JPH01179423A - 絶縁薄膜の製造方法 - Google Patents
絶縁薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH01179423A JPH01179423A JP187888A JP187888A JPH01179423A JP H01179423 A JPH01179423 A JP H01179423A JP 187888 A JP187888 A JP 187888A JP 187888 A JP187888 A JP 187888A JP H01179423 A JPH01179423 A JP H01179423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- alcoholate
- substrates
- film
- alternately
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 description 13
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000029305 taxis Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子装置および電子素子の小型化、高密度化
高性能化あるいは高付加価値化の手段として重要な、絶
縁薄膜の製造方法に関する。
高性能化あるいは高付加価値化の手段として重要な、絶
縁薄膜の製造方法に関する。
薄膜トランジスタあるいは薄膜ダイオード等、デイスプ
レィパネルに使用される絶縁薄膜は、その利用目的上、
膜質や膜厚が均一でピンホール等の欠陥のない薄膜を大
面積基板上に再現性よく形成しなければならない。
レィパネルに使用される絶縁薄膜は、その利用目的上、
膜質や膜厚が均一でピンホール等の欠陥のない薄膜を大
面積基板上に再現性よく形成しなければならない。
また各種半導体素子に使用されるゲート絶縁膜やキャパ
シター用絶縁膜は、その膜厚や膜質の再現性が素子特性
に大きな影響をおよげず。
シター用絶縁膜は、その膜厚や膜質の再現性が素子特性
に大きな影響をおよげず。
近年、大面積基板上に均一薄膜を再現性よく形成する製
造方法として原子層エピタキシー（アトミック・レイヤ
ー・エピタキシー、以後路してＡＬＥと記す）法が開発
され注目されている。この方法を用いて既に薄膜ＥＬデ
イスプレィパネルが製造されている（例えばジャーナル
・オプ・アプライド・フィジイックス６０ （１９８６
）Ｒ６５ＮＲ８１）。この方法の要旨は、薄膜構成物質
の吸着および表面反応を交互に繰り返して薄膜成長をさ
せるというものである。
造方法として原子層エピタキシー（アトミック・レイヤ
ー・エピタキシー、以後路してＡＬＥと記す）法が開発
され注目されている。この方法を用いて既に薄膜ＥＬデ
イスプレィパネルが製造されている（例えばジャーナル
・オプ・アプライド・フィジイックス６０ （１９８６
）Ｒ６５ＮＲ８１）。この方法の要旨は、薄膜構成物質
の吸着および表面反応を交互に繰り返して薄膜成長をさ
せるというものである。
近年盛んに研究されている超薄膜を積層した構造をもつ
、新しいタイプの電子素子も、このＡＬＥ法で製造する
ことが検討され始めている。
、新しいタイプの電子素子も、このＡＬＥ法で製造する
ことが検討され始めている。
新しい薄膜製造技術であるＡＬＥ法は、従来困難であっ
た大面積基板上に、原子層オーダの均一性を有する薄膜
を再現性よく成膜制御できめるようにした。このＡＬＥ
法で化合物半導体薄膜や絶縁薄膜が製造できる。中でも
Ｔａ２’ｓ ＃：膜を始め、各種絶縁薄膜は、本来大面
積基板上に極めて均一な薄膜形成が不可欠なデイスプレ
ィパネル用に注目されている。
た大面積基板上に、原子層オーダの均一性を有する薄膜
を再現性よく成膜制御できめるようにした。このＡＬＥ
法で化合物半導体薄膜や絶縁薄膜が製造できる。中でも
Ｔａ２’ｓ ＃：膜を始め、各種絶縁薄膜は、本来大面
積基板上に極めて均一な薄膜形成が不可欠なデイスプレ
ィパネル用に注目されている。
ガラス基板上のＴａｇｏｓ膜をＡＬＥ法で製造したとい
う報告は１９８１年、アプライド・フィジイクスーレタ
ーズ３８巻１３１ページにある。その他各覆金属塩化物
を使用してＡＡ ２０３ 、 Ｔ ｉｏ ２ 。
う報告は１９８１年、アプライド・フィジイクスーレタ
ーズ３８巻１３１ページにある。その他各覆金属塩化物
を使用してＡＡ ２０３ 、 Ｔ ｉｏ ２ 。
５ｎＯｚＱ’！’、多くの金属酸化物薄膜もＡＬＥ法で
可能であると予想されている（ジャーナル・オプ・アプ
ライド・フィジイクス６０巻（１９８６）Ｒ６５〜Ｒ８
１）。
可能であると予想されている（ジャーナル・オプ・アプ
ライド・フィジイクス６０巻（１９８６）Ｒ６５〜Ｒ８
１）。
しかしながら、金属塩化物を原料としたＡＬＥ法は、一
般に基板温度が高く、通常のガラス基板が使用しにくい
。例えばＴａｘｅｓ薄膜の場合、３８巻１３１ページ）
