JPH01186905A - 集積光部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積光部およびその製造に関する。さらに詳細
には、本発明は部品に形成された導波路に整列した光フ
ァイバ位置決め溝を有する集積光部品を作成する方法に
関する。

コネクタ、カブラ等のような集積光部分を工業的に製造
する場合に遭遇する問題の１つはその部品内に配列され
た導波路または光回路に対して光ファイバを精密に位置
づけることであり、この場合、光回路の端部の正面にフ
ァイバを１ミクロン以下の精度で位置決めしなければな
らないことである。

集積光部品はイオン拡散技術を用いて製造されている。

米国特許第４７６５７０２号にはイオン交換によって表
面上に少なくとも１つの光回路通路を形成されたモノリ
シックなガラス物体を有する集積光部品が示されている
。その光回路通路は、そのガラス物体の屈折率より大き
い値まで屈折率を増大させるイオンをプラスしたガラス
物体の組成と同じ成分を有する。そのガラス物体には、
光回路通路が存在する側部の少なくとも一方に、このガ
ラス物体に成形され区画された空洞が設けられる。光回
路通路はこの区画された空洞で終端し、例えば光ファイ
バのような光装置がその空洞内に配置されそれによって
光回路通路と光学的に整列されるような態様でその空洞
と整列される。区画された空洞は７字状をした横方向の
区画溝を形成されうる。この集積光部品は、 ａ）側面の少なくとも１つに区画された空洞を有するモ
ノリシック・ガラス物体を高い精度で成形し、 ｂ）上記ａ）の行程で得られた片に、イオン交換、すな
わちイオン拡散技術によって少なくとも１つの光回路通
路を形成し、この場合、上記空洞内に位置づけられた光
装置が光回路通路に整列されるような態様で、その通路
の一端を上記区画された空洞と整列させるようにするこ
とよりなる方法によって製造されうる。

この集積光部品は例えばコネクタ、カブラ分割器、単一
モード・カブラ、単一モード・マルチプレクサ・カブラ
、多モード・マルチプレクサ・カブラ、光ファイバをコ
リメート・レンズと整列させうるカブラあるいは多モー
ド・モニタでありうる。

しかしながら、米国特許第４７６５７０２号に記載され
た部品では、光回路通路に対する区画空洞の整列精度が
、特に多モード・カブラの場合よりもファイバを位置決
めする際により高い精度を必要とする単一モード・カブ
ラを製造するために非常に微妙である。

１９８８年３月１０日に出願された米国特許出願第１６
６．３８８号は、少なくとも１本の光ファイバに接続さ
れた少なくとも１つのイオン拡散された光回路通路を有
するガラス基体よりなる集積光部品を教示している。そ
の部品はさらに光回路通路の終端部に垂直横方向面を形
成し、その垂直横方向面において上記終端部に光ファイ
バが当接している少なくとも１つの横方向出口溝と、光
回路通路とは反対側の上記横方向出口溝の側に隣接して
いて光ファイバの被覆されていない部分を支持するプラ
トー支持手段と、光回路通路とは反対側の上記プラトー
支持手段の側に隣接して光ファイバの被覆された部分を
支持する第２の支持手段と、垂直横方向面に光ファイバ
端面を固着する第１の接着手段を具備している。この集
積光部品は、ｆ８）実質的に矩形状のガラスブロックの
形をしたガラス物体を作成し、（ｂｌこのガラス物体に
イオン交換によって少なくとも１つの光回路通路を形成
し、（Ｃ１少なくとも１つの横方向出口溝を機械加工し
て光回路通路に対する終端部を形成し、（ｄ）ファイバ
の被覆された部分を支持するための横方向支持肩部を機
械的に加工形成し、ｔｅｌファイバの被覆されていない
部分を支持するためのプラトー支持手段を形成し、（ｆ
ｌ光回路通路終端部にファイバの端面を概略的に整列さ
せ、（ｇ）マイクロマニピュレータ工具によってファイ
バ端面と光回路通路の終端部を精密に整列させ、（ｈ）
接着手段によって光回路通路の終端部にファイバ端面を
固着することよりなる方法によって製造されうる。

ガラス・ブロックが米国特許出願第１６６３８８号の方
法で形成されるＢ様のために、ファイバ端面が最初に概
略的に整列され、その後でマイクロマニピュレータ工具
によって精密に整列されなければならない。

従って、本発明の１つの目的は、光ファイバが容易にか
つ精密に整列されうる集積光部品を作成する方法を提供
することである。

本発明は光ファイバを先導波路に整列した状態に位置決
めするための少なくとも１つの溝を有する集積光部品を
製造する方法に関する。少なくとも１つのプレーナー面
と、このプレーナー面に対して横方向に配置された少な
くとも１つのフラット面を有するガラス物体が作成され
る。上記プレーナー面とフラット面上にマスク材が配置
される。

光部品の溝および導波路に対応したデザインを有する開
口のパターンが単一露光工程を有する方法によってマス
ク材の層にフォトリトグラフ的に形成される。上記プレ
ーナー面の上に存在する開口を通じて先導波路が形成さ
れる。マスク材の層における開口を通じて露呈されるフ
ラット面の部分は、光導波路に精密に整列した光ファイ
バ位置決め溝を形成するために化学的に侵食される。最
後に、マスク材の残留部分が除去される。

ガラス物体のフラット面は上記プレーナー面に対して凹
状となされ、これら２つの面が異なる平面となるように
なされうる。

光回路通路を形成するためには種々の技術が用いられう
る。マスク層の無い上記プレーナー面のゾーンは光チャ
ンネルを形成するためにイオン交換処理を施されうる。

この処理はプレーナー面にイオン交換を施しかつそのプ
レーナー面に形成されたチャンネルをその面の下に埋設
させるために上記ガラス物体に電界を印加するという任
意の工程を含みうる。

あるいは、マスク層の無いプレーナー面の領域に光導波
路が形成されうる。例えば、上記ガラス物体より屈折率
の高いガラス層が、マスク層の無いプレーナー面の領域
上に沈積されうる。そのガラスは高周波スパッタリング
、蒸発化学気相沈積、火炎加水分解のような適当な技術
によって沈積されうる。

マスク材の層に開口のパターンをフォトリトグラフ的に
形成する工程は、＜ａ＞マスク層の上に感光性レジスト
材の層を添着し、伽）光部品の溝および導波路に対応し
たデザインを有する単一のフォトマスクを介して感光層
を適当な放射線源に露光させ、（Ｃ）露光された感光層
を現像し、（ｄｌレジスト材の該当部分を除去して、形
成されるべき導波路および溝に位置的に対応してレジス
ト材に開口を形成し、＋８）それらの開口を通じて露呈
されたマスク層の部分を除去し、（ｆｌ残留レジスト材
を除去する工程よりなりうる。

以下図面を参照して本発明の実施例につき説明しよう。

第１図および第２図は、中央の平面部分１２と、この実
施例では横方向の光ファイバ支持肩部として機能するフ
ラット面１４を有するモノリシック・ガラス物体１０を
示している。この物体１０は円板状のものとして示され
ているが、矩形を含む他の形状を有していてもよい。物
体１０は最初に均一な厚味を有し、かつ肩部１４はエツ
チング・研磨等によって形成されうる。下記の工程は第
３．４および６〜１２図に概略的に示されているが、部
分１２およびフラット面１４の相対的幅は示されていな
い、さらに、図示を明瞭にするために、中央平面部分１
２とフラット面１４との高低の差ならびに沈積層の厚味
は大きく誇張して示されている。

１　（８）　　マスク材の層１６および１７（第３図）
は中央平面部分Ｉ２と肩部１４の上面に沈積される。

Ｉ　（ｂ）　　感光性レジスト材の層１８および１９（
第４図）は層１６および１７の表面上に添着される。

Ｉ　（Ｃ）　　感光性層が、形成されるべき溝および導
波路に対応したデザインを有する適当なフォトマスクを
通じて適当な放射線源に露光される。そのフォトマスク
は、用いられるフォトレジストの種類に応じて、主とし
て透明な要素または主として不透明な要素でありうる。

例えば、第５図に示されたフォトマスクはポジ・フォト
レジストと使用するのに適したもΦであり、２つの透明
通路２２を有する不透明な要素２０よりなりうる。

１　（ｄ）　　露光された感光性層は現像され、そして
露光された領域が除去されて、開口２４および２６を形
成する（第６図）。開口２４は領域１２の表面に形成さ
れるべき導波路に対応し、開口２４は肩部１４の表面に
形成されるべき導波路に対応していることが認められる
。

１　（ｅ）　　第７図に示されているように、工程Ｉ　
（ｄ）で露光されたマスク材の部分が、マスク層１６に
開口２８を形成し、そしてマスク層１８に開口３０を形
成するために除去される。

Ｉ　ｆｆｌ　　残留フォトレジスト材が除去され、第８
図に示されたマスクを後に残す。

ｎ　ｆａｔ　　レジスト材の層３２　（第９図）がマス
ク１６上に添着される。

■（１））　光ファイバ位置決め溝３４を形成するため
に、肩部１４の上側が開口３０を通じて化学的侵食を受
ける（第９図）。

ｎ　（Ｃ！＋　　レジスト材の層３２が除去される。

ＩＩＩ　（ａｌ　　マスク３６の開口２８を通じて露光
される面１２の部分に沿って先導波路が形成される。

最初に図示された実施例では、中央領域１２の露光され
た領域が光チャンネル３６を形成するためにイオン交換
処理を施される（第１０図）。

ＩＩ［（ｂ）　　残留マスク材が除去される。

ＩＩＩ　Ｉｃ）　　必要に応じて、最初に形成された光
チャンネル３６が第１１図に示されているように埋設さ
れうる。これは、光チャンネルと対応した物体１０の表
面上に導電性層４０を添着し、面１２を溶融塩浴に接触
させ、そして上記物体に電界を印加することによって従
来実現されている。

１１［（ｄ＋　　次に導電性層４０が除去される。その
結果得られた生成物が第１２図に概略的に示されている
。その生成物、すなわち集積光要素４４の上面図が第１
３図に示されている。

工程■と■は逆の順序で行われてもよい。

この実施例では、面１４は先導波路を形成している工程
時にはマスクされない。それらの光導波路を形成する工
程が面１４に悪影響を及ぼすならば、この面はその工程
時にマスクされなければならない。光導波路を形成する
工程の準備のためにレジスト材が面１４上に添着された
場合には、そのレジスト材は後で除去される。

マスク材の層１６および１８は工程１１（ｂ）における
化学的侵食と、工程Ｉｌｌ　（ａ）におけるイオン交換
処理のために用いられる通常３５０〜４００℃のオーダ
ーの溶融塩浴の温度とに耐えうる材料で形成されなけれ
ばならない。その材料は通常無機質のものく例えばＳｉ
３Ｎ、　、チタン）であるが、シリコーンのような高い
温度に耐えうるある種のポリマ物質を用いる可能性は排
除されない。好ましい無機材料は窒化ケイ素すなわちＳ
ｉ３Ｎ４である。

マスクは、材料の性質に応じて、例えば気相沈積、スパ
ッタリング、蒸着、被覆組成の適用等の種々の公知技術
によって沈積されうる。

工程１（ｂｌで適用される感光性レジスト材の種類およ
び工程ｎ　（ａ）で適用されるレジスト材の種類（感光
性または非感光性でありうる）は、これらのレジスト材
が工程１　（ｅｌおよびＩＩ　（ｂｌで用いられる化学
剤に対して耐性を有するものである限り、決定的要因で
はない。感光性および非感光性ともに多くのレジスト材
が特許公報に記載されており、かつ市販されている。こ
れらの材料の選択は専門家によってなされる。下記の製
品は市販されている感光性レジスト材の例である。

ポジ樹脂：　　ＡＺ１４５０Ｊ　（シンプレイカンパニ
） ＫＯＤＡＫ８２０　　（コダック） ネガ樹脂：　　ＫＯＤＡＫ７４７　　（：２ダツク）Ｋ
ＮＲ１２０（リン　ハント コーボレイション） 工程ＩＩ（ｂ）における化学侵食は、例えば硫酸とフッ
化水素酸の混合物を含んだ水性浴のような通常の食刻（
エッチャント）浴を用いて実施されうる。

レジスト材の除去は、そのレジスト材の性質に応じて、
適当な水性または有機溶剤を用いであるいはプラズマを
用いて行われうる。

イオン交換によって光導波路を形成する方法が従来から
行われている。イオン交換の後で、必要に応じて、形成
された導波路は、電界の作用のもとで、補足的イオン交
換処理によって埋設されうる。これらの技術についての
さらに詳細な事項は下記の文献および特許に記載されて
いる。

−ベル・システム・テクニカル・ジャーナル第４８＠第
３４４５〜４８頁（１９６９年）におけるジエイ・ギョ
エルはかの論文 −ジャーナル・オブ・オプティカル・ソサエティ・オブ
・アメリカ第５４巻第１０７８〜１０８４頁（１９６４
年）におけるエイチ・オスタバーグはかの論文 一米国特許第３８８０６３０号および第４７６５７０２
号 光ファイバは第１４図に示されているようにして集積光
回路に接続されうる。コア５１とクランド５２よりなる
ファイバ５０は、それの端面が境界肩部５５の垂直横方
向面に隣接し、その肩部５５社またはそれから数ミクロ
ン離間して位置決めされるような態様で、溝３４内に配
置される。溝３４と光通路３６が形成される工程のため
に、ファイバの１端部が光通路３６の終端部に心合され
る。光ファイバは、溝３４内に配置された後に、適当な
接着剤５６（例えば紫外線の作用で硬化する接着剤）に
よって、その溝に接着される。

もちろん、集積光部品は第１３図に示された簡単なコネ
クタ以外のものであってもよく、光チャンネルの性質に
応じて、例えばカプラ・分割器、近モノモード・カプラ
、多モード・マルチプレクサ・カプラ、コリメート・レ
ンズに対して光ファイバを心合させうる要素、多モード
・モニタ等でありうる。米国特許第４７６５７０２号を
参照すると、種々の集積光要素が示されている。

第１５図および第１６図は集積光要素の光チャンネルを
形成するためにイオン交換以外の技術が用いられうろこ
とを示している。これらの図において、第９図のものと
同様の要素は同一符号にダンクをつけて示されている。

この実施例の初期工程は、第９図に示された中間製品を
形成した工程１　（８）〜ＩＩ（ｂ）と同じである。第
１５図はレジスト材の層３２が除去された後における中
間製品を示している。溝３４′内に材料が後で堆積する
のを防止するために層１７′上にレジスト材の層６０が
堆積される。層１６′の表面上には、高周波スパッタリ
ング、蒸着、化学気相沈積、火炎加水分解等のような従
来技術によって比較的高い屈折率を有する材料の層６２
が沈積されうる。例えば物体１０′がＳｉＯ□で形成さ
れているとすると、層６２はＳ　ｉ　Ｏｘよりも屈折率
の高いガ゛ラスを形成するＧｅＯ！、ＴｉＯ□等の酸化
物をドープされた５ｉＯ１よりなりうる。層６２の部分
６３は溝３４′に整列して面１２′上に沈積する。レジ
スト材の層６０と層１６′および１７’が除去され、第
１６図に示された集積光要素が得られる。必要に応じて
、導波路６３より低い屈折率を存するクラッドガラスの
層６５が同様にして通路６３上に沈積されうる。

面１２．１２′に対する面１４．１４′の相対的な高さ
（レベル）は面１２．１２’に対する光通路の位置およ
び面１４．１４′に対する光ファイバの軸線の位置に依
存する。面１４．１４’より上方における光ファイバ軸
線の高さはファイバ直径と溝３４または３４′の幅に依
存する。光通路が面１２の下方に埋設された第１２図の
実施例では、面１４は面１２の下方に光ファイバ軸線を
位置づけるのに十分な距離だけ凹設されなければならな
い、光通路６３が面１２′より上方にある第１６図の実
施例では、面１４′は第１２図の場合のように凹設され
る必要はない、光通路の軸線が面１２′より上方の十分
な距離に配置されている場合には、その面は面１４′と
同一平面関係となされうる。

本発明の方法についてさらに説明するために、下記の実
施例をあげるが、本発明はこれに限定されるものではな
い。

Ａ）ガラス　　１０の 直径６０ｍ、厚さ３鶴のきれいな研磨されたガラス円板
が準備される。脱水の目的のために、このガラス円板が
１２０℃で１時間加熱された。この円板を室温において
２時間、水性ヘキサメチルジシランに接触させることに
よってその円板上に付着促進剤が堆積される。その後で
、感光性レジスト材（シソプレイ　カンパニによって市
販されティるＡＺ１４５０Ｊ樹脂）の層が３５００ｔ／
ｍｎの遠心力によって４５秒闇、その処理された円板上
に堆積され、約１．９μｍの厚味の層となされる。この
層は溶剤を除去するために９０℃で３０分間加熱される
。次に上記円板の上面における感光性樹脂が、サルザ・
エレクトロ・テクニカル・カンパニにより市販されてい
る露光装置ＳＥＴＭＡＴ７５０で、形成されるべき平坦
な肩部に対応して、不透明な中心部分と、２つの対向し
た透明横方向扇状部分を有するフォトマスクを介して露
光される。この露光のための放射線は波長が３６５〜４
３６ｎｍで、エネルギが１５６ｍＪである。

この露光の後で、上記平坦部分に対応する露光された部
分が、シソプレイ・カンパニによって市販されている「
シップレイ３５１現像剤」を２０％の水溶液（水４部に
つき１部）として用いて除去される。現像時間は２２℃
で２分間である。次に、１０５℃における３分間の加熱
と、それに続いて行われるレジスト材の後硬化のための
２００℃における１時間の加熱を含む熱処理が行われる
。

その後に、上記形成されるべき平坦な肩部に対応して上
記現像工程によって除去された上面の部分が、５０重量
％の硫酸９９容量％と４０重量％のフッ化水素酸１容量
％よりなるエッチャント浴によりエツチングされる。こ
のエツチング（カッティング）時間は７５μｍの切り゛
取り深さを得るためには１２５分である。イータ・エレ
クトロ・チック社のプラズマファプ装置５０５によって
発生される酸素プラズマが既存の樹脂を除去するために
用いられる。動作条件は、圧力＝　２００ｍｔｏｒｒｓ
、電力−５００Ｗ、時間＝１時間である。これにより、
中央平面領域１２と、中央部分に対して凹設された２つ
の対向肩部１４を有するガラス物体１０（第１図）が形
成される。本明細書で用いられている「凹設Ｊ　（ｒｅ
ｃｅｓｓｅｄ）という用語は面が異なる平面内にあるこ
とを意味し、フラット面のレベルがプレーナー面より低
いレベルである。

Ｂ）ＳｉｌＮ４マスク　の 窒化ケイ素のマスク層が下記の条件における気相沈積に
よってガラス物体１０の上面に沈積される。

ガス：　窒素２０％のＳｉＨ４ 圧カニ　　７５０　ｍｔｏｒｒｓ 電カニ　６０ワツト 温度＝　３００℃ 時間；　１時間 これにより５ｔｓＮｎの層１６および１７　（第７図）
が形成され、これらの層の厚さは１μｍである。

Ｃ）ヱスＬ坐ヱ土上皇皿 第３図に示されているように、感光性レジスト材の層１
８および１９が、付着促進剤の加熱添着を含む上記入）
の手法に従って、それぞれマスク材の層１６および１７
上に添着される。

これにより形成された怒光性層は、溝と導波路に対応し
た透明な領域２２を有する不透明な要素よりなるフォト
マスク５０　（第５図）を介して露光される。この場合
の露光装置と動作条件は上記Ａ）に記載されたのと同じ
である。上記Ａ）で記載された態様で、露光された部分
が除去され（溝および導波路に対応して）、最終熱処理
も行われる。このようにして、樹脂材料が除去され、導
波路が形成されるべき領域に開口２４を形成し、そして
心合溝が形成されるべき領域に開口２６を形成した要素
が得られ、それらの開口２４および２６は第６図に示さ
れているように適当に心合されている。

マスク材の層１６および１７の露光された領域がエツチ
ングされる。この処理は下記の条件でプラズマを用いて
行われる。

ガス：　　ＣＦ４＋４％０： 圧カニ　　２００　ｍｔｏｒｒｓ 電カニ　　２００Ｗ 時間：　１０分間 これにより第７図に示された物品が形成され、この場合
、マスク材の層１６は開口２８を有し、そして層１７は
開口３０を有している。

最後に、上記Ａ）に記載された酸素プラズマがレジスト
材の層１８および１９の残留部分を除去するために用い
られ、これにより第８図の物品が得られる。

Ｄ）　ファイバ立　づけ　゛のエツチング中央領域１２
は上記Ａ）で述べたようにレジスト材で被われる。次に
、開口３０を通じて露呈した肩部１４の部分が上記Ａ）
におけるのと同様のエツチング処理を施される。この場
合のエツチング時間は約５０μｍのカット深さを得るた
めに８０分である。第８図に示されているように、この
工程によって形成された溝３４の食刻輪郭はほぼ半円形
である。

Ｅ）土」二ＺｊＬ隻 上記Ａ）で説明された態様で中央領域１２を被うレジス
ト材３２を除去するために酸素プラズマが用いられる０
次に領域１２のマスクされた上面が従来のイオン交換処
理を施される。開口２８を通じて露呈された領域１２の
表面の部分におけるガラスに存在するアルカリ金属イオ
ンをＡｇ＋イオンで置換するようにしてＡｇＮ０．とＡ
ｇＣ１の等モル配分で形成された溶融塩の３７５℃浴中
で３時間処理される。従ってそのガラスの屈折率はガラ
スの表面部分に光チャンネル３６を形成するようにして
局部的に変更される。その後で、上記円板が上記塩浴か
ら取り出され、そして上記Ｃ）で説明されたのと同様の
態様でプラズマによってマスクが除去される。

もし所望されれば、光チャンネルは埋設されうる。これ
は、円板１０の光チャンネルとは反対側の側部を金の層
４０で被うことによって実現されうる。導波路３６を有
する物体の側部は、ＫＮＯ３８３モル％とＮａＮ０．１
７モル％よりなる３６５℃の溶融塩浴に４時間１５分の
間微妙に接触した状態におかれ、その間、上記金の層と
上記浴内に配置されたプラチナ電極との間に３３ｖ／鶴
の電界が印加され、その浴が上記金の層に対して正に分
極されている。この処理は導波路３６を埋設する作用を
有しかつ第１１図に示されているようにガラスの表面下
約２５μｍのところに準円形の多モード導波路が形成さ
れるようにする。金層４０は第１２図に示された製品を
形成するために例えばアクア・レジナのような適当な化
学薬品によって侵食することにより除去されうる。

このようにして形成された製品、すなわち集積光要素が
第１３図に示されている。上述した特定の実施例では、
集積光要素４４は２対の光ファイバを容易に接続できる
ようにするダブルコネクタである。開口２４および２６
（第６図）が１つのフォトマスクを介しての一回の露光
によって形成されることにより、これらの開口とマスク
開口２Ｂおよび３０　（第７図）が精密に心合される。

その結果、開口３０に合致してエツチングされる心合用
溝３４は、開口２８を通じての化学処理によって形成さ
れる光通路４２と精密に心合（整列）される。このよう
な心合用溝はその溝内に配置された光ファイバの端面と
光回路通路の隣接終端部または端面との間の精密な整列
を許容する。

本発明は上述の実施例に限定されるものではな（、特許
請求の範囲内で可能なあらゆる変形変更も本発明の一部
を構成するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法で用いられるべきガラス物体の上
面図、第２図は第１図の線２−２に沿ってみた断面図、
第３図、第４図および第６〜１２図は種々の処理工程時
における第１図の物体の概略図、第５図は第４図に概略
的に示されたフォトスタンド被覆された物品を露光する
際に使用するためのフォトマスクを示す図、第１３図は
第３図、第４図および第６〜１２図に概略的に示された
方法により作成された集積光要素の上面図、第１４図は
第１３図の集積光要素に対する光ファイバの接続を示す
部分的な断面図、第１５図および第１６図は他の実施例
の処理工程の概略図である。 図面において、１０はガラス物体、１２はプレーナー面
、１４はフラット面、１６．１７はマスク材層、１８．
１９は感光性レジスト材層、２４、２６．２８．３０は
開口、３４は溝、３６は光通路、４４は集積光要素、５
ｏはファイバをそれぞれ示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、集積光部品の光導波路に整列した状態に光ファイバ
   を位置決めするための少なくとも１つの溝を有する集積
   光部品を製造する方法において、少なくとも１つのプレ
   ーナー面とこのプレーナー面に対して横方向に配置され
   た少なくとも１つのフラット面を有するガラス物体を準
   備し、前記プレーナー面とフラット面との上にマスク材
   の層を堆積させ、 前記フラット面上の前記マスク材層に、前記光部品の溝
   に対応したデザインを有する第１のパターン開口をフォ
   トリトグラフ的に形成し、 前記プレーナー面上の前記マスク材層に、前記第１のパ
   ターン開口に心合させて、前記光部品の導波路に対応し
   たデザインを有する第２のパターン開口をフォトリトグ
   ラフ的に形成し、 前記第２のパターン開口を通じて光通路を形成し、 前記光通路に対して精密に整列した光ファイバ位置決め
   用溝を形成するために前記第１のパターン開口を通じて
   露呈される前記フラット面の部分に化学的侵食を施しそ
   して 前記マスク材の残留部分を除去することよりなる集積光
   部品の製造方法。 ２、前記フラット面に化学的侵食を施す工程が光通路を
   形成する工程より先に行われ、前記方法が、そのフラッ
   ト面に化学的侵食を施す工程に先立って前記プレーナー
   面上における前記マスクの部分に化学的レジスト材の層
   を添着させる工程をさらに含む請求項１の方法。 ３、前記光通路を形成する工程は前記フラット面に化学
   的侵食を施す工程に先立って行われ、前記方法は、前記
   フラット面に化学的侵食を施す前に前記プレーナー面上
   における前記マスクの部分に化学的レジスト材の層を添
   着させることをさらに含む請求項１の方法。 ４、前記ガラス物体を準備する工程は、前記フラット面
   が前記プレーナー面に対して凹設され、これらの面が異
   なる平面内にある物体を準備することよりなる請求項１
   の方法。 ５、前記第２のパターン開口を通じて光通路を形成する
   工程は、マスク層の無い前記プレーナー面の帯域にイオ
   ン交換処理を施してそこに光チャンネルを形成する請求
   項４の方法。 ６、前記プレーナー面に形成された前記チャンネルが前
   記プレーナー面の下方に埋設されるようにする補充処理
   をさらに含む請求項５の方法。 ７、前記第２のパターン開口を通じて光通路を形成する
   工程は、マスク層の無い前記プレーナー面の領域上に光
   通路を形成することよりなる請求項１の方法。 ８、前記光通路を形成する工程は、マスク層の無い前記
   プレーナー面の前記領域上に、高周波、蒸着、化学的気
   相沈積、火炎加水分解よりなるグループから選択された
   方法によってガラスの層を沈積させることよりなる請求
   項７の方法。 ９、前記マスク材の層に前記第１および第２のパターン
   開口をフォトリトグラフ的に形成する工程は単一の露光
   工程を有する処理によって行われる請求項１の方法。 １０、前記マスク材の層に前記第１および第２のパター
   ン開口をフォトリトグラフ的に形成する工程が、 前記マスク材の層上に感光性レジスト材の層を添着し、 前記光部品の溝および導波路に対応したデザインを有す
   る単一のフォトマスクを介して適当な放射線源に前記感
   光性層を露光させ、 露光された感光性層を現像し、 レジスト材の適当な部分を除去し、形成されるべき前記
   導波路および溝に位置的に対応して前記レジスト材に開
   口を形成し、 前記開口を通じて露呈されたマスク層の部分を除去し、 残留レジスト材を除去することよりなる請求項１の方法
   。 １１、集積光部品の光導波路に整列させて光ファイバを
   位置決めするための少なくとも１つの溝を有する集積光
   部品を製造する方法において、少なくとも１つのプレー
   ナー面とこのプレーナー面に対して凹設された少なくと
   も１つのフラット面を有するガラス物体を準備し、 前記プレーナー面および前記フラット面上にマスク材の
   層を堆積させ、 前記マスク材の層上に感光性レジスト材の層を添着し、 前記光部品に形成されるべき溝および導波路に対応した
   デザインを有するフォトマスクを介して適当な放射線源
   に前記感光性層を露光させ、その露光した感光性レジス
   ト材層を現像しかつレジスト材の部分を除去して、形成
   されるべき前記導波路および溝に対応した開口を形成し
   、前記レジスト材層における開口を通じて露呈された前
   記マスク材層の部分を除去し、 残留レジスト材を除去し、 前記プレーナー面上のマスク上に化学的耐性材の層を添
   着し、 前記マスク材層の開口を通じて露呈された前記フラット
   面の部分に光ファイバ位置決め用溝を形成するために化
   学的侵食を施し、 前記化学的耐性材を除去し、 マスク材の無い前記プレーナー面の帯域に光チャンネル
   を形成するためにイオン交換処理を施し、前記マスク材
   の残留部分を除去することよりなることを特徴とする集
   積光部品の製造方法。 １２、前記プレーナー面に形成された前記チャンネルが
   前記プレーナー面の下方に埋設されるようにする補充的
   処理をさらに含む請求項１１の方法。 １３、前記マスク材層が窒化ケイ素で形成される請求項
   １２の方法。 １４、前記溝内に光ファイバを、それの端面を前記光通
   路の端部に隣接させて、配置し、かつそのファイバを前
   記集積光部品に固着する工程をさらに含む請求項１３の
   方法。