JPH0829636A - 光導波路基板と光ファイバの接続方法 - Google Patents

光導波路基板と光ファイバの接続方法

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JPH0829636A
JPH0829636A JP6162490A JP16249094A JPH0829636A JP H0829636 A JPH0829636 A JP H0829636A JP 6162490 A JP6162490 A JP 6162490A JP 16249094 A JP16249094 A JP 16249094A JP H0829636 A JPH0829636 A JP H0829636A
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JP
Japan
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core
optical fiber
waveguide substrate
optical waveguide
photoresist
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Application number
JP6162490A
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English (en)
Inventor
Tetsuya Hattori
哲也 服部
Shigeru Semura
滋 瀬村
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 短時間で光導波路基板と光ファイバを接続で
きる方法を提供する。 【構成】 光導波路基板100の端部のコア30に形成
されたコア凹部33に光ファイバ200のコア突出部2
11を挿入することで調芯が完了するので、調芯が容易
であり、作業時間も短時間で済む。この後、光ファイバ
200の端部と光導波路基板100の端部とを固着すれ
ば接続が完了するので、極めて容易に、かつ短時間で、
光導波路基板と光ファイバの接続が行われる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光導波路基板と光ファ
イバを接続する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】光通信の分野では、通信用光ファイバか
らの光信号を分岐、結合等させる目的から、光導波路基
板と光ファイバを接続して用いる必要が生じる。従来の
光導波路基板と光ファイバの接続方法としては、例え
ば、光ファイバが保持されている光コネクタと光導波路
基板とを端面同士突き合わせて、双方を樹脂接着剤で接
着する方法が知られている。
【0003】接着に際しては、光導波路基板および光フ
ァイバの光軸の位置をほぼ一列に調整する、すなわち調
芯を行う必要がある。通常は両者のコア露出端面は光軸
に垂直な平坦面となっており、この平担面同士を当接さ
せて両者の光結合度を測定しながら両者の位置関係を微
調整して、光結合度が最大となった位置で両者を接着し
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法で
は、接続される光導波路基板および光ファイバの端面は
ともに平坦であるため、接続中に芯ずれが生じやすく、
この芯ずれを抑えるために慎重な調芯作業が要求され、
その結果、接続に長時間を要するという問題点が生じて
いた。
【0005】本発明は、上記の問題点を解決するためな
されたもので、短時間で光導波路基板と光ファイバの接
続を行うことのできる方法を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明に係る第1の光導波路基板と光ファイバ
の接続方法は、(a)基板上にクラッド層が形成されこ
のクラッド層中にこのクラッド層よりも屈折率の高い材
料からなるコアが設けられている光導波路基板を用意す
る工程と、(b)コアの一端が露出する光導波路基板の
一端面にポジ型ホトレジストを塗布する工程と、(c)
コアの別の端部から光を入射して上記一端面のコア上の
ホトレジストを裏側から感光した後に現像する工程と、
(d)現像後のホトレジストをマスクとして光導波路基
