JP2002228867A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
- Publication number
- JP2002228867A JP2002228867A JP2001024952A JP2001024952A JP2002228867A JP 2002228867 A JP2002228867 A JP 2002228867A JP 2001024952 A JP2001024952 A JP 2001024952A JP 2001024952 A JP2001024952 A JP 2001024952A JP 2002228867 A JP2002228867 A JP 2002228867A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- buried layer
- optical waveguide
- core
- layer
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】コア間隔の大小とは無関係に埋設層を形成し
て、挿入損失を低減することができる光導波路の製造方
法を提供する。 【解決手段】下部クラッド層１０１の上にコア層１１０
を形成し、レジスト１１１をフォトマスクとしてエッチ
ングを行い、コア１０３と埋設層となる部分１１５とを
同じ厚みとなるように形成する。その後、埋設層となる
部分１１５に対してレーザ光を照射し、垂直方向に厚み
傾斜を有する埋設層１２０を形成する。最後に、上部ク
ラッド層１０４を形成する。
て、挿入損失を低減することができる光導波路の製造方
法を提供する。 【解決手段】下部クラッド層１０１の上にコア層１１０
を形成し、レジスト１１１をフォトマスクとしてエッチ
ングを行い、コア１０３と埋設層となる部分１１５とを
同じ厚みとなるように形成する。その後、埋設層となる
部分１１５に対してレーザ光を照射し、垂直方向に厚み
傾斜を有する埋設層１２０を形成する。最後に、上部ク
ラッド層１０４を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信において使
用される光受動部品の光導波路製造方法に関し、特に、
Ｙ分岐型光分波器やアレイ導波路型光合分波器（以下
「ＡＷＧ」と略記する）等において、挿入損失の低減を
目的として光導波路を製造する方法に関する。
用される光受動部品の光導波路製造方法に関し、特に、
Ｙ分岐型光分波器やアレイ導波路型光合分波器（以下
「ＡＷＧ」と略記する）等において、挿入損失の低減を
目的として光導波路を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】挿入損失の低減が可能となるように、Ｙ
分岐型光分波器やＡＷＧ等の光導波路部品を製造した例
として、光導波路部品の光導波路コア間に埋設層を備え
たものが特開2000−147283号公報において開示されてい
る。この埋設層は、例えば図５に示したＹ分岐型光分波
器において、Ｙ分岐部１０６に設けられているものであ
る。このＹ分岐型光分波器では、下部クラッド層上に形
成された入力導波路１０２の入力端から信号光が入力さ
れ、この入力された信号光はコア１０３により導波さ
れ、出力導波路１０５の出力端より出力される。
分岐型光分波器やＡＷＧ等の光導波路部品を製造した例
として、光導波路部品の光導波路コア間に埋設層を備え
たものが特開2000−147283号公報において開示されてい
る。この埋設層は、例えば図５に示したＹ分岐型光分波
器において、Ｙ分岐部１０６に設けられているものであ
る。このＹ分岐型光分波器では、下部クラッド層上に形
成された入力導波路１０２の入力端から信号光が入力さ
れ、この入力された信号光はコア１０３により導波さ
れ、出力導波路１０５の出力端より出力される。
【０００３】図６は、図５に示すＹ分岐型光分波器にお
いて、光を分波するＹ分岐部１０６の拡大図であり、埋
設層１２０は分岐して隣接するコア１０３の間に密接し
て形成されている。図７は、図６のＡ―Ａ´断面を示
し、図８は図６のＢ―Ｂ´断面を示している。図７及び
図８からわかるように、埋設層１２０は、下部クラッド
層１０１と上部クラッド層１０４とに挟まれて形成さ
れ、埋設層１２０の厚みは、Ｙ分岐点から離れるに従っ
て薄くなるように形成されている。この埋設層１２０が
設けられた光導波路部品は、Ｙ分岐部１０６において電
磁界分布が徐々に変化するため、この接続部分における
損失を低下させることができる。
いて、光を分波するＹ分岐部１０６の拡大図であり、埋
設層１２０は分岐して隣接するコア１０３の間に密接し
て形成されている。図７は、図６のＡ―Ａ´断面を示
し、図８は図６のＢ―Ｂ´断面を示している。図７及び
図８からわかるように、埋設層１２０は、下部クラッド
層１０１と上部クラッド層１０４とに挟まれて形成さ
れ、埋設層１２０の厚みは、Ｙ分岐点から離れるに従っ
て薄くなるように形成されている。この埋設層１２０が
設けられた光導波路部品は、Ｙ分岐部１０６において電
磁界分布が徐々に変化するため、この接続部分における
損失を低下させることができる。
【０００４】このような埋設層１２０は、公知のフォト
リソグラフィ技術とリアクティブイオンエッチング技術
とを利用して製造されるが、特開2000−147283号公報に
おいては、埋設層１２０の厚みの制御は、光導波路中で
隣接するコア１０３の間隔との相関関係を利用して行わ
れている。この方法では、Ｙ分岐部１０６を形成するた
めに、図９に示すように、Ｙ分岐部のコアの形状にあわ
せて、コアとなる部分だけを覆うフォトマスクが使用さ
れる。このフォトマスクを用いてエッチングを行うにあ
たり、レジストパターンの露光条件及びエッチングに用
いるガスの種類、ガスの混合比、エッチング時のガス
圧、エッチング時のプラズマ発生のための高周波電力の
組み合わせによって、エッチング条件を制御する。この
ようなエッチング条件でエッチングを行うと、隣接する
コア１０３間に存在する、マスクされていないガラス層
の残膜率を、隣接するコア１０３の間隔に応じて、０か
ら１の間で制御することができ、隣接するコア１０３の
間隔が狭いほど、コア１０３に挟まれたガラス層の残存
率を高くすることができる。従って、隣接するコア１０
３の間隔が狭いほど、ガラス層が除去されずに残り、こ
の残存したガラス層が埋設層となるため、埋設層の残膜
率が高くなり、Ｙ分岐点に近いほど埋設層は厚く、Ｙ分
岐点から離れるほど埋設層は薄くなるように形成され
る。
リソグラフィ技術とリアクティブイオンエッチング技術
とを利用して製造されるが、特開2000−147283号公報に
おいては、埋設層１２０の厚みの制御は、光導波路中で
隣接するコア１０３の間隔との相関関係を利用して行わ
れている。この方法では、Ｙ分岐部１０６を形成するた
めに、図９に示すように、Ｙ分岐部のコアの形状にあわ
せて、コアとなる部分だけを覆うフォトマスクが使用さ
れる。このフォトマスクを用いてエッチングを行うにあ
たり、レジストパターンの露光条件及びエッチングに用
いるガスの種類、ガスの混合比、エッチング時のガス
圧、エッチング時のプラズマ発生のための高周波電力の
組み合わせによって、エッチング条件を制御する。この
ようなエッチング条件でエッチングを行うと、隣接する
コア１０３間に存在する、マスクされていないガラス層
の残膜率を、隣接するコア１０３の間隔に応じて、０か
ら１の間で制御することができ、隣接するコア１０３の
間隔が狭いほど、コア１０３に挟まれたガラス層の残存
率を高くすることができる。従って、隣接するコア１０
３の間隔が狭いほど、ガラス層が除去されずに残り、こ
の残存したガラス層が埋設層となるため、埋設層の残膜
率が高くなり、Ｙ分岐点に近いほど埋設層は厚く、Ｙ分
岐点から離れるほど埋設層は薄くなるように形成され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、埋設層の厚み
の制御をこのようにして行うと、光導波回路の設計上の
理由により、同一基板上にコア間隔が狭い部分を設けよ
うとする場合、その部分に望ましくない埋設層が残存し
てしまう。例えば、光導波回路にＸ字型の交差導波路を
配置したい場合に、この交差部はコア間隔が狭くなるた
め、望ましくない埋設層が残存し、これがクロストーク
劣化の一因となってしまうという問題点があった。ま
た、埋設層の形状は、コア間隔と、フォトリソグラフィ
及びリアクティブイオンエッチングのプロセス条件との
関係によって一意的に決定されるため、埋設層の形状を
精密に制御することは困難であった。本発明は、このよ
うな事情を考慮してなされたもので、コア間隔の大小と
は無関係に埋設層を形成して、挿入損失を低減すること
ができる光導波路の製造方法を提供することを目的とす
る。
の制御をこのようにして行うと、光導波回路の設計上の
理由により、同一基板上にコア間隔が狭い部分を設けよ
うとする場合、その部分に望ましくない埋設層が残存し
てしまう。例えば、光導波回路にＸ字型の交差導波路を
配置したい場合に、この交差部はコア間隔が狭くなるた
め、望ましくない埋設層が残存し、これがクロストーク
劣化の一因となってしまうという問題点があった。ま
た、埋設層の形状は、コア間隔と、フォトリソグラフィ
及びリアクティブイオンエッチングのプロセス条件との
関係によって一意的に決定されるため、埋設層の形状を
精密に制御することは困難であった。本発明は、このよ
うな事情を考慮してなされたもので、コア間隔の大小と
は無関係に埋設層を形成して、挿入損失を低減すること
ができる光導波路の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、請求項１記載の発明は、１の主光導波路から２以
上の副光導波路が分岐し、これら副光導波路間に埋設層
が設けられた光導波路の製造方法において、埋設層の製
造工程は、埋設層の厚みがコアの厚みと等しく又はコア
の厚み以上となるように埋設層を形成した後、埋設層を
光照射により厚み傾斜を有する形状に形成する工程から
なることを特徴とする光導波路の製造方法である。請求
項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、光照
射は、エキシマレーザの照射、又は、ピコ秒パルスレー
ザ、又はフェムト秒パルスレーザの集光照射であること
を特徴とする。
めに、請求項１記載の発明は、１の主光導波路から２以
上の副光導波路が分岐し、これら副光導波路間に埋設層
が設けられた光導波路の製造方法において、埋設層の製
造工程は、埋設層の厚みがコアの厚みと等しく又はコア
の厚み以上となるように埋設層を形成した後、埋設層を
光照射により厚み傾斜を有する形状に形成する工程から
なることを特徴とする光導波路の製造方法である。請求
項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、光照
射は、エキシマレーザの照射、又は、ピコ秒パルスレー
ザ、又はフェムト秒パルスレーザの集光照射であること
を特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
ここでは、本発明の光導波路の製造方法の例として、Ｙ
分岐型光分波器の光導波路の製造方法について説明す
る。図1は、本発明の光導波路の製造方法の例を示すプ
ロセス図であり、図７に示した図６のＹ分岐部のＡ―Ａ
´断面の形状が形成されていくプロセスを示したもので
ある。
ここでは、本発明の光導波路の製造方法の例として、Ｙ
分岐型光分波器の光導波路の製造方法について説明す
る。図1は、本発明の光導波路の製造方法の例を示すプ
ロセス図であり、図７に示した図６のＹ分岐部のＡ―Ａ
´断面の形状が形成されていくプロセスを示したもので
ある。
【０００８】まず、図1（ａ）に示すように、ＳｉＯ2等
のターゲットを用いたスパッタリング法やシラン等を用
いたＣＶＤ法等により、下部クラッド層１０１を堆積し
て形成した後、同様の堆積法により、コア及び埋設層を
形成するためのコア層１１０を形成する。その後、コア
層１１０上に、レジスト１１１を塗布する。次に、図1
（ｂ）に示すように、コア１０３と埋設層となる部分１
１５との両方をマスクするパターンのフォトマスク１１
２を用意し、フォトリソグラフィ工程を行う。図１
（ｃ）は、このフォトリソグラフィ工程を行った結果、
コア１０３と埋設層となる部分１１５の上にのみレジス
ト１１１が残存している状態を示している。ここで、例
えばリアクティブイオンエッチングを行い、コア１０３
及び埋設層となる部分１１５を形成する。このリアクテ
ィブイオンエッチングの工程においては、特開2000−14
7283号公報において開示されているような、コア間隔の
狭い部分に埋設層が残存するプロセス条件でエッチング
するのではなく、レジストの無い部分のガラス層は全て
除去することを目的としてエッチングを行う。従って、
このレジスト１１１を除去すると、図１（ｄ）に示すよ
うに、コア１０３と埋設層となる部分１１５とが同じ高
さで残存し、レジストの無い部分のガラス層は全て除去
されている。
のターゲットを用いたスパッタリング法やシラン等を用
いたＣＶＤ法等により、下部クラッド層１０１を堆積し
て形成した後、同様の堆積法により、コア及び埋設層を
形成するためのコア層１１０を形成する。その後、コア
層１１０上に、レジスト１１１を塗布する。次に、図1
（ｂ）に示すように、コア１０３と埋設層となる部分１
１５との両方をマスクするパターンのフォトマスク１１
２を用意し、フォトリソグラフィ工程を行う。図１
（ｃ）は、このフォトリソグラフィ工程を行った結果、
コア１０３と埋設層となる部分１１５の上にのみレジス
ト１１１が残存している状態を示している。ここで、例
えばリアクティブイオンエッチングを行い、コア１０３
及び埋設層となる部分１１５を形成する。このリアクテ
ィブイオンエッチングの工程においては、特開2000−14
7283号公報において開示されているような、コア間隔の
狭い部分に埋設層が残存するプロセス条件でエッチング
するのではなく、レジストの無い部分のガラス層は全て
除去することを目的としてエッチングを行う。従って、
このレジスト１１１を除去すると、図１（ｄ）に示すよ
うに、コア１０３と埋設層となる部分１１５とが同じ高
さで残存し、レジストの無い部分のガラス層は全て除去
されている。
【０００９】次に、図1（ｅ）に示すように、この埋設
