JPH01208391A - 単結晶の育成方法 - Google Patents
単結晶の育成方法Info
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- JPH01208391A JPH01208391A JP3451488A JP3451488A JPH01208391A JP H01208391 A JPH01208391 A JP H01208391A JP 3451488 A JP3451488 A JP 3451488A JP 3451488 A JP3451488 A JP 3451488A JP H01208391 A JPH01208391 A JP H01208391A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高品質Ｙ Ａ Ｇ （Ｙ３１７５０，２）単結
晶あるいはＮｄ ： ＹＡＧ （ＹＡＧにＮｄ２Ｏ，を
ドープ）単結晶の育成方法に関し、とくに結晶引上げ開
始直後の形状制御方法に関する。
晶あるいはＮｄ ： ＹＡＧ （ＹＡＧにＮｄ２Ｏ，を
ドープ）単結晶の育成方法に関し、とくに結晶引上げ開
始直後の形状制御方法に関する。
Ｎｄ：ＹＡＧ単結晶の形成は１通学用き上げ法（チョク
ラルスキ法）によって行なわれている。
ラルスキ法）によって行なわれている。
引き上げ法で単結晶を作成する場合の技術課題 。
は、第１に目的に合致する良質な結晶を作成すること、
第２に所定の直径を有する長い結晶を作「戊することで
ある。第１の課題に関しては、高純度原料の使用、育成
時の雰囲気や温度の安定化、圧力制御などがある。第２
の課題に関しては重量法あるいは光学法による自動育成
方法がいくつが提案されている。しかし、Ｎｄ：ＹＡＧ
単結晶の自動直径制御の実施例はなくもちろん発表され
た例もない。
第２に所定の直径を有する長い結晶を作「戊することで
ある。第１の課題に関しては、高純度原料の使用、育成
時の雰囲気や温度の安定化、圧力制御などがある。第２
の課題に関しては重量法あるいは光学法による自動育成
方法がいくつが提案されている。しかし、Ｎｄ：ＹＡＧ
単結晶の自動直径制御の実施例はなくもちろん発表され
た例もない。
これは、Ｎｄ：ＹＡＧ単結晶が非常に高い温度でしかも
引上げ速度が遅い（０，５〜ｌ ｍｍ ／ Ｈ）ことや
、結晶の長さ方向に使用するため、長期安定の高信頼性
システムの開発が必要なため自動育成は困難とされてい
るのが実情である。従って、Ｎｄ ： ＹＡＧ単結晶の
育成は、熟練された経験者によって行なわれている。
引上げ速度が遅い（０，５〜ｌ ｍｍ ／ Ｈ）ことや
、結晶の長さ方向に使用するため、長期安定の高信頼性
システムの開発が必要なため自動育成は困難とされてい
るのが実情である。従って、Ｎｄ ： ＹＡＧ単結晶の
育成は、熟練された経験者によって行なわれている。
Ｎｄ：ＹＡＧ単結晶の育成温度が他の酸化物単結晶く例
えばＧＧＧｒと以べて非常に高いため、保温耐火物の材
質や構成の少しの変化でも温度のＢＨに関与してくる。
えばＧＧＧｒと以べて非常に高いため、保温耐火物の材
質や構成の少しの変化でも温度のＢＨに関与してくる。
このためより安定を保つために耐火物構成がより複雑化
すると共に結晶の監視窓は非常に小さくなり、育成状態
は非常に見にくく成っている。しかも熱源が高周波誘導
のため、直接ルツボ又は溶液の温度を正確に計測する事
が出来ない。
すると共に結晶の監視窓は非常に小さくなり、育成状態
は非常に見にくく成っている。しかも熱源が高周波誘導
のため、直接ルツボ又は溶液の温度を正確に計測する事
が出来ない。
この様な状況下に於いて、結晶育成は作業者が長年の経
験を基にルツボ内溶液あるいは結晶重量変化等を参考に
高周波コイルに加わる高周波電力を変化させ結晶径の制
御が行なわれている。又、種付に最適な高周波電力は育
成毎に異なると共に引上げ以後の育成条件も当然界る。
験を基にルツボ内溶液あるいは結晶重量変化等を参考に
高周波コイルに加わる高周波電力を変化させ結晶径の制
御が行なわれている。又、種付に最適な高周波電力は育
成毎に異なると共に引上げ以後の育成条件も当然界る。
更に、引上げ開始初期はある程度結晶を引き上げて結晶
の変化具合を見ないと高周波電力が最適であるかどうか
の判断が出来ない。
の変化具合を見ないと高周波電力が最適であるかどうか
の判断が出来ない。
この結果、設定値が高すぎるとシードが溶液から切り離
されてしまったり、逆にその設定が低すぎると結晶は急
激に太ってしまい、以後径の制御してもデコボコの激し
い結晶が育成され当然品質低下が起きる。この様に引上
げ初期の高周波電力の設定は非常に大切である。しかも
、熟練者であっても最適条件の設定はむずかしく育成に
失敗したり、又引上げ開始してから長時間監視する必要
があった。当然ながら未経験者ではＮｄ：ＹＡＧ単結晶
の育成は困難であった。
されてしまったり、逆にその設定が低すぎると結晶は急
激に太ってしまい、以後径の制御してもデコボコの激し
い結晶が育成され当然品質低下が起きる。この様に引上
げ初期の高周波電力の設定は非常に大切である。しかも
、熟練者であっても最適条件の設定はむずかしく育成に
失敗したり、又引上げ開始してから長時間監視する必要
があった。当然ながら未経験者ではＮｄ：ＹＡＧ単結晶
の育成は困難であった。
本発明の目的は、結晶引上げ開始してからの重量変化か
ら高周波電力の条件設定を最適値にすることが出来、種
付させ出来れば誰でも再現性よく非常に高品質な単結晶
が育成できる単結晶の育成方法を提供することにある。
ら高周波電力の条件設定を最適値にすることが出来、種
付させ出来れば誰でも再現性よく非常に高品質な単結晶
が育成できる単結晶の育成方法を提供することにある。
本発明の構成は、高周波加熱炉に設けた熱検出手段の出
力が温度設定器の設定値Ｍとなるように、前記高周波加
熱炉に高周波発振電力をアナログコントローラにより制
御して供給してこの加熱炉を加熱し、この加熱炉中で溶
融した原料を、直径Ｄｓの種結晶を引上げて単結晶に形
成する単結晶の育成方法において、前記設定値Ｍの変化
量を所定値Ｖｓに設定して前記単結晶引上げを行い、０
．１〜４時間内の所定時刻経過後、この単結晶の径ＤＩ
がＤｓ （１＋α）（ただしαは０．０１〜Ｉ）、１
）より大きくなった時、前記設定値ＭをＭ（１＋β）（
ただしβはＯ〜０．０１とする）とし、かつ変化Ｊｔ
Ｖ ｏをＶｓγ（ただしγは１〜２とする）として単結
晶育成することを特徴とする。
力が温度設定器の設定値Ｍとなるように、前記高周波加
熱炉に高周波発振電力をアナログコントローラにより制
御して供給してこの加熱炉を加熱し、この加熱炉中で溶
融した原料を、直径Ｄｓの種結晶を引上げて単結晶に形
成する単結晶の育成方法において、前記設定値Ｍの変化
量を所定値Ｖｓに設定して前記単結晶引上げを行い、０
．１〜４時間内の所定時刻経過後、この単結晶の径ＤＩ
がＤｓ （１＋α）（ただしαは０．０１〜Ｉ）、１
）より大きくなった時、前記設定値ＭをＭ（１＋β）（
ただしβはＯ〜０．０１とする）とし、かつ変化Ｊｔ
Ｖ ｏをＶｓγ（ただしγは１〜２とする）として単結
晶育成することを特徴とする。
次に、本発明を図面により詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するフローチャート、
第２図、第３図は本実施例の動作を説明する特性図、第
４図は本実施例に用いられる結晶育成装置のブロック図
である。
第２図、第３図は本実施例の動作を説明する特性図、第
４図は本実施例に用いられる結晶育成装置のブロック図
である。
本実施例において、高周波加熱炉の高周波コイルに熱検
出手段となる真空熱電対を有し、温度設定器の設定値Ｍ
に真空熱電対の起電力を近ずけるように高周波発振器の
供給電力をアナログコントローラにより制御する。この
単結晶育成中の結晶径Ｄ１は常時検出できるようにして
高周波加熱炉を用いてチョクラルスキー法による単結晶
育成を行う。
出手段となる真空熱電対を有し、温度設定器の設定値Ｍ
に真空熱電対の起電力を近ずけるように高周波発振器の
供給電力をアナログコントローラにより制御する。この
単結晶育成中の結晶径Ｄ１は常時検出できるようにして
高周波加熱炉を用いてチョクラルスキー法による単結晶
育成を行う。
この場合、まずステ・ツブ１１で設定値Ｍの変化量ＶＯ
を所定値■５に設定して単結晶を育成し、ステップ１２
で０．１〜４時間内の所定時刻経過後にその単結晶径Ｄ
Ｉを測定する。次に、ステップ１３でこの直径り、が種
結晶径Ｄ５の（１−１−α）倍より大きいか否かを判定
しくαは０．Ｏ１〜０．１とする）、Ｄ、がＤｓ（１−
α）より大きかった時、ステップ１４で設定値ＭをＭ＜
１＋β）と設定しくβは０〜０．０１とする）、また変
化量■ｏをＶ５γと設定しくγは１〜２とする〉、結晶
育成を続け、ＤｌがＤ５ （１−α）より大きくならな
ければステップ１１に戻る。
を所定値■５に設定して単結晶を育成し、ステップ１２
で０．１〜４時間内の所定時刻経過後にその単結晶径Ｄ
Ｉを測定する。次に、ステップ１３でこの直径り、が種
結晶径Ｄ５の（１−１−α）倍より大きいか否かを判定
しくαは０．Ｏ１〜０．１とする）、Ｄ、がＤｓ（１−
α）より大きかった時、ステップ１４で設定値ＭをＭ＜
１＋β）と設定しくβは０〜０．０１とする）、また変
化量■ｏをＶ５γと設定しくγは１〜２とする〉、結晶
育成を続け、ＤｌがＤ５ （１−α）より大きくならな
ければステップ１１に戻る。
本発明者等は結晶引上げ開始直後の高周波電力を最適化
するために今までに育成された単結晶の径の変化と高周
波電力、更に結晶品質の関（＆について詳細に分析し、
かつ種々の研究を行った。この結果、引上げ開始初期に
おいて１よ、高周波電力が低すぎると育成結晶径Ｄ＋は
、第２図に示すように種結晶の直径Ｄｓよりもどんどん
太ってくることが明らかとなった。一般に引上げ開始直
後の結晶はＤｓと同じか、やや細い方が品質的によく、
第２図の様な太り方は品質低下を起すことも明らかとな
った。このためこの様な現象の時には、第３図のように
高周波電力をある範囲で変化させてると、非常にきれい
な、しかも高品質な結晶が育成できることを見い出した
。
するために今までに育成された単結晶の径の変化と高周
波電力、更に結晶品質の関（＆について詳細に分析し、
かつ種々の研究を行った。この結果、引上げ開始初期に
おいて１よ、高周波電力が低すぎると育成結晶径Ｄ＋は
、第２図に示すように種結晶の直径Ｄｓよりもどんどん
太ってくることが明らかとなった。一般に引上げ開始直
後の結晶はＤｓと同じか、やや細い方が品質的によく、
第２図の様な太り方は品質低下を起すことも明らかとな
った。このためこの様な現象の時には、第３図のように
高周波電力をある範囲で変化させてると、非常にきれい
な、しかも高品質な結晶が育成できることを見い出した
。
結晶引上げ開始直後では、種付の状態と引上げられてい
る時の状態では結晶状態が異るために、引上げによる安
定した重量変化を示すためにはあ・る一定時間必要であ
る。又、種結晶径が細いために結晶増加量が非常に少く
結晶径を正確に読み収れる迄の時間を考慮する必要が生
じた。このため育成状態を結晶重量から判断する場合、
この時間ｔが経過してから結晶径の算出を行うのが最も
得策であることが多くの実験から得られた。
る時の状態では結晶状態が異るために、引上げによる安
定した重量変化を示すためにはあ・る一定時間必要であ
る。又、種結晶径が細いために結晶増加量が非常に少く
結晶径を正確に読み収れる迄の時間を考慮する必要が生
じた。このため育成状態を結晶重量から判断する場合、
この時間ｔが経過してから結晶径の算出を行うのが最も
得策であることが多くの実験から得られた。
また、結晶引上げを開始してから時間を経過後結晶径Ｄ
Ｉが引上げ、開始時の種結晶径Ｄｓに対しＤＩ ＞Ｄ５
（１＋（２）＜ａは０．０１〜０．１ ）のとき、
このまま育成を続けると、結晶が太り過てしまい目標径
に戻すためには非常に長い時間が必要であり、結晶の凹
凸が激しくなることも明らかとなった。
Ｉが引上げ、開始時の種結晶径Ｄｓに対しＤＩ ＞Ｄ５
（１＋（２）＜ａは０．０１〜０．１ ）のとき、
このまま育成を続けると、結晶が太り過てしまい目標径
に戻すためには非常に長い時間が必要であり、結晶の凹
凸が激しくなることも明らかとなった。
そのなめ最も効果的に結晶育成を行うための方法として
高周波電力の変化の方法を検討した。この結果、高周波
電力そのものを増加、更には育成中の電力増加量を多く
、（すなわち、温度設定器の設定値Ｍの変化’Ｈｖ ｏ
を大きくしながら育成すると良いことが判った。
高周波電力の変化の方法を検討した。この結果、高周波
電力そのものを増加、更には育成中の電力増加量を多く
、（すなわち、温度設定器の設定値Ｍの変化’Ｈｖ ｏ
を大きくしながら育成すると良いことが判った。
そこでこれらの関係を明確にするため、実験結果を詳細
に分析した結果、通常Ｎｄ：ＹＡＧ単結晶育成はＶｏは
増加しながら行なわれる。引上げ開始の時もＶｏは設定
する必要がある。この■。
に分析した結果、通常Ｎｄ：ＹＡＧ単結晶育成はＶｏは
増加しながら行なわれる。引上げ開始の時もＶｏは設定
する必要がある。この■。
の設定値Ｖｓ種付時のＭの値が１０〜３０ｍＶのときＯ
〜５０μＶ／Ｈが適当であった。
〜５０μＶ／Ｈが適当であった。
次に、を経過後のＤＩ ＞ Ｄｓ （１＋α）（ただ
しαは０．Ｏ１〜Ｏ０ｌである）のときＭの増加は現在
のＭの設定値の１％以内が適当であり、又ＶｏはＶｓの
１〜２倍が最も効果的であった。この量はＤ５とＤＩと
の差により決定され、差が大きければ変化は大きくする
必要があった。ただしこれ以上変化量を大きくすると、
ある時間経過後に急激にＤＩが細くなり以後の形状制御
が非常に困難になることが明確となった。
しαは０．Ｏ１〜Ｏ０ｌである）のときＭの増加は現在
のＭの設定値の１％以内が適当であり、又ＶｏはＶｓの
１〜２倍が最も効果的であった。この量はＤ５とＤＩと
の差により決定され、差が大きければ変化は大きくする
必要があった。ただしこれ以上変化量を大きくすると、
ある時間経過後に急激にＤＩが細くなり以後の形状制御
が非常に困難になることが明確となった。
なお、結晶引上げ開始してから育成状態を検出する迄の
時間（１）は引上げ速度に関係し、速いほど短時間で良
く、引上げ速度が０．５〜５ ｍｍ ／ Ｈの場合、０
．１〜４時間が最適であった。
時間（１）は引上げ速度に関係し、速いほど短時間で良
く、引上げ速度が０．５〜５ ｍｍ ／ Ｈの場合、０
．１〜４時間が最適であった。
以上述べた様に、本発明の単結晶の育成方法を用いれば
、引上げ開始以後の結晶径を理想的に制御することがで
き、しかも、良質な結晶育成が可能である。又計算機等
の活用によって無人でも育成か可能であるためその工業
的利用価値は非常に大きい。
、引上げ開始以後の結晶径を理想的に制御することがで
き、しかも、良質な結晶育成が可能である。又計算機等
の活用によって無人でも育成か可能であるためその工業
的利用価値は非常に大きい。
第４図は本実施例に用いられる単結晶育成装置のブロッ
ク図である。この単結晶育成装置の８５ΦＸ１００ｈＸ
１．７ｔのＩｒルツボ１にＮｄ：ＹＡＧ単結晶原料（高
純度＾ｊ’ ２０．、Ｙ２Ｏ，に０．８ａｔ％Ｎｄをド
ープしそれぞれ適当量秤量し混合した）を２１００ｇ加
え保温耐火物を設置し、高周波コイル３の中心に設けた
。パーソナルコンピュータ５の指令によって、Ｄ／Ａ変
換回路７を介しアナログコントローラ８、高周波発振器
９によって高周波コイル３に電力が加わりＩｒルツボ内
の原料１を熔解した。次に、ＹＡＧ単結晶（Ｎｄドープ
していない）を種結晶＜１１１）とし、前記溶液に浸し
、最適な温度条件（このときアナログコントローラ８の
設定値は１８．５ｍＶであった）であることを確認する
と同時にアナログコントローラ８の変化ｍ Ｖ Ｓが２
０μＶ／Ｈに成る様にパーソナルコンピュータ５で設定
し引上げを開始した。この時の種結晶の径Ｄｓは６開φ
であり、引上げ速度は゛１ｍｍ／Ｈ，回転速度は２ Ｏ
ｒｐｍとしな。又、引上げを開始してから結晶状態確認
迄の時間ｔを１時間とした。
ク図である。この単結晶育成装置の８５ΦＸ１００ｈＸ
１．７ｔのＩｒルツボ１にＮｄ：ＹＡＧ単結晶原料（高
純度＾ｊ’ ２０．、Ｙ２Ｏ，に０．８ａｔ％Ｎｄをド
ープしそれぞれ適当量秤量し混合した）を２１００ｇ加
え保温耐火物を設置し、高周波コイル３の中心に設けた
。パーソナルコンピュータ５の指令によって、Ｄ／Ａ変
換回路７を介しアナログコントローラ８、高周波発振器
９によって高周波コイル３に電力が加わりＩｒルツボ内
の原料１を熔解した。次に、ＹＡＧ単結晶（Ｎｄドープ
していない）を種結晶＜１１１）とし、前記溶液に浸し
、最適な温度条件（このときアナログコントローラ８の
設定値は１８．５ｍＶであった）であることを確認する
と同時にアナログコントローラ８の変化ｍ Ｖ Ｓが２
０μＶ／Ｈに成る様にパーソナルコンピュータ５で設定
し引上げを開始した。この時の種結晶の径Ｄｓは６開φ
であり、引上げ速度は゛１ｍｍ／Ｈ，回転速度は２ Ｏ
ｒｐｍとしな。又、引上げを開始してから結晶状態確認
迄の時間ｔを１時間とした。
引上げを開始してから１時間後に結晶径ＤＩは６．７市
φであった。このためパーソナルコンピュータ５でアナ
ログコントローラ８の設定値を５０μ■減少させると共
に、以後の設定値Ｖ、が３５μＶ／Ｈになるように設定
し育成を続行した。
φであった。このためパーソナルコンピュータ５でアナ
ログコントローラ８の設定値を５０μ■減少させると共
に、以後の設定値Ｖ、が３５μＶ／Ｈになるように設定
し育成を続行した。
以後、ロードセル４、あるいは真空熱電対１゜からの信
号を用いパーソナルコンピュータ５で高周波電力の制御
を行った。引上げ開始してから約３３時間後に、直径Ｄ
Ｉが３０ｍｍφに達したため肩出しを行い、パーソナル
コンピュータ５で径の制御を行いながら約１６０時間後
に結晶の切り離しを行い育成を終了した。
号を用いパーソナルコンピュータ５で高周波電力の制御
を行った。引上げ開始してから約３３時間後に、直径Ｄ
Ｉが３０ｍｍφに達したため肩出しを行い、パーソナル
コンピュータ５で径の制御を行いながら約１６０時間後
に結晶の切り離しを行い育成を終了した。
育成された結晶は引上げ初期は非常に滑らがであった。
更に、結晶から切り出しなロッド（４φＸ１０ｍｍ）を
位相差により複屈折測定すると、△ｎにｌＸｌ０−７以
下が得られ、光学歪の非常に少い高品質Ｎ ｄ ： Ｙ
Ａ Ｇ単結晶が得られた。
位相差により複屈折測定すると、△ｎにｌＸｌ０−７以
下が得られ、光学歪の非常に少い高品質Ｎ ｄ ： Ｙ
Ａ Ｇ単結晶が得られた。
以上説明したように本発明によれば、誰でも引上げ開始
後に単結晶径が所定値より太くなった時の高周波電力の
設定が適確に行うことが出来るので、単結晶の自動育成
に有効である。
後に単結晶径が所定値より太くなった時の高周波電力の
設定が適確に行うことが出来るので、単結晶の自動育成
に有効である。
第１図は本発明の一実施例を説明するフローチャート、
第２図、第３図は本実施例の結晶引上げ開始以後の高周
波電力の最適化を説明する特性図、第４図は本実施例の
単結晶育成装置の一例を示すブロック図である。 １−−− Ｉ ｒルツボ、２・Ｎｄ：ＹＡＧ単結晶、３
・・・高周波コイル、４・・・ロードセル、５・・・パ
ーソナルコンピュータ、６・・・Ａ／Ｄ変換器、７・・
・Ｄ／Ａ変換器、８・・・アナログコントローラ、９・
・・高周波発振器、１０・・・真空熱電対、１１〜１４
・・・ステップ。 代理人 弁理士 内 原 音 第 １ 図
第２図、第３図は本実施例の結晶引上げ開始以後の高周
波電力の最適化を説明する特性図、第４図は本実施例の
単結晶育成装置の一例を示すブロック図である。 １−−− Ｉ ｒルツボ、２・Ｎｄ：ＹＡＧ単結晶、３
・・・高周波コイル、４・・・ロードセル、５・・・パ
ーソナルコンピュータ、６・・・Ａ／Ｄ変換器、７・・
・Ｄ／Ａ変換器、８・・・アナログコントローラ、９・
・・高周波発振器、１０・・・真空熱電対、１１〜１４
・・・ステップ。 代理人 弁理士 内 原 音 第 １ 図
Claims (1)
- 高周波加熱炉に設けた熱検出手段の出力が温度設定器の
設定値Ｍとなるように、前記高周波加熱炉に高周波発振
電力をアナログコントローラにより制御して供給してこ
の加熱炉を加熱し、この加熱炉中で溶融した原料を、直
径Ｄ＿ｓの種結晶を引上げて単結晶に形成する単結晶の
育成方法において、前記設定値Ｍの変化量を所定値Ｖ＿
ｓに設定して前記単結晶引上げを行い、０．１〜４時間
内の所定時刻経過後、この単結晶の径Ｄ＿１がＤ＿ｓ（
１＋α）（ただしαは０．０１〜０．１）より大きくな
った時、前記設定値ＭをＭ（１＋β）（ただしβは０〜
０．０１とする）とし、かつ変化量Ｖ＿ｏをＶ＿ｓ＿γ
（ただしγは１〜２とする）として単結晶育成すること
を特徴とする単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3451488A JPH01208391A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3451488A JPH01208391A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 単結晶の育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01208391A true JPH01208391A (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=12416373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3451488A Pending JPH01208391A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01208391A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017109878A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 住友金属鉱山株式会社 | 非磁性ガーネット単結晶の育成方法 |
-
1988
- 1988-02-16 JP JP3451488A patent/JPH01208391A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017109878A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 住友金属鉱山株式会社 | 非磁性ガーネット単結晶の育成方法 |
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