であり、ＡＪｚＯｓ薄膜の場合６００℃（電子情報通信
学会技術研究報告ＣＭＰ−２）である。また低温で作製
した薄膜はポーラスであった。更に、金属塩化物は蒸気
圧が低いものが多く、気体として適量を導入することが
容易でない。また、金属塩化物を導入する際に、導入管
加熱で、管内に金属塩化物が凝集しないようにしたが、
金属塩化物による装置腐蝕による損傷が大きかった。
般に基板温度が高く、通常のガラス基板が使用しにくい
。例えばＴａｘｅｓ薄膜の場合、３８巻１３１ページ）
であり、ＡＪｚＯｓ薄膜の場合６００℃（電子情報通信
学会技術研究報告ＣＭＰ−２）である。また低温で作製
した薄膜はポーラスであった。更に、金属塩化物は蒸気
圧が低いものが多く、気体として適量を導入することが
容易でない。また、金属塩化物を導入する際に、導入管
加熱で、管内に金属塩化物が凝集しないようにしたが、
金属塩化物による装置腐蝕による損傷が大きかった。
以上の問題は金属塩化物を出発原料とするかぎゃ、解決
困難であった。原子層オーダの成長制御を正確に、広い
面積にわたって再現性よくおこなうことを潜在能力とし
てもつＡＬＥ法の特徴を充分に引き出すためには、上記
の問題を解決する必要がある。
困難であった。原子層オーダの成長制御を正確に、広い
面積にわたって再現性よくおこなうことを潜在能力とし
てもつＡＬＥ法の特徴を充分に引き出すためには、上記
の問題を解決する必要がある。
本発明の目的は広い面積にわたり再現性よく原子層オー
ダの成膜制御が可能である、新しいＡＬＥ法による絶縁
薄膜の提供にある。
ダの成膜制御が可能である、新しいＡＬＥ法による絶縁
薄膜の提供にある。
本発明の絶縁薄膜の製造方法は、少なくとも１以上の金
属元素を含むアルコラートを基板表面に付着させる第１
の工程と酸素、あるいはその化合物の中より少なくとも
１以上の気体を基板表面に供給する第２の工程を交互に
おこなうという結成を有している。
属元素を含むアルコラートを基板表面に付着させる第１
の工程と酸素、あるいはその化合物の中より少なくとも
１以上の気体を基板表面に供給する第２の工程を交互に
おこなうという結成を有している。
Ｍｌの工程は基板表面上に金属アルコラートを吸着きせ
る工程である。このとき島状吸着が生じないように、成
長基板温度やアルコラート物質を選定すればよい。即ち
、導入金属アルコラートが適当な形態を有する吸着種と
なり、下地層と化学吸着するとき、その吸着エネルギー
が、既に吸着層への吸着種吸着エネルギーより充分高く
なるように、金属アルコラートあるいは基板温度等の製
造条件を選択する。このような条件を満せば、吸着層の
被覆率が１以下であっても、ＡＬＥ特有のサイクル毎の
層状成長が認められる。
る工程である。このとき島状吸着が生じないように、成
長基板温度やアルコラート物質を選定すればよい。即ち
、導入金属アルコラートが適当な形態を有する吸着種と
なり、下地層と化学吸着するとき、その吸着エネルギー
が、既に吸着層への吸着種吸着エネルギーより充分高く
なるように、金属アルコラートあるいは基板温度等の製
造条件を選択する。このような条件を満せば、吸着層の
被覆率が１以下であっても、ＡＬＥ特有のサイクル毎の
層状成長が認められる。
更に金属アルコラートは、比較的多くの選択枝があるた
め、ＡＬＥ成長に適した蒸気圧をもつ適当な物質を選ぶ
ことができる。
め、ＡＬＥ成長に適した蒸気圧をもつ適当な物質を選ぶ
ことができる。
また、塩化物より低温で分解および化学反応を示し、成
膜温度の低温化が可能になった。
膜温度の低温化が可能になった。
第２の工程は、第１の工程で形成した層状吸着層を酸化
させる工程である。適当な基板温度あるいは酸化物形態
により、この表面酸化工程はすみやかに終了する。たと
え、場所によシ表面酸化速度が異なっても、前段階で下
地層は酸化されているから、何ら不都合は生じない。
させる工程である。適当な基板温度あるいは酸化物形態
により、この表面酸化工程はすみやかに終了する。たと
え、場所によシ表面酸化速度が異なっても、前段階で下
地層は酸化されているから、何ら不都合は生じない。
本発明は金属アルコラートを出発原料として、吸着層形
成およびその層の酸化を繰り返して薄膜形成をおこなう
ものである。このとき、従来使用されていた金属塩化物
を金属アルコラートに代ることにより、従来より低い基
板温度で吸着、熱分解、表面反応が生じるように、適し
た金属アルコラートの形態を選択することができる。
成およびその層の酸化を繰り返して薄膜形成をおこなう
ものである。このとき、従来使用されていた金属塩化物
を金属アルコラートに代ることにより、従来より低い基
板温度で吸着、熱分解、表面反応が生じるように、適し
た金属アルコラートの形態を選択することができる。
更に金属アルコラートは適量な蒸気圧を有するため、そ
の取扱いが容易である。腐蝕性はなく、装置に損傷を与
えることも少ない。
の取扱いが容易である。腐蝕性はなく、装置に損傷を与
えることも少ない。
このように広い面積にわたり、再現性よく原子層オーダ
