で、比
較器63はアナログゲート61を使用可能にする。パル
スが比較器63に送信された時、比較器63は、そのパ
ルスの振幅が直径10ミクロンの微粒子に対応した値に
なるまでデート61を継続して使用可能にする。パルス
電圧がこの値を超えた時、比較′!:I63はゲート6
1を使用不能にしゲート52を使用可能にする。ゲー1
−61が使用可能な時、ゲート61は送信されたパルス
をAD変換器(アナログデジタルコンバーター)53及
び微分器55に送信する。
同様に、ゲート52は、使用可能である時、送信された
パルスをAD変換器53及び微分器55に送信する。こ
のようにして、10ミクロンまでの微粒子によって生じ
た増幅器59の出力パルスは、AD変換器53及び微分
2:55に供給され、lOミクロン以上の微粒子によっ
て生じた増幅器51の出力パルスは、それらのパルスが
ピークになる時までに、AD変換器及び微分器55に供
給される6本発明の実施例においては、AD変換器53
は高速AD変換器であり、パルスの振幅はそのピークで
′測定される。この測定を達成するために、微分器55
が使用されている。微分器55は、送信されたパルスの
ピークでパルスを発生し、そしてこのパルスは送信され
たパルス振幅をデジタル値に変換するためにAD変換器
53に送られる。このようにして、AD変換器はピーク
時の送信されたパルスの振幅をデジタル値に変換し、こ
のデジタル値はマイクロプロセッサ−57に送られる。
微粒子が直径10ミクロン以下であれば、AD変換器5
3の出力によって測定されマイクロプロセラ    □
ツー5フに送れたパルスは、光検出器49から生じたも
のである。微粒子が10〜50ミクロンの範囲にあれば
、AD変換器53によりマイクロプロセンサー57に与
えられたデジタル値によって測定されたパルスは、光検
出器37から生じたものである。電圧比較器63は、デ
ジタル値が直径10ミクロン以上又は以下の微粒子のサ
イズを意味するかを示す信号をマイクロプロセンサー5
7に与える。AD変換器により産出されるデジタル値の
微粒子サイズを意味するスケールは、直径10ミクロン
以下の微粒子により生じられ光検出r:i49から発生
したパルスのものと、10〜50ミクロンの範囲の微粒
子により生しられ光検出器37から発生したパルスのも
のとは異なっている。AD変換器53は、16ビツトデ
ジタル出力値を産出する。パルスが光検出器49から発
生したものである時には、デジタル値のスケールは、最
大16ビツト値が直径10ミクロンよりわずかに大きな
微粒子を意味するようになっている。パルスが光検出器
37から生じる時には、デジタル値のスケールは、最大
16ピ・ノド値が直径50ミクロンよりわずかに大きな
微粒子を意味するようになっている。
増幅器59の増幅出力はまたパルスシェーバ−65に送
られ、パルスシェーバ−65で光検出349からの各パ
ルスが一定振幅パルスに変換されて、ゲート67を使用
可能にするためにゲート67に送られる。
また、ゲート67は、lOメガヘルツクロックパルスソ
ース69からパルスを受けて、使用可能となった時に、
これらのクロックパルスをカウンター71に送る。パル
スシェーバ−65により産出される各パルスの上昇エツ
ジにより、カウンター71が0にリセットされる。ゲー
ト67は、パルスシェーバ−65に産出されるパルスの
幅の間だけ使用可能となり、カウンター71によってカ
ウントされるクロックパルスをJ過させる。パルスシェ
ーバ−65により産出されたパルスのエンドでカウンタ
ー71に登録されたカウントは、パルスの幅に対応し、
したがって、光検出器49により産出されたパルスの幅
にも対応している。パルスシェーバ−65で産出された
パルスの後端は、カウンター71のカウントを受は取る
ようにマイクロプロセッサ−57に信号を送る。
カウンター71は16ビントカウンターであり、10メ
ガヘルツクロツクは最大カウントが約300ミクロンの
直径を有する微粒子を意味するようにカウンターにおけ
るカウントを定める。
したがって、レーザービームを通過する各微粒子は、A
D変換器53及びカウンター71により産出されること
