JPH01208392A - 単結晶の育成方法 - Google Patents
単結晶の育成方法Info
- Publication number
- JPH01208392A JPH01208392A JP3451288A JP3451288A JPH01208392A JP H01208392 A JPH01208392 A JP H01208392A JP 3451288 A JP3451288 A JP 3451288A JP 3451288 A JP3451288 A JP 3451288A JP H01208392 A JPH01208392 A JP H01208392A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- diameter
- single crystal
- time
- rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004033 diameter control Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＹＡＧ（Ｙ３人１５０１２）単結晶あるいは
Ｎｄ ： ＹＡＧ （ＹＡＧにＮｄ２Ｏ，をドープ）単
結晶の育成方法に関する。
Ｎｄ ： ＹＡＧ （ＹＡＧにＮｄ２Ｏ，をドープ）単
結晶の育成方法に関する。
Ｎｄ：ＹＡＧ単結晶の形成は通常引上げ法（チョクラル
スキ法）によって行なわれている。この引上げ法で単結
晶を作成する場合の技術課題は、第１に目的に合致する
良質な結晶を作成すること、第２に所定の直径を有する
長い結晶を作成することである。第１の課題に関しては
、高純度原料の使用、育成時の雰囲気や温度の安定化、
圧力制御などがある。第２の課題に関しては重量法ある
いは光学法による自動育成方法がいくつか提案されてい
る。それはメニスカスラインをレーザ光線で照射しつつ
引上げを行う方法（特開昭５９−５４９４）、重量減少
量の微分値に対応した基準発生機構をもつ方法（特公昭
５４二４３４５）、重量信号の精度を上げるなめにロー
ドセルの温度を一定に保つ方法（特公昭５４−４７７１
）がある。
スキ法）によって行なわれている。この引上げ法で単結
晶を作成する場合の技術課題は、第１に目的に合致する
良質な結晶を作成すること、第２に所定の直径を有する
長い結晶を作成することである。第１の課題に関しては
、高純度原料の使用、育成時の雰囲気や温度の安定化、
圧力制御などがある。第２の課題に関しては重量法ある
いは光学法による自動育成方法がいくつか提案されてい
る。それはメニスカスラインをレーザ光線で照射しつつ
引上げを行う方法（特開昭５９−５４９４）、重量減少
量の微分値に対応した基準発生機構をもつ方法（特公昭
５４二４３４５）、重量信号の精度を上げるなめにロー
ドセルの温度を一定に保つ方法（特公昭５４−４７７１
）がある。
これらはいずれも自動育成システムの構成を示すもので
あって、直径制御に対する具体的制御、特に引上げ開始
してから直胴部に入る（肩の部分）方法は何ら示されて
いない、更にＮｄ：ＹＡＧ単結晶の自動直径制御の実施
例はなく、発表された例もない。即ち、Ｎｄ：ＹＡＧ単
結晶は非常に高い温度でしかも引上げ速度が遅い（０，
５〜Ｉｎｎ／Ｈ）ことや、結晶の長さ方向に使用するた
め、長期安定の高信頼性システムの開発が必要ななめ自
動育成は困難とされているのが実状である。そのため、
Ｎｄ：ＹＡＧ単結晶の育成は、熟練された経験者によっ
て行なわれている。
あって、直径制御に対する具体的制御、特に引上げ開始
してから直胴部に入る（肩の部分）方法は何ら示されて
いない、更にＮｄ：ＹＡＧ単結晶の自動直径制御の実施
例はなく、発表された例もない。即ち、Ｎｄ：ＹＡＧ単
結晶は非常に高い温度でしかも引上げ速度が遅い（０，
５〜Ｉｎｎ／Ｈ）ことや、結晶の長さ方向に使用するた
め、長期安定の高信頼性システムの開発が必要ななめ自
動育成は困難とされているのが実状である。そのため、
Ｎｄ：ＹＡＧ単結晶の育成は、熟練された経験者によっ
て行なわれている。
このＮｄ：ＹＡＧ単結晶の育成温度は、他の酸化物単結
晶（例えばＧＧＧ等）と比べて非常に高いために保温耐
火物の材質や構成の少しの変化でも温度の履歴に関与し
てくる。このため種付の温度が毎回具ると共に肩の部分
の制御方法も異って来る。また、より安定を保つなめに
耐火物構成がより複雑化すると共に、結晶の監視窓が非
常に小さくなり、その育成状態を見るのが困難となって
いる。この様な状況下においての結晶育成は、作業者が
長年の経験をもとに重量変化等を参考に肩作りあるいは
直径の制御を行っていた。したがって、熟練者であって
も肩作りに失敗することもあり当然ながら未経験者では
、Ｎｄ ： ＹＡＧ単結晶の育成は困難であった。
晶（例えばＧＧＧ等）と比べて非常に高いために保温耐
火物の材質や構成の少しの変化でも温度の履歴に関与し
てくる。このため種付の温度が毎回具ると共に肩の部分
の制御方法も異って来る。また、より安定を保つなめに
耐火物構成がより複雑化すると共に、結晶の監視窓が非
常に小さくなり、その育成状態を見るのが困難となって
いる。この様な状況下においての結晶育成は、作業者が
長年の経験をもとに重量変化等を参考に肩作りあるいは
直径の制御を行っていた。したがって、熟練者であって
も肩作りに失敗することもあり当然ながら未経験者では
、Ｎｄ ： ＹＡＧ単結晶の育成は困難であった。
本発明の目的は、この問題を解決し、誰でも再。
現性よく肩作りの制御ができる単結晶の育成方法を提供
することにある。
することにある。
本発明の構成は、単結晶の育成中の重量を検出し、その
増加速度をあらかじめ定めたプログラムにそって変化さ
せて結晶径制御を行なうチョクラルスキー法による単結
晶の育成方法において、前記単結晶の結晶径り、が目標
の直径Ｄｏの１５％以内のある値の所定値に達した時、
前記結晶径Ｄ１が０６−Ｄ□ Ｘ（Ｚ （ただしａ ＝
０．０１〜０．１とする）に到達する時刻上−を算出
し、かつその時以後の高周波電力の変化率■ｏを一定に
保つと共に、前記結晶径Ｄ１がＤ＋ ＞ Ｄｏ Ｄ□
ｘαに達した時刻ｔ１が１１ ＜１．の時、前記変
化率ＶＯを■。＝ｖｏ１Ｘβ（ただしＶＯ，は直前の高
周波電力の変化率、βは１〜３とする）に設定して単結
晶育成することを特徴とする。
増加速度をあらかじめ定めたプログラムにそって変化さ
せて結晶径制御を行なうチョクラルスキー法による単結
晶の育成方法において、前記単結晶の結晶径り、が目標
の直径Ｄｏの１５％以内のある値の所定値に達した時、
前記結晶径Ｄ１が０６−Ｄ□ Ｘ（Ｚ （ただしａ ＝
０．０１〜０．１とする）に到達する時刻上−を算出
し、かつその時以後の高周波電力の変化率■ｏを一定に
保つと共に、前記結晶径Ｄ１がＤ＋ ＞ Ｄｏ Ｄ□
ｘαに達した時刻ｔ１が１１ ＜１．の時、前記変
化率ＶＯを■。＝ｖｏ１Ｘβ（ただしＶＯ，は直前の高
周波電力の変化率、βは１〜３とする）に設定して単結
晶育成することを特徴とする。
次に図面により本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を工程順に示すフローチャー
ト、第２図は第１図における単結晶径と時刻との関係を
示したグラフである０本実施例によって、Ｎｄ ： Ｙ
ＡＧ単結晶の理想的な肩作りを行う方法を得た。
ト、第２図は第１図における単結晶径と時刻との関係を
示したグラフである０本実施例によって、Ｎｄ ： Ｙ
ＡＧ単結晶の理想的な肩作りを行う方法を得た。
本発明の発明者等は理想的な肩作りを行うために、育成
された単結晶の径の変化と、高周波電力の関係について
、詳細に分析しかつ種々の研究を行なった。この結果、
目標の径に達する直前でそれまでの結晶の変化と高周波
電力の変化から、−定条件の高周波電力の制御を行えば
、理想的な肩作りが出来ることが明らかとなった。
された単結晶の径の変化と、高周波電力の関係について
、詳細に分析しかつ種々の研究を行なった。この結果、
目標の径に達する直前でそれまでの結晶の変化と高周波
電力の変化から、−定条件の高周波電力の制御を行えば
、理想的な肩作りが出来ることが明らかとなった。
単結晶径が目標の径に達する迄の結晶および高周波電力
の関係は、ステップ１１のように、ある時刻ｔｏ （
例えば育成結晶が目標の径の１５％以内に達した時刻）
において、その時の結晶径Ｗ。
の関係は、ステップ１１のように、ある時刻ｔｏ （
例えば育成結晶が目標の径の１５％以内に達した時刻）
において、その時の結晶径Ｗ。
と、高周波電力の変化率ＲＦｏを、調べておき、更に結
晶が目標に近ずいた時刻ｔ１に、同様に結晶径Ｗ１と高
周波電力の変化率ＲＦ１を調べる。
晶が目標に近ずいた時刻ｔ１に、同様に結晶径Ｗ１と高
周波電力の変化率ＲＦ１を調べる。
このＷ。とＷ、、ＲＦ、とＲＦｌのデータからこれ以後
の育成結晶の径の変化がある程度予想出来な。
の育成結晶の径の変化がある程度予想出来な。
そこで育成結晶の径を一定に保つために、ステップ１２
において、育成結晶が目標径Ｄｏの１５％以内に達した
時刻に育成結晶径ＤＩが目標径Ｄｏの１〜１０％以内に
到達する時刻ｔ３を算出する（ステップ１３）。また、
ステップ１４で高周波電力の変化率ＶＯを以後一定に保
つ。この高周波電力の変化率ＶＯは、ＶＯを変えたこと
による効果がある時間経過後に現われる。従って、結晶
径ＤＩがＤｏの１５％以内では、ステップ１４のように
、変化率ＶＯを変えずに育成する方が肩作りのための条
件選定には得策であった。即ち、変化率Ｖ。を一定にす