の成膜制御が可能であるＡＬＥ法の特徴を充分に発揮し
、かつ原料の取扱いが容易であることがわかった。
の成膜制御が可能であるＡＬＥ法の特徴を充分に発揮し
、かつ原料の取扱いが容易であることがわかった。
一方、第１と第２の工程を１サイクルとし、その１サイ
クルで原子層オーダの成長をおこなう方法であるため、
成膜に必要とされる時間は比較的長い。しかし、大面積
基板を多数−度に処理しても均一な膜厚を有する絶縁膜
が得られるため、総合的スループットは決して低くない
。
クルで原子層オーダの成長をおこなう方法であるため、
成膜に必要とされる時間は比較的長い。しかし、大面積
基板を多数−度に処理しても均一な膜厚を有する絶縁膜
が得られるため、総合的スループットは決して低くない
。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
本実施例に使用した絶縁薄膜製造装置のブロック図を第
１図に示す。本実施例ではタンタルのアルコラートを使
用して、Ｔａ２ｅｓ薄膜製造に関して述べる。酸素ソー
スとしてＨ２Ｏと０２の混合ガスを高周波放電にさらし
た後、反応室側に供給した。石英製である反応室１は、
大型のガラス基板数枚を導入した後、１０−’ ）−ル
以下の真空にした。電気炉２を使用して、基板３を３０
０℃に加熱する。三方弁６．７を使用してタンタルアル
コラート、酸素ソースを、それぞれ交互に、すばやく反
応室に供給できる構造となっている。タンタルのアル）
ラードはＴａ（ＯＣｚＨｓ）（ｔ−ＯＣ４Ｈｓ）４を利
用した。この物質は３００℃で分解を始め、２次元的吸
着層を形成した。適当な基板温度にして、２次元的吸着
層形成条件を選ぶことにより、Ｔａ（ＯＣｚＨｓ）ｓ
等、各種アルコラートも使用可能である。
１図に示す。本実施例ではタンタルのアルコラートを使
用して、Ｔａ２ｅｓ薄膜製造に関して述べる。酸素ソー
スとしてＨ２Ｏと０２の混合ガスを高周波放電にさらし
た後、反応室側に供給した。石英製である反応室１は、
大型のガラス基板数枚を導入した後、１０−’ ）−ル
以下の真空にした。電気炉２を使用して、基板３を３０
０℃に加熱する。三方弁６．７を使用してタンタルアル
コラート、酸素ソースを、それぞれ交互に、すばやく反
応室に供給できる構造となっている。タンタルのアル）
ラードはＴａ（ＯＣｚＨｓ）（ｔ−ＯＣ４Ｈｓ）４を利
用した。この物質は３００℃で分解を始め、２次元的吸
着層を形成した。適当な基板温度にして、２次元的吸着
層形成条件を選ぶことにより、Ｔａ（ＯＣｚＨｓ）ｓ
等、各種アルコラートも使用可能である。
次にガス供給手順について述べる。まず２秒間Ｔａ（Ｏ
Ｃ２Ｈｓ）（ｔ−ＯＣ４ＨＩＩ）４を２０ＳＣＣＭの流
量で反応室１に導入する。タンタルアルコラートより誘
導された吸着種が由−な分子層状の化学吸着層形成を目
的とした第１の工程である。第１と第２の工程（および
第２と第１の工程）の間に、ガス置換期間をもうけ、Ａ
ｒガスを流した。この期間の長さはともに１秒とした。
Ｃ２Ｈｓ）（ｔ−ＯＣ４ＨＩＩ）４を２０ＳＣＣＭの流
量で反応室１に導入する。タンタルアルコラートより誘
導された吸着種が由−な分子層状の化学吸着層形成を目
的とした第１の工程である。第１と第２の工程（および
第２と第１の工程）の間に、ガス置換期間をもうけ、Ａ
ｒガスを流した。この期間の長さはともに１秒とした。
ガス置換終了後、第２の工程を開始する。高周波放電に
さらされ、分解・ラジカル化したＨ ２０ ＋ Ｏｓ混
合気体を２秒間反応室に供給する。第１の工程で形成さ
れた吸着層は酸化される。このとき、吸着下地層は既に
前サイクルで酸化されている為、この第２の工程で表面
酸化反応が場所により不完全で残留しているという事態
は生じない。即ち、この表面酸化層は、適当な粂件の下
（本実施例では基板温度３００℃で２秒間）で、おおま
かに１分子層はど成長させることができる。成長膜厚は
正確にサイクル数に比例し、その再現性も優れていた。
さらされ、分解・ラジカル化したＨ ２０ ＋ Ｏｓ混
合気体を２秒間反応室に供給する。第１の工程で形成さ
れた吸着層は酸化される。このとき、吸着下地層は既に
前サイクルで酸化されている為、この第２の工程で表面
酸化反応が場所により不完全で残留しているという事態
は生じない。即ち、この表面酸化層は、適当な粂件の下
（本実施例では基板温度３００℃で２秒間）で、おおま
かに１分子層はど成長させることができる。成長膜厚は
正確にサイクル数に比例し、その再現性も優れていた。
このように、本実施例で製造したガラス基板上のＴａＯ
ｘ Ｎ展は、原子層オーダで膜厚制御できた。
ｘ Ｎ展は、原子層オーダで膜厚制御できた。
尚、この薄膜を解針式段差計で測定したところ、測定値
は誤差範囲内で等しく、非常に均一な膜であることがわ
かった。
は誤差範囲内で等しく、非常に均一な膜であることがわ
かった。
本実施例は基板温度を３００℃としたが、２００℃〜４
００℃の範囲で１サイクル当りの成長膜厚にほとんど変
化が認められなかった。基板温度６００℃以上ではタン
タル−アルコラートの分解が早く進行し、不適当であっ
た。また２００℃以下では非常にポーラスな非晶質薄膜
で、不適当であった。
００℃の範囲で１サイクル当りの成長膜厚にほとんど変
化が認められなかった。基板温度６００℃以上ではタン
タル−アルコラートの分解が早く進行し、不適当であっ
た。また２００℃以下では非常にポーラスな非晶質薄膜
で、不適当であった。
本実施例ではＴａ（ＱＣｚＨｓ）（ｔ−ＱＣ４Ｈ９）４
を使用してＴａｇ）（膜を製造する方法を述べた。しか
し、他の金属アルコラートを使用することにより、Ｔａ
Ｏ２以外の薄膜も当然製造できる。゛表１に、その一部
の例をのせる。使用原料が変れば製造条件も変るが、原
子層オーダの均一性を有する薄膜を再現性よく形成でき
るという効果は同様に得られた。
を使用してＴａｇ）（膜を製造する方法を述べた。しか
し、他の金属アルコラートを使用することにより、Ｔａ
Ｏ２以外の薄膜も当然製造できる。゛表１に、その一部
の例をのせる。使用原料が変れば製造条件も変るが、原
子層オーダの均一性を有する薄膜を再現性よく形成でき
るという効果は同様に得られた。
表１
〔発明の効果〕
金属アルコラートを供給し、基板上に吸着層を形成する
第１の工程と、酸素あるいはその化合物気体を供給し、
該吸着層を酸化させる第２の工程を交互に繰り返す、本
発明による薄膜の製造方法には次のような特徴があった
。
第１の工程と、酸素あるいはその化合物気体を供給し、
該吸着層を酸化させる第２の工程を交互に繰り返す、本
発明による薄膜の製造方法には次のような特徴があった
。
第１に金属塩化物を使用した従来の方法に比べ低温化が
可能であった。第２に適当な温度で反応室にすばやい供
給ができる。この第１および２の効果は、金属アルコラ
ートは低温で分解し、かつ常温・常圧で適当な蒸気圧を
有するような形のものを選択できるからである。第３に
装置の損傷が少ない。第４に大面積基板上に原子層オー
ダーの均一性を有する薄膜を再現性よく形成することが
可能であった。第５に多数の基板を一度に処理でき、ス
ループットが高かった。
可能であった。第２に適当な温度で反応室にすばやい供
給ができる。この第１および２の効果は、金属アルコラ
ートは低温で分解し、かつ常温・常圧で適当な蒸気圧を
有するような形のものを選択できるからである。第３に
装置の損傷が少ない。第４に大面積基板上に原子層オー
ダーの均一性を有する薄膜を再現性よく形成することが
可能であった。第５に多数の基板を一度に処理でき、ス
ループットが高かった。
本発明を利用し、デイスプレィ用の薄膜トランジスタや
ＭＩＭ素子を製造したところ、優れた特性を再現性よく
得られた。更に、原子層オーダで成膜制御できることを
利用して、超格子デバイス等にも応用できる。
ＭＩＭ素子を製造したところ、優れた特性を再現性よく
得られた。更に、原子層オーダで成膜制御できることを
利用して、超格子デバイス等にも応用できる。
第１図は本発明の実施例に使用した絶縁薄膜製造装置の
ブロック図を示す。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・電気炉、３・・
・・・・基板、６゜７・・・・・・三方弁。 代理人 弁理士 内 原 音
ブロック図を示す。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・電気炉、３・・
・・・・基板、６゜７・・・・・・三方弁。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 少なくとも１以上の金属元素を含むアルコラートを基板
表面上に付着させる第１の工程と酸素、あるいはその化
合物の中より少なくとも１以上の気体を基板表面に供給
する第２の工程を交互におこなうことを特徴とする絶縁
薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP187888A JP2663471B2 (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 絶縁薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP187888A JP2663471B2 (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 絶縁薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179423A true JPH01179423A (ja) | 1989-07-17 |