板の上記一端面をエッチングすることにより端部のコア
を除去して凹部を形成する工程と、(e)端部において
コアが突出した光ファイバのこのコア突出部を光導波路
基板のコア凹部に挿入した後にこの光ファイバ端部と光
導波路基板端部とを固着する工程とを備えている。
【0007】ここで、コア突出部を有する上記の光ファ
イバとしては、略平坦なコア露出端面を有する光ファイ
バを用意する工程と、この平坦な端面にネガ型ホトレジ
ストを塗布する工程と、この光ファイバの他端から光を
入射して上記の平坦な端面のコア上のネガ型ホトレジス
トを裏側から感光した後に現像する工程と、現像後のネ
ガ型ホトレジストをマスクとして光ファイバの平坦な端
面をエッチングすることによりコア突出部を形成する工
程とを経て作製されたものを用いることができる。
【0008】また、コア突出部を有する上記の光ファイ
バはコアに酸化ゲルマニウムがドープされた石英系光フ
ァイバであり、コア突出部は略平坦なコア露出端面を有
する石英系光ファイバを用意し、この平坦な端面をフッ
酸に浸してクラッドを除去することによりコア端部を突
出させて作製されたものであっても良い。
【0009】次に、本発明に係る第2の光導波路基板と
光ファイバの接続方法は、(a)基板上にクラッド層が
形成されこのクラッド層中にこのクラッド層よりも屈折
率の高い材料からなるコアが設けられている光導波路基
板を用意する工程と、(b)コアの一端が露出する光導
波路基板の一端面にネガ型ホトレジストを塗布する工程
と、(c)コアの別の端部から光を入射して上記一端面
のコア上のホトレジストを裏側から感光した後に現像す
る工程と、(d)現像後のホトレジストをマスクとして
光導波路基板の上記一端面をエッチングすることにより
この端部にコア突出部を形成する工程と、(e)端部に
おいてコア部が窪んでいる光ファイバを用意しこのコア
窪み部に光導波路基板のコア突出部を挿入した後にこの
光ファイバ端部と光導波路基板端部とを固着する工程と
を備えている。
【0010】ここで、コア窪み部を有する上記の光ファ
イバとしては、略平坦なコア露出端面を有する光ファイ
バを用意する工程と、この平坦な端面にポジ型ホトレジ
ストを塗布する工程と、この光ファイバの他端から光を
入射して上記の平坦な端面のコア上のポジ型ホトレジス
トを裏側から感光した後に現像する工程と、現像後のポ
ジ型ホトレジストをマスクとして光ファイバの平坦な端
面をエッチングすることによりコア窪み部を形成する工
程とを経て作製されたものを用いることができる。
【0011】
【作用】本発明の第1の接続方法では、光導波路基板の
端部のコアに形成された凹部に光ファイバのコア突出部
を挿入することで調芯が完了するので、調芯が容易であ
り、作業時間も短時間で済む。この後、光ファイバ端部
と光導波路基板端部とを固着すれば接続が完了するの
で、極めて容易に、かつ短時間で、光導波路基板と光フ
ァイバの接続が行われる。
【0012】また、本発明の第2の接続方法では、光導
波路基板の端部に形成されたコア突出部を光ファイバの
コア窪み部に挿入することで調芯が完了するので、調芯
が容易で、作業時間も短時間で済む。この後、光ファイ
バ端部と光導波路基板端部とを固着すれば接続が完了す
るので、極めて容易に、かつ短時間で、光導波路基板と
光ファイバの接続が行われる。
【0013】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら、本発明の実
施例について詳細に説明する。なお、図面の説明におい
て同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省
略する。
【0014】実施例1 図1〜図7は、本実施例の接続方法を示す工程図であ
る。本実施例では、まず、図1のように、厚さ1mmの
シリコン基板10上に層厚約70μmの導波路層20が
形成された光導波路基板100を用意する。光導波路基
板100の端面は、あらかじめラップ盤を用いて鏡面研
磨しておく。研磨砥粒としては、酸化セリウムを用い
る。これにより、極めて平坦な端面が得られる。
【0015】導波路層20は、基板10上に形成された
石英(SiO2 )ガラス製のクラッド層40と、このク
ラッド層40中に設けられ、クラッド層40よりも屈折
率の高い石英ガラスからなる柱状のコア30(断面寸法
