JP4692572B2 - Y分岐導波路の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 126
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 29
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 24
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
本参考例のY分岐導波路は、図4に示すように、クラッド層2内に直線状の入力側コア1iと入力側コア1iから分岐した2つの直線状の出力側コア1a,1bとからなるY字状のコア1が設けられている。
L≧2λ/tan(θ/2)
の関係を満たすようにLを設定してある。一例を挙げれば、角度θを1°に設定し、規定波長λを1300nmとする場合には、Lは298μm以上の値に設定すればよい。
本参考例のY分岐導波路の構成は参考例1と同じであって、製造方法が相違するだけなので、以下、製造方法について図10および図11を参照しながら説明する。
本参考例のY分岐導波路の基本構成は参考例1と略同じであって、図12に示すように、出力側コア1a,1b間に介在する所定領域(以下、第1の所定領域と称す)に形成された分岐内光漏れ防止3との間に各出力側コア1a,1bにおける入力側コア1i近傍の部分を挟む領域に、屈折率の異なる複数の媒質からなり上記規定波長の光の導波モードの存在しない屈折率周期構造を有するフォトニック結晶からなる分岐外光漏れ防止部4,4が形成されている点で相違する。なお、参考例1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態のY分岐導波路の基本構成は参考例1と略同じであって、図3に示すように、クラッド層2内に直線状の入力側コア1iと入力側コア1iから分岐した2つの直線状の出力側コア1a,1bとからなるY字状のコア1が設けられており、参考例1において説明した所定領域にフォトニック結晶からなる分岐内光漏れ防止部3を形成していない点が相違する。なお、参考例1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
1i 入力側コア
1a,1b 出力側コア
2 クラッド層
14 犠牲領域
21 下部クラッド層
22 上部クラッド層
Claims (1)
- クラッド層内に直線状の入力側コアと入力側コアから分岐した2つの直線状の出力側コアとからなるY字状のコアが設けられたY分岐導波路の製造方法であって、クラッド層の材料からなる下部クラッド層の一表面側において下部クラッド層内にY字状のコアおよびコアと同一材料からなり入力側コア近傍で出力側コア間に介在する二等辺三角形状の犠牲領域とを合わせた形状のコア材料部を形成した後、レーザ照射部分周辺への熱損傷を生じないパルス幅のパルスレーザを集光照射して犠牲領域の除去加工を行い、その後、下部クラッド層とともにクラッド層を構成する上部クラッド層を下部クラッド層の前記一表面側でコアを覆い且つ犠牲領域に対応する空間を埋め込むように形成することを特徴とするY分岐導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008124982A JP4692572B2 (ja) | 2008-05-12 | 2008-05-12 | Y分岐導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008124982A JP4692572B2 (ja) | 2008-05-12 | 2008-05-12 | Y分岐導波路の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003334290A Division JP4241291B2 (ja) | 2003-09-25 | 2003-09-25 | Y分岐導波路の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008191694A JP2008191694A (ja) | 2008-08-21 |
JP4692572B2 true JP4692572B2 (ja) | 2011-06-01 |
Family
ID=39751779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008124982A Expired - Lifetime JP4692572B2 (ja) | 2008-05-12 | 2008-05-12 | Y分岐導波路の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4692572B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1164657A (ja) * | 1997-08-25 | 1999-03-05 | Hitachi Cable Ltd | 分岐導波路及びその製造方法 |
JP2000180648A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-06-30 | Sharp Corp | 光導波路素子の加工方法 |
JP2001296442A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-26 | Canon Inc | フォトニック構造を有する屈折率周期構造体の製造方法、及びそれを用いた光機能素子 |
JP2002228867A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Fujikura Ltd | 光導波路の製造方法 |
-
2008
- 2008-05-12 JP JP2008124982A patent/JP4692572B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1164657A (ja) * | 1997-08-25 | 1999-03-05 | Hitachi Cable Ltd | 分岐導波路及びその製造方法 |
JP2000180648A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-06-30 | Sharp Corp | 光導波路素子の加工方法 |
JP2001296442A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-26 | Canon Inc | フォトニック構造を有する屈折率周期構造体の製造方法、及びそれを用いた光機能素子 |
JP2002228867A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Fujikura Ltd | 光導波路の製造方法 |
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JP2008191694A (ja) | 2008-08-21 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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