CN111455453B - 一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法 - Google Patents
一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111455453B CN111455453B CN202010400032.6A CN202010400032A CN111455453B CN 111455453 B CN111455453 B CN 111455453B CN 202010400032 A CN202010400032 A CN 202010400032A CN 111455453 B CN111455453 B CN 111455453B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lithium niobate
- crystal
- superlattice
- lithium
- seed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/36—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法,本发明利用带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或者掺镁近化学计量比铌酸锂晶体作为籽晶,将籽晶沿着Z向为提拉方向固定,通过温场设计和功率控制,逐渐提拉出截面尺寸接近籽晶XY截面尺寸、Z向高度和籽晶提拉高度相同的带有超晶格畴结构的近化学计量比铌酸锂单晶,该种制备方式相较于传统的制备方式,不仅更加简单,同时,制备的局限性小,可使用的范围也更加大。
Description
技术领域
本发明涉及铌酸锂晶体的制备领域,特别涉及一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法。
背景技术
基于准相位匹配(QPM)技术,铌酸锂超晶格的是一种非常重要的非线性光学晶体材料,是实现光频率转换、光参量转换领域的首选材料。铌酸锂超晶格具有诸多优势,首先可以利用晶体的最大非线性系数d33;其次畴结构设计非常灵活,可以满足不同应用场景下的需求。
目前产业上制备铌酸锂超晶格结构现有技术均是通过外加电场法,首先利用提拉法生长铌酸锂晶体,对原生晶体进行退火、极化等后处理程序后,切割、磨抛加工成晶片,然后在晶片上利用微加工光刻技术镀上周期金属电极,最后施加特殊波形的电压实现对晶片铁电畴的周期性反转。由于同成分铌酸锂晶体的矫顽场非常大,约21kV/mm,极大地限制了铁电畴地可反转厚度,目前产业上铌酸锂超晶格样品Z向厚度一般在1mm左右。这种尺寸局限性制约了激光口径,极大地限制了其应用场景和领域。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法,可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:
一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法,具体步骤如下:
(1)、准备原料:包括籽晶、配料碳酸锂和五氧化二铌;
(2)、制备富锂多晶料:将步骤(1)中准备的配料按照Li2CO3/[Li2CO3+Nb2O5]摩尔比为51.0-52.0%混合,混合均匀后再进行压块,然后再通过高温烧结得到富锂多晶料;
(3)、融化:将籽晶沿Z轴方向固定,然后准备铂金坩埚,利用感应加热或电阻加热的方式将步骤(2)中得到的富锂多晶料融化在铂金坩埚中,保温10个小时后保证熔体均匀混合后将温度保持在熔点下种温度;
(4)、提拉生长:将步骤(3)中固定好的籽晶保持非旋转缓慢的方式下降到液面,控制温度保持籽晶截面积保持不变,稳定后缓慢沿Z轴方向提拉,逐渐提拉出等截面、一定长度的近化学计量比铌酸锂单晶体,脱离液面后,使铌酸锂单晶体缓慢降温。
作为本发明进一步的方案:步骤(1)中的籽晶为带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或掺镁近化学计量比铌酸锂晶体。
作为本发明进一步的方案:步骤(2)中的混合配料的熔点低于籽晶的居里温度;步骤(2)制备的富锂多晶料熔点低于籽晶的居里温度。
作为本发明进一步的方案:步骤(3)中的籽晶的长度、宽度和高度比例为6:20:2-3。
作为本发明进一步的方案:步骤(4)中的实时温度均低于近化学计量比铌酸锂晶体的居里温度。
作为本发明进一步的方案:步骤(4)中的提拉速度为0.2-1.5mm/h。
作为本发明进一步的方案:步骤(4)中的籽晶在高温生长过程中保持超晶格结构,步骤(4)中实时提拉出的近化学计量比铌酸锂晶体为铁电相。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
本发明利用带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或者掺镁近化学计量比铌酸锂晶体作为籽晶,将籽晶沿着Z向为提拉方向固定,通过温场设计和功率控制,逐渐提拉出截面尺寸接近籽晶XY截面尺寸、Z向高度和籽晶提拉高度相同的带有超晶格畴结构的近化学计量比铌酸锂单晶,该种制备方式相较于传统的制备方式,不仅更加简单,同时,制备的局限性小,可使用的范围也更加大。