は8×8μmである。)とから構成されている。クラッ
ド層40は、基板10の上面に形成された下部クラッド
層41と、下部クラッド層41およびコア30を被覆す
る上部クラッド層42とから構成されている。下部クラ
ッド層41の厚さは30μmであり、コア30の上面か
ら上部クラッド層42の上面までの厚さも30μmであ
る。下部クラッド層41および上部クラッド層42には
2 3 およびP2 5 がドープされており、コア30
にはこれらに加えて屈折率を高めるGeO2 がドープさ
れている。
【0016】光導波路基板100は、シリコン基板10
上に下部クラッド層41となる石英ガラス層と、これよ
り高屈折率の石英ガラスからなるコア層とを積層してか
ら、このコア層に反応性イオンエッチングによるパター
ニング加工を施してコア30を形成し、さらに上部クラ
ッド層42となる石英ガラス層を積層することにより作
製することができる。各ガラス層は、火炎堆積法を用い
てガラス微粒子層を堆積させた後、この微粒子層を焼結
炉で加熱してから徐冷して透明ガラス化することにより
形成することができる。
【0017】次に、図2のように、コア30の一つの端
面31が露出している光導波路基板100の平坦な端面
に膜厚が1.5μmのポジ型ホトレジスト50を塗布
し、80℃の温度で20分間プリベークする。続いて、
マルチモード光ファイバを用意し、光導波路基板100
を微動台上に設置してから、コア30のもう一方の端面
32とマルチモード光ファイバのコアの一端とを微動台
を用いて位置合わせした後、マルチモード光ファイバを
通じてArガスレーザ光を端面32から入射する。位置
合わせは、顕微鏡の観察視野(200倍)内で行う。
【0018】入射レーザ光はコア30中を進行して、コ
ア端面31上のホトレジスト50を裏側から感光する。
この後、現像を行うと、図3に示すように、コア端面3
1上のホトレジスト50が除去されたレジストパターン
51が形成され、コア端面31が露呈する。
【0019】次に、図4のように、レジストパターン5
1をマスクとして光導波路基板100の端面にドライエ
ッチング加工を施し、コア端面31から垂直に異方性エ
ッチングを進行させる。これにより、光導波路基板10
0の端部のコア30に凹部33が形成される。なお、本
実施例では、ドライエッチングとして反応性イオンエッ
チングを行う。エッチングガスとしてはC2 6 を用
い、その流量は50sccm、雰囲気圧は5Paとす
る。エッチングが終了したら、硫酸によりレジストパタ
ーン51を除去する。
【0020】次いで、図5のように、端部においてコア
210が突出した光ファイバ200を用意する。この光
ファイバ200は、以下のように作製する。
【0021】まず、石英系シングルモード光ファイバ
(コア径8μm)を用意し、その端面をラップ盤を用い
て鏡面研磨する。研磨砥粒には、光導波路基板100の
場合と同様、酸化セリウムを用いる。これにより、極め
て平坦な端面が得られる。
【0022】次いで、光ファイバのコアが露出する平坦
な端面にネガ型ホトレジストを塗布し、この光ファイバ
の他端からArガスレーザ光を入射する。入射レーザ光
は光ファイバのコア中を進行して、コア端面上のネガ型
ホトレジストを感光する。この後、現像を行うと、コア
端面上のホトレジスト以外のレジストは全て除去され
る。
【0023】続いて、コア端面上のホトレジストをマス
クとして、光ファイバの端面にドライエッチング加工を
施し、光ファイバ端面から垂直に異方性エッチングを進
行させる。これにより、光ファイバの端部においてクラ
ッドが除去され、コアだけが突出する。こうして、端部
においてコア突出部211を有する光ファイバ200が
作製される。ドライエッチングは、光導波路基板100
にコア凹部33を形成したときと同様に、反応性イオン
エッチングであり、エッチングガスとしてはC2 6
用い、その流量は50sccm、雰囲気圧は5Paとす
る。エッチングが終了したら、硫酸によりコア突出部2
11の端面上に残ったホトレジストを除去し、BHFで
1分間ウエットエッチングを行い、コア径を8μm以下
とする。
【0024】コア突出部211の長さは、エッチングプ
ロセスを制御することにより調節することができる。な
お、コア突出部211の長さと、光導波路基板100の
コア凹部33の長さとは一致させるのが好ましい。
【0025】次に、図6のように、光ファイバ200の
コア突出部211を顕微鏡の観察視野(400倍)内で
光導波路基板100のコア凹部33に挿入する。これに
より、光導波路基板100と光ファイバ200との調芯
が完了する。このとき、光導波路基板100のコア端面
と光ファイバ200のコア突出部211の端面とは図6
のように当接しているのが、接続損失の低減化の観点か
ら好ましい。本実施例では、光導波路基板100のコア
凹部33の長さ、および光ファイバ200のコア突出部
211の長さは、ともに5μmであり、両者の端面同士
は当接している。なお、当接させることができなかった
場合には、両者の間に屈折率整合剤を介在させることに
より、接続損失を低減することができる。コア凹部33
およびコア突出部211の長さは、5μmに限定される
ものではないが、5μmを下まわると調心が困難とな
る。逆に長くなると折れやすくなり、20μm程度以下
であることが望ましい。
【0026】最後に、図7のように、接続部近傍を紫外
線硬化樹脂で被覆し、これに紫外光を照射して硬化させ
ることにより、光ファイバ200の端部と光導波路基板
100の端部とを固着する。これにより、光導波路基板
100と光ファイバ200の接続が完了する。
【0027】本実施例の方法によれば、用意する光導波
路基板100の端部におけるコア寸法を、接続すべき光
ファイバ200のコア径に応じて選択することで、光フ
ァイバ200のコア突出部211が挿入されるべきガイ
ド穴、すなわち上記実施例のコア凹部33を形成するこ
とができる。これにより、光ファイバ200のコア突出
部211を光導波路基板100のコア凹部33に挿入す
るだけで、光導波路基板100と光ファイバ200の調
芯を完了することができる。したがって、光導波路基板
100と光ファイバ200の接続を極めて容易に、かつ
短時間で行うことが可能である。
【0028】なお、本実施例では、コア突出部を備える
光ファイバをドライエッチング加工を用いて作製した
が、以下に説明するウェットエッチング加工によっても
作製することができる。
【0029】すなわち、まず、酸化ゲルマニウムがドー
プされたコアと、酸化ゲルマニウムがドープされていな
いクラッドとを備える通常の石英系シングルモード光フ
ァイバを用意し、その端面をラップ盤を用いて鏡面研磨
する。研磨砥粒には、酸化セリウムを用いる。
【0030】続いて、この光ファイバにウェットエッチ
ング加工を施す。具体的には、光ファイバの平坦な端面
を含む先端をフッ酸水溶液に浸して行う。フッ酸のエッ
チングレートは、酸化ゲルマニウムがドープされている
石英に対するよりも、ドープされていない石英に対する
方が格段に高いので、光ファイバのうち主にクラッドが
エッチングされることになる。これにより、端部にコア
突出部が形成された光ファイバが得られる。コア突出部
の長さ調節は、光ファイバをフッ酸水溶液に浸す時間を
調節することで行うことができる。
【0031】実施例2 本実施例では、実施例1と逆に、コア突出部35を備え
る光導波路基板150を作製し、このコア突出部35
を、端部においてコアが窪んでいる光ファイバ250の
このコア窪み部261に挿入して光導波路基板150と
光ファイバ250を接続する。
【0032】図8および図9は、本実施例の接続方法を
示す工程図である。図8のように、光導波路基板150
は、シリコン基板10上に層厚約70μmの導波路層2
0が形成されたもので、導波路層20がコア30および
クラッド層40から構成され、クラッド層40が下部ク
ラッド層41および上部クラッド層42から構成される
ことは、光導波路基板100と同様である。コア30、
下部クラッド層41および上部クラッド層42の組成も
光導波路基板100と同様である。
【0033】この光導波路基板150は、実施例1でコ
ア凹部33が形成される前の平坦な端面を有する光導波
路100(図1)を用いて形成することができる。ま
ず、コア30の一つの端面31が露出している光導波路
基板100の平坦な端面に膜厚が1.5μmのネガ型ホ
トレジストを塗布し、80℃の温度で20分間プリベー
クする。続いて、マルチモード光ファイバを用意すると
ともに、光導波路基板100を微動台上に設置し、コア
30のもう一方の端面32とマルチモード光ファイバの
コアの一端とを微動台を用いて位置合わせした後、マル
チモード光ファイバを通じてArガスレーザ光を端面3
2から入射する。
【0034】入射レーザ光はコア30中を進行して、コ