| JP2663471B2 JP2663471B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=11513817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP187888A Expired - Lifetime JP2663471B2 (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | 絶縁薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2663471B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0472623A (ja) * | 1990-07-12 | 1992-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
| US5468679A (en) * | 1991-02-25 | 1995-11-21 | Symetrix Corporation | Process for fabricating materials for ferroelectric, high dielectric constant, and integrated circuit applications |
| US5688565A (en) * | 1988-12-27 | 1997-11-18 | Symetrix Corporation | Misted deposition method of fabricating layered superlattice materials |
| KR100258851B1 (ko) * | 1996-12-10 | 2000-06-15 | 김영환 | 산화탄탈륨 박막 제조방법 |
| JP2001250823A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-14 | Ulvac Japan Ltd | 絶縁膜の成膜方法及びその成膜装置 |
| JP2002060947A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-02-28 | Asm Internatl Nv | 原子層のｃｖｄ |
| US6576053B1 (en) | 1999-10-06 | 2003-06-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming thin film using atomic layer deposition method |
| WO2007114155A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | プラズマ原子層成長方法及び装置 |
| JP2008174842A (ja) * | 1999-10-06 | 2008-07-31 | Samsung Electronics Co Ltd | 原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法 |
| JP2011505316A (ja) * | 2007-12-03 | 2011-02-24 | ベネク・オサケユキテュア | ガラス及びガラス製品の耐久性を高める方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109457202B (zh) * | 2018-11-02 | 2020-12-01 | 南京宝色股份公司 | 一种钽锆钢复合板反应釜热处理方法 |
-
1988
- 1988-01-08 JP JP187888A patent/JP2663471B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5688565A (en) * | 1988-12-27 | 1997-11-18 | Symetrix Corporation | Misted deposition method of fabricating layered superlattice materials |
| JPH0472623A (ja) * | 1990-07-12 | 1992-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
| US5468679A (en) * | 1991-02-25 | 1995-11-21 | Symetrix Corporation | Process for fabricating materials for ferroelectric, high dielectric constant, and integrated circuit applications |
| KR100258851B1 (ko) * | 1996-12-10 | 2000-06-15 | 김영환 | 산화탄탈륨 박막 제조방법 |
| US6576053B1 (en) | 1999-10-06 | 2003-06-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming thin film using atomic layer deposition method |
| JP2008174842A (ja) * | 1999-10-06 | 2008-07-31 | Samsung Electronics Co Ltd | 原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法 |
| JP2001250823A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-14 | Ulvac Japan Ltd | 絶縁膜の成膜方法及びその成膜装置 |
| JP4505098B2 (ja) * | 2000-03-08 | 2010-07-14 | 株式会社アルバック | 絶縁膜の成膜方法及びその成膜装置 |
| JP2002060947A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-02-28 | Asm Internatl Nv | 原子層のｃｖｄ |
| WO2007114155A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | プラズマ原子層成長方法及び装置 |
| US8440268B2 (en) | 2006-03-30 | 2013-05-14 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | Method and apparatus for growing plasma atomic layer |
| JP2011505316A (ja) * | 2007-12-03 | 2011-02-24 | ベネク・オサケユキテュア | ガラス及びガラス製品の耐久性を高める方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2663471B2 (ja) | 1997-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100453298B1 (ko) | 반도체 처리 장치 및 그 클리닝 방법 | |
| JPH01179423A (ja) | 絶縁薄膜の製造方法 | |
| JPS6345371A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JP2789587B2 (ja) | 絶縁薄膜の製造方法 | |
| JPH01143221A (ja) | 絶縁薄膜の製造方法 | |
| US20030207473A1 (en) | Method of forming ferroelectric thin films on a high-k layer | |
| JP2006503185A5 (ja) | ||
| JPH01204434A (ja) | 絶縁薄膜の製造方法 | |
| JPH0421780A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH01286916A (ja) | 超伝導体薄膜の形成方法 | |
| CN109182998A (zh) | 一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 | |
| JPH0219468A (ja) | 金属酸化物の形成方法 | |
| JPS62228471A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPH01148798A (ja) | 超電導薄膜の製造方法 | |
| JPS62228470A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| SU1162352A1 (ru) | Способ изготовлени пленочных структур | |
| JP2648211B2 (ja) | 酸化物薄膜の作製方法 | |
| JPS60255699A (ja) | 半導体Ｓｉ単結晶製造用部材及びその製造法 | |
| JPH021124A (ja) | 誘電体膜の製造方法 | |
| JPH04354879A (ja) | 金属酸化膜の形成方法 | |
| JPH01163995A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP3292004B2 (ja) | ビスマス化合物の製造方法 | |
| JP2661169B2 (ja) | 超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JPS6390833A (ja) | ２族および６族からなる化合物薄膜の製造方法 | |
| JPH03174304A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |