JPS61117513A - フアイバ．ガイド付光回路およびその製造方法 - Google Patents
フアイバ．ガイド付光回路およびその製造方法Info
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- JPS61117513A JPS61117513A JP23920384A JP23920384A JPS61117513A JP S61117513 A JPS61117513 A JP S61117513A JP 23920384 A JP23920384 A JP 23920384A JP 23920384 A JP23920384 A JP 23920384A JP S61117513 A JPS61117513 A JP S61117513A
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- Japan
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- optical
- guide
- optical waveguide
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- optical fiber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ｍ慣において必要な光ファイバと光導波路
との直接接続を容易としたファイバ・ガイド付光回路Ｓ
工びその製造方法に関するものであるＯ 〔従来技術〕 光分岐］１路路光光分波器等の尋波形元部品を光通信シ
ステムに導入する場合、これら光部品と光ファイバとの
接続法としては、効率が＾＜、＊ａ竺が高（、か？短時
間で行なえる方■１求される。従来は、之だ単に元ファ
イバ燗面船光導波路端面とを直、接つぎ合わせて＃Ｉ続
する端面接続法が主として用いられて＃た。しかし、こ
の方汚（は。
との直接接続を容易としたファイバ・ガイド付光回路Ｓ
工びその製造方法に関するものであるＯ 〔従来技術〕 光分岐］１路路光光分波器等の尋波形元部品を光通信シ
ステムに導入する場合、これら光部品と光ファイバとの
接続法としては、効率が＾＜、＊ａ竺が高（、か？短時
間で行なえる方■１求される。従来は、之だ単に元ファ
イバ燗面船光導波路端面とを直、接つぎ合わせて＃Ｉ続
する端面接続法が主として用いられて＃た。しかし、こ
の方汚（は。
（：）接続に先立ち、導波路ｍ面の切断ならびに研磨が
必要である。、（１１）光ファイバと光導波路との精密
な位置合わせが必要であるＪｌｉ＋）接続部の機械的信
頼性に欠ける１等の欠点がある。
必要である。、（１１）光ファイバと光導波路との精密
な位置合わせが必要であるＪｌｉ＋）接続部の機械的信
頼性に欠ける１等の欠点がある。
これら従来の問題点を解決する方法として１石英ガラス
系光導波路上に光回路パタン化と同時に光ファイバ位置
合わせ用のガイドを形成し、このガイドを利用して接続
を行なう接続法がある〔特願昭５８−１２５６９９号〕
。この方法は上記従来の問題点が解決でき、光導波路端
面の切断、研磨および光ファイバと導波路との位置合わ
せの必要なしに、光ファイバと光導波路との高効率接続
が可能とするものである。
系光導波路上に光回路パタン化と同時に光ファイバ位置
合わせ用のガイドを形成し、このガイドを利用して接続
を行なう接続法がある〔特願昭５８−１２５６９９号〕
。この方法は上記従来の問題点が解決でき、光導波路端
面の切断、研磨および光ファイバと導波路との位置合わ
せの必要なしに、光ファイバと光導波路との高効率接続
が可能とするものである。
上記のガイドな形成する方法では、外径１２５μｍ、コ
ア径５０μｍの光ファイバな光導波路と接続する場合１
石英ガラス系光導波路を深さ９０μｍ程度エツチングす
る必要がある。この加工には、アモルファｘｓｉ（ａ−
Ｓｉ）を−ｒｘり＊ Ｃ＊ Ｆ６ ＊Ｃ，Ｈ，の混合ガ
スをエッチャントとする反応性イオンエツチングを用い
ているが、この方法で深さ９０μｍにも及ぶ深いエツチ
ングを行なうと、形成された導波路幅が、フォトマスク
段階のパタン幅と比較して、大さく減少するという問題
があった。したがって、このパタン幅減少量をおさえる
ために従来は、光回路のエツチング深さを約７７０μｍ
程度にし、ファイバ端部の外径を７０μｍ程度にエツチ
ングした光ファイバを用いて接続を行なっていた。
ア径５０μｍの光ファイバな光導波路と接続する場合１
石英ガラス系光導波路を深さ９０μｍ程度エツチングす
る必要がある。この加工には、アモルファｘｓｉ（ａ−
Ｓｉ）を−ｒｘり＊ Ｃ＊ Ｆ６ ＊Ｃ，Ｈ，の混合ガ
スをエッチャントとする反応性イオンエツチングを用い
ているが、この方法で深さ９０μｍにも及ぶ深いエツチ
ングを行なうと、形成された導波路幅が、フォトマスク
段階のパタン幅と比較して、大さく減少するという問題
があった。したがって、このパタン幅減少量をおさえる
ために従来は、光回路のエツチング深さを約７７０μｍ
程度にし、ファイバ端部の外径を７０μｍ程度にエツチ
ングした光ファイバを用いて接続を行なっていた。
〔問題点を解決１−るための手段〕
この発明のファイバ・ガイド付光回路は、上記の問題点
１に解決する構成として、Ｓｉ＆板上に石英ガラス系光
導波路が形成されている光回路において、光導波路端部
付近に、光回路パタン化と同時に形成した光ファイバ端
部の位置決め用のガイドを有し、かつ、ガイド中に光フ
ァイバを押入したとき光ファイバコア部と光導波路コア
部とが一致するように少なくともガイド近傍のＳｉ基板
が適当な深さにエツチングされていることを特徴とする
ものである。
１に解決する構成として、Ｓｉ＆板上に石英ガラス系光
導波路が形成されている光回路において、光導波路端部
付近に、光回路パタン化と同時に形成した光ファイバ端
部の位置決め用のガイドを有し、かつ、ガイド中に光フ
ァイバを押入したとき光ファイバコア部と光導波路コア
部とが一致するように少なくともガイド近傍のＳｉ基板
が適当な深さにエツチングされていることを特徴とする
ものである。
また、上記のファイバ・ガイド付光回路の製造方法であ
るこの発明は、Ｓｉ基板上に石英ガラス系光導波路を形
成し、その石英ガラス系光導波路をフォトリソグラフィ
技術を用いてＳｔ基板に到る深さまでエツチングを行な
い所望の光導波路ノ（ターンと光ファイバ位置決め用の
ガイドとを同時に形成し１次にガイド中に光ファイバを
押入したとき光ファイバコア部と光導波路コア部とが一
致するように少なくともガイド付近のＳｉ基板を適当な
深さまでエツチングするようにしたことを特徴とするも
のである。
るこの発明は、Ｓｉ基板上に石英ガラス系光導波路を形
成し、その石英ガラス系光導波路をフォトリソグラフィ
技術を用いてＳｔ基板に到る深さまでエツチングを行な
い所望の光導波路ノ（ターンと光ファイバ位置決め用の
ガイドとを同時に形成し１次にガイド中に光ファイバを
押入したとき光ファイバコア部と光導波路コア部とが一
致するように少なくともガイド付近のＳｉ基板を適当な
深さまでエツチングするようにしたことを特徴とするも
のである。
１１１図は、本発明の実施例であるファイバ・ガイド付
光回路の斜視図である。１はＳｔ基板、ｌａは５ｆｆｉ
（１００］ｔｈｉ、１ｂはエツチングによって形成され
た５ｉ（１１１）面、２はファイバ・ガイド、ａは光導
波路であり、３ａはクラッド層。
光回路の斜視図である。１はＳｔ基板、ｌａは５ｆｆｉ
（１００］ｔｈｉ、１ｂはエツチングによって形成され
た５ｉ（１１１）面、２はファイバ・ガイド、ａは光導
波路であり、３ａはクラッド層。
３ｂはコア層、３ｃはバッファ層である。光導波路３及
びファイ″バ・ガイド２はいすれも石英系ガラスである
。 ３のコア部３ｂおよ
び、接続する光コアイノ（７のコア部７ｂとの位置関係
を示したものである。ガイド２．２の間隔は１元ファイ
バ外径と一致しており、ガイド２の深さは、Ｓｉ基板を
エツチングすることにより調整し、光ファイバ７のコア
部７ｂ□と光−波路３のコア１ｌ１３ｂとが一致するよ
うになっている。したがって、光ファイバ７をガイド２
．２中に挿入するだけｔ、光ファイバと光回路との位置
合わせが完了する。
びファイ″バ・ガイド２はいすれも石英系ガラスである
。 ３のコア部３ｂおよ
び、接続する光コアイノ（７のコア部７ｂとの位置関係
を示したものである。ガイド２．２の間隔は１元ファイ
バ外径と一致しており、ガイド２の深さは、Ｓｉ基板を
エツチングすることにより調整し、光ファイバ７のコア
部７ｂ□と光−波路３のコア１ｌ１３ｂとが一致するよ
うになっている。したがって、光ファイバ７をガイド２
．２中に挿入するだけｔ、光ファイバと光回路との位置
合わせが完了する。
第３図は、上記のようなファイバ・ガイド付光回路の製
作方法を示し起ものである。第３図（ａ）は。
作方法を示し起ものである。第３図（ａ）は。
Ｓｉ基板１上に石英系光導波膜３１を形成する工程であ
る。本実施例では、Ｓｉ基板１として（１００）面基板
を用い、ＳｉＣ１，、Ｔｉ１ｌ、、ＧｅＣ１゜、８Ｃ１
，；ｐｃ ｓ、等を原料ガスとする火災加水分解反応を
利用して、このＳｉ基板１上に石英系光導波膜３１を形
成する。石英系光導波膜３１は厚さ５′３μｍで３層構
造をし【おり、３１ａはクラッド層゛（厚さ３μｍ）、
３”１ｂはコブ層（厚さ４５μｍ ）’＊ ３１’ｃは
バッファ層（厚さ５１１ｍ）である。第３図（ｂ）は１
石英系元導波膜３１をエツチングして、所望の光導波路
及びファイバ・ガイドをパタン化する工程である。この
ためには、まず、石英系光導波膜３１上にアモルファス
Ｓ４膜４を形成し、この上にＡＺ系フォトレジスト５を
塗布する。次いでフォトマスク６を用いて、フォトリン
グラフィの手法により、ＡＺ系フォトレジスト５をパタ
ン化する。フォトマスク６において。
る。本実施例では、Ｓｉ基板１として（１００）面基板
を用い、ＳｉＣ１，、Ｔｉ１ｌ、、ＧｅＣ１゜、８Ｃ１
，；ｐｃ ｓ、等を原料ガスとする火災加水分解反応を
利用して、このＳｉ基板１上に石英系光導波膜３１を形
成する。石英系光導波膜３１は厚さ５′３μｍで３層構
造をし【おり、３１ａはクラッド層゛（厚さ３μｍ）、
３”１ｂはコブ層（厚さ４５μｍ ）’＊ ３１’ｃは
バッファ層（厚さ５１１ｍ）である。第３図（ｂ）は１
石英系元導波膜３１をエツチングして、所望の光導波路
及びファイバ・ガイドをパタン化する工程である。この
ためには、まず、石英系光導波膜３１上にアモルファス
Ｓ４膜４を形成し、この上にＡＺ系フォトレジスト５を
塗布する。次いでフォトマスク６を用いて、フォトリン
グラフィの手法により、ＡＺ系フォトレジスト５をパタ
ン化する。フォトマスク６において。
２６はファイバ・ガイドパタンで、ガイド間隔１゜は１
２０μｍに設定しである。３６は光導波路パタン″で１
ζ、光導波路幅１３は４５μｍに設定しである。また、
ＡＺ系レジストのパタン化にあたっては、ファイバ・ガ
イドパタン２６が、Ｓｉ基板１の（１１０）方向と、は
ぼ平行になるようにする。ＡＺ系レジストのパタン化に
ひき続いて、パタン化したＡＺ系レジストをマスク、Ｃ
ＢｒＦｌをエッチャントとする反応性イオン・エツチン
グによりアモルファスＳｉ膜４をパタン化する。最後に
、このアモルファスＳｔをマスク、Ｃ，Ｆ。
２０μｍに設定しである。３６は光導波路パタン″で１
ζ、光導波路幅１３は４５μｍに設定しである。また、
ＡＺ系レジストのパタン化にあたっては、ファイバ・ガ
イドパタン２６が、Ｓｉ基板１の（１１０）方向と、は
ぼ平行になるようにする。ＡＺ系レジストのパタン化に
ひき続いて、パタン化したＡＺ系レジストをマスク、Ｃ
ＢｒＦｌをエッチャントとする反応性イオン・エツチン
グによりアモルファスＳｉ膜４をパタン化する。最後に
、このアモルファスＳｔをマスク、Ｃ，Ｆ。
、Ｃ，Ｈ，の混合ガスをエッチャントとした反応性イオ