ア端面31上のネガ型ホトレジストを裏側から感光す
る。この後、現像を行うと、コア端面31上のホトレジ
スト以外のレジストは全て除去される。
【0035】次に、コア端面31上のホトレジストをマ
スクとして光導波路基板100の端面にドライエッチン
グ加工を施し、光導波路基板の端面に垂直に異方性エッ
チングを進行させる。具体的には、実施例1と同様に、
反応性イオンエッチングを行う。エッチングガスとして
はC2 6 を用い、その流量は50sccm、雰囲気圧
は5Paとする。
【0036】これにより、光導波路基板100の端部に
おいてクラッド層40が5μmほどエッチングされ、光
導波路基板100の端部に柱状のコア突出部35が形成
される。この後、硫酸によりコア突出部35の端面上の
ホトレジストを除去する。こうして、図8の光導波路基
板150が作製される。なお、C2 6 を用いた反応性
イオンエッチングのエッチングレートはクラッド層40
を構成するSiO2 の方が基板10の材料たるSiより
も大きいので、光導波路基板150の端面において下部
クラッド層41と基板10との間に微小な段差(0.1
〜1μm程度)が生じることがある。しかし、この程度
の段差は、光ファイバとの接続に影響を与えないし、エ
ッチング等により取り除くこともできるので、問題には
ならない。
【0037】一方、端部においてコア260に窪み部2
61が形成された光ファイバ250は、次のようにして
作製することができる。
【0038】まず、通常の石英系シングルモード光ファ
イバを用意し、その端面をラップ盤を用いて鏡面研磨す
る。研磨砥粒には、酸化セリウムを用いる。次いで、光
ファイバのコアが露出する平坦な端面にポジ型ホトレジ
ストを塗布し、この光ファイバの他端からArガスレー
ザ光を入射する。入射レーザ光は光ファイバのコア中を
進行して、コア端面上のポジ型ホトレジストを裏側から
感光する。この後、現像を行うと、コア端面上のホトレ
ジストのみが除去される。
【0039】続いて、光ファイバ端面上のホトレジスト
をマスクとして、光ファイバの端面にドライエッチング
加工を施し、光ファイバ端面から垂直に異方性エッチン
グを進行させる。これにより、光ファイバの端部におい
てコアだけが除去され、コアに窪みが形成される。こう
して、端部においてコア窪み部261を有する光ファイ
バ250が作製される。ドライエッチングは、実施例1
と同様、反応性イオンエッチングであり、エッチングガ
スとしてはC2 6 を用い、その流量は50sccm、
雰囲気圧は5Paとする。エッチングが終了したら、硫
酸により光ファイバ250の端面上に残ったホトレジス
トを除去する。
【0040】コア窪み部261の長さは、エッチングプ
ロセスを制御することにより調節することができる。な
お、コア窪み部261の長さと、光導波路基板150の
コア突出部35の長さとは一致させるのが好ましい。
【0041】次に、図9のように、光導波路基板150
のコア突出部35を顕微鏡の観察視野(400倍)内で
光ファイバ250のコア窪み部261に挿入する。これ
により、光導波路基板150と光ファイバ250との調
芯が完了する。図9のように、光導波路基板150のコ
ア突出部35の端面と光ファイバ250のコア窪み部2
61の端面とが当接していることが、接続損失の低減化
の観点から好ましい。本実施例では、光導波路基板15
0のコア窪み部35の長さ、および光ファイバ250の
コア突出部261の長さは、ともに5μmであり、両者
の端面同士は当接している。当接させることができなか
った場合に両者の間に屈折率整合剤を介在させることで
接続損失を低減することができることは、実施例1と同
様である。なお、コア凹部35およびコア突出部261
の長さは第1実施例と同様に5〜20μm程度が望まし
い。
【0042】最後に、実施例1と同様に、接続部近傍を
紫外線硬化樹脂で被覆し、これに紫外光を照射して硬化
させ、光ファイバ250の端部と光導波路基板150の
端部とを固着する。これにより、光導波路基板150と
光ファイバ250の接続が完了する。
【0043】本実施例の方法によれば、コア突出部を形
成するために用意した光導波路基板の端部におけるコア
寸法を、接続すべき光ファイバのコア径に応じて選択す
ることで、光ファイバのコア窪み部に挿入可能なコア突
出部を光導波路基板に形成することができる。これによ
り、光導波路基板のコア突出部を光ファイバのコア窪み
