JPH0472623A - 半導体装置の製造方法およびその製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法およびその製造装置Info
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- JPH0472623A JPH0472623A JP2185510A JP18551090A JPH0472623A JP H0472623 A JPH0472623 A JP H0472623A JP 2185510 A JP2185510 A JP 2185510A JP 18551090 A JP18551090 A JP 18551090A JP H0472623 A JPH0472623 A JP H0472623A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、半導体装置の製造方法およびその製造装置
に関し、特に、オゾンと有機ソースのガスとを反応させ
て、ＣＶＤ法により基板表面上に酸化膜を形成する半導
体装置の製造方法およびその製造装置に関するものであ
る。
に関し、特に、オゾンと有機ソースのガスとを反応させ
て、ＣＶＤ法により基板表面上に酸化膜を形成する半導
体装置の製造方法およびその製造装置に関するものであ
る。
［従来の技術］
オゾンと有機ソースのガスとを反応させて、ＣＶＤ法に
より基板上に酸化膜を形成する従来の装置として、第４
図に示すものがあった（たとえば［電気化学協会発行
電気化学 ５６． Ｎｏ、７゜１９８８Ｊ Ｐ、５２７
〜Ｐ、５３２）。
より基板上に酸化膜を形成する従来の装置として、第４
図に示すものがあった（たとえば［電気化学協会発行
電気化学 ５６． Ｎｏ、７゜１９８８Ｊ Ｐ、５２７
〜Ｐ、５３２）。
この従来の装置は、第４図を参照して、原料ガスを供給
するガス供給系１と酸化膜を形成するチャンバ一部２か
らなる。ガス供給系１においては、流量制御器３で流量
調節された酸素がオゾン発生器４に供給され、発生した
オゾンは配管５を通ってデイスパージョンヘッド９内に
導入される。
するガス供給系１と酸化膜を形成するチャンバ一部２か
らなる。ガス供給系１においては、流量制御器３で流量
調節された酸素がオゾン発生器４に供給され、発生した
オゾンは配管５を通ってデイスパージョンヘッド９内に
導入される。
また、３種類の有機ソースである、ＴＥＯＳ（Ｓｉｌｉ
ｃｏｎ Ｔｅｔｒａ−Ｅｔｈｏｘｉｄｅ：ｓｉ （Ｑ
Ｃ２Ｈｓ）ａ ）、ＴＭＰＯ（Ｐｈ。
ｃｏｎ Ｔｅｔｒａ−Ｅｔｈｏｘｉｄｅ：ｓｉ （Ｑ
Ｃ２Ｈｓ）ａ ）、ＴＭＰＯ（Ｐｈ。
５ｐｈｏｒｕｓ Ｔｒｉ−Ｍｅｔｈｏｘｉｄｅ：ＰＯ
（ＯＣＨ３）ｓ ）、ＴＭＢ （Ｂｏ ｒｏｎ Ｔｒ
ｉ−Ｍｅｔｈｏｘｉｄｅ：Ｂ （ＯＣＨ３）ａ）がそれ
ぞれバブリング装置６ａ、６ｂ、 ６ｃに蓄えられ、
それぞれ流量制御器７ａ、７ｂ、７ｃを介して供給され
る窒素によりバブリングされる。
（ＯＣＨ３）ｓ ）、ＴＭＢ （Ｂｏ ｒｏｎ Ｔｒ
ｉ−Ｍｅｔｈｏｘｉｄｅ：Ｂ （ＯＣＨ３）ａ）がそれ
ぞれバブリング装置６ａ、６ｂ、 ６ｃに蓄えられ、
それぞれ流量制御器７ａ、７ｂ、７ｃを介して供給され
る窒素によりバブリングされる。
それによりこれらの有機ソースはガス化されて、配管８
を通ってディスパージョンヘッド９内に導入される。
を通ってディスパージョンヘッド９内に導入される。
ディスパージョンヘッド９内に導入されたオゾンと有機
ソースガスは、インジェクター１０に設けられた複数の
スリット状流路に、それぞれ別々に、一箇所おきに交互
に流され、ディスパージョンヘッド９のヘッド部１１に
導かれる。
ソースガスは、インジェクター１０に設けられた複数の
スリット状流路に、それぞれ別々に、一箇所おきに交互
に流され、ディスパージョンヘッド９のヘッド部１１に
導かれる。
ディスパージョンヘッド９のヘッド部１１に対向して、
基板１２が載置されたサセプタ１３か設置されている。
基板１２が載置されたサセプタ１３か設置されている。