になるデジタル値を生じさせる。これらの値は、マイク
ロプロセッサ−57に送られる。
マイクロプロセッサ−57は、AD変換器53又はカウ
ンター71からのデジタル値を16ビツトナンバーの1
4最小桁ビット位置に表わされた14ビツト値に変換す
るようにプログラムされている。2最上桁ビット位置は
、バイナリ−値がカウンター71からのデジタル値によ
って表わされた50〜300ミクロンの範囲にあるか、
光検出器37からのパルスに応じてAD変換器53から
のデジタル値によって表わされた10〜50ミクロンの
範囲内の微粒子を意味するか、あるいは光検出器49に
より産出されたパルスに応じてAD変換器53からのデ
ジタル値によって表わされた10ミクロン以下の微粒子
を意味するかを示すのに用いられる。また、AD変換器
からのデジタル値が、微粒子サイズが10ミクロン以下
であることを示す光検出器49からの出力パルスに対す
るものである時には、浮動小数点交換が実行される。浮
動小数点交換においては、AD変換器の出力値が214
又はそれ以上であれば、2個の最小桁ピントは捨てられ
、22から2″までのピント位置の値はビット位置2°
から213にシフトされる。同時に、2個の最上術ビッ
トはOlにセットされ、そのOlは、デジタル値のスケ
ールは最大14ピント値が10ミクロンよりわずかに大
きい微粒子サイズを意味するようになっていることを示
す、光検出器49からのパルスに対するAD変換器53
からの出力値が214以下であれば、ピント値はそのま
ま元の位置に残され、2個の最上術ビット位W、2■S
及び21−は00にセットされ、その00は、14ビツ
ト値のスケールは最大1″4ビツト値が2.5ミクロン
よりわずかに大きな微粒子に対応するようになっている
ことを示す。AD変換器53からのデジタル値が、微粒
子が10〜50ミクロンのサイズを有することを示す光
検出器37からのパルスに対応するものであれば、AD
変換器からの16ビ・ノド値は2°〜213の位置にシ
フトされ、その最上術ビットがlOにセットされて、そ
の10は、14ビツト値の最大14ビツト値が50ミク
ロンよりわずかに大きな微粒子に対応するようになって
いることを示す。デジタル値がカウンター71からのも
のであれば、マイクロプロセッサ−57はカウントの1
4個の最上桁値を20〜213の位置にシフトし、2個
の最上術ビット位置は微粒子が50〜300ミクロンの
範囲であることを示すように11にセットされる。
増幅器51の出力はレーザーダイオード密度制御回路8
1に送られ、回路81はレーザーダイオード11に信号
を送り、レーザーダイオードの密度が、微粒子がチャン
バー23を通過していない時の増幅器51の出力に対一
応して制御されている。上述したように、微粒子がチャ
ンバー23を通過するごとに、微粒子はダイレクトレー
ザービームを部分的に遮光し、したがって、光検出器3
7がパルスを発生する。微粒子がレーザービームを通過
していない時には、レーザービームは遮光されず、増幅
器51により産出される電圧値はレーザービーム密度に
対応する。この電圧値は、増幅器51の出力電圧を微粒
子がレーザービームを通過していない時に所定の一定値
であるようにレーザービームの密度を調整するために、
制御回路によって用いられている。
このようにして、レーザービームの密度は一定に維持さ
れている。
マイクロプロセンサー57をコントロールするプログラ
ムは、第3図のフローチャートで示されている。第3図
で示されるように、微粒子に対応してマイクロプロセッ
サ−57に入力された新しいデジタル値ごとにプログラ
ムが開始し、インストラクションシーケンス74におい
て、マイクロプロセッサ−57は、デジタル値によって
示されるように微粒子のサイズに従ってカウンター71
又はAD変換器53からのデジタル値を選択する。そし
て、マイクロプロセッサ−はビットをビット位置にシフ
トし、2個の最上桁ピントを上述のようにセットする。
次に、インストラクションシーケンス75において、イ
ンストラクションシーケンス74で産出された16ビツ
トデジタル値に対応しながらメモリ77の貯蔵位置にお