部に挿入するだけで、光導波路基板と光ファイバの調芯
を完了することができる。したがって、光導波路基板と
光ファイバの接続を極めて容易に、かつ短時間で行うこ
とが可能である。
【0044】なお、本発明は実施例1および2に限られ
るものでなく、様々な変形が可能である。例えば、上記
実施例において、光導波路基板と光ファイバの端部同士
は紫外線硬化樹脂を用いて固着されるが、代わりに、光
導波路基板および光ファイバをそれぞれ金属製の筐体に
収容して、互いの筐体同士を溶接することにより固着し
ても良い。
【0045】具体的に説明すると、例えば、実施例1に
おいて光導波路基板100の端部のコア30に凹部33
を形成した後に、この光導波路基板100をその側周面
を取り囲む形状の金属製筐体に収容する。このとき、コ
ア凹部33が形成されている側の光導波路基板100の
端面が露出するようにする。
【0046】一方で、コア突出部211を有する光ファ
イバ200をファイバ配列板の上面に形成されたV溝に
配置し、平板で光ファイバ200を押さえ付けて固定す
る。このとき、コア突出部211がファイバ配列板の先
端から突出するようにする。次いで、こうして作製した
光ファイバ配列ユニットをその側周面を取り囲む形状の
金属製筐体に収容する。このときも、コア突出部211
が形成されている側の光ファイバ200の端面が露出し
て、コア突出部211が筐体の端面から突出するように
する。
【0047】次に、光導波路基板100と光ファイバ2
00を端面同士突き合わせ、光導波路基板100のコア
凹部33に光ファイバ200のコア突出部211を挿入
し、その後、互いが収容されている筐体を溶接する。こ
れにより、光導波路基板100と光ファイバ200の端
部が固着され、接続が完了する。
【0048】
【発明の効果】以上、詳細に説明したとおり、本発明の
第1の接続方法によれば、光導波路基板のコアに形成さ
れた凹部に光ファイバのコア突出部を挿入することで調
芯が完了するので、極めて容易に、かつ短時間で、光導
波路基板と光ファイバの接続を行うことができる。
【0049】また、本発明の第2の接続方法によれば、
光導波路基板のコア突出部を光ファイバのコア窪み部に
挿入することで調芯が完了するので、極めて容易に、か
つ短時間で、光導波路基板と光ファイバの接続が行うこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1の接続方法を示す第1の工程図であ
る。
【図2】実施例1の接続方法を示す第2の工程図であ
る。
【図3】実施例1の接続方法を示す第3の工程図であ
る。
【図4】実施例1の接続方法を示す第4の工程図であ
る。
【図5】実施例1の接続方法を示す第5の工程図であ
る。
【図6】実施例1の接続方法を示す第6の工程図であ
る。
【図7】実施例1の接続方法を示す第7の工程図であ
る。
【図8】実施例2の接続方法を示す第1の工程図であ
る。
【図9】実施例2の接続方法を示す第2の工程図であ
る。
【符号の説明】
10…シリコン基板、20…導波路層、30…光導波路
基板のコア、33…光導波路基板のコア凹部、35…光
導波路基板のコア突出部、40…光導波路基板のクラッ
ド層、50…ポジ型ホトレジスト、60…紫外線硬化樹
脂、100および150…光導波路基板、200および
250…光ファイバ、210および260…光ファイバ
のコア、211…光ファイバのコア突出部、261…光
ファイバのコア窪み部。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上にクラッド層が形成されこのクラ
    ッド層中にこのクラッド層よりも屈折率の高い材料から
    なるコアが設けられている光導波路基板を用意する工程
    と、 前記コアの一端が露出する前記光導波路基板の一端面に
    ポジ型ホトレジストを塗布する工程と、 前記コアの別の端部から光を入射して前記一端面の前記
    コア上の前記ホトレジストを裏側から感光した後に現像
    する工程と、 前記現像後のホトレジストをマスクとして前記光導波路
    基板の前記一端面をエッチングすることにより端部のコ
    アを除去して凹部を形成する工程と、 端部においてコアが突出した光ファイバのこのコア突出
    部を前記凹部に挿入した後にこの光ファイバ端部と光導