このサセプタ１３には、基板１２の表面を酸化膜堆積に
必要な温度に加熱するためヒータ１４が備えられている
。ディスパージョンヘッド９のヘッド部１１から吐出す
るオゾンガスと有機ソースのガスは、基板１２の表面付
近で混合され、気相反応により基板１２の表面上に酸化
膜が堆積される。混合ガスはその後矢印Ａ方向へ流れて
、排気口１５から排気される。また、サセプタ１３が矢
印Ｂ方向に移動することにより、基板に表面での膜厚の
均一化を図っている。
必要な温度に加熱するためヒータ１４が備えられている
。ディスパージョンヘッド９のヘッド部１１から吐出す
るオゾンガスと有機ソースのガスは、基板１２の表面付
近で混合され、気相反応により基板１２の表面上に酸化
膜が堆積される。混合ガスはその後矢印Ａ方向へ流れて
、排気口１５から排気される。また、サセプタ１３が矢
印Ｂ方向に移動することにより、基板に表面での膜厚の
均一化を図っている。
なお、リンや硼素をドーピングしないＮ５Ｃ（Ｎｏｎ−
ｄｏｐｅｄ Ｓ’１ｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜
を形成する場合には、有機ソースとしてＴＥＯＳのみが
供給され、リンあるいは硼素をドーピングするＰＳＧ
（Ｐｈｏ ｓ ｐｈｏ Ｓ ｉ １ｉｃａｔｅ Ｇ
ｌａｓｓ）、ＢＰＳＧ （Ｂｏｒ。
ｄｏｐｅｄ Ｓ’１ｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜
を形成する場合には、有機ソースとしてＴＥＯＳのみが
供給され、リンあるいは硼素をドーピングするＰＳＧ
（Ｐｈｏ ｓ ｐｈｏ Ｓ ｉ １ｉｃａｔｅ Ｇ
ｌａｓｓ）、ＢＰＳＧ （Ｂｏｒ。
Ｐｈｏｓｐｈｏ ５ｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）
膜を形成する場合には、ＴＥＯＳガスに加えてＴＭＰＯ
ガスあるいはＴＭＢガスが供給される。
膜を形成する場合には、ＴＥＯＳガスに加えてＴＭＰＯ
ガスあるいはＴＭＢガスが供給される。
第４図に示す従来の装置により、ＮＳＣ膜を形成したと
きの電界の強さとリーク電流密度の関係を第５図に示す
（［電気化学協会発行 電気化学。
きの電界の強さとリーク電流密度の関係を第５図に示す
（［電気化学協会発行 電気化学。
５６、Ｎｏ、７．１９８８Ｊ Ｐ、５３０に掲載された
グラフより）。第５図のグラフは、酸化膜堆積温度すな
わち基板表面の温度が４００℃の場合において、ＴＥＯ
Ｓガス流量に対するオゾンの流量の比を０．１４〜２．
２８に変えたときの特性が示されている。このグラフ・
によれば、オゾンの流量比ｒが大きいほどリーク電流が
減少していることがわかる。
グラフより）。第５図のグラフは、酸化膜堆積温度すな
わち基板表面の温度が４００℃の場合において、ＴＥＯ
Ｓガス流量に対するオゾンの流量の比を０．１４〜２．
２８に変えたときの特性が示されている。このグラフ・
によれば、オゾンの流量比ｒが大きいほどリーク電流が
減少していることがわかる。
この従来例におけるオゾンとＴＥＯＳガスを用いたＣＶ
Ｄによる膜成長は、上記文献にも記載されているように
、次のように考察される。
Ｄによる膜成長は、上記文献にも記載されているように
、次のように考察される。
ＣＶＤにおける膜成長は、ソースガスの気相中での分解
による成膜種の生成、成膜種の基板表面への吸着、成膜
種の基板表面におけるマイグレーション、成膜種の表面
反応の４つの過程に分けて考えられる。このうちＯ，／
ＴＥＯ５系ＣＶＤにおいてオゾンが関与するのは、気相
中でのＴＥＯＳガスの分解と、成膜種による表面反応と
の２つの過程である。オゾンによる気相中でのＴＥＯＳ
ガスの分解反応としては、たとえば ＯＲ０Ｒ ＯＲ−８ｔ−ＯＲ＋ Ｏ，→ −ＯＲ＋ ０Ｒ−８
ｔ−００ＲＯｆ？ ＋ （ＣＯ２、Ｈ２０） Ｒ： ＴＥＯＳの場合Ｃ２Ｈ。
による成膜種の生成、成膜種の基板表面への吸着、成膜
種の基板表面におけるマイグレーション、成膜種の表面
反応の４つの過程に分けて考えられる。このうちＯ，／
ＴＥＯ５系ＣＶＤにおいてオゾンが関与するのは、気相