る事により、以後の結晶径ＤＩの変化は引上げ開始から
の履歴によって決定されることが明らかとなった。従っ
て、このり、目標曲線よりも速＜Ｄｏに到達したり、仲
々到達しない場合も観測された。この中で結晶径Ｄ１が
Ｄｏの１〜１０％手前に達する時刻ｔ、４ が目標とす
る時刻ｔｘに対しｔ、（ｔＸの条件のとき、このまま放
置すると結晶径ＤＩの増加割合（よ。
において、育成結晶が目標径Ｄｏの１５％以内に達した
時刻に育成結晶径ＤＩが目標径Ｄｏの１〜１０％以内に
到達する時刻ｔ３を算出する（ステップ１３）。また、
ステップ１４で高周波電力の変化率ＶＯを以後一定に保
つ。この高周波電力の変化率ＶＯは、ＶＯを変えたこと
による効果がある時間経過後に現われる。従って、結晶
径ＤＩがＤｏの１５％以内では、ステップ１４のように
、変化率ＶＯを変えずに育成する方が肩作りのための条
件選定には得策であった。即ち、変化率Ｖ。を一定にす
る事により、以後の結晶径ＤＩの変化は引上げ開始から
の履歴によって決定されることが明らかとなった。従っ
て、このり、目標曲線よりも速＜Ｄｏに到達したり、仲
々到達しない場合も観測された。この中で結晶径Ｄ１が
Ｄｏの１〜１０％手前に達する時刻ｔ、４ が目標とす
る時刻ｔｘに対しｔ、（ｔＸの条件のとき、このまま放
置すると結晶径ＤＩの増加割合（よ。
一定に近ずくもののＤｌが大きく成り過ぎることがわか
った。従って、ステップ１５でり、がり。
った。従って、ステップ１５でり、がり。
−Ｄ。αとなる時刻ｔ１が鍮 よりも小さいことを判定
し、この場合ステップ１６において時刻１、のときに高
周波電力の変化率Ｖｏを変えてそのまま育成すると、Ｄ
＋の増加が一定に近すいたときＤｏに近ずくことが明ら
かとなった。この変化率Ｖ。の大きさは■。＝Ｖｏ１×
１〜Ｖｏｌ×３（但し、ＶＨは直前の高周波電力の変化
率）であることか多くの実験から明らかとなった。
し、この場合ステップ１６において時刻１、のときに高
周波電力の変化率Ｖｏを変えてそのまま育成すると、Ｄ
＋の増加が一定に近すいたときＤｏに近ずくことが明ら
かとなった。この変化率Ｖ。の大きさは■。＝Ｖｏ１×
１〜Ｖｏｌ×３（但し、ＶＨは直前の高周波電力の変化
率）であることか多くの実験から明らかとなった。
この高周波電力を変化させる時刻あるいは、Ｖ ｏの算
出は、育成中のＷ。とＷ、、ＲＦ、とＲＦ、とのデータ
ーと今まで育成した単結晶とを分析した結果得られたも
ので、Ｖｏ くＶ。１の時は、結晶を逆に太らすことで
あり、Ｖｏ ＞ ３ Ｖｏｌの場合肩作りが終了してか
らしばらくすると結晶径が細って来るため自然な形での
肩作りが出来ない。Ｖｏの最適値は前述の分析の結果得
られるものである。又この高周波電力の変化を行う時刻
、即目標の径０〜１０％に達した時に行なうのは高周波
電力を変えてもすぐに育成結晶に影響を及ぼさないから
である。
出は、育成中のＷ。とＷ、、ＲＦ、とＲＦ、とのデータ
ーと今まで育成した単結晶とを分析した結果得られたも
ので、Ｖｏ くＶ。１の時は、結晶を逆に太らすことで
あり、Ｖｏ ＞ ３ Ｖｏｌの場合肩作りが終了してか
らしばらくすると結晶径が細って来るため自然な形での
肩作りが出来ない。Ｖｏの最適値は前述の分析の結果得
られるものである。又この高周波電力の変化を行う時刻
、即目標の径０〜１０％に達した時に行なうのは高周波
電力を変えてもすぐに育成結晶に影響を及ぼさないから
である。
以上述べたように、本発明の単結晶の育成方法、特に屑
作りの方法を用いれば誰でも理想的に肩作りをする事が
でき、しかも良質な結晶の育成が可能であるためその工
業的利用価値は大きい。
作りの方法を用いれば誰でも理想的に肩作りをする事が
でき、しかも良質な結晶の育成が可能であるためその工
業的利用価値は大きい。
第３図は第１図に用いられる単結晶育成装置のブロック
図である。この単結晶育成装置の８５ΦＸ１００ｈＸ１
．７ｔのＩｒルツボ１にＮｄ：ＹＡＧ単結晶原料（高純
度Ａ ｅ ２０． 、 Ｙ２Ｏ，に０．８ａｔ％Ｎｄを
ドープしそれぞれ適当量秤量し混合した）を２１００ｇ
加え、保温耐火物を設置し、高周波コイル３の中心に設
けた。パーソナルコンピュータ５の指令によってＤ／Ａ
変換回路７を介しアナログコントローラ８、高周波発振
器９によって高周波コイル３に電力を加えＩｒルツボ内
の原料１を熔解した０次にＹＡＧ単結晶（Ｎｄドープし
ていない）を、種結晶＜１１１＞とし、原料溶液に浸し
、最適な温度条件であることを確認し、引上げを開始し
た。引上げ速度１ ａｍ ／ Ｈで回転速度は２Ｏｒｐ
ｍとした。この引上げを開始してから育成結晶２の太り
方が約６０”になるように、Ａ／Ｄ変換器６を介してロ
ードセル４からの信号、あるいは真空熱電対１０からの
信号を用いパーソナルコンピュータ５で高周波出力を制