附图说明
图1为本发明一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
实施例1
本发明公开了一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法,具体步骤如下:
(1)、准备原料:包括籽晶、配料碳酸锂和五氧化二铌;
(2)、制备富锂多晶料:将步骤(1)中准备的配料按照Li2CO3/[Li2CO3+Nb2O5]摩尔比为51.5%混合,混合均匀后再进行压块,然后再通过高温烧结得到富锂多晶料600g;
(3)、融化:将籽晶沿Z轴方向固定,然后准备直径60mm、高60mm的铂金坩埚,利用感应加热或电阻加热的方式将步骤(2)中得到的富锂多晶料融化在铂金坩埚中,保温10个小时后保证熔体均匀混合后将温度保持在熔点下种温度;
(4)、提拉生长:将步骤(3)中固定好的籽晶保持非旋转缓慢的方式下降到液面,控制温度保持籽晶截面积保持不变,稳定后缓慢沿Z轴方向提拉,逐渐提拉出等截面、10mm长的近化学计量比铌酸锂单晶体,脱离液面后,使铌酸锂单晶体缓慢降温。
步骤(1)中的籽晶为带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或掺镁近化学计量比铌酸锂晶体。
步骤(2)中的混合配料的熔点低于籽晶的居里温度;步骤(2)制备的富锂多晶料熔点低于籽晶的居里温度。
步骤(3)中的籽晶的长度、宽度和高度比例为6:20:2-3。
步骤(4)中的实时温度均低于近化学计量比铌酸锂晶体的居里温度。
步骤(4)中的提拉速度为0.2mm/h。
步骤(4)中的籽晶在高温生长过程中保持超晶格结构,步骤(4)中实时提拉出的近化学计量比铌酸锂晶体为铁电相。
实施例2
本发明公开了一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法,具体步骤如下:
(1)、准备原料:包括籽晶、配料碳酸锂和五氧化二铌;
(2)、制备富锂多晶料:将步骤(1)中准备的配料按照Li2CO3/[Li2CO3+Nb2O5]摩尔比为51.5%混合,混合均匀后再进行压块,然后再通过高温烧结得到富锂多晶料600g;
(3)、融化:将籽晶沿Z轴方向固定,然后准备直径60mm、高60mm的铂金坩埚,利用感应加热或电阻加热的方式将步骤(2)中得到的富锂多晶料融化在铂金坩埚中,保温10个小时后保证熔体均匀混合后将温度保持在熔点下种温度;
(4)、提拉生长:将步骤(3)中固定好的籽晶保持非旋转缓慢的方式下降到液面,控制温度保持籽晶截面积保持不变,稳定后缓慢沿Z轴方向提拉,逐渐提拉出等截面、10mm长的近化学计量比铌酸锂单晶体,脱离液面后,使铌酸锂单晶体缓慢降温。
步骤(1)中的籽晶为带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或掺镁近化学计量比铌酸锂晶体。
步骤(2)中的混合配料的熔点低于籽晶的居里温度;步骤(2)制备的富锂多晶料熔点低于籽晶的居里温度。
步骤(3)中的籽晶的长度、宽度和高度比例为6:20:2-3。
步骤(4)中的实时温度均低于近化学计量比铌酸锂晶体的居里温度。
步骤(4)中的提拉速度为1mm/h。
步骤(4)中的籽晶在高温生长过程中保持超晶格结构,步骤(4)中实时提拉出的近化学计量比铌酸锂晶体为铁电相。
实施例3
本发明公开了一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法,具体步骤如下:
(1)、准备原料:包括籽晶、配料碳酸锂和五氧化二铌;
(2)、制备富锂多晶料:将步骤(1)中准备的配料按照Li2CO3/[Li2CO3+Nb2O5]摩尔比为51.5%混合,混合均匀后再进行压块,然后再通过高温烧结得到富锂多晶料600g;
(3)、融化:将籽晶沿Z轴方向固定,然后准备直径60mm、高60mm的铂金坩埚,利用感应加热或电阻加热的方式将步骤(2)中得到的富锂多晶料融化在铂金坩埚中,保温10个小时后保证熔体均匀混合后将温度保持在熔点下种温度;
(4)、提拉生长:将步骤(3)中固定好的籽晶保持非旋转缓慢的方式下降到液面,控制温度保持籽晶截面积保持不变,稳定后缓慢沿Z轴方向提拉,逐渐提拉出等截面、10mm长的近化学计量比铌酸锂单晶体,脱离液面后,使铌酸锂单晶体缓慢降温。
步骤(1)中的籽晶为带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或掺镁近化学计量比铌酸锂晶体。
步骤(2)中的混合配料的熔点低于籽晶的居里温度;步骤(2)制备的富锂多晶料熔点低于籽晶的居里温度。
步骤(3)中的籽晶的长度、宽度和高度比例为6:20:2-3。
步骤(4)中的实时温度均低于近化学计量比铌酸锂晶体的居里温度。
步骤(4)中的提拉速度为1.5mm/h。
步骤(4)中的籽晶在高温生长过程中保持超晶格结构,步骤(4)中实时提拉出的近化学计量比铌酸锂晶体为铁电相。
表1为从实施例1-3中的制作出的铌酸锂单晶体的尾部切割一片沿Z轴方向的1mm的晶片,抛光后利用原子力显微镜对其进行的检测,结果如下:
由表1实验数据可知,本发明制备得到的铌酸锂单晶体,即使籽晶的尺寸、提拉速度的不同,也能够制备出效果良好的铌酸锂单晶体。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (7)