中でのＴＥＯＳガスの分解と、成膜種による表面反応と
の２つの過程である。オゾンによる気相中でのＴＥＯＳ
ガスの分解反応としては、たとえば ＯＲ０Ｒ ＯＲ−８ｔ−ＯＲ＋ Ｏ，→ −ＯＲ＋ ０Ｒ−８
ｔ−００ＲＯｆ？ ＋ （ＣＯ２、Ｈ２０） Ｒ： ＴＥＯＳの場合Ｃ２Ｈ。
が考えられる。またオゾンの関与する主な表面反応とし
ては、膜形成時の結合後に残ったエトキシ基（−０Ｃ２
Ｈｓ）を０３が酸化する反応と、成長途中の膜表面にあ
る多数のＳ １−ＯＨ基のＳｉ−〇あるいは０−Ｈ結合
を０３が切断し、Ｈ２Ｏの形で抜取る脱水反応の２つが
考えられる。
ては、膜形成時の結合後に残ったエトキシ基（−０Ｃ２
Ｈｓ）を０３が酸化する反応と、成長途中の膜表面にあ
る多数のＳ １−ＯＨ基のＳｉ−〇あるいは０−Ｈ結合
を０３が切断し、Ｈ２Ｏの形で抜取る脱水反応の２つが
考えられる。
上記従来例において、０３／ＴＥＯＳ流量比（−ｒ）の
増加に従ってリーク電流が減少しているのは、この脱水
反応によってＯＨ基が減少し、５ｉ−０のボンドネット
ワークの生成が進むためであると考えられる。
増加に従ってリーク電流が減少しているのは、この脱水
反応によってＯＨ基が減少し、５ｉ−０のボンドネット
ワークの生成が進むためであると考えられる。
しかしながら、上記従来のＣＶＤ装置により形成された
堆積膜では、第５図かられかるように低電界においても
高いリーク電流値を示し、必ずしも十分な絶縁特性を有
するとは言えない。
堆積膜では、第５図かられかるように低電界においても
高いリーク電流値を示し、必ずしも十分な絶縁特性を有
するとは言えない。
これは、上記従来のＣＶＤ装置が基板表面の近傍におい
て初めてオゾンとＴＥＯＳガスを混合するため、オゾン
が関与するエトキシ基の酸化反応あるいは脱水反応が十
分には進行せず、５ｉ−０ボンドネツトワークの生成が
不完全であることによるものと考えられる。
て初めてオゾンとＴＥＯＳガスを混合するため、オゾン
が関与するエトキシ基の酸化反応あるいは脱水反応が十
分には進行せず、５ｉ−０ボンドネツトワークの生成が
不完全であることによるものと考えられる。
これらの問題点を解決するために本発明者らは、すでに
出願した特願平１−２５５５８４号において、第６図に
示す装置を提案した。この装置が第４図に示す装置と共
通する構成要素については、同一の番号を付して説明を
省略する。第６図に示す装置が第４図に示す装置と異な
るのは、第６図を参照して、次のとおりである。配管５
と配管８はディスバージョンへラド９内に入る前の位置
において合流点４１を有する。したがってオゾンと有機
ソースガスは合流点４１において供給され、混合ガスと
なってディスバージョンへラド９の内部に設けたバッフ
ァ領域４２内に導入される。このバッファ領域４２内に
導入された混合ガスは、分散板４３によって整流されて
、ディスパージョンヘッド９のヘッド部１１に導かれる
。その他の動作は、第４図に示す装置と同様である。
出願した特願平１−２５５５８４号において、第６図に
示す装置を提案した。この装置が第４図に示す装置と共
通する構成要素については、同一の番号を付して説明を
省略する。第６図に示す装置が第４図に示す装置と異な
るのは、第６図を参照して、次のとおりである。配管５
と配管８はディスバージョンへラド９内に入る前の位置
において合流点４１を有する。したがってオゾンと有機
ソースガスは合流点４１において供給され、混合ガスと
なってディスバージョンへラド９の内部に設けたバッフ
ァ領域４２内に導入される。このバッファ領域４２内に
導入された混合ガスは、分散板４３によって整流されて
、ディスパージョンヘッド９のヘッド部１１に導かれる
。その他の動作は、第４図に示す装置と同様である。
この装置を用いた製造方法によれば、オゾンと有機ソー
スガスが成膜に必要な温度より低い温度の位置で混合さ
れるため、混合直後から基板表面近傍に至る前の間にお
いて、有機ソースのうちのシリコン系アルコラートガス
のオゾンによる分解と重合による２量体の生成反応が起
こる。この反応は次の式で表わされる。
スガスが成膜に必要な温度より低い温度の位置で混合さ
れるため、混合直後から基板表面近傍に至る前の間にお
いて、有機ソースのうちのシリコン系アルコラートガス
のオゾンによる分解と重合による２量体の生成反応が起
こる。この反応は次の式で表わされる。
■ 分解反応
０１？ ０Ｒ
ＯＲ−Ｓｉ ＝ＯＲ＋ Ｏ，→ −ＯＲ＋０Ｒ−８ｔ−
０９ＯＲＯＲ （以下余白） 又は０Ｒ−８ｉ −＋（ＣＯ２、８２０）ＯＲ Ｒ：ＣＨ３，ｃ２）１ｉ等 ■ 気相重合による２量体生成 ＯＲＯＲＯＲ０Ｒ ＯＲ−８ｉ−０４ＯＲ−８ｊ−→０Ｒ−８ｔ−０ −３
ｉ−ＯＲＯＲＯＲＯＲＯＲ オゾンは、成膜に必要な温度である約２００℃以上では
極めて寿命が短く、４００℃では９９．９９％以上が分
解する。したがってこの温度より十分低い温度、すなわ
ち高くとも２００℃以下でオゾンと有機ソースガスを混
合することにより、むしろ上記反応が容易に進行する。
ＯＲ−Ｓｉ ＝ＯＲ＋ Ｏ，→ −ＯＲ＋０Ｒ−８ｔ−
０９ＯＲＯＲ （以下余白） 又は０Ｒ−８ｉ −＋（ＣＯ２、８２０）ＯＲ Ｒ：ＣＨ３，ｃ２）１ｉ等 ■ 気相重合による２量体生成 ＯＲＯＲＯＲ０Ｒ ＯＲ−８ｉ−０４ＯＲ−８ｊ−→０Ｒ−８ｔ−０ −３
ｉ−ＯＲＯＲＯＲＯＲＯＲ オゾンは、成膜に必要な温度である約２００℃以上では
極めて寿命が短く、４００℃では９９．９９％以上が分
解する。したがってこの温度より十分低い温度、すなわ
ち高くとも２００℃以下でオゾンと有機ソースガスを混
合することにより、むしろ上記反応が容易に進行する。
その結果、２量体のみでなく、それ以上の重合が進んで
３量体以上の多量体も生成しているものと考えられる。
３量体以上の多量体も生成しているものと考えられる。
上記２鳳体以上の多量体が基板表面近傍に吐出されると
、成膜に必要な温度に加熱されているため、この多量体
が基板表面に吸着されて表面重合し、酸化膜が形成され
る。その後オゾン雰囲気でのアニールによる酸化および
脱水重合が進行する。
、成膜に必要な温度に加熱されているため、この多量体
が基板表面に吸着されて表面重合し、酸化膜が形成され
る。その後オゾン雰囲気でのアニールによる酸化および
脱水重合が進行する。
このように第６図の装置を用いた場合には成膜位置近傍
に至る前の低温位置において予めオゾンと有機ソースガ
スを混合することにより、基板表面に至る前において既
に成膜重合の前段階である２量体あるいはそれ以上の多
量体が生成されている。そのため、成膜後のアニールに
おいて酸化脱水反応がより進行しやすく、第４図の装置
を用いた場合に比べてより完全な５ｉ−０ボンドネツト
ワークが生成される。
に至る前の低温位置において予めオゾンと有機ソースガ
スを混合することにより、基板表面に至る前において既
に成膜重合の前段階である２量体あるいはそれ以上の多
量体が生成されている。そのため、成膜後のアニールに
おいて酸化脱水反応がより進行しやすく、第４図の装置
を用いた場合に比べてより完全な５ｉ−０ボンドネツト
ワークが生成される。
［発明が解決しようとする課題］
上述したように、シリコン材料として用いるシリコン系
アルコラートの代表としてのＴＥＯＳは、２５０〜４５
０℃の温度領域では通常分解しないため、成膜反応は行
なえないが、オゾンを導入することによりその温度領域
でも分解し、重合反応が進んで成膜を行なうことができ
る。またオゾンの寿命は高温では短いため、低温の領域
で混合しＴＥＯＳとオゾンを成膜領域以前で混合するこ
とにより、成膜領域で混合する方式より反応がより完全
に行なわれ、良質なシリコン酸化膜が得られる。
アルコラートの代表としてのＴＥＯＳは、２５０〜４５
０℃の温度領域では通常分解しないため、成膜反応は行
なえないが、オゾンを導入することによりその温度領域
でも分解し、重合反応が進んで成膜を行なうことができ
る。またオゾンの寿命は高温では短いため、低温の領域
で混合しＴＥＯＳとオゾンを成膜領域以前で混合するこ
とにより、成膜領域で混合する方式より反応がより完全
に行なわれ、良質なシリコン酸化膜が得られる。
しかしながら、ドーピング材料を含む有機ソースとして
用いるＴＭＢやＴＥＢ（Ｔｒｉ Ｅｔｈｙｌ Ｂｏ
ｒａｔｅ）などの硼素のアルコキシレートや、ＴＭＰＯ
，ＴＭＰ Ｉ （Ｔ ｒ ｉ Ｍｅ ｔ ｈｙｌ
Ｐｈｏｓｐｈｉｔｅ）などのリンのアルコキシレー
トは、ＴＥＯＳに比べて反応性が高く、低温の領域でも
オゾンまたは酸素と反応し、リンガラスや硼素ガラスを
形成する。このリンガラスや硼素ガラスは吸湿性が大き
く、水と反応してリン酸や硼酸となって、配管の内壁な
どに付着しやすくなる。配管などのガス供給経路に付着
したリンガラス、硼素ガラスやリン酸、硼酸は、１枚ご
とに成膜処理を行なうウェハの膜厚や、ドーピング材料
の濃度の再現性を低下させ、また、ＢＰＳＧ膜の形成後
にＮＳＣ膜の形成工程に変更したときに、いわゆるクロ
スコンダミを引起こす。このクロスコンダミとは、一般
に、複数の異なる材料を用いて別々のプロセスを行なう
場合に、工程を切換えたときに、前の工程に用いた材料
が後の工程の材料に混入することを言う。ＢＰＳＧ膜形
成後にＮＳＣ膜を形成する場合には、ＮＳＣ膜中に硼素
やリンが混入する。このような混入がなくなって純粋の
ＮＳＣ膜が成長するまで時間を要し、その間、硼素やリ
ンなどのドーピング材料の混入量をモニタするために、
何枚かのウェハのダミーランが必要になる。また、この
ダミーランを減らすためには、Ｎ２キャリアガスによる
パージまたは洗浄により、硼素やリンの混入を排除しな
ければならないという問題があった。このような従来の
技術の問題点を具体的に示すため、第７Ａ図には、ＢＰ
ＳＧ屡の形成を枚葉式でウェハ上に行なった場合の、１
枚目のウェハから始まって１０枚目のウェハの処理が終
わるまでの、膜の成長速度と不純物濃度の変化を示して
いる。このグラフによれば、処理ウェハの枚数が４枚目
を超えたときに初めて成膜処理の再現性が安定している
ことがわかる。また第７Ｂ図には、ＢＰＳＧ膜形成後に
ＮＳＣ膜を成膜させたときの第７Ａ図と同様のグラフを
示している。このグラフから、処理ウェハの枚数が１０
枚目の段階でも、成膜の成長速度が安定せず、またＮＳ
Ｃ膜中の不純物濃度も０にはなっていないことがわかる
。
用いるＴＭＢやＴＥＢ（Ｔｒｉ Ｅｔｈｙｌ Ｂｏ
ｒａｔｅ）などの硼素のアルコキシレートや、ＴＭＰＯ
，ＴＭＰ Ｉ （Ｔ ｒ ｉ Ｍｅ ｔ ｈｙｌ
Ｐｈｏｓｐｈｉｔｅ）などのリンのアルコキシレー
トは、ＴＥＯＳに比べて反応性が高く、低温の領域でも
オゾンまたは酸素と反応し、リンガラスや硼素ガラスを
形成する。このリンガラスや硼素ガラスは吸湿性が大き
く、水と反応してリン酸や硼酸となって、配管の内壁な
どに付着しやすくなる。配管などのガス供給経路に付着
したリンガラス、硼素ガラスやリン酸、硼酸は、１枚ご
とに成膜処理を行なうウェハの膜厚や、ドーピング材料
の濃度の再現性を低下させ、また、ＢＰＳＧ膜の形成後
にＮＳＣ膜の形成工程に変更したときに、いわゆるクロ
スコンダミを引起こす。このクロスコンダミとは、一般
に、複数の異なる材料を用いて別々のプロセスを行なう
場合に、工程を切換えたときに、前の工程に用いた材料
が後の工程の材料に混入することを言う。ＢＰＳＧ膜形
成後にＮＳＣ膜を形成する場合には、ＮＳＣ膜中に硼素
やリンが混入する。このような混入がなくなって純粋の
ＮＳＣ膜が成長するまで時間を要し、その間、硼素やリ
ンなどのドーピング材料の混入量をモニタするために、
何枚かのウェハのダミーランが必要になる。また、この
ダミーランを減らすためには、Ｎ２キャリアガスによる
パージまたは洗浄により、硼素やリンの混入を排除しな
ければならないという問題があった。このような従来の
技術の問題点を具体的に示すため、第７Ａ図には、ＢＰ
ＳＧ屡の形成を枚葉式でウェハ上に行なった場合の、１
枚目のウェハから始まって１０枚目のウェハの処理が終
わるまでの、膜の成長速度と不純物濃度の変化を示して
いる。このグラフによれば、処理ウェハの枚数が４枚目
を超えたときに初めて成膜処理の再現性が安定している
ことがわかる。また第７Ｂ図には、ＢＰＳＧ膜形成後に
ＮＳＣ膜を成膜させたときの第７Ａ図と同様のグラフを
示している。このグラフから、処理ウェハの枚数が１０
枚目の段階でも、成膜の成長速度が安定せず、またＮＳ
Ｃ膜中の不純物濃度も０にはなっていないことがわかる
。
この発明は上記従来の問題点を解消するため、成膜特性
の再現性を早期に安定させることによってダミーランに
必要なウェハの枚数を減らすとともに、クロスコンダミ
を抑制することのできる半導体装置の製造装置を提供す
ることを目的とする。
の再現性を早期に安定させることによってダミーランに
必要なウェハの枚数を減らすとともに、クロスコンダミ
を抑制することのできる半導体装置の製造装置を提供す
ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するため本発明の半導体装置の製造方法
は、オゾンと、少なくともシリコン系アルコラートを含
む有機ソースのガスとを反応させて、ＣＶＤ法により基
板表面上にシリコン酸化膜を形成する半導体装置の製造
方法において、まず基板表面近傍のみを成膜に必要な温
度に加熱し、この成膜に必要な温度に達していない、基
板表面から離れた位置において予めシリコン系アルコラ
ートからなる有機ソースのガスのみとオゾンとを混合し
てこの混合ガスを基板表面上に供給する。
は、オゾンと、少なくともシリコン系アルコラートを含
む有機ソースのガスとを反応させて、ＣＶＤ法により基
板表面上にシリコン酸化膜を形成する半導体装置の製造
方法において、まず基板表面近傍のみを成膜に必要な温
度に加熱し、この成膜に必要な温度に達していない、基
板表面から離れた位置において予めシリコン系アルコラ
ートからなる有機ソースのガスのみとオゾンとを混合し
てこの混合ガスを基板表面上に供給する。
さらに、形成するシリコン酸化膜にドーピング材料を含
ませる場合には、そのドーピング材料を含む有機ソース
のガスを、シリコン系アルコラートからなる有機ソース
ガスとは別の経路により、基板表面近傍までオゾンと混
合しないように供給する。
ませる場合には、そのドーピング材料を含む有機ソース
のガスを、シリコン系アルコラートからなる有機ソース
ガスとは別の経路により、基板表面近傍までオゾンと混
合しないように供給する。
また、本発明の半導体装置の製造装置は、オゾン発生器
と、シリコン系アルコラートからなる有機ソースをガス
化する手段と、ドーピング材料を含む有機ソースをガス
化する手段と、基板を載置し、この基板表面近傍を成膜
反応に必要な温度に加熱する手段を有するサセプタと、
基板表面に対向し混合ガスを吹出すヘッド部とからなる
ディスバージジンヘッドと、オゾン発生器で発生したオ
ゾンとガス化されたシリコン系アルコラートからなる有
機ソースとを途中で混合して前記ディスパージョンヘッ
ドへ供給する第１の配管手段とを備えている。それに加
えて、本発明の半導体装置の製造装置は、ドーピング材
料を含む有機ソースのガスをディスパージョンヘッドに
供給するための、第１の配管手段とは別系統の第２の配
管手段と、ドーピング材料を含む有機ソースのガスを、
前記ディスパージョンヘッドの内部においても、オゾン
および前記シリコン系アルコラートからなる有機ソース
とは別系統の経路で供給し、ヘッド部から吹出させる手
段とを備えている。
と、シリコン系アルコラートからなる有機ソースをガス
化する手段と、ドーピング材料を含む有機ソースをガス
化する手段と、基板を載置し、この基板表面近傍を成膜
反応に必要な温度に加熱する手段を有するサセプタと、
基板表面に対向し混合ガスを吹出すヘッド部とからなる
ディスバージジンヘッドと、オゾン発生器で発生したオ
ゾンとガス化されたシリコン系アルコラートからなる有
機ソースとを途中で混合して前記ディスパージョンヘッ
ドへ供給する第１の配管手段とを備えている。それに加
えて、本発明の半導体装置の製造装置は、ドーピング材
料を含む有機ソースのガスをディスパージョンヘッドに
供給するための、第１の配管手段とは別系統の第２の配
管手段と、ドーピング材料を含む有機ソースのガスを、
前記ディスパージョンヘッドの内部においても、オゾン
および前記シリコン系アルコラートからなる有機ソース
とは別系統の経路で供給し、ヘッド部から吹出させる手
段とを備えている。
［作用］
本発明の半導体装置によれば、シリコン系アルコラート
からなる有機ソースのガスとオゾンとを混合したガスと
、ドーピング材料を含む有機ソースのガスを、それぞれ
別系統の経路でディスパージョンヘッドのヘッド部まで
供給する。それにより、ドーピング材料を含む有機ソー
スとシリコン系アルコラートとがウェハ表面近傍におい
て初めて混合し、反応する。したがって、シリコン系ア
ルコラートに比べてより低い温度で反応しやすいドーピ
ング物質を含む有機ソースが酸素と反応して、供給経路
の内壁に付着しやすい物質を生成するという現象が起こ
りにく（なる。その結果、特に、ドーピング材料を含む
シリコン酸化膜を形成した後にドーピングしないシリコ
ン酸化膜を形成する際に生じやすい、いわゆるクロスコ
ンダミの発生を防止することができる。
からなる有機ソースのガスとオゾンとを混合したガスと
、ドーピング材料を含む有機ソースのガスを、それぞれ
別系統の経路でディスパージョンヘッドのヘッド部まで
供給する。それにより、ドーピング材料を含む有機ソー
スとシリコン系アルコラートとがウェハ表面近傍におい
て初めて混合し、反応する。したがって、シリコン系ア
ルコラートに比べてより低い温度で反応しやすいドーピ
ング物質を含む有機ソースが酸素と反応して、供給経路
の内壁に付着しやすい物質を生成するという現象が起こ
りにく（なる。その結果、特に、ドーピング材料を含む
シリコン酸化膜を形成した後にドーピングしないシリコ
ン酸化膜を形成する際に生じやすい、いわゆるクロスコ
ンダミの発生を防止することができる。
また、ガス供給経路内壁への反応物質の吸着とその剥離
を繰返す現象も抑制されるため、成膜速度がいちはやく
安定するとともに、処理するウェハごとに形成される膜
の厚さのばらつきも低減される。
を繰返す現象も抑制されるため、成膜速度がいちはやく
安定するとともに、処理するウェハごとに形成される膜
の厚さのばらつきも低減される。
［実施例］
以下本発明の一実施例を、第１図に基づいて説明する。
本実施例の半導体装置の製造装置は、第１図を参照して
、原料ガスを供給するガス供給系１と酸化膜を形成する
チャンバ一部２からなる。ガス供給系１においては、流
量制御器３で流量調節された酸素がオゾン発生器４に供
給され、発生したオゾンは配管５ａに導かれる。
、原料ガスを供給するガス供給系１と酸化膜を形成する
チャンバ一部２からなる。ガス供給系１においては、流
量制御器３で流量調節された酸素がオゾン発生器４に供
給され、発生したオゾンは配管５ａに導かれる。
また、３種類の有機ソースである、ＴＥＯＳ。
ＴＭＰＯ，ＴＭＢがそれぞれバブリング装置６ａ。
６ｂ、６ｃに蓄えられ、それぞれ流量制御器７ａ。
７ｂ、７ｃを介して供給される窒素によりバブリングさ
れる。バブリング装置６ａでバブリングされたＴＥＯＳ
ガスと、配管５ａに導かれたオゾンおよび酸素は、流量
制御器１７ａによって流ｊｔａ１節されるパージ用の窒
素キャリアとともに合流点４１ａで合流し、さらに配管
８ａを通ってディスパージョンヘッド９内に導かれる。
れる。バブリング装置６ａでバブリングされたＴＥＯＳ
ガスと、配管５ａに導かれたオゾンおよび酸素は、流量
制御器１７ａによって流ｊｔａ１節されるパージ用の窒
素キャリアとともに合流点４１ａで合流し、さらに配管
８ａを通ってディスパージョンヘッド９内に導かれる。
またバブリング装置ｔ６ｂおよびバブリング装置６ｃで
バブリングされた、ドーピング材料（リン、硼素）を含
むＴＭＰＯガスおよびＴＭＢは、流量制御器１７ｂによ
って流量制御されて配管５ｂに導かれる窒素キャリアと
合流点４１ｂに合流し、配管８ｂを通ってディスパージ
ョンヘッド９内に導かれる。配管８ａを通ってディスパ
ージョンヘッド９内に導かれるＴＥＯ５／オゾン系のガ
スと、配管８ｂを通ってディスパージョンヘッド内に導
かれるドーピング材料を含むガスとは、インジェクタ１
０に設けられた複数のスリット状流路に、それぞれ別々