御している。引上開始してから２５時間後に結晶の径は
２４Φに達した。この時の高周波電力の出力変化率ＲＦ
、は１３μＶ／Ｈであった。更に、２８時間後に２６Φ
に達したが、この時の出力変化率は１５μＶ／Ｈであっ
た。２９時間後に育成結晶２が２８Φに達したためその
高周波電力の変化量ＶＯ＝１９μ■に設定し、育成を続
行すると共に、パーソナルコンピュータ５で径の制御を
行いながら約１５０時間に結晶を切り離し、育成を終了
した育成された結晶は、自然な形で直胴部に移行してお
り理想的な単結晶が得られた。
図である。この単結晶育成装置の８５ΦＸ１００ｈＸ１
．７ｔのＩｒルツボ１にＮｄ：ＹＡＧ単結晶原料（高純
度Ａ ｅ ２０． 、 Ｙ２Ｏ，に０．８ａｔ％Ｎｄを
ドープしそれぞれ適当量秤量し混合した）を２１００ｇ
加え、保温耐火物を設置し、高周波コイル３の中心に設
けた。パーソナルコンピュータ５の指令によってＤ／Ａ
変換回路７を介しアナログコントローラ８、高周波発振
器９によって高周波コイル３に電力を加えＩｒルツボ内
の原料１を熔解した０次にＹＡＧ単結晶（Ｎｄドープし
ていない）を、種結晶＜１１１＞とし、原料溶液に浸し
、最適な温度条件であることを確認し、引上げを開始し
た。引上げ速度１ ａｍ ／ Ｈで回転速度は２Ｏｒｐ
ｍとした。この引上げを開始してから育成結晶２の太り
方が約６０”になるように、Ａ／Ｄ変換器６を介してロ
ードセル４からの信号、あるいは真空熱電対１０からの
信号を用いパーソナルコンピュータ５で高周波出力を制
御している。引上開始してから２５時間後に結晶の径は
２４Φに達した。この時の高周波電力の出力変化率ＲＦ
、は１３μＶ／Ｈであった。更に、２８時間後に２６Φ
に達したが、この時の出力変化率は１５μＶ／Ｈであっ
た。２９時間後に育成結晶２が２８Φに達したためその
高周波電力の変化量ＶＯ＝１９μ■に設定し、育成を続
行すると共に、パーソナルコンピュータ５で径の制御を
行いながら約１５０時間に結晶を切り離し、育成を終了
した育成された結晶は、自然な形で直胴部に移行してお
り理想的な単結晶が得られた。
以上説明したように本発明によれば、誰でも理想的な肩
作りが可能であり、かつ自動育成に有効である。
作りが可能であり、かつ自動育成に有効である。
第１図は本発明の一実施例のフローチャート、第２図は
第１図の肩作りの制御における結晶径の時間変化を示す
グラフ、第３図は第１図に用いられる単結晶育成装置を
示すブロック図である。 １−−− Ｉ ｒルツボ、２−Ｎｄ：ＹＡＧ単結晶、３
・・・高周波コイル、４・・・ロードセル、５・・・パ
ーソナルコンピュータ、６・・・Ａ／Ｄ変換器、７・・
・Ｄ／Ａ変換器、８・・・アナログコントローラ、９・
・・高周波発振器、１０・・・真空熱電対。 代理人 弁理士 内 原 音 第 １ ロ
第１図の肩作りの制御における結晶径の時間変化を示す
グラフ、第３図は第１図に用いられる単結晶育成装置を
示すブロック図である。 １−−− Ｉ ｒルツボ、２−Ｎｄ：ＹＡＧ単結晶、３
・・・高周波コイル、４・・・ロードセル、５・・・パ
ーソナルコンピュータ、６・・・Ａ／Ｄ変換器、７・・
・Ｄ／Ａ変換器、８・・・アナログコントローラ、９・
・・高周波発振器、１０・・・真空熱電対。 代理人 弁理士 内 原 音 第 １ ロ
Claims (1)
- 単結晶の育成中の重量を検出し、その増加速度をあら
かじめ定めたプログラムにそって変化させて結晶径制御
を行なうチョクラルスキー法による単結晶の育成方法に
おいて、前記単結晶の結晶径Ｄ＿１が目標の直径Ｄ＿０
の１５％以内のある値の所定値に達した時、前記結晶径
Ｄ＿１がＤ＿０−Ｄ＿０×α（ただしα＝０．０１〜０
．１とする）に到達する時刻ｔαを算出し、かつその時
以後の高周波電力の変化率Ｖ＿０を一定に保つと共に、
前記結晶径Ｄ＿１がＤ＿１＞Ｄ＿０−Ｄ＿０×αに違し
た時刻ｔ＿１がｔ＿１＜ｔαの時、前記変化率Ｖ＿０を
Ｖ＿０をＶ＿０＿１×β（ただしＶ＿０＿１は直前の高
周波電力の変化率、βは１〜３とする）に設定して単結
晶育成することを特徴とする単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3451288A JPH01208392A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3451288A JPH01208392A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 単結晶の育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01208392A true JPH01208392A (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=12416313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3451288A Pending JPH01208392A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01208392A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5096677A (en) * | 1989-05-30 | 1992-03-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Single crystal pulling apparatus |
-
1988
- 1988-02-16 JP JP3451288A patent/JPH01208392A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5096677A (en) * | 1989-05-30 | 1992-03-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Single crystal pulling apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2010048790A1 (zh) | 提拉法晶体生长的控制方法 | |
| CN112064109A (zh) | 一种对半导体硅材料晶体长晶放肩形状的控制方法 | |
| JPH024556B2 (ja) | ||
| EP1734157A1 (en) | Production process of silicon single crystal | |
| CN111455453B (zh) | 一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法 | |
| CN103834991A (zh) | 无温度信号处理开环式功率自控晶体生长控制方法 | |
| JPH01208392A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPS6330394A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| EP0542291B1 (en) | Zinc oxide crystal and method of producing same | |
| JPS63139090A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPS63139092A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPH01188489A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPS63139091A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPH01208391A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| CN1465736A (zh) | 区熔定向凝固法制备磁驱动记忆合金单晶 | |
| JPH0292890A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPH01208390A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPH01188488A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPS6321280A (ja) | 単結晶テール部の直径制御方法 | |
| JPS6011297A (ja) | 結晶育成制御方法及び制御装置 | |
| JPH01188490A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| RU2293146C2 (ru) | Способ получения монокристаллов | |
| JPS63159288A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS63195190A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| CN118814268A (zh) | 氧含量可控的单晶硅和硅晶圆、单晶硅生长方法及系统 |