JPH0118977B2 - - Google Patents
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Description
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、析出硬化型のCu基合金で形成した
リードフレームおよびその製造方法に関する。 (従来の技術) 従来より、リードフレームとしてFe−Ni系合
金で形成されたものが知られている。このFe−
Ni系合金で形成されたリードフレームは硬度が
大きく、折り曲げ性に優れているが、値段が高い
という欠点があつた。 近年、Fe−Ni系合金に代つて、値段の安価な
Cu基合金が検討されているが、Au線とのボンデ
イング性、硬度、折り曲げ性等の、リードフレー
ムに要求されるすべての特性を満足するものは得
られていなかつた。 (発明が解決しようとする課題) すなわち、従来のCu基合金では、例えば硬度
を上げるためにCuにSn、Niを添加するとAu線と
のボンデイング性や半田付け性が悪くなり、また
Au線とのボンデイング性を出すためにCuにZr、
Crを添加すると折り曲げ性が低下するという欠
点があつた。 本発明者らはこのような点に対処して鋭意研究
を進めた結果、従来の、Zr、Crの含有されたCu
基合金の折り曲げ性の低下は、その製造方法、す
なわち鋳造、凝固法によるものであり、その製造
方法を改良すれば、Au線とのボンデイング性、
硬度、折り曲げ性等をすべて満足するリードフレ
ームが得られることを見出した。 本発明はこのような知見に基づいてなされたも
ので、Au線とのボンデイング性、硬度および折
り曲げ性の改良されたリードフレームおよびその
製造方法を提供することを目的とする。 [発明の構成] (課題を解決するたの手段と作用) 第1の発明のリードフレームは、Cr0.1〜1重
量%、Zr0.05〜0.5重量%、残りCuおよび不純物
からなり、析出物(0.5〜50μm)が1000〜10000
個/mm2存在するCu基合金で形成したことを特徴
としており、第2の発明のリードフレームは、
Cr0.1〜1重量%、Zr0.05〜0.5重量%、Mg、Si、
Sn、Ni、Fe、Zn、Mn、Pの1種または2種以
上の1重量%以下(但し、SiおよびPはそれぞれ
0.3重量%以下とする。)、残りCuおよび不純物か
らなり、析出物(0.5〜50μm)が1000〜10000
個/mm2存在するCu基合金で形成したことを特徴
としている。 また、第3の発明のリードフレームの製造方法
は、Cr0.1〜1重量%、Zr0.05〜0.5重量%、残り
Cuおよび不純物からなるCu基合金を連続鋳造法
により10℃/秒以上の冷却速度で凝固させつつ鋳
造し、更に熱間または冷間圧延し、溶体化熱処理
を行なつた後、冷間加工を施し、次いで400〜500
℃で時効硬化熱処理を行ない、析出物(0.5〜50μ
m)の量を1000〜10000個/mm2の範囲に制御する
ことを特徴としている。 本発明において合金成分の組成を上述のように
限定したのは、Crが0.1重量%未満では強度及び
耐熱性が不足し、1重量%を越えると折り曲げ性
及び導電率が低下し、またZrが0.05重量%未満で
は強度及び耐熱性が不足し、0.5重量%を越える
と折り曲げ性及び導電率が低下するからによる。 また第2の発明においてCr、Zr以外に添加す
るMg、Si、Sn、Ni、Fe、Zn、Mn、P等の元素
は1量量%以下含有させることにより強度を向上
させる効果を奏する。なお、SiとPはそれぞれ最
大0.3重量%までとする。 本発明のリードフレームにおいて、Cu中に添
加されたCrおよびZrは、後述する製造過程にお
いて、これらの元素とCuとの各種の化合物とし
て析出し、Cu基合金マトリツクス中で徐々に析
出し成長して合金組織を硬化させる。 第1図はこのようにして時効硬化熱処理の施さ
れたCu基合金中の析出物の状態を示す顕微鏡写
真(500倍)である。同図において符号1は析出
物、2はCu素地を示す。 本発明において、所期の特性を有するCu基合
金を得るには、上記析出物(0.5〜50μm)を1000
〜10000個/mm2の範囲に留める必要がある。 上記大きさの析出物が1000個/mm2より少いと本
発明としての効果が得られず、10000個/mm2を越
えると折り曲げ性が低下するのでいずれも好まし
くない。また、析出物の大きさの分布が上記範囲
を越えて大きな析出物側に偏ると、折り曲げ性の
低下をきたす。 本発明で言う析出物の大きさとは、その析出物
を含む最小円の直径を言う。 本発明において、Cu基合金の析出物の大きさ
および分布を上述のようにするためには、例えば
以下に示す製造過程を経ることによつて、析出物
の制御が行なえる。 まずCr、Zr等を含有するCu基合金を次のよう
に連続鋳造法により鋳造する。すなわち溶湯温度
1100〜1300℃より溶解鋳造を開始し、10℃/秒以
上の冷却速度で凝固させる。このように、鋳造時
の冷却を10℃/秒以上というように急冷すること
によつて、通常凝固時において生じる析出物の析
出を抑制でき、また析出したとしてもその成長を
おさえることが可能となる。 次に、熱間圧延及び冷間圧延を施す。この圧延
工程において析出した析出物は微細化される。 次いで、溶体化熱処理を行なつた後、冷間圧延
等の冷間加工により所定の大きさに仕上げる。こ
の溶体化熱処理によつて、過飽和状態の固溶体を
形成するが、これ以前の工程において析出物の発
生および成長が抑制されているため、過飽和状態
の形成が容易であるとともに、析出物として残存
しても充分に微細な状態が保てる。 この後、400〜500℃の温度で数時間加熱して時
効硬化熱処理を行なう。この時効硬化熱処理によ
つて、一旦固溶されたCrやZr等とCuとの各種の
化合物がCu基合金マトリツクス中で徐々に析出
する。そして、この析出物が上述した大きさおよ
び範囲内となるように、鋳造後の急冷工程および
溶体化熱処理工程の条件を考慮して時効硬化熱処
理時間を適宜設定する。 このように、鋳造後の冷却を10℃/秒以上とい
うように急冷することによつて、溶体化熱処理工
程前における析出物の発生および成長を抑制する
ことが可能となり、よつてその後の溶体化熱処理
および時効硬化熱処理によつて生じる析出物を本
発明の範囲内に制御することが可能となる。この
ようにして製造されたリードフレームは、Cu基
合金中に微細な析出物が均一に分散されたものと
なり、この微細な析出物によつて硬度のみなら
ず、折り曲げ性も極めて良好なリードフレームと
なる。 (実施例) 次に、本発明の実施例について説明する。 実施例 1〜8 次表に示す組成のCu基合金を、1100〜1300℃
の溶湯から15℃/秒の冷却速度で連続鋳造した。
この鋳造時の冷却は通常の連続鋳造装置のジヤケ
ツト部として水冷ジヤケツトを用い、水冷ジヤケ
ツトを通過したインゴツトに対して水を吹きつけ
て冷却速度の調整を行つた。次いで、得られたイ
ンゴツトを750℃で4mmの寸法に熱間圧延し、850
℃より水焼きを行い溶体化熱処理を行なつた。 次に、冷間圧延により厚さ0.25mmの板状に仕上
げ、さらに450℃で1時間の時効硬化処理を行な
い打ち抜き加工により第2図に示す形状のリード
フレーム3を製造した。 このようにして得られたリードフレーム中の
0.5〜50μmの大きさを有する析出物数の測定、お
よびリードフレームの折り曲げ性、硬度、Au線
とのボンデイング性を試験した。結果は次表に示
す通りであつた。なお第2表中、ボンデイング性
は、第3図に示すように、本発明のリードフレー
ム3のチツプ搭載部3aにダイ接着剤4を介して
Siウエハー5を接着し、さらにその上にAu蒸着
膜6を形成した後、このAu蒸着膜6とこれに対
応するリードフレームの接続部3bをAgめつき
を施すことなく、Au線7で直接接続したときAu
線7のA部で破断したものを〇、B部で破断した
ものを△とした。符号8は樹脂モールド部を示
す。 比較例 次表に示す比較例のCu基合金を使用し、この
Cu基合金を通常の鋳型に入れて2℃/秒で冷却
して250×380mmのブロツクに仕上げた後、厚さ4
mmまで熱間圧延し、実施例と同じ条件で溶体化熱
処理を行なつた。次いで冷間圧延により実施例と
同様のサイズに仕上げ、実施例と同様に時効硬化
処理を行なつた。 その特性も合せて次表中に示す。
リードフレームおよびその製造方法に関する。 (従来の技術) 従来より、リードフレームとしてFe−Ni系合
金で形成されたものが知られている。このFe−
Ni系合金で形成されたリードフレームは硬度が
大きく、折り曲げ性に優れているが、値段が高い
という欠点があつた。 近年、Fe−Ni系合金に代つて、値段の安価な
Cu基合金が検討されているが、Au線とのボンデ
イング性、硬度、折り曲げ性等の、リードフレー
ムに要求されるすべての特性を満足するものは得
られていなかつた。 (発明が解決しようとする課題) すなわち、従来のCu基合金では、例えば硬度
を上げるためにCuにSn、Niを添加するとAu線と
のボンデイング性や半田付け性が悪くなり、また
Au線とのボンデイング性を出すためにCuにZr、
Crを添加すると折り曲げ性が低下するという欠
点があつた。 本発明者らはこのような点に対処して鋭意研究
を進めた結果、従来の、Zr、Crの含有されたCu
基合金の折り曲げ性の低下は、その製造方法、す
なわち鋳造、凝固法によるものであり、その製造
方法を改良すれば、Au線とのボンデイング性、
硬度、折り曲げ性等をすべて満足するリードフレ
ームが得られることを見出した。 本発明はこのような知見に基づいてなされたも
ので、Au線とのボンデイング性、硬度および折
り曲げ性の改良されたリードフレームおよびその
製造方法を提供することを目的とする。 [発明の構成] (課題を解決するたの手段と作用) 第1の発明のリードフレームは、Cr0.1〜1重
量%、Zr0.05〜0.5重量%、残りCuおよび不純物
からなり、析出物(0.5〜50μm)が1000〜10000
個/mm2存在するCu基合金で形成したことを特徴
としており、第2の発明のリードフレームは、
Cr0.1〜1重量%、Zr0.05〜0.5重量%、Mg、Si、
Sn、Ni、Fe、Zn、Mn、Pの1種または2種以
上の1重量%以下(但し、SiおよびPはそれぞれ
0.3重量%以下とする。)、残りCuおよび不純物か
らなり、析出物(0.5〜50μm)が1000〜10000
個/mm2存在するCu基合金で形成したことを特徴
としている。 また、第3の発明のリードフレームの製造方法
は、Cr0.1〜1重量%、Zr0.05〜0.5重量%、残り
Cuおよび不純物からなるCu基合金を連続鋳造法
により10℃/秒以上の冷却速度で凝固させつつ鋳
造し、更に熱間または冷間圧延し、溶体化熱処理
を行なつた後、冷間加工を施し、次いで400〜500
℃で時効硬化熱処理を行ない、析出物(0.5〜50μ
m)の量を1000〜10000個/mm2の範囲に制御する
ことを特徴としている。 本発明において合金成分の組成を上述のように
限定したのは、Crが0.1重量%未満では強度及び
耐熱性が不足し、1重量%を越えると折り曲げ性
及び導電率が低下し、またZrが0.05重量%未満で
は強度及び耐熱性が不足し、0.5重量%を越える
と折り曲げ性及び導電率が低下するからによる。 また第2の発明においてCr、Zr以外に添加す
るMg、Si、Sn、Ni、Fe、Zn、Mn、P等の元素
は1量量%以下含有させることにより強度を向上
させる効果を奏する。なお、SiとPはそれぞれ最
大0.3重量%までとする。 本発明のリードフレームにおいて、Cu中に添
加されたCrおよびZrは、後述する製造過程にお
いて、これらの元素とCuとの各種の化合物とし
て析出し、Cu基合金マトリツクス中で徐々に析
出し成長して合金組織を硬化させる。 第1図はこのようにして時効硬化熱処理の施さ
れたCu基合金中の析出物の状態を示す顕微鏡写
真(500倍)である。同図において符号1は析出
物、2はCu素地を示す。 本発明において、所期の特性を有するCu基合
金を得るには、上記析出物(0.5〜50μm)を1000
〜10000個/mm2の範囲に留める必要がある。 上記大きさの析出物が1000個/mm2より少いと本
発明としての効果が得られず、10000個/mm2を越
えると折り曲げ性が低下するのでいずれも好まし
くない。また、析出物の大きさの分布が上記範囲
を越えて大きな析出物側に偏ると、折り曲げ性の
低下をきたす。 本発明で言う析出物の大きさとは、その析出物
を含む最小円の直径を言う。 本発明において、Cu基合金の析出物の大きさ
および分布を上述のようにするためには、例えば
以下に示す製造過程を経ることによつて、析出物
の制御が行なえる。 まずCr、Zr等を含有するCu基合金を次のよう
に連続鋳造法により鋳造する。すなわち溶湯温度
1100〜1300℃より溶解鋳造を開始し、10℃/秒以
上の冷却速度で凝固させる。このように、鋳造時
の冷却を10℃/秒以上というように急冷すること
によつて、通常凝固時において生じる析出物の析
出を抑制でき、また析出したとしてもその成長を
おさえることが可能となる。 次に、熱間圧延及び冷間圧延を施す。この圧延
工程において析出した析出物は微細化される。 次いで、溶体化熱処理を行なつた後、冷間圧延
等の冷間加工により所定の大きさに仕上げる。こ
の溶体化熱処理によつて、過飽和状態の固溶体を
形成するが、これ以前の工程において析出物の発
生および成長が抑制されているため、過飽和状態
の形成が容易であるとともに、析出物として残存
しても充分に微細な状態が保てる。 この後、400〜500℃の温度で数時間加熱して時
効硬化熱処理を行なう。この時効硬化熱処理によ
つて、一旦固溶されたCrやZr等とCuとの各種の
化合物がCu基合金マトリツクス中で徐々に析出
する。そして、この析出物が上述した大きさおよ
び範囲内となるように、鋳造後の急冷工程および
溶体化熱処理工程の条件を考慮して時効硬化熱処
理時間を適宜設定する。 このように、鋳造後の冷却を10℃/秒以上とい
うように急冷することによつて、溶体化熱処理工
程前における析出物の発生および成長を抑制する
ことが可能となり、よつてその後の溶体化熱処理
および時効硬化熱処理によつて生じる析出物を本
発明の範囲内に制御することが可能となる。この
ようにして製造されたリードフレームは、Cu基
合金中に微細な析出物が均一に分散されたものと
なり、この微細な析出物によつて硬度のみなら
ず、折り曲げ性も極めて良好なリードフレームと
なる。 (実施例) 次に、本発明の実施例について説明する。 実施例 1〜8 次表に示す組成のCu基合金を、1100〜1300℃
の溶湯から15℃/秒の冷却速度で連続鋳造した。
この鋳造時の冷却は通常の連続鋳造装置のジヤケ
ツト部として水冷ジヤケツトを用い、水冷ジヤケ
ツトを通過したインゴツトに対して水を吹きつけ
て冷却速度の調整を行つた。次いで、得られたイ
ンゴツトを750℃で4mmの寸法に熱間圧延し、850
℃より水焼きを行い溶体化熱処理を行なつた。 次に、冷間圧延により厚さ0.25mmの板状に仕上
げ、さらに450℃で1時間の時効硬化処理を行な
い打ち抜き加工により第2図に示す形状のリード
フレーム3を製造した。 このようにして得られたリードフレーム中の
0.5〜50μmの大きさを有する析出物数の測定、お
よびリードフレームの折り曲げ性、硬度、Au線
とのボンデイング性を試験した。結果は次表に示
す通りであつた。なお第2表中、ボンデイング性
は、第3図に示すように、本発明のリードフレー
ム3のチツプ搭載部3aにダイ接着剤4を介して
Siウエハー5を接着し、さらにその上にAu蒸着
膜6を形成した後、このAu蒸着膜6とこれに対
応するリードフレームの接続部3bをAgめつき
を施すことなく、Au線7で直接接続したときAu
線7のA部で破断したものを〇、B部で破断した
ものを△とした。符号8は樹脂モールド部を示
す。 比較例 次表に示す比較例のCu基合金を使用し、この
Cu基合金を通常の鋳型に入れて2℃/秒で冷却
して250×380mmのブロツクに仕上げた後、厚さ4
mmまで熱間圧延し、実施例と同じ条件で溶体化熱
処理を行なつた。次いで冷間圧延により実施例と
同様のサイズに仕上げ、実施例と同様に時効硬化
処理を行なつた。 その特性も合せて次表中に示す。
【表】
【表】
*3:一部ボンデイング不良有り。
[発明の効果] 以上説明したように本発明のリードフレーム
は、Au線とのボンデイング性および硬度に優れ
るとともに、折り曲げ性も優れており、しかも値
段が安価であるという利点を有する。
[発明の効果] 以上説明したように本発明のリードフレーム
は、Au線とのボンデイング性および硬度に優れ
るとともに、折り曲げ性も優れており、しかも値
段が安価であるという利点を有する。
第1図は、本発明におけるCu基合金の金属組
織の顕微鏡写真、第2図は本発明の一実施例のリ
ードフレームの平面図、第3図はそのボンデイン
グ性の試験試料を示す拡大断面図である。 1……析出物、2……Cu基合金マトリツクス、
3……リードフレーム、4……ダイ接着剤、5…
…Siウエハー、6……Au蒸着膜、7……Au線。
織の顕微鏡写真、第2図は本発明の一実施例のリ
ードフレームの平面図、第3図はそのボンデイン
グ性の試験試料を示す拡大断面図である。 1……析出物、2……Cu基合金マトリツクス、
3……リードフレーム、4……ダイ接着剤、5…
…Siウエハー、6……Au蒸着膜、7……Au線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 Cr0.1〜1重量%、Zr0.05〜0.5重量%、残り
Cuおよび不純物からなり、析出物(0.5〜50μm)
が1000〜10000個/mm2存在するCu基合金で形成し
たことを特徴とするリードフレーム。 2 Cr0.1〜1重量%、Zr0.05〜0.5重量%、Mg、
Si、Sn、Ni、Fe、Zn、Mn、Pの1種または2
種以上の1重量%以下(但し、SiおよびPはそれ
ぞれ0.3重量%以下とする。)、残りCuおよび不純
物からなり、析出物(0.5〜50μm)が1000〜
10000個/mm2存在するCu基合金で形成したことを
特徴とするリードフレーム。 3 Cr0.1〜1重量%、Zr0.05〜0.5重量%、残り
Cuおよび不純物からなるCu基合金を連続鋳造法
により10℃/秒以上の冷却速度で凝固させつつ鋳
造し、更に熱間または冷間圧延し、溶体化熱処理
を行なつた後、冷間加工を施し、次いで400〜500
℃で時効硬化熱処理を行ない、析出物(0.5〜50μ
m)の量を1000〜10000個/mm2の範囲に制御する
ことを特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57230402A JPS59117144A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 |
EP83112791A EP0114338B2 (en) | 1982-12-23 | 1983-12-19 | Lead frame and method for manufacturing the same |
DE8383112791T DE3367259D1 (en) | 1982-12-23 | 1983-12-19 | Lead frame and method for manufacturing the same |
US06/563,445 US4640723A (en) | 1982-12-23 | 1983-12-20 | Lead frame and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57230402A JPS59117144A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59117144A JPS59117144A (ja) | 1984-07-06 |
JPH0118977B2 true JPH0118977B2 (ja) | 1989-04-10 |
Family
ID=16907314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57230402A Granted JPS59117144A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4640723A (ja) |
EP (1) | EP0114338B2 (ja) |
JP (1) | JPS59117144A (ja) |
DE (1) | DE3367259D1 (ja) |
Families Citing this family (23)
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