層となる部分１１５に対して、アブレーション加工可能
なレーザ光を照射することにより、埋設層となる部分１
１５のみを追加工して、図１（ｆ）のような、垂直方向
に厚み傾斜を有する埋設層１２０を形成する。最後に、
図１（ｇ）のように、コア１０３及び埋設層１２０を覆
うように、上部クラッド層１０４を製膜する。
層となる部分１１５に対して、アブレーション加工可能
なレーザ光を照射することにより、埋設層となる部分１
１５のみを追加工して、図１（ｆ）のような、垂直方向
に厚み傾斜を有する埋設層１２０を形成する。最後に、
図１（ｇ）のように、コア１０３及び埋設層１２０を覆
うように、上部クラッド層１０４を製膜する。
【００１０】図１（ｂ）に示す、コア１０３及び埋設層
となる部分１１５の形成時において使用するフォトマス
ク１１２の形状を図２に示す。図２は、図６に示すＹ分
岐部１０６を形成するために使用されるフォトマスクの
平面図であり、コア１０３をマスクする部分１０３Ｍ
と、埋設層となる部分１１５をマスクする部分１１５Ｍ
とからなっている。即ち、このフォトマスクは、コア１
０３のみならず、埋設層となる部分１１５をもマスクす
る機能を有するものである。このような形状のフォトマ
スクを用いることによって、図１（ｄ）に示すように、
コア１０３と埋設層となる部分１１５とが同じ厚みで残
存することが可能となる。
となる部分１１５の形成時において使用するフォトマス
ク１１２の形状を図２に示す。図２は、図６に示すＹ分
岐部１０６を形成するために使用されるフォトマスクの
平面図であり、コア１０３をマスクする部分１０３Ｍ
と、埋設層となる部分１１５をマスクする部分１１５Ｍ
とからなっている。即ち、このフォトマスクは、コア１
０３のみならず、埋設層となる部分１１５をもマスクす
る機能を有するものである。このような形状のフォトマ
スクを用いることによって、図１（ｄ）に示すように、
コア１０３と埋設層となる部分１１５とが同じ厚みで残
存することが可能となる。
【００１１】このＹ分岐部を組み合わせて光回路を形成
する例として、４つのＹ分岐部を組み合わせた２×２光
回路を形成する場合には、図３に示すフォトマスクを用
いる。このフォトマスクは、Ｙ分岐部においては、コア
１０３をマスクする部分１０３Ｍと、埋設層となる部分
１１５をマスクする部分１１５Ｍとからなっているが、
中央のＸ分岐部においては、コアのみをマスクするよう
に形成されている。従って、Ｙ分岐部においては、コア
１０３のみならず、埋設層となる部分１１５もマスクさ
れるため、コア１０３と埋設層となる部分１１５とが同
じ厚みで残存するが、中央のＸ分岐部においては、コア
のみがマスクされるため、Ｘ分岐部の周辺には、埋設層
となる部分１１５が形成されない。
する例として、４つのＹ分岐部を組み合わせた２×２光
回路を形成する場合には、図３に示すフォトマスクを用
いる。このフォトマスクは、Ｙ分岐部においては、コア
１０３をマスクする部分１０３Ｍと、埋設層となる部分
１１５をマスクする部分１１５Ｍとからなっているが、
中央のＸ分岐部においては、コアのみをマスクするよう
に形成されている。従って、Ｙ分岐部においては、コア
１０３のみならず、埋設層となる部分１１５もマスクさ
れるため、コア１０３と埋設層となる部分１１５とが同
じ厚みで残存するが、中央のＸ分岐部においては、コア
のみがマスクされるため、Ｘ分岐部の周辺には、埋設層
となる部分１１５が形成されない。
【００１２】コア１０３、下部クラッド層１０１、上部
クラッド層１０４、埋設層１２０の材料として、シリカ
ガラスを主成分とする石英系ガラス、フッ素化ポリイミ
ド等の透明材料が用いられる。また、特開平10−123357
号公報に開示されているように、埋設層形成のためのレ
ーザ加工における加工性を向上させるために、これらの
透明材料にＡｇを含有させたものも用いられる。また、
コア１０３、下部クラッド層１０１、上部クラッド層１
０４と、埋設層１２０とを別の材料を用いて形成しても
よい。この場合には、埋設層1２０の屈折率が、下部ク
ラッド層１０１、上部クラッド層１０４の屈折率より大
きく、コア１０３の屈折率以下となるように材料を選択
する。例えば、コア１０３と下部クラッド層１０１を石
英系ガラスで形成し、その後スピンコートによってエポ
キシを主成分とする紫外線硬化樹脂や重水素化シリコー
ン等の有機高分子材料を塗布し、硬化した後レーザ加工
して埋設層１２０を形成してもよい。
クラッド層１０４、埋設層１２０の材料として、シリカ
ガラスを主成分とする石英系ガラス、フッ素化ポリイミ
ド等の透明材料が用いられる。また、特開平10−123357
号公報に開示されているように、埋設層形成のためのレ
ーザ加工における加工性を向上させるために、これらの
透明材料にＡｇを含有させたものも用いられる。また、
コア１０３、下部クラッド層１０１、上部クラッド層１
０４と、埋設層１２０とを別の材料を用いて形成しても
よい。この場合には、埋設層1２０の屈折率が、下部ク
ラッド層１０１、上部クラッド層１０４の屈折率より大
きく、コア１０３の屈折率以下となるように材料を選択
する。例えば、コア１０３と下部クラッド層１０１を石
英系ガラスで形成し、その後スピンコートによってエポ
キシを主成分とする紫外線硬化樹脂や重水素化シリコー
ン等の有機高分子材料を塗布し、硬化した後レーザ加工
して埋設層１２０を形成してもよい。
【００１３】次に、本発明の光導波路の製造方法におい
て、埋設層となる部分１１５を追加工して埋設層１２０
を形成する方法の詳細について、図４を用いて説明す
る。図４（ａ）は、下部クラッド層１０１上に形成され
たコア１０３及び埋設層となる部分１１５と、レーザ光
Ｌ１との、加工前における位置関係を示したものであ
る。レーザ光源からレーザ光Ｌ１を発振するが、このと
き図４（ａ）に示したように、埋設層となる部分１１５
にはレーザ光Ｌ１は照射されていない。次に、この下部
クラッド層１０１と、下部クラッド層１０１上に形成さ
れたコア１０３及び埋設層となる部分１１５を、位置合
わせのステージによって、矢印方向即ちレーザ光Ｌ１の
照射位置方向に等速で移動させる。
て、埋設層となる部分１１５を追加工して埋設層１２０
を形成する方法の詳細について、図４を用いて説明す
る。図４（ａ）は、下部クラッド層１０１上に形成され
たコア１０３及び埋設層となる部分１１５と、レーザ光
Ｌ１との、加工前における位置関係を示したものであ
る。レーザ光源からレーザ光Ｌ１を発振するが、このと
き図４（ａ）に示したように、埋設層となる部分１１５
にはレーザ光Ｌ１は照射されていない。次に、この下部
クラッド層１０１と、下部クラッド層１０１上に形成さ
れたコア１０３及び埋設層となる部分１１５を、位置合
わせのステージによって、矢印方向即ちレーザ光Ｌ１の
照射位置方向に等速で移動させる。
【００１４】図４（ｂ）から図４（ｄ）に示すように、
位置合わせのステージによって、下部クラッド層１０１
が移動することにより、この下部クラッド層１０１上に
形成された埋設層となる部分１１５の端面側から順にレ
ーザ光Ｌ１が照射され、これにより、埋設層となる部分
１１５にテーパ状の加工面が形成される。埋設層となる
部分１１５が所定の位置に到達し、図４（ｅ）に示すよ
うに、加工面が１２０ａのようなテーパ形状になったと
ころでレーザ光の発振を停止し、位置合わせステージの
移動を停止する。これにより、埋設層１２０の形成が完
了する。このレーザ光照射による追加工により、図７に
示すように、垂直方向に厚み傾斜を有する埋設層１２０
が形成される。なお、埋設層１２０の形状は図７に示す
ものに限らず、Ｙ分岐点から離れるに従って埋設層の厚
みが薄くなるように形成されているものであれば、他の
形状を有するものであってもよい。
位置合わせのステージによって、下部クラッド層１０１
が移動することにより、この下部クラッド層１０１上に
形成された埋設層となる部分１１５の端面側から順にレ
ーザ光Ｌ１が照射され、これにより、埋設層となる部分
１１５にテーパ状の加工面が形成される。埋設層となる
部分１１５が所定の位置に到達し、図４（ｅ）に示すよ
うに、加工面が１２０ａのようなテーパ形状になったと
ころでレーザ光の発振を停止し、位置合わせステージの
移動を停止する。これにより、埋設層１２０の形成が完
了する。このレーザ光照射による追加工により、図７に
示すように、垂直方向に厚み傾斜を有する埋設層１２０
が形成される。なお、埋設層１２０の形状は図７に示す
ものに限らず、Ｙ分岐点から離れるに従って埋設層の厚
みが薄くなるように形成されているものであれば、他の
形状を有するものであってもよい。
【００１５】以上説明した追加工において使用するレー
ザ光としては、エキシマレーザ、ピコ秒パルスレーザ、
フェムト秒パルスレーザが用いられる。エキシマレーザ
は高出力であるため、集光せずに照射して加工すること
ができるが、ピコ秒パルスレーザ、フェムト秒パルスレ
ーザを照射する場合には、集光せずに照射すると、照射
されるレーザ光の波長によっては被加工材料を透過して
しまい、加工できないことがあるため、対物レンズ等を
用いてレーザビームを集光照射して加工する。光源とし
てはこの他、照射の対象となる材料に応じて、Nd:YAGレ
ーザ、Ti:Al2O3レーザ、あるいはそれらの高調波または
波長変換されたレーザ光を使用してもよい。
ザ光としては、エキシマレーザ、ピコ秒パルスレーザ、
フェムト秒パルスレーザが用いられる。エキシマレーザ
は高出力であるため、集光せずに照射して加工すること
ができるが、ピコ秒パルスレーザ、フェムト秒パルスレ
ーザを照射する場合には、集光せずに照射すると、照射
されるレーザ光の波長によっては被加工材料を透過して
しまい、加工できないことがあるため、対物レンズ等を
用いてレーザビームを集光照射して加工する。光源とし
てはこの他、照射の対象となる材料に応じて、Nd:YAGレ
ーザ、Ti:Al2O3レーザ、あるいはそれらの高調波または
波長変換されたレーザ光を使用してもよい。
【００１６】このレーザ加工の位置制御の精度は、位置
合わせのステージ精度と同等程度にまで向上させること
ができるため、0.1μｍ程度の精度で制御することが可
能である。また、照射するレーザ光の集光スポット径
は、数μｍ程度まで絞り込むことができ、加工の深さに
ついては、レーザ光の強度、照射時間、照射パルス数を
適切に制御することで、0.1μｍ程度の精度で制御する
ことができる。
合わせのステージ精度と同等程度にまで向上させること
ができるため、0.1μｍ程度の精度で制御することが可
能である。また、照射するレーザ光の集光スポット径
は、数μｍ程度まで絞り込むことができ、加工の深さに
ついては、レーザ光の強度、照射時間、照射パルス数を
適切に制御することで、0.1μｍ程度の精度で制御する
ことができる。
【００１７】この例による光導波路の製造方法による
と、隣接するコアのコア間隔に無関係に埋設層を形成す
るため、同一素子上において、コア間隔が狭くかつ埋設
層が存在しないことが望ましい部分においては埋設層を
形成せず、埋設層の存在が必要である部分についてのみ
選択的に埋設層の形成が可能となる。また、レーザ加工
により埋設層を形成するため、埋設層の厚み制御を精度
よく行うことができる。なお、以上の説明は、Ｙ分岐型
光分波器の光導波路の製造を例として行ったが、このよ
うな製造方法は、Ｙ分岐型光分波器の光導波路に限定さ
れず、ＡＷＧ等の光導波路を製造する場合にも適用され
る。
と、隣接するコアのコア間隔に無関係に埋設層を形成す
るため、同一素子上において、コア間隔が狭くかつ埋設
層が存在しないことが望ましい部分においては埋設層を
形成せず、埋設層の存在が必要である部分についてのみ
選択的に埋設層の形成が可能となる。また、レーザ加工
により埋設層を形成するため、埋設層の厚み制御を精度
よく行うことができる。なお、以上の説明は、Ｙ分岐型
光分波器の光導波路の製造を例として行ったが、このよ
うな製造方法は、Ｙ分岐型光分波器の光導波路に限定さ
れず、ＡＷＧ等の光導波路を製造する場合にも適用され
る。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
隣接するコアのコア間隔に無関係に埋設層を形成するた
め、同一素子上において、コア間隔が狭くかつ埋設層が
存在しないことが望ましい部分においては埋設層を形成
せず、埋設層の存在が必要である部分についてのみ選択
的に埋設層の形成が可能となる。また、本発明による
と、レーザ加工により埋設層を形成するため、埋設層の
厚み制御を精度よく行うことができる。
隣接するコアのコア間隔に無関係に埋設層を形成するた
め、同一素子上において、コア間隔が狭くかつ埋設層が
存在しないことが望ましい部分においては埋設層を形成
せず、埋設層の存在が必要である部分についてのみ選択
的に埋設層の形成が可能となる。また、本発明による
と、レーザ加工により埋設層を形成するため、埋設層の
厚み制御を精度よく行うことができる。
【図１】本発明の光導波路の製造方法の例を示すプロセ
ス図である。
ス図である。
【図２】Ｙ分岐部の形成に用いるフォトマスクの形状を
示す図である。
示す図である。
【図３】Ｙ分岐部を４つ組み合わせた２×２光回路を形
成する場合に用いるフォトマスクの形状を示す図であ
る。
成する場合に用いるフォトマスクの形状を示す図であ
る。
【図４】埋設層を形成するための、レーザ照射加工のプ
ロセスを示す図である。
ロセスを示す図である。
【図５】Ｙ分岐光回路を示す図である。
【図６】Ｙ分岐光回路を構成するＹ分岐部の拡大図であ
る。
る。
【図７】図６に示したＹ分岐部のＡ―Ａ´断面図であ
る。
る。
【図８】図６に示したＹ分岐部のＢ―Ｂ´断面図であ
る。
る。
【図９】Ｙ分岐部の形成に用いるフォトマスクの形状の
従来例を示す図である。
従来例を示す図である。
１０１…下部クラッド層、１０３…コア、１２０…埋設
層、 １０４…上部クラッド層、Ｌ１…レーザ光
層、 １０４…上部クラッド層、Ｌ１…レーザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 細谷 英行 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉事業所内 Ｆターム(参考） 2H047 KA03 LA12 PA04 PA05 PA21 PA24 TA37
Claims (2)
- 【請求項１】 １の主光導波路から２以上の副光導波路
が分岐し、これら副光導波路間に埋設層が設けられ、 この埋設層は、該副光導波路のコアが分岐する分岐点よ
り該コアの間に密接して形成され、かつ該分岐点から離
れて該副光導波路のコアの間隔が広くなるに伴って該埋
設層の厚みが薄くなるように形成された光導波路の製造
方法において、 該埋設層の製造工程は、該埋設層の厚みが該コアの厚み
と等しく又は該コアの厚み以上となるように該埋設層を
形成した後、該埋設層を光照射により厚み傾斜を有する
形状に形成する工程からなることを特徴とする光導波路
の製造方法。 - 【請求項２】 前記光照射は、エキシマレーザの照射、
又は、ピコ秒パルスレーザ、又はフェムト秒パルスレー
ザの集光照射であることを特徴とする請求項1記載の光
導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001024952A JP2002228867A (ja) | 2001-01-31 | 2001-01-31 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001024952A JP2002228867A (ja) | 2001-01-31 | 2001-01-31 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002228867A true JP2002228867A (ja) | 2002-08-14 |
Family
ID=18890019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001024952A Withdrawn JP2002228867A (ja) | 2001-01-31 | 2001-01-31 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002228867A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005275268A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Keio Gijuku | 透明材料加工方法、透明材料加工装置及び光機能素子 |
| JP2006507542A (ja) * | 2002-12-24 | 2006-03-02 | インテル・コーポレーション | 垂直テーパ導波路 |
| JP2008191695A (ja) * | 2008-05-12 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Works Ltd | Ｙ分岐導波路の製造方法 |
| JP2008191694A (ja) * | 2008-05-12 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Works Ltd | Ｙ分岐導波路の製造方法 |
| JP2009128899A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 光基板製造方法 |
| CN109407211A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-01 | 武汉邮电科学研究院有限公司 | 一种波导元件及分合束器 |
-
2001
- 2001-01-31 JP JP2001024952A patent/JP2002228867A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006507542A (ja) * | 2002-12-24 | 2006-03-02 | インテル・コーポレーション | 垂直テーパ導波路 |
| JP4904000B2 (ja) * | 2002-12-24 | 2012-03-28 | インテル・コーポレーション | 垂直テーパ導波路 |
| JP2005275268A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Keio Gijuku | 透明材料加工方法、透明材料加工装置及び光機能素子 |
| JP4565082B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2010-10-20 | 学校法人慶應義塾 | 透明材料加工方法及び透明材料加工装置 |
| JP2009128899A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 光基板製造方法 |
| JP4635234B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2011-02-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 光基板製造方法 |
| JP2008191695A (ja) * | 2008-05-12 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Works Ltd | Ｙ分岐導波路の製造方法 |
| JP2008191694A (ja) * | 2008-05-12 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Works Ltd | Ｙ分岐導波路の製造方法 |
| JP4631929B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2011-02-16 | パナソニック電工株式会社 | Ｙ分岐導波路の製造方法 |
| JP4692572B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2011-06-01 | パナソニック電工株式会社 | Ｙ分岐導波路の製造方法 |
| CN109407211A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-01 | 武汉邮电科学研究院有限公司 | 一种波导元件及分合束器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6946238B2 (en) | Process for fabrication of optical waveguides | |
| KR100872244B1 (ko) | 필름상 광도파로의 제조 방법 | |
| US20040234224A1 (en) | Optical waveguide and method of manufacturing the same | |
| EP1701188B1 (en) | Process for producing optical waveguide | |
| JP2002323633A (ja) | 光導波路装置及びその製造方法 | |
| US6913705B2 (en) | Manufacturing method for optical integrated circuit having spatial reflection type structure | |
| JPH01186905A (ja) | 集積光部品の製造方法 | |
| JP2002116337A (ja) | 光合分波器の製造方法および基板型光導波路部品の光学特性の調整方法 | |
| US5352566A (en) | Method of manufacturing optoelectronic components | |
| JPH10293224A (ja) | 光導波路素子の製造方法 | |
| JPH08286064A (ja) | 高分子光導波路の作製方法 | |
| JP2002228867A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JP3706496B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPH06265738A (ja) | 光導波路端部ミラーの形成方法 | |
| JP4453335B2 (ja) | 光回路パターン及び高分子光導波路の製造方法 | |
| US6256441B1 (en) | Optical waveguide and manufacturing thereof | |
| JPH10186163A (ja) | 光結合デバイス及びその製造方法 | |
| JP2005172932A (ja) | 細線導波路付２次元フォトニック結晶の製造方法 | |
| JP3803307B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPH0720336A (ja) | 光導波路の構造とその製造方法 | |
| US20050063660A1 (en) | Optical element and method of fabrication thereof | |
| JPS635310A (ja) | 光接続回路の製造方法 | |
| JP2001281486A (ja) | フィルム光導波路およびその製造方法 | |
| JP2005195754A (ja) | 光導波路の製造方法および光導波路 | |
| KR100687738B1 (ko) | 광도파로와 광섬유간의 수동정렬이 가능한 광모듈의제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080401 |