1.一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法,其特征在于:具体步骤如下:
(1)、准备原料:包括籽晶、配料碳酸锂和五氧化二铌;
(2)、制备富锂多晶料:将步骤(1)中准备的配料按照Li2CO3/[Li2CO3+Nb2O5]摩尔比为51.0-52.0%混合,混合均匀后再进行压块,然后再通过高温烧结得到富锂多晶料;
(3)、融化:将籽晶沿Z轴方向固定,然后准备铂金坩埚,利用感应加热或电阻加热的方式将步骤(2)中得到的富锂多晶料融化在铂金坩埚中,保温10个小时后保证熔体均匀混合后将温度保持在熔点下种温度;
(4)、提拉生长:将步骤(3)中固定好的籽晶保持非旋转缓慢的方式下降到液面,控制温度保持籽晶截面积保持不变,稳定后缓慢沿Z轴方向提拉,逐渐提拉出等截面、一定长度的近化学计量比铌酸锂单晶体,脱离液面后,使铌酸锂单晶体缓慢降温。
2.根据权利要求1所述的一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法,其特征在于:步骤(1)中的籽晶为带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或掺镁近化学计量比铌酸锂晶体。
3.根据权利要求1所述的一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法,其特征在于:步骤(2)中的混合配料的熔点低于籽晶的居里温度;步骤(2)制备的富锂多晶料熔点低于籽晶的居里温度。
4.根据权利要求1所述的一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法,其特征在于:步骤(3)中的籽晶的长度、宽度和高度比例为6:20:2-3。
5.根据权利要求1所述的一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法,其特征在于:步骤(4)中的实时温度均低于近化学计量比铌酸锂晶体的居里温度。
6.根据权利要求1所述的一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法,其特征在于:步骤(4)中的提拉速度为0.2-1.5mm/h。
7.根据权利要求1所述的一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法,其特征在于:步骤(4)中的籽晶在高温生长过程中保持超晶格结构,步骤(4)中实时提拉出的近化学计量比铌酸锂晶体为铁电相。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010400032.6A CN111455453B (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010400032.6A CN111455453B (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111455453A CN111455453A (zh) | 2020-07-28 |
CN111455453B true CN111455453B (zh) | 2022-03-18 |
Family
ID=71675604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010400032.6A Active CN111455453B (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111455453B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113293442A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-24 | 焦作晶锐光电有限公司 | 一种铌酸锂晶体的新型单畴化工艺 |
CN114775040B (zh) * | 2022-05-06 | 2023-03-31 | 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司 | 一种大尺寸铌酸锂晶片及其加工方法 |
CN116200828B (zh) * | 2023-05-06 | 2023-07-07 | 天通控股股份有限公司 | 一种大尺寸铌酸锂晶体的制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1351679A (zh) * | 1999-05-22 | 2002-05-29 | 科学技术振兴事业团 | 高质量单晶的制成方法及其装置 |
-
2020
- 2020-05-13 CN CN202010400032.6A patent/CN111455453B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1351679A (zh) * | 1999-05-22 | 2002-05-29 | 科学技术振兴事业团 | 高质量单晶的制成方法及其装置 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