ンエツチングにより、第３図（Ｃ）のように、Ｓｉ基板
１上に石英系光導波膜よりなるファイバ・ガイド２及び
光導波路３がパタン化される。石英系光導波膜のエツチ
ング深さは５３μｍ必要である。これらのエツチング工
程に伴い、形成パタンには若干のパタン幅の減少が生じ
て、ガイド間隔！、は約１２ｓμｍ＊光導波路幅ＩＩ４
は約４０μｍとなる。次にＳｉ基板をエツチングしてガ
イド深さをｔｊＡ！１−ｆる工程を行う。この工程はＳ
ｉ基板１をエチレンジアミンピロカテコール等のアルカ
リエッチ液に浸すと石英系光導波膜でできたガイド２．
および光導波路３がマスクとなり、Ｓｉ基板１が異方性
エツチングされるものである。すなわち、上記のエッチ
液を用いた場合、Ｍｌ結晶面とエツチング速度の関係は
（１００）：（１１０）：（１１１）＝５０：３０：３
μｍ／ｈとなるので、（１１１３面があられれると、そ
の面は、それ以上エツチングされなくなる。この結果、
第１図に示した形状の光回路が得られる。本実施例にお
いては、上記の方法でＳｉ基板を３５μｍの深さにエツ
チングを行なう。この結果、第２図に示すようにガイド
中に外径１２５μｍ、コア径５０μｍの光ファイバを仲
人するだけで石英系光導波路との位置合わせが行なえる
ようになる。
ンエツチングにより、第３図（Ｃ）のように、Ｓｉ基板
１上に石英系光導波膜よりなるファイバ・ガイド２及び
光導波路３がパタン化される。石英系光導波膜のエツチ
ング深さは５３μｍ必要である。これらのエツチング工
程に伴い、形成パタンには若干のパタン幅の減少が生じ
て、ガイド間隔！、は約１２ｓμｍ＊光導波路幅ＩＩ４
は約４０μｍとなる。次にＳｉ基板をエツチングしてガ
イド深さをｔｊＡ！１−ｆる工程を行う。この工程はＳ
ｉ基板１をエチレンジアミンピロカテコール等のアルカ
リエッチ液に浸すと石英系光導波膜でできたガイド２．
および光導波路３がマスクとなり、Ｓｉ基板１が異方性
エツチングされるものである。すなわち、上記のエッチ
液を用いた場合、Ｍｌ結晶面とエツチング速度の関係は
（１００）：（１１０）：（１１１）＝５０：３０：３
μｍ／ｈとなるので、（１１１３面があられれると、そ
の面は、それ以上エツチングされなくなる。この結果、
第１図に示した形状の光回路が得られる。本実施例にお
いては、上記の方法でＳｉ基板を３５μｍの深さにエツ
チングを行なう。この結果、第２図に示すようにガイド
中に外径１２５μｍ、コア径５０μｍの光ファイバを仲
人するだけで石英系光導波路との位置合わせが行なえる
ようになる。
このように、Ｓｉ基板なエツチングする工程を導入する
ことにより石英系光導波膜のエツチング深さは５３μｍ
で十分である。一方、Ｓｉ基板のエツチング工程を入れ
ずに１石英系光導波膜のエツチングのみで、外径１２５
μｍの光ファイバ用のガイドを形成する場合には１石英
系光導波膜のエツチング深さは、約９０μｍ必要となる
。ところで第３図（Ｃ）の工程の説明でも述べたように
、エツチング工程では若干のパタン幅の減少が生じて。
ことにより石英系光導波膜のエツチング深さは５３μｍ
で十分である。一方、Ｓｉ基板のエツチング工程を入れ
ずに１石英系光導波膜のエツチングのみで、外径１２５
μｍの光ファイバ用のガイドを形成する場合には１石英
系光導波膜のエツチング深さは、約９０μｍ必要となる
。ところで第３図（Ｃ）の工程の説明でも述べたように
、エツチング工程では若干のパタン幅の減少が生じて。
最終的に形成されるパタン幅は、初めに設計Ｌ７ｅフォ
トマスクパタン幅よりも狭（なる。これは、鴎４図に示
すメカニズムで生ずる。第４図（ａ）は、石英系光導波
１１３１のエツチング深さが比較的浅い場合を示してい
る。反応性イオンエツチングにおいては、アモルファス
Ｓｉマスク４のエッヂ部分４ａのように、とがった部分
のエツチングの進行速度は他の部分より速い傾向がある
。このため、図中４ ａ （１）ように、この部分が削
られ、マスク側面の垂直性が劣化する。しかし、エツチ
ングが浅い場合はマスクの下の石英系光導波膜３１には
、この影響が表われないので、エツチングによって形成
されるパタン幅ｄは、フォトマスク段階の幅から変化す
ることはない。しかし第４図（ｂ）のように、エツチン
グがある程度深くなると、アモルファスＳｉマスク４の
側面４ａの垂直性劣化の影響が表われ、エツチングによ
り形成されるパタン幅に２Δｄの減少が生じる。第４図
（ｅ）は、さらにエツチングが深くなった場合である。
トマスクパタン幅よりも狭（なる。これは、鴎４図に示
すメカニズムで生ずる。第４図（ａ）は、石英系光導波
１１３１のエツチング深さが比較的浅い場合を示してい
る。反応性イオンエツチングにおいては、アモルファス
Ｓｉマスク４のエッヂ部分４ａのように、とがった部分
のエツチングの進行速度は他の部分より速い傾向がある
。このため、図中４ ａ （１）ように、この部分が削
られ、マスク側面の垂直性が劣化する。しかし、エツチ
ングが浅い場合はマスクの下の石英系光導波膜３１には
、この影響が表われないので、エツチングによって形成
されるパタン幅ｄは、フォトマスク段階の幅から変化す
ることはない。しかし第４図（ｂ）のように、エツチン
グがある程度深くなると、アモルファスＳｉマスク４の
側面４ａの垂直性劣化の影響が表われ、エツチングによ
り形成されるパタン幅に２Δｄの減少が生じる。第４図
（ｅ）は、さらにエツチングが深くなった場合である。
アモルファスＳｉマスク４の側面４ａの垂＠性の劣化は
、第４図（ａ） 、 （ｂ） 、ｒ、りも著しくなるの
で、エツチングの進行に伴うパタン幅の減少１１２Δｄ
は、ざらに大き（なり、しかも、減少速度も速（なる。
、第４図（ａ） 、 （ｂ） 、ｒ、りも著しくなるの
で、エツチングの進行に伴うパタン幅の減少１１２Δｄ
は、ざらに大き（なり、しかも、減少速度も速（なる。
第５図は。
パタン幅減少量とエツチング深さとの関係を調べたもの
である。このグラフ＋す１、エツチング深さ５０μｍ程
度の時は、パタン幅減少ｔは約５μｍ程度であるのに対
してエツチング深さ９０μｍになると、パタン幅減少量
は２０μｍ程度にも達することがわかる。
である。このグラフ＋す１、エツチング深さ５０μｍ程
度の時は、パタン幅減少ｔは約５μｍ程度であるのに対
してエツチング深さ９０μｍになると、パタン幅減少量
は２０μｍ程度にも達することがわかる。
このように、実施例により、精度よく外径１２５μｍ光
ファイバ用のガイドが形成できる。長さ１５ｍｍの直線
導波路の両端にガイドな設けた光回路における接続損失
の測定では、光源に０．８５μｍのＬＦｉＤを用いた場
合、入力Ｉｆｌｌおよび出力部を合わせた接続損失は１
．ｇｃｔａであった。この値は、比較のために行なった
通常の１＋ｉｉＩ面接続の場合の接続損失と同程度であ
り１本方法によっても。
ファイバ用のガイドが形成できる。長さ１５ｍｍの直線
導波路の両端にガイドな設けた光回路における接続損失
の測定では、光源に０．８５μｍのＬＦｉＤを用いた場
合、入力Ｉｆｌｌおよび出力部を合わせた接続損失は１
．ｇｃｔａであった。この値は、比較のために行なった
通常の１＋ｉｉＩ面接続の場合の接続損失と同程度であ
り１本方法によっても。
高効率接続ができることが明らかになった。なお、本実
施例において、上述のように形成された光導波路のコア
部の寸法は幅４０μｍ×高さ４５μｍであるが、これは
コア径５０μｍのグレイディラドインデックスファイバ
（５ｏＧＩファイバ］を用いて、５ｏＧＩファイバ＝光
回路（ステップインデックス）＝５００Ｉファイバと接
続した場合に、接続損失が蝦小になる寸法である。
施例において、上述のように形成された光導波路のコア
部の寸法は幅４０μｍ×高さ４５μｍであるが、これは
コア径５０μｍのグレイディラドインデックスファイバ
（５ｏＧＩファイバ］を用いて、５ｏＧＩファイバ＝光
回路（ステップインデックス）＝５００Ｉファイバと接
続した場合に、接続損失が蝦小になる寸法である。
以上説明したように、本発明によれば、光回路形成と同
時に形成した元ファイバと光回路との軸合わせ用のガイ
ド中に光ファイバを挿入して、光ファイバと光回路との
結合を行なうので無調整で光ファイバエ光回路の高効率
接続ができる。それに加えて１本発明においては、ガイ
ド近傍のＳｔ基板が適当な深さにエツチングされている
ので、通常の光ファイバとの接続を容易に行うことがで
きる。また１本発明の方法によれば、光回路、ガイド形
成工程において、石英系導波膜のエツチング深さを必要
最小限に抑え、不足分を、基板であるＳｉ基板をエツチ
ングすることにより深さ調整を行なっている。したがっ
て１反応性イオ゛ン、エツチングで深いエツチングを行
なう際に問題となるパタン幅の減少量を大幅に小暑＜で
きるので。
時に形成した元ファイバと光回路との軸合わせ用のガイ
ド中に光ファイバを挿入して、光ファイバと光回路との
結合を行なうので無調整で光ファイバエ光回路の高効率
接続ができる。それに加えて１本発明においては、ガイ
ド近傍のＳｔ基板が適当な深さにエツチングされている
ので、通常の光ファイバとの接続を容易に行うことがで
きる。また１本発明の方法によれば、光回路、ガイド形
成工程において、石英系導波膜のエツチング深さを必要
最小限に抑え、不足分を、基板であるＳｉ基板をエツチ
ングすることにより深さ調整を行なっている。したがっ
て１反応性イオ゛ン、エツチングで深いエツチングを行
なう際に問題となるパタン幅の減少量を大幅に小暑＜で
きるので。
加工精度の向上がはかれる。
第１図は１本発明の実施例であるガイド縁光回路の斜視
図、第２図は、第１図の光回路におけるガ・Ｈビト４１
．光導波路および光ファイバの寸法の関係を示した図、
＃！３図１Ｍ） 〜（Ｃ）は、Ｚガ・ｆイｌ’）＋７４
１ｔｉｍ回路の製造方＠を示した説明図、第４図（ａ）
〜（Ｃ）は、光回路幅の減少のよう丁を示した模式図、
第５図は、エツチング深さとパタン幅減少量との関係を
示すグラフである。 １・−ｓｔ基板、１ａ・・・５ｉ（１００）面、１ｂ・
・・Ｓｉ（１１１）面、２・・・光ファイバ・ガイド。 ３・・・光導波路、３ａ・・・クラッド層、３ｂ・・・
コア層。 ３Ｃ・・・バッファ層、７・・・光ファイＡ、 ？ ｂ
−５Ｙ、ファイバのコア部、３１・・・石英系光導波膜
、３１ａ・・・クラッドＩ＊、３１ｂ・・・コア層、３
１Ｃ・・・バッファ層、４°・・アモルファスＳｉマス
クｓ４ａ・・・アモルファスＳｉマスク側面、５・・・
ＡＺ系レジスト、６・・・フォトマスク、２６・・・ガ
イド・パタン。 ３６・・・光回路パタン。 ＃３） 第４図 第５図
図、第２図は、第１図の光回路におけるガ・Ｈビト４１
．光導波路および光ファイバの寸法の関係を示した図、
＃！３図１Ｍ） 〜（Ｃ）は、Ｚガ・ｆイｌ’）＋７４
１ｔｉｍ回路の製造方＠を示した説明図、第４図（ａ）
〜（Ｃ）は、光回路幅の減少のよう丁を示した模式図、
第５図は、エツチング深さとパタン幅減少量との関係を
示すグラフである。 １・−ｓｔ基板、１ａ・・・５ｉ（１００）面、１ｂ・
・・Ｓｉ（１１１）面、２・・・光ファイバ・ガイド。 ３・・・光導波路、３ａ・・・クラッド層、３ｂ・・・
コア層。 ３Ｃ・・・バッファ層、７・・・光ファイＡ、 ？ ｂ
−５Ｙ、ファイバのコア部、３１・・・石英系光導波膜
、３１ａ・・・クラッドＩ＊、３１ｂ・・・コア層、３
１Ｃ・・・バッファ層、４°・・アモルファスＳｉマス
クｓ４ａ・・・アモルファスＳｉマスク側面、５・・・
ＡＺ系レジスト、６・・・フォトマスク、２６・・・ガ
イド・パタン。 ３６・・・光回路パタン。 ＃３） 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）Ｓｉ基板上に石英ガラス系光導波路が形成されて
いる光回路において、光導波路端部付近に、光回路パタ
ン化と同時に形成した光ファイバ端部の位置決め用のガ
イドを有し、かつ、ガイド中に光ファイバを挿入したと
き光ファイバコア部と光導波路コア部とが一致するよう
に少なくともガイド近傍のＳｉ基板が適当な深さにエッ
