JP3100698B2 - 導波路型光デバイスの製造方法 - Google Patents
導波路型光デバイスの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は導波路型光デバイスの製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】光通信又は光伝送の分野においては、光送
信機、光受信機及び伝送路以外に、光スイッチ及び光カ
プラ等の種々の光デバイスが使用される。光デバイスの
形態の一つに、導波路型のものがある。導波路型光デバ
イスは、導波路基板上に光導波路を形成し、この光導波
路内に光ビームを閉じ込めた状態で制御するように構成
されており、構造上小型化が容易でプレーナ技術等を用
いて量産することができるという利点の他、電界や磁界
の効果的な印加が可能であるという利点を有している。
信機、光受信機及び伝送路以外に、光スイッチ及び光カ
プラ等の種々の光デバイスが使用される。光デバイスの
形態の一つに、導波路型のものがある。導波路型光デバ
イスは、導波路基板上に光導波路を形成し、この光導波
路内に光ビームを閉じ込めた状態で制御するように構成
されており、構造上小型化が容易でプレーナ技術等を用
いて量産することができるという利点の他、電界や磁界
の効果的な印加が可能であるという利点を有している。
【０００３】この種の導波路型光デバイスにおいては、
光ファイバ等の他の光学要素との光学的及び機械的な接
続が必要になることが多く、このような接続を正確に且
つ容易に行い得るようにすることが要望されている。
光ファイバ等の他の光学要素との光学的及び機械的な接
続が必要になることが多く、このような接続を正確に且
つ容易に行い得るようにすることが要望されている。
【０００４】
【従来の技術】従来、導波路型光デバイスと光ファイバ
を接続する場合には、導波路型光デバイスの入出力端に
対して光ファイバを個別に位置調整し、所定の屈折率を
有する光学マッチング接着剤等を用いて導波路型光デバ
イスの入出力端と光ファイバを固定するようにしてい
た。
を接続する場合には、導波路型光デバイスの入出力端に
対して光ファイバを個別に位置調整し、所定の屈折率を
有する光学マッチング接着剤等を用いて導波路型光デバ
イスの入出力端と光ファイバを固定するようにしてい
た。
【０００５】また、導波路型光デバイスの基板上に溝又
は突起対を形成し、光ファイバをこの溝、突起対に装着
することによって、接続時の位置調整を不要にすること
が試みられている。
は突起対を形成し、光ファイバをこの溝、突起対に装着
することによって、接続時の位置調整を不要にすること
が試みられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前者の従来技術による
場合、光ファイバの位置調整に多大の時間を要し、導波
路型光デバイスと光ファイバを接続するのに煩雑な作業
が要求されるという問題があった。
場合、光ファイバの位置調整に多大の時間を要し、導波
路型光デバイスと光ファイバを接続するのに煩雑な作業
が要求されるという問題があった。
【０００７】また、後者の従来技術による場合、溝や突
起が形成される導波路層の厚みが製造技術上の問題によ
ってばらつき、導波路型光デバイスと光ファイバの正確
な接続が困難になるという問題があった。
起が形成される導波路層の厚みが製造技術上の問題によ
ってばらつき、導波路型光デバイスと光ファイバの正確
な接続が困難になるという問題があった。
【０００８】特に、コア径が５乃至１０μｍのシングル
モードファイバと石英系光導波路を接続する場合には、
１μｍ以下の位置決め精度が必要になるのに対して、導
波路層の厚みを１μｍ以下の精度で設定するのは困難で
あるから、導波路層厚み方向の位置調整の無調整化は事
実上達成することができない。導波路型光デバイスと光
ファイバの接続を正確に行わないと、接続損失が増大す
る。
モードファイバと石英系光導波路を接続する場合には、
１μｍ以下の位置決め精度が必要になるのに対して、導
波路層の厚みを１μｍ以下の精度で設定するのは困難で