けるカウントが増加される。ここに、16ビツトのうち
、14個の最小桁ピントは微粒子サイズを示し、2個の
最上桁ビットはスケールを示す。メモリ77における単
独のメモリ位置が、16ビツトで表わすことのできる各
デジタル値に割り当てられている。このため、約650
00メモリ位置が必要とされる。このようにして、マイ
クロプロセッサ−は、0.5〜300ミクロンの範囲に
ある微粒子のためにAD変換器53又はカウンター71
が産出したデジタル値により決定される各異なる微粒子
サイズの異なったメモリ位置におけるカウントを増加す
る。
マイクロプロセッサ−57はメモリ77のデジタル値を
デイスプレー78に表示し、これにより、0.5〜30
0ミクロンの範囲における異なったサイズの微粒子の数
を知ることができる。
微粒子サイズは、デジタル変換器53又はカウンター7
1により産出されるデジタル値に線型的に対応していな
い。したがって、AD変換器53からのデジタル値は1
0〜50ミクロンの範囲における微粒子とかなり線型的
に対応しているが、これらのデジタル値の各増加は微粒
子サイズにおける同一の増加を意味していない、正確な
測定を得るために、装置は、メモリ77の各貯蔵位置が
公知の微粒子サイズを表わすように、公知サイズのテス
ト微粒子によって目盛をつけられている。与えられた微
粒子サイズの微粒子の数を意味するメモリ77のカウン
トを表示する際に、マイクロプロセンサーは、各サイズ
の増加ごとに流体ストリーム中の微粒子の数の完全でか
つ正確な記録を提供する。
上述したように、上述の装置は、ダイレクトレーザービ
ームを検出する光検出器によって産出されるパルス振幅
とレーザービームを部分的に遮光する10〜50ミクロ
ンの範囲の微粒子との相関関係が高いことを利用してい
る。しかしながら、また、散乱ライトによるパルスの振
幅と10〜25ミクロン    □の範囲の微粒子との
相関関係も非常によく、散乱ライトによるパルスの幅と
25〜50ミクロンの範囲の微粒子との相関関係も非常
によい、したがって、他の実施例においては、光検出器
37とそれに対応する測定チャネルを省略し、マイクロ
プロセッサ−57は、光検出器49からのパルスに対応
してAD変換器53により産出されたデジタル値により
0.5〜25ミクロンの範囲における微粒子を測定する
ようにプログラムされ、およびカウンター71のカウン
トにより25〜300ミクロンの範囲内の微粒子を測定
するようにプログラムされている。
第2図に示される装置より高価でない装置においては、
高速AD変換器を使用するかわりに、パルスは、パルス
振幅を電圧参照レベルと比較することによりデジタル値
に変換することができる。
そのようなAD変換においては、参照電圧レベルの数に
制限があるために、AD変換のこの後者のシステムは第
2図に示される装置よりも測定されるパルス振幅がかな
り減少される。
上述したような本発明の実施例においては、ライトビー
ムはレーザーにより産出されている。しかしながら、微
粒子サイズは、従来のライト源が発生するライトビーム
を使用することにより測定できる。ライトは、可視光線
、紫外線、又は赤外線でもよ(、ここで使用されている
ライトは従来の光学エレメントによって産出されるライ
トを意味し、換言すれば、波長が180〜180ナノメ
ートルの範囲にあるライトを意味する。上述の装置は、
ある範囲の微粒子を測定するのに前方散乱ライトを利用
しているが、サイド散乱ライト、後方散乱ライトあるい
は異なった方向に散乱したライトの組合わせを利用して
もよい。
(効果) 本発明に従って、微粒子サイズの測定範囲を300ミク
ロンまで拡大することができる。したがって、広範囲の
微粒子サイズに亘って流体ストリーム中の微粒子を測定
できる装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1〜3図は本発明に係る微粒子サイズ測定装置の一実
施例を示す図であり、第1図は本発明に係る装置の光学
システムを示す概略図、第2図は第1図に示されるシス
テムの光検出器によって産出されたパルスを微粒子サイ
ズ測定に変換するための回路のブロック線図、第3図は
第2図のマイクロプロセッサ−に用いられるプログラム
を示すブロック線図である。 13・・・・・・ライトビーム、 23・・・・・・流体サンプルストリームを画する手段
、37.49・・・・・・光検出手段、 53・・・・・・測定手段。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)微粒子を含んだ流体サンプルストリームを画する
    手段と、ライトビームを前記サンプルストリームに向け
    る手段と、前記ビームを通過する各微粒子に対応してパ
    ルスを発生するために前記ビームを通過する前記サンプ
    ルストリームの微粒子に対応して前記ビームから散乱し
    たライトを検出する光検出手段と、前記光検出手段によ
    り産出された各パルスの振幅及び前記光検出手段により
    産出された各パルスの幅を測定する測定手段と、を備え
    、光検出手段により産出されるパルスの振幅により第1
    範囲における微粒子のサイズを測定し、光検出手段によ
    り産出されるパルスの幅により前記第1範囲より大きな
    第2範囲における微粒子のサイズを測定することを特徴
    とする流体中の広範囲の微粒子のサイズを測定するため
    の装置。
  2. (2)前記サンプルストリームを通過する前記ビームの
    散乱していない部分を検出し前記ビームを通過する前記
    流体ストリームの各微粒子に対応してパルスを発生する
    第2光検出手段を更に備え、前記測定手段が前記第2光
    検出手段により産出されるパルスの振幅を測定し、前記
    第2光検出手段により産出されたパルスの振幅により前
    記第1範囲と第2範囲との間の第3範囲における微粒子
    のサイズを測定することを特徴とする請求項第1項記載
    の装置。
  3. (3)前記第1範囲が直径5ミクロンの微粒子を含み、
    前記第2範囲が直径225ミクロンの微粒子を含み、前
    記第3範囲が直径30ミクロンの微粒子を含み、前記装
    置が、さらに前記第1範囲の微粒子に対応して前記第1
    光検出手段により産出されたパルスの前記測定手段によ
    る振幅の測定を前記第1範囲の微粒子の測定として選択
    し、前記第3範囲の微粒子に対応して前記第2光検出手
    段により産出されたパルスの前記測定手段による振幅の
    測定を前記第3範囲の微粒子の測定として選択し、およ
    び前記第2範囲の微粒子に対応して前記第1光検出手段
    により産出されたパルスの前記測定手段によるパルス幅
    の測定を前記第2範囲の微粒子の測定として選択する手
    段を有することを特徴とする請求項第2記載の装置。
  4. (4)前記測定手段が、前記光検出手段によって産出さ
    れたパルスの振幅をデジタル値に変換するパルス振幅変
    換手段と、前記光検出手段によって産出されたパルスの
    パルス幅をデジタル値に交換するパルス幅変換手段と、
    からなることを特徴とする請求項第1記載の装置。
  5. (5)前記装置が、さらに、多数の貯蔵位置と、前記パ
    ルス幅変換手段により産出され前記第1範囲の微粒子を
    意味する各デジタル値に対応する第1セットの前記貯蔵
    位置における単独の貯蔵位置と、前記パルス幅変換手段
    により産出され前記第2範囲の微粒子を意味する各デジ
    タル値に対応する第2セットの前記貯蔵位置における単
    独の貯蔵位置とを有するメモリ手段と、前記パルス振幅
    交換手段により産出された各デジタル値に対応して前記
    第1セットにおけ貯蔵位置及び前記パルス振幅変換手段
    により産出された各デジタル値に対応して前記第2セッ
    トにおける貯蔵位置を増加する手段と、を有することを
    特徴とする請求項第4項記載の装置。
  6. (6)微粒子を含んだ流体サンプルストリームを画する
    手段と、ライトビームを前記流体サンプルストリームに
    向ける手段と、前記サンプルストリーム内の前記ビーム
    を通過する微粒子に対応して前記ビームから散乱したラ
    イトを検出し前記ビームを通過する各微粒子に対応して
    パルスを発生する第1光検出手段と、前記サンプルスト
    リームを通過する前記ビームの散乱していない部分を検
    出し前記ビームを通過する各微粒子に対応してパルスを
    発生する第2光検出手段と、前記第1及び第2光検出手
    段により産出されたパルスの振幅を測定する測定手段と
    、を備え、前記第1光検出手段により産出されたパルス
    の振幅により第1範囲における微粒子が測定され、前記
    第2光検出手段により産出されたパルスの振幅により前
    記第1範囲より大きな第2範囲における微粒子が測定さ
    れることを特徴とする流体中の微粒子の広範囲の微粒子
    のサイズを測定するための装置。
  7. (7)前記測定手段が前記第1及び第2光検出手段によ
    り産出されたパルスの振幅をデジタル値に変換すること
    を特徴とする請求項第6項記載の装置。
  8. (8)前記装置が、さらに、多数の貯蔵位置を有するメ
    モリ手段と、前記貯蔵位置の第1セットの各貯蔵位置が
    前記第1範囲における微粒子サイズを意味し前記測定手
    段によって産出された異なるデジタル値に対応し、前記
    貯蔵位置の第2セットの各貯蔵位置が前記第2範囲にお
    ける微粒子サイズを意味し前記測定手段によって産出さ
    れた異なるデジタル値に対応し、および前記測定手段に
    よって産出される各デジタル値に対応して前記第1セッ
    トの貯蔵位置と前記第2セットの貯蔵位置を増加する手
    段とを有することを特徴とする請求項第7項記載の装置
  9. (9)微粒子を含んだ流体サンプルストリームを画する
    手段と、ライトビームを前記サンプルストリームに向け
    る手段と、前記ビームを通過する前記サンプルストリー
    ム内の微粒子に対応して前記ビームから散乱したライト
    を検出し前記ビームを通過する各微粒子に対応してパル
    スを発生する第1光検出手段と、前記第1光検出手段に
    より産出されたパルスの幅を測定する第1測定手段と、
    前記サンプルストリームを通過する前記ビームの散乱し
    ていない部分を検出し前記ビームを通過する前記サンプ
    ルストリームにおける各微粒子に対応してパルスを発生
    する第2光検出手段と、前記第2光検出手段により産出
    されたパルスの振幅を測定する第2測定手段と、を備え
    、前記第1光検出手段により産出されたパルスの幅によ
    って第1範囲内の微粒子が測定され、前記第2光検出手
    段により産出されたパルスの振幅によって前記第1範囲
    より小さな第2範囲内の微粒子が測定されることを特徴
    とする流体内の微粒子の広範囲の微粒子サイズを測定す
    るための装置。
  10. (10)前記第1測定手段が前記第1光検出手段により
    産出された各パルスのパルス幅をデジタル値に変換する
    手段、前記第2測定手段が前記第2光検出手段により産
    出された各パルスの振幅をデジタル値に変換する手段か
    らなることを特徴とする請求項第9項記載の装置。
  11. (11)前記装置が、さらに、多数の貯蔵位置からなる
    メモリ手段と、前記貯蔵位置の第1セットの各貯蔵位置
    が前記第1範囲内の微粒子サイズを意味し前記第1測定
    手段により産出された異なるデジタル値に対応し、前記
    貯蔵位置の第2セットの各貯蔵位置が前記第2範囲内の
    微粒子サイズを意味し第2測定手段により産出された異
    なるデジタル値に対応し、および前記第1測定手段によ
    り産出された各デジタル値に対応して前記第1セットの
    貯蔵位置と前記第2測定手段により産出された各デジタ
    ル値に対応して前記第2セットの貯蔵位置とを増加する
    手段とを有することを特徴とする請求項第10項記載の
    装置。
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