First-order quasi-phase matched LiNbQ3 waveguide periodically poled by applying an external field for efficient blue second-harmonic generation;M. Yamada et al.;《Applied Physics Letters》;19921121;第435-436页 * |
大尺寸近化学计量比铌酸锂晶体的制备;孙军等;《人工晶体学报》;20151231;第44卷(第12期);第3424-3428页 * |
抗光折变富锂铌酸锂单晶的研究;冯建森;《玻璃与搪瓷》;19921226;第20卷(第6期);参见第36页倒数第2段、第37页第2段、表1 * |
钕镁共掺铌钽酸锂晶体的激光特性及其在激光显示中的应用研究;王东周;《中国博士学位论文全文数据库 信息科技辑》;20161115;参见第14页第1.3.3周期极化晶体的制备第1、3段 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111455453A (zh) | 2020-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111455453B (zh) | 一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法 | |
Lukasiewicz et al. | Strontium–barium niobate single crystals, growth and ferroelectric properties | |
CN101307496B (zh) | 钆钇钪镓石榴石晶体gysgg及其熔体法晶体生长方法 | |
CN104831359A (zh) | 亚微米级低损耗单晶钇铁石榴石薄膜的液相外延制备方法 | |
Palatnikov et al. | Growth of large LiNbO 3 crystals | |
CN101016648A (zh) | 一种过渡金属掺杂氧化锌晶体及其水热法生长方法 | |
CN100494513C (zh) | 磷酸三镓晶体的助熔剂生长法 | |
CN114507901B (zh) | 包含铌酸钾钠单晶的非线性光学器件 | |
CN102618935B (zh) | 含易挥发组分多元化合物红外非线性单晶的退火方法 | |
CN101319389B (zh) | 一种钆镓石榴石平界面晶体的制备方法 | |
Houlton et al. | A study of growth defects in lead germanate crystals | |
Tsai et al. | Zone-levelling Czochralski growth of MgO-doped near-stoichiometric lithium niobate single crystals | |
CN110699751A (zh) | 一种单斜相钽铌酸铽磁光晶体及其制备方法和应用 | |
Ni et al. | Near-stoichiometric LiNbO3 single-crystal growth by metal strip-heated zone melting technique | |
Shen | On the preparation of large, single domain KNbO3 crystals | |
Marinel et al. | The crystal growth anisotropy of YBa2Cu3O7− δ fabricated by the MTG method in a microwave cavity | |
CN114686983B (zh) | 一种石榴石相掺杂的磁光与非线性光学材料的制备方法 | |
JPH05117096A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶の薄膜の育成方法 | |
CN108441824A (zh) | 基于Pt衬底的外延取向铌酸锂薄膜及其生长方法 | |
Dhanaraj et al. | ferroelectric domains in pure LiNbO3 and their influence on microhardness | |
Menovsky et al. | The crystal growth of uranium tetraboride UB4 from the melt | |
Kimura et al. | Potassium-sodium-rubidium niobate single crystals and electric properties | |
CN101054725A (zh) | 一种铝酸锂晶体的生长方法 | |
CN114645315A (zh) | 一种准相位匹配器件ppktp用ktp晶体及其制备方法 | |
CN1048569A (zh) | 均质掺镁铌酸锂单晶及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |