JPH01207952A - 半導体装置の電極配線 - Google Patents
半導体装置の電極配線Info
- Publication number
- JPH01207952A JPH01207952A JP3330088A JP3330088A JPH01207952A JP H01207952 A JPH01207952 A JP H01207952A JP 3330088 A JP3330088 A JP 3330088A JP 3330088 A JP3330088 A JP 3330088A JP H01207952 A JPH01207952 A JP H01207952A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- electrode wiring
- film
- migration
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 5
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路におけるＡｌ電極配線の構造に
関する。
関する。
従来、半導体集積回路におけるＡＪ電極配線は第２図に
断面図で示す如き構造をとるのが通例であ−）た。すな
わち、第２図では、Ｓｉ基板１１の表面には５ｉ０２膜
１２が形成され、その上にＡ１配線１３が形成されて成
るのか通例であ−）た。
断面図で示す如き構造をとるのが通例であ−）た。すな
わち、第２図では、Ｓｉ基板１１の表面には５ｉ０２膜
１２が形成され、その上にＡ１配線１３が形成されて成
るのか通例であ−）た。
しかし、上記従来技術によると、Ａ」配線１ｊか小であ
ると、エレクトロ・マイクレージョンあるいはストレス
・マイグレーション等によりＡ」配線が断線すると云う
問題点があった。
ると、エレクトロ・マイクレージョンあるいはストレス
・マイグレーション等によりＡ」配線が断線すると云う
問題点があった。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、半導体装
置におけるＡ、ｌｌ配線のマイグレーションによる断線
の発生しない配線構造を提供する事を目的とする。
置におけるＡ、ｌｌ配線のマイグレーションによる断線
の発生しない配線構造を提供する事を目的とする。
上記問題点を解決するために、本発明は、半導体装置の
電極配線に関し、少くともＡｌｌ電極配線の表面２面を
含む表面に、ＷＳｉやＭｏＳｉ等のシリサイド膜を形成
する手段をとる。
電極配線に関し、少くともＡｌｌ電極配線の表面２面を
含む表面に、ＷＳｉやＭｏＳｉ等のシリサイド膜を形成
する手段をとる。
以下、実施例により本発明を詳述する６第１図は本発明
の一実施例を示す半導体装置におけるＡｌ配線構造を示
す断面図である。ずなわち、Ｓｉ基板１の表面には、Ｓ
ｉｎ、膜２が形成され、該３１０．膜２の表面には、Ｗ
ＳｉやＭＯ３ｉ等のシリサイド膜３に狭まれて、Ａｌ配
線４か形成されて成る。
の一実施例を示す半導体装置におけるＡｌ配線構造を示
す断面図である。ずなわち、Ｓｉ基板１の表面には、Ｓ
ｉｎ、膜２が形成され、該３１０．膜２の表面には、Ｗ
ＳｉやＭＯ３ｉ等のシリサイド膜３に狭まれて、Ａｌ配
線４か形成されて成る。
尚、５ｉ０２膜２は絶縁膜であれは良く、Ａｌ配線は、
−度のみならす３層間絶縁膜を介しての多層配線構造に
於ても本発明の構造が適用出来る事は云うまでもなく、
更に、シリサイド膜３は、ＡＮ配線４の側面に形成され
ても良いことは云うまでもない。
−度のみならす３層間絶縁膜を介しての多層配線構造に
於ても本発明の構造が適用出来る事は云うまでもなく、
更に、シリサイド膜３は、ＡＮ配線４の側面に形成され
ても良いことは云うまでもない。
本発明により、半導体集積回路における微小Ａ層配線の
エレクトロ・マイクレージョンあるいはストレス・マイ
クレージョンによる断線を防止できる効果がある。
エレクトロ・マイクレージョンあるいはストレス・マイ
クレージョンによる断線を防止できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示ずＡｌ配線の断面図、第
２図は従来技術によるＡ、ｉｌ配線の断面図を示す。 １．１１・・・Ｓｉ基板 ２．１２・・・Ｓ ｉ ０２膜 ３・ ・ ・ ・ ・ ・シリサイド膜４．１３・・・
Ａ（配線 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
２図は従来技術によるＡ、ｉｌ配線の断面図を示す。 １．１１・・・Ｓｉ基板 ２．１２・・・Ｓ ｉ ０２膜 ３・ ・ ・ ・ ・ ・シリサイド膜４．１３・・・
Ａ（配線 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 半導体装置におけるＡｌ電極配線に於て、少くともＡ
ｌ電極配線の表面２面を含む表面にはＷＳｉやＭｏＳｉ
等のシリサイド膜が形成されて成る事を特徴とする半導
体装置の電極配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3330088A JPH01207952A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 半導体装置の電極配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3330088A JPH01207952A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 半導体装置の電極配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01207952A true JPH01207952A (ja) | 1989-08-21 |
Family
ID=12382700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3330088A Pending JPH01207952A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 半導体装置の電極配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01207952A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025423A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-02-16 JP JP3330088A patent/JPH01207952A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025423A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01207952A (ja) | 半導体装置の電極配線 | |
| JPH061795B2 (ja) | 多層配線構造体 | |
| JPH0689893A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58191449A (ja) | 多層配線構造 | |
| JPH01241134A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61279132A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2770390B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01286444A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01255249A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH02307247A (ja) | 多層配線法 | |
| JPS6340347A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6066465A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01152649A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6365646A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03163828A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6037746A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2538245Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6037745A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62196851A (ja) | Ｌｓｉ配線構造 | |
| JPH073835B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0467656A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2884100B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6027166A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04122050A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6050944A (ja) | 多層配線 |