チングされていることを特徴とするファイバ・ガイド付
光回路。 - （２）Ｓｉ基板上に石英ガラス系光導波路を形成する工
程と、その石英ガラス系光導波路をフオトリソグラフィ
技術を用いてＳｉ基板に致る深さまでエッチングを行な
い所望の光導波路パタンと光ファイバ位置決め用のガイ
ドとを同時に形成する工程と、それに引き続いてガイド
中に光ファイバを挿入したとき光ファイバコア部と光導
波路コア部とが一致するように少なくともガイド付近の
Ｓｉ基板を適当な深さまでエッチングする工程とを有す
るファイバ・ガイド付光回路の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23920384A JPS61117513A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | フアイバ．ガイド付光回路およびその製造方法 |
| CA000486477A CA1255382A (en) | 1984-08-10 | 1985-07-08 | Hybrid optical integrated circuit with alignment guides |
| US06/753,632 US4750799A (en) | 1984-08-10 | 1985-07-10 | Hybrid optical integrated circuit |
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| DE8585108730T DE3575208D1 (de) | 1984-08-10 | 1985-07-12 | Optischer, integrierter hybridschaltkreis und verfahren zu seiner herstellung. |
| US07/038,127 US4735677A (en) | 1984-08-10 | 1987-04-02 | Method for fabricating hybrid optical integrated circuit |
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| JP23920384A JPS61117513A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | フアイバ．ガイド付光回路およびその製造方法 |
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| JPS6325644B2 JPS6325644B2 (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17041262
Family Applications (1)
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| JP23920384A Granted JPS61117513A (ja) | 1984-08-10 | 1984-11-13 | フアイバ．ガイド付光回路およびその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JPS61117513A (ja) |
Cited By (7)
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-
1984
- 1984-11-13 JP JP23920384A patent/JPS61117513A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6325644B2 (ja) | 1988-05-26 |
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