あるから、導波路層厚み方向の位置調整の無調整化は事
実上達成することができない。導波路型光デバイスと光
ファイバの接続を正確に行わないと、接続損失が増大す
る。
【０００９】尚、以上の問題は、光ファイバを導波路型
光デバイスに接続する場合のみならず、発光素子、受光
素子等の光学要素を導波路型光デバイスに接続する場合
にも生じる。
光デバイスに接続する場合のみならず、発光素子、受光
素子等の光学要素を導波路型光デバイスに接続する場合
にも生じる。
【００１０】本発明はこのような技術的課題に鑑みて創
作されたもので、導波路型光デバイスと光ファイバ等の
光学要素の接続を容易に且つ正確に行い得るようにする
ことを目的としている。
作されたもので、導波路型光デバイスと光ファイバ等の
光学要素の接続を容易に且つ正確に行い得るようにする
ことを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によると、溝部に
ファイバを嵌合させたファイバ支持具を固定するための
２つの接続面を備えた導波路型光デバイスの製造方法に
おいて、導波路基板上に第１のクラッド層及びコア層を
順に堆積させ、該コア層上の直線Ｌ上に短辺が位置する
長方形状の第１の薄膜層を形成し、該直線Ｌによって仕
切られる平面のうち、該第１の薄膜層が存在する側の平
面側に、該第１の薄膜層を間に挟んで第２の薄膜層及び
第３の薄膜層を該直線Ｌに沿って形成し、該第１の薄膜
層、第２の薄膜層及び第３の薄膜層をマスクとして用い
て前記コア層の一部をエッチング除去して前記第１の薄
膜層の下に略直方体状の導波路を形成し、更に第２のク
ラッド層を堆積させてから、エッチング処理により該第
２のクラッド層の一部を除去して、前記第２及び第３の
薄膜層を露出させて前記２つの接続面を形成する、工程
を含むことを特徴とする導波路型光デバイスの製造方法
が提供される。本発明の導波路光デバイスは、比較的低
屈折率なアンダークラッドと、該アンダークラッド上に
形成された比較的高屈折率なコアと、該コアの外表面を
覆うように上記アンダークラッド上に形成された比較的
低屈折率なアウタークラッドと、上記コアの下面を含む
表面の又は該表面と平行で且つ該平面から予め定められ
た距離を隔てた平面の上記コア近傍の領域に形成された
薄膜層とを備え、該薄膜層の上面を基準面として露出さ
せて構成される。
ファイバを嵌合させたファイバ支持具を固定するための
２つの接続面を備えた導波路型光デバイスの製造方法に
おいて、導波路基板上に第１のクラッド層及びコア層を
順に堆積させ、該コア層上の直線Ｌ上に短辺が位置する
長方形状の第１の薄膜層を形成し、該直線Ｌによって仕
切られる平面のうち、該第１の薄膜層が存在する側の平
面側に、該第１の薄膜層を間に挟んで第２の薄膜層及び
第３の薄膜層を該直線Ｌに沿って形成し、該第１の薄膜
層、第２の薄膜層及び第３の薄膜層をマスクとして用い
て前記コア層の一部をエッチング除去して前記第１の薄
膜層の下に略直方体状の導波路を形成し、更に第２のク
ラッド層を堆積させてから、エッチング処理により該第
２のクラッド層の一部を除去して、前記第２及び第３の
薄膜層を露出させて前記２つの接続面を形成する、工程
を含むことを特徴とする導波路型光デバイスの製造方法
が提供される。本発明の導波路光デバイスは、比較的低
屈折率なアンダークラッドと、該アンダークラッド上に
形成された比較的高屈折率なコアと、該コアの外表面を
覆うように上記アンダークラッド上に形成された比較的
低屈折率なアウタークラッドと、上記コアの下面を含む
表面の又は該表面と平行で且つ該平面から予め定められ
た距離を隔てた平面の上記コア近傍の領域に形成された
薄膜層とを備え、該薄膜層の上面を基準面として露出さ
せて構成される。
【００１２】本発明の導波路型光デバイスの製造方法
は、薄膜層がコアの上面を含む平面上に形成されている
本発明の導波路型光デバイスに適用される。そして、こ
の方法は、比較的低屈折率なアンダークラッド上に比較
的高屈折率なコア層を一様に形成するステップと、該コ
ア層のコア形成領域及び該領域の近傍の領域にそれぞれ
上記コア層のエッチングレートより十分小さいエッチン
グレートの材質からなるコア形成用の薄膜層及び基準面
用の薄膜層を形成するステップと、これらの薄膜層をマ
スクとして上記コア層をエッチングするステップと、該
エッチングにより得られたコア上の薄膜層を除去するス
テップと、上記コアの外表面を覆うように上記薄膜層の
エッチングレートより十分大きいエッチングレートの材
質からなる比較的低屈折率なアウタークラッドを形成す
るステップと、該アウタークラッドを部分的にエッチン
グして上記薄膜層の少なくとも一部を基準面として露出
させるステップとを含む。
は、薄膜層がコアの上面を含む平面上に形成されている
本発明の導波路型光デバイスに適用される。そして、こ
の方法は、比較的低屈折率なアンダークラッド上に比較
的高屈折率なコア層を一様に形成するステップと、該コ
ア層のコア形成領域及び該領域の近傍の領域にそれぞれ
上記コア層のエッチングレートより十分小さいエッチン
グレートの材質からなるコア形成用の薄膜層及び基準面
用の薄膜層を形成するステップと、これらの薄膜層をマ
スクとして上記コア層をエッチングするステップと、該
エッチングにより得られたコア上の薄膜層を除去するス
テップと、上記コアの外表面を覆うように上記薄膜層の
エッチングレートより十分大きいエッチングレートの材
質からなる比較的低屈折率なアウタークラッドを形成す
るステップと、該アウタークラッドを部分的にエッチン
グして上記薄膜層の少なくとも一部を基準面として露出
させるステップとを含む。
【００１３】本発明の接続方法は、本発明に係る導波路
型光デバイスと他の光学要素の接続に適用されるそし
て、この方法は、上記他の光学要素を支持するガイド部
材の基準面を上記導波路型光デバイスの基準面に密着さ
せたときに上記他の光学要素の光軸と上記導波路型光デ
バイスの光軸とが該光デバイスの厚み方向の同一位置に
位置するように上記ガイド部材の形状を定めておき、上
記両基準面を密着させた状態で上記導波路型光デバイス
と上記他の光学要素を相互固定するようにしたものであ
る。
型光デバイスと他の光学要素の接続に適用されるそし
て、この方法は、上記他の光学要素を支持するガイド部
材の基準面を上記導波路型光デバイスの基準面に密着さ
せたときに上記他の光学要素の光軸と上記導波路型光デ
バイスの光軸とが該光デバイスの厚み方向の同一位置に
位置するように上記ガイド部材の形状を定めておき、上
記両基準面を密着させた状態で上記導波路型光デバイス
と上記他の光学要素を相互固定するようにしたものであ
る。
【００１４】
【作用】本発明の導波路型光デバイスにあっては、コア
に対して所定の位置に薄膜層を形成し、この薄膜層の上
面を基準面として露出させているので、この導波路型光
デバイスを光ファイバ等の光学要素と接続するに際し
て、上記基準面を用いて正確に且つ容易に接続を行い得
るようになる。
に対して所定の位置に薄膜層を形成し、この薄膜層の上
面を基準面として露出させているので、この導波路型光
デバイスを光ファイバ等の光学要素と接続するに際し
て、上記基準面を用いて正確に且つ容易に接続を行い得
るようになる。
【００１５】薄膜層をコアの上面を含む平面上に形成す
る場合には、本発明方法のように基準面用の薄膜層を、
コアをエッチングにより形成するためのマスク用の薄膜
層と同一工程で容易に作成することができるので、基準
面用の薄膜層を形成することが製造作業性を阻害するこ
とがない。
る場合には、本発明方法のように基準面用の薄膜層を、
コアをエッチングにより形成するためのマスク用の薄膜
層と同一工程で容易に作成することができるので、基準
面用の薄膜層を形成することが製造作業性を阻害するこ
とがない。
【００１６】
【実施例】以下本発明の望ましい実施例を図面に基づい
て説明する。図１は本発明方法の実施に使用することが
できるガラススート堆積装置の構成図である。２は原料
ガス並びに燃焼用のＯ2 及びＨ2 が供給されるバーナで
あり、このバーナ２は、Ｘ軸駆動装置４によって図中の
左右方向に等速度（例えば１００mm／秒）で往復走査さ
れる。
て説明する。図１は本発明方法の実施に使用することが