    波路基板端部とを固着する工程と、 を備えた光導波路基板と光ファイバの接続方法。
  2. 【請求項2】 前記コア突出部を有する前記光ファイバ
    は、 略平坦なコア露出端面を有する光ファイバを用意する工
    程と、 前記平坦な端面にネガ型ホトレジストを塗布する工程
    と、 この光ファイバの他端から光を入射して前記平坦な端面
    のコア上の前記ネガ型ホトレジストを裏側から感光した
    後に現像する工程と、 前記現像後のネガ型ホトレジストをマスクとして前記光
    ファイバの前記平坦な端面をエッチングすることにより
    コア突出部を形成する工程と、 を経て作製されたものであることを特徴とする請求項1
    に記載の光導波路基板と光ファイバの接続方法。
  3. 【請求項3】 前記コア突出部を有する前記光ファイバ
    はコアに酸化ゲルマニウムがドープされた石英系光ファ
    イバであり、前記コア突出部は略平坦なコア露出端面を
    有する石英系光ファイバを用意し、この平坦な端面をフ
    ッ酸に浸してクラッドを除去することによりコア端部を
    突出させて作製されたものであることを特徴とする請求
    項1に記載の光導波路基板と光ファイバの接続方法。
  4. 【請求項4】 基板上にクラッド層が形成されこのクラ
    ッド層中にこのクラッド層よりも屈折率の高い材料から
    なるコアが設けられている光導波路基板を用意する工程
    と、 前記コアの一端が露出する前記光導波路基板の一端面に
    ネガ型ホトレジストを塗布する工程と、 前記コアの別の端部から光を入射して前記一端面の前記
    コア上の前記ホトレジストを裏側から感光した後に現像
    する工程と、 前記現像後のホトレジストをマスクとして前記光導波路
    基板の前記一端面をエッチングすることによりこの端部
    にコア突出部を形成する工程と、 端部においてコア部が窪んでいる光ファイバを用意しこ
    のコア窪み部に前記光導波路基板のコア突出部を挿入し
    た後にこの光ファイバ端部と光導波路基板端部とを固着
    する工程と、 を備えた光導波路基板と光ファイバの接続方法。
  5. 【請求項5】 前記コア窪み部を有する前記光ファイバ
    は、 略平坦なコア露出端面を有する光ファイバを用意する工
    程と、 前記平坦な端面にポジ型ホトレジストを塗布する工程
    と、 この光ファイバの他端から光を入射して前記平坦な端面
    のコア上の前記ポジ型ホトレジストを裏側から感光した
    後に現像する工程と、 前記現像後のポジ型ホトレジストをマスクとして前記光
    ファイバの前記平坦な端面をエッチングすることにより
    コア窪み部を形成する工程とを経て作製されたものであ
    ることを特徴とする請求項4に記載の光導波路基板と光
    ファイバの接続方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU768381B2 (en) * 1999-11-16 2003-12-11 Bookham Technology Plc Method of alignment in an optoelectronic assembly
US7445881B2 (en) 2004-03-31 2008-11-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor device, acid etching resistant material and copolymer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU768381B2 (en) * 1999-11-16 2003-12-11 Bookham Technology Plc Method of alignment in an optoelectronic assembly
US7445881B2 (en) 2004-03-31 2008-11-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor device, acid etching resistant material and copolymer
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