できるガラススート堆積装置の構成図である。２は原料
ガス並びに燃焼用のＯ2 及びＨ2 が供給されるバーナで
あり、このバーナ２は、Ｘ軸駆動装置４によって図中の
左右方向に等速度（例えば１００mm／秒）で往復走査さ
れる。
【００１７】６はその上に基板８が載置されるステージ
であり、このステージ６は、Ｙ軸駆動装置１０によって
紙面の表面側から裏面側に向かう方向或いはこれとは逆
の方向に等速度（例えば１mm／秒）で往復動作する。基
板８はその上に光導波路を形成するためのものであり、
半導体製造用に通常使用されるシリコンウエハを使用可
能である。
であり、このステージ６は、Ｙ軸駆動装置１０によって
紙面の表面側から裏面側に向かう方向或いはこれとは逆
の方向に等速度（例えば１mm／秒）で往復動作する。基
板８はその上に光導波路を形成するためのものであり、
半導体製造用に通常使用されるシリコンウエハを使用可
能である。
【００１８】１２は燃焼制御装置であり、Ｏ2 及びＨ2
を所定の混合比で混合して所定の流量でバーナ２に供給
する。１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃはそれぞれ燃料ガス供給
装置であり、ガスフローメータ１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ
からそれぞれ送り込まれるＯ2 等のキャリアガスの流量
に応じた原料ガスを送り出す。この例では、原料ガス供
給装置１４Ａ，１４Ｂ，１４ＣにはそれぞれＳｉＣ
ｌ4 ，ＰＯＣｌ3 等の原料ガスが液相で充填されてい
る。気相の原料ガスを用いて、その流量を直接ガスフロ
ーメータで調整するようにしてもよい。１８は混合され
た原料ガスの総流量を制御するためのガスフローメータ
である。
を所定の混合比で混合して所定の流量でバーナ２に供給
する。１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃはそれぞれ燃料ガス供給
装置であり、ガスフローメータ１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ
からそれぞれ送り込まれるＯ2 等のキャリアガスの流量
に応じた原料ガスを送り出す。この例では、原料ガス供
給装置１４Ａ，１４Ｂ，１４ＣにはそれぞれＳｉＣ
ｌ4 ，ＰＯＣｌ3 等の原料ガスが液相で充填されてい
る。気相の原料ガスを用いて、その流量を直接ガスフロ
ーメータで調整するようにしてもよい。１８は混合され
た原料ガスの総流量を制御するためのガスフローメータ
である。
【００１９】バーナ２から吹き出された原料ガスは、燃
焼に伴う火炎加水分解によりＳｉＯ 2 等の酸化物とな
り、この酸化物は白色粉末状の酸化物ガラススート２０
として基板８上に堆積される。
焼に伴う火炎加水分解によりＳｉＯ 2 等の酸化物とな
り、この酸化物は白色粉末状の酸化物ガラススート２０
として基板８上に堆積される。
【００２０】バーナ２の操作及びステージ６の移動によ
って、基板８上には均一の厚みでガラススート２０が堆
積される。基板８上に堆積したガラススートは、電気炉
内等において加熱することによってガラス化され、光導
波路用の透明な膜とすることができる。尚、本願明細書
中「火炎堆積法」というのは、火炎加水分解により基板
上に堆積した酸化物ガラススートを加熱してガラス化さ
せる方法のことである。
って、基板８上には均一の厚みでガラススート２０が堆
積される。基板８上に堆積したガラススートは、電気炉
内等において加熱することによってガラス化され、光導
波路用の透明な膜とすることができる。尚、本願明細書
中「火炎堆積法」というのは、火炎加水分解により基板
上に堆積した酸化物ガラススートを加熱してガラス化さ
せる方法のことである。
【００２１】図２は本発明の実施例を示す導波路型光デ
バイスの製造方法のプロセス説明図である。まず、図２
（Ａ）に示すように、Ｓｉからなる導波路基板８上に、
図１の装置を用いた火炎堆積法を適用して、主としてＳ
ｉＯ2 からなる低屈折率なアンダークラッド２２と、同
じく主としてＳｉＯ2 からなる高屈折率なコア層２４を
この順に積層する。アンダークラッド２２とコア層２４
の比屈折率差は例えば１％である。アンダークラッド２
２及びコア層２４の厚みはそれぞれ例えば約２０μｍ、
約６μｍである。
バイスの製造方法のプロセス説明図である。まず、図２
（Ａ）に示すように、Ｓｉからなる導波路基板８上に、
図１の装置を用いた火炎堆積法を適用して、主としてＳ
ｉＯ2 からなる低屈折率なアンダークラッド２２と、同
じく主としてＳｉＯ2 からなる高屈折率なコア層２４を
この順に積層する。アンダークラッド２２とコア層２４
の比屈折率差は例えば１％である。アンダークラッド２
２及びコア層２４の厚みはそれぞれ例えば約２０μｍ、
約６μｍである。
【００２２】次いで、図２（Ｂ）に示すように、コア層
２４上にコア形成用の薄膜層２６と基準面（接続面）用
の薄膜層２８とを形成する。薄膜層２６，２８の材質は
Ｓｉであり、その厚みは０．５μｍ程度で十分である。
２４上にコア形成用の薄膜層２６と基準面（接続面）用
の薄膜層２８とを形成する。薄膜層２６，２８の材質は
Ｓｉであり、その厚みは０．５μｍ程度で十分である。
【００２３】このときの導波路基板の平面図を図３に示
す。この実施例では、コア用の薄膜層２６は導波路基板
８の端部まで延びており、基準面用の薄膜層２８はコア
用の薄膜層２６の端部の両側に長方形状に２つ形成す
る。薄膜層２６，２８の平面上における寸法精度は、通
常のパターニング技術によって十分高めることができ
る。
す。この実施例では、コア用の薄膜層２６は導波路基板
８の端部まで延びており、基準面用の薄膜層２８はコア
用の薄膜層２６の端部の両側に長方形状に２つ形成す
る。薄膜層２６，２８の平面上における寸法精度は、通
常のパターニング技術によって十分高めることができ
る。
【００２４】その後、図２（Ｃ）に示すように、薄膜層
２６，２８をマスクとしてコア層２４をエッチングす
る。主成分がＳｉＯ2 からなるコア層２４のエッチング
レートは、Ｓｉからなる薄膜層２６，２８のエッチング
レートよりも十分大きいから、このエッチングによっ
て、コア層２４の不要部分は除去されて、薄膜層２６の
下にはコア２４Ａが残り、薄膜層２８の下にも同じよう
にコア層の一部２４Ｂが残る。
２６，２８をマスクとしてコア層２４をエッチングす
る。主成分がＳｉＯ2 からなるコア層２４のエッチング
レートは、Ｓｉからなる薄膜層２６，２８のエッチング
レートよりも十分大きいから、このエッチングによっ
て、コア層２４の不要部分は除去されて、薄膜層２６の
下にはコア２４Ａが残り、薄膜層２８の下にも同じよう
にコア層の一部２４Ｂが残る。
【００２５】そして、コア２４Ａ上の薄膜層２６を除去
した後、図２（Ｄ）に示すように、コア２４Ａの外周面
を覆うようにアンダークラッド２２上に火炎堆積法によ
り主としてＳｉＯ2 からなる低屈折率なアウタークラッ
ド３０を形成する。アウタークラッド３０の屈折率がア
ンダークラッド２２の屈折率と同等になるようにアウタ
ークラッド３０の成分が調整されている。アウタークラ
ッド３０の厚みは約２０μｍである。
した後、図２（Ｄ）に示すように、コア２４Ａの外周面
を覆うようにアンダークラッド２２上に火炎堆積法によ
り主としてＳｉＯ2 からなる低屈折率なアウタークラッ
ド３０を形成する。アウタークラッド３０の屈折率がア
ンダークラッド２２の屈折率と同等になるようにアウタ
ークラッド３０の成分が調整されている。アウタークラ
ッド３０の厚みは約２０μｍである。
【００２６】最後に、図２（Ｅ）に示すように、適当な
マスクを用いてアウタークラッド３０を部分的にエッチ
ング除去して、薄膜層２８の上面を基準面２８Ａとして
露出させる。このときの導波路基板の平面図を図４に示
す。このエッチングにより、コア２４Ａの両側には対称
に溝３２が形成される。
マスクを用いてアウタークラッド３０を部分的にエッチ
ング除去して、薄膜層２８の上面を基準面２８Ａとして
露出させる。このときの導波路基板の平面図を図４に示
す。このエッチングにより、コア２４Ａの両側には対称
に溝３２が形成される。
【００２７】このようにして形成された溝３２の平面方
向の位置の確定精度は、通常のパターニング技術により
サブミクロンオーダで得ることができ、また、溝３２の
底面となる基準面２８Ａの導波路層厚み方向の位置につ
いては、コア２４Ａの上面にほぼ一致する。
向の位置の確定精度は、通常のパターニング技術により
サブミクロンオーダで得ることができ、また、溝３２の
底面となる基準面２８Ａの導波路層厚み方向の位置につ
いては、コア２４Ａの上面にほぼ一致する。
【００２８】基準面２８Ａとコア２４Ａの上面の導波路
層厚み方向の位置のずれは、薄膜層２８の厚みに相当
し、薄膜層２８の厚みのばらつきは０．１μｍ以下であ
るから、基準面２８Ａとコア２４Ａの相対的な位置関係
については、容易に予め設定された位置関係に設定する
ことができる。
層厚み方向の位置のずれは、薄膜層２８の厚みに相当
し、薄膜層２８の厚みのばらつきは０．１μｍ以下であ
るから、基準面２８Ａとコア２４Ａの相対的な位置関係
については、容易に予め設定された位置関係に設定する
ことができる。
【００２９】このようにして製造された導波路型光デバ
イスと光ファイバの接続方法を説明する。この場合の接
続構造の分解斜視図を図５に示し、接続構造の側面図を
図６に示す。
イスと光ファイバの接続方法を説明する。この場合の接
続構造の分解斜視図を図５に示し、接続構造の側面図を
図６に示す。
【００３０】３８は光ファイバ３４を支持するファイバ
支持具としてのガイド部材であり、このガイド部材３８
は、光ファイバ３４が嵌合する溝３６が形成された直方
体ブロックからなる。このガイド部材３８においては、
光ファイバ３４が装着される側の面が基準面４０とな
る。光ファイバ３４は溝３６の概略中央まで密着挿入さ
れており、ガイド部材３８と光ファイバ３４の相互固定
は接着剤によりなされている。
支持具としてのガイド部材であり、このガイド部材３８
は、光ファイバ３４が嵌合する溝３６が形成された直方
体ブロックからなる。このガイド部材３８においては、
光ファイバ３４が装着される側の面が基準面４０とな
る。光ファイバ３４は溝３６の概略中央まで密着挿入さ
れており、ガイド部材３８と光ファイバ３４の相互固定
は接着剤によりなされている。
【００３１】光ファイバ３４と導波路型光デバイスを接
続する場合には、光ファイバ３４のコア４２と導波路型
光デバイスのコア２４Ａが同軸上に位置することが高い
光結合効率を得る上で要求される。
続する場合には、光ファイバ３４のコア４２と導波路型
光デバイスのコア２４Ａが同軸上に位置することが高い
光結合効率を得る上で要求される。
【００３２】この実施例では、ガイド部材の基準面４０
が導波路型光デバイスの基準面２８Ａに密着した状態
で、ガイド部材３８の凸部が溝３２に丁度嵌め合わされ
たときに、コア２４Ａとコア４２が同軸上に位置するよ
うに、溝３２及びガイド部材３８の形状が設定されてい
る。
が導波路型光デバイスの基準面２８Ａに密着した状態
で、ガイド部材３８の凸部が溝３２に丁度嵌め合わされ
たときに、コア２４Ａとコア４２が同軸上に位置するよ
うに、溝３２及びガイド部材３８の形状が設定されてい
る。
【００３３】これにより、光ファイバ３４及びそのガイ
ド部材３８を導波路型光デバイスの端部に装着するとと
もに、光ファイバ３４の端面がコア２４Ａの端面に密着
するように両者に押圧力を加えた状態で例えば接着剤に
より相互固定することによって、機械的及び光学的な接
続を容易に行うことができる。
ド部材３８を導波路型光デバイスの端部に装着するとと
もに、光ファイバ３４の端面がコア２４Ａの端面に密着
するように両者に押圧力を加えた状態で例えば接着剤に
より相互固定することによって、機械的及び光学的な接
続を容易に行うことができる。
【００３４】本実施例によると、従来方法において導波
路基板８上或いはアウタークラッド３０の外表面上に基
準面を設定した場合にコア層或いはクラッド層の厚みの
製造誤差に起因する導波路層厚み方向の位置ずれが著し
く大きかったのと比較して、無調整でしかも正確な光フ
ァイバの位置決めが可能になる。
路基板８上或いはアウタークラッド３０の外表面上に基
準面を設定した場合にコア層或いはクラッド層の厚みの
製造誤差に起因する導波路層厚み方向の位置ずれが著し
く大きかったのと比較して、無調整でしかも正確な光フ
ァイバの位置決めが可能になる。
【００３５】これまでの実施例では、基準面用の薄膜層
２８をコア２４Ａの上面を含む平面上に形成したが、コ
アの下面を含む平面上に基準面用の薄膜層を形成しても
よい。こうする場合には、図２（Ａ）のプロセスにおい
て、アンダークラッド２２及びコア層２４のガラススー
トを同一工程で堆積させるのではなく、まず、導波路基
板上にアンダークラッド用のガラススートを堆積してこ
れをガラス化してアンダークラッドを形成した後、この
アンダークラッド上に基準面用の薄膜層を形成してか
ら、コア層を形成するようにする。
２８をコア２４Ａの上面を含む平面上に形成したが、コ
アの下面を含む平面上に基準面用の薄膜層を形成しても
よい。こうする場合には、図２（Ａ）のプロセスにおい
て、アンダークラッド２２及びコア層２４のガラススー
トを同一工程で堆積させるのではなく、まず、導波路基
板上にアンダークラッド用のガラススートを堆積してこ
れをガラス化してアンダークラッドを形成した後、この
アンダークラッド上に基準面用の薄膜層を形成してか
ら、コア層を形成するようにする。
【００３６】また、以上説明した実施例では、導波路型
光デバイスに接続すべき光学要素が光ファイバであると
したが、レーザダイオード、発光ダイオード等の発光素
子、ＡＰＤ等の受光素子、能動・受動型光デバイスを導
波路型光デバイスに接続するに際しても本発明を適用可
能である。
光デバイスに接続すべき光学要素が光ファイバであると
したが、レーザダイオード、発光ダイオード等の発光素
子、ＡＰＤ等の受光素子、能動・受動型光デバイスを導
波路型光デバイスに接続するに際しても本発明を適用可
能である。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
導波路型光デバイスと他の光学要素を容易にしかも正確
に接続し得るようになるという効果を奏する。
導波路型光デバイスと他の光学要素を容易にしかも正確
に接続し得るようになるという効果を奏する。
【図１】本発明の導波路型光デバイスの製造方法に適用
することができるガラススート堆積装置の構成図であ
る。
することができるガラススート堆積装置の構成図であ
る。
【図２】本発明の望ましい実施例を示す導波路型光デバ
イスの製造プロセスの説明図である。
イスの製造プロセスの説明図である。
【図３】本発明の望ましい実施例における薄膜層の平面
図である。
図である。
【図４】本発明の望ましい実施例における基準面の平面
図である。
図である。
【図５】図２の製造プロセスにより製造された導波路型
光デバイスと光ファイバの接続構造の分解斜視図であ
る。
光デバイスと光ファイバの接続構造の分解斜視図であ
る。
【図６】図５の接続構造の側面図である。
８ 導波路基板 ２２ アンダークラッド ２４ コア層 ２４Ａ コア ２６，２８ 薄膜層 ２８Ａ 基準面 ３０ アウタークラッド ３４ 光ファイバ ３８ ガイド部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−211406（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−228616（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−13909（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−48205（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−157805（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 6/12 - 6/14 G02B 6/30
Claims (1)
- 【請求項１】 溝部にファイバを嵌合させたファイバ支
持具を固定するための２つの接続面を備えた導波路型光
デバイスの製造方法において、 導波路基板上に第１のクラッド層及びコア層を順に堆積
させ、 該コア層上の直線Ｌ上に短辺が位置する長方形状の第１
の薄膜層を形成し、該直線Ｌによって仕切られる平面の
うち、該第１の薄膜層が存在する側の平面側に、該第１
の薄膜層を間に挟んで第２の薄膜層及び第３の薄膜層を
該直線Ｌに沿って形成し、 該第１の薄膜層、第２の薄膜層及び第３の薄膜層をマス
クとして用いて前記コア層の一部をエッチング除去して
前記第１の薄膜層の下に略直方体状の導波路を形成し、 更に第２のクラッド層を堆積させてから、エッチング処
理により該第２のクラッド層の一部を除去して、前記第
２及び第３の薄膜層を露出させて前記２つの接続面を形
成する、 工程を含むことを特徴とする導波路型光デバイスの製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26363491A JP3100698B2 (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 導波路型光デバイスの製造方法 |
| US07/958,975 US5299276A (en) | 1991-10-11 | 1992-10-09 | Waveguide type optical device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26363491A JP3100698B2 (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 導波路型光デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05100122A JPH05100122A (ja) | 1993-04-23 |
| JP3100698B2 true JP3100698B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=17392226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26363491A Expired - Fee Related JP3100698B2 (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 導波路型光デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3100698B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2823044B2 (ja) * | 1996-05-14 | 1998-11-11 | 日本電気株式会社 | 光結合回路及びその製造方法 |
| JP3927363B2 (ja) * | 2000-11-01 | 2007-06-06 | 株式会社日立製作所 | 光接続装置 |
| WO2015098854A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 株式会社フジクラ | 光学装置の製造方法 |
| WO2017208285A1 (ja) * | 2016-06-03 | 2017-12-07 | 京セラ株式会社 | 光コネクタ |
| JP2018054863A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 京セラ株式会社 | 光回路基板と接続端子との接続方法 |
| CN114127601A (zh) * | 2019-07-25 | 2022-03-01 | 京瓷株式会社 | 光电路基板以及使用了该光电路基板的电子部件安装构造体 |
-
1991
- 1991-10-11 JP JP26363491A patent/JP3100698B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05100122A (ja) | 1993-04-23 |
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