に、１箇所おきに交互に流され、ディスバージョンへラ
ド９のヘッド部１１に導かれる。
バブリングされた、ドーピング材料（リン、硼素）を含
むＴＭＰＯガスおよびＴＭＢは、流量制御器１７ｂによ
って流量制御されて配管５ｂに導かれる窒素キャリアと
合流点４１ｂに合流し、配管８ｂを通ってディスパージ
ョンヘッド９内に導かれる。配管８ａを通ってディスパ
ージョンヘッド９内に導かれるＴＥＯ５／オゾン系のガ
スと、配管８ｂを通ってディスパージョンヘッド内に導
かれるドーピング材料を含むガスとは、インジェクタ１
０に設けられた複数のスリット状流路に、それぞれ別々
に、１箇所おきに交互に流され、ディスバージョンへラ
ド９のヘッド部１１に導かれる。
ディスパージョンヘッド９のヘッド部１１に対向して、
基板１２が載置されたサセプタ１３が接地されている。
基板１２が載置されたサセプタ１３が接地されている。
このサセプタ１３には、基板１２の表面を酸化膜堆積に
必要な温度に加熱するため、ヒータ１４が備えられてい
る。ディスパージョンヘッド９のヘッド部１１から突出
する、ＴＥＯ５／オゾン系のガスと、ドーピング材料を
含む有機ソースのガスは、基板１２の表面付近で混合さ
れ、気相反応により基板１２の表面上にリンあるには硼
素をドーピングしたＰＳＧ、ＢＰＳＧ膜が形成される。
必要な温度に加熱するため、ヒータ１４が備えられてい
る。ディスパージョンヘッド９のヘッド部１１から突出
する、ＴＥＯ５／オゾン系のガスと、ドーピング材料を
含む有機ソースのガスは、基板１２の表面付近で混合さ
れ、気相反応により基板１２の表面上にリンあるには硼
素をドーピングしたＰＳＧ、ＢＰＳＧ膜が形成される。
なお、この実施例における装置によってＮＳＣ膜を形成
するときには、ＴＥＯ８／オゾン系のガスのみを上記の
ように供給し、流量制御器７ｂ。
するときには、ＴＥＯ８／オゾン系のガスのみを上記の
ように供給し、流量制御器７ｂ。
７ｃを流れる窒素キャリアの流量を０にすることによっ
て、ＴＭＰＯガスおよびＴＭＢガスの供給を停止する。
て、ＴＭＰＯガスおよびＴＭＢガスの供給を停止する。
以上述べたように、本実施例の装置によって基板１２表
面にＢＰＳＧ膜を形成する場合には、ＴＥＯ３／オゾン
系のガスと、ドーピング材料を含む有機ソースとガスと
を別系統の経路て成膜領域である半導体基板１２表面近
傍に供給するため、ＴＭＰＯガスやＴＭＰガスが酸素や
オゾンと反応し、リンガラスや硼素ガラスとなって供給
経路の内壁に付着するという現象か防止される。また、
ＢＰＳＧ膜を形成した後に、さらにＮＳＣ膜を形成する
場合にも、ガス供給経路の内壁に付着する不純物の量を
極めて少量に抑えることができるため、ＮＳＣ膜に不純
物が混入するいわゆるクロスコンダミの発生も防止され
る。
面にＢＰＳＧ膜を形成する場合には、ＴＥＯ３／オゾン
系のガスと、ドーピング材料を含む有機ソースとガスと
を別系統の経路て成膜領域である半導体基板１２表面近
傍に供給するため、ＴＭＰＯガスやＴＭＰガスが酸素や
オゾンと反応し、リンガラスや硼素ガラスとなって供給
経路の内壁に付着するという現象か防止される。また、
ＢＰＳＧ膜を形成した後に、さらにＮＳＣ膜を形成する
場合にも、ガス供給経路の内壁に付着する不純物の量を
極めて少量に抑えることができるため、ＮＳＣ膜に不純
物が混入するいわゆるクロスコンダミの発生も防止され
る。
以上述べた本実施例の作用効果を実証するため、従来技
術における第７Ａ図に対応する本実施例のグラフを第２
Ａ図に、従来技術の第７Ｂ図に対応する本実施例のグラ
フを第２Ｂ図に示す。本実施例における実験条件は、下
記の表に示すとおりである。これらのグラフかられかる
ように、ＢＰＳＧ膜形成時におけるウェハ処理ごとの再
現性の向上およびＢＰＳＧ膜形成後にＮＳＣ膜を形成す
る場合のクロスコンダミが減少するなどの成膜特性の向
上が達成されていることがわかる。
術における第７Ａ図に対応する本実施例のグラフを第２
Ａ図に、従来技術の第７Ｂ図に対応する本実施例のグラ
フを第２Ｂ図に示す。本実施例における実験条件は、下
記の表に示すとおりである。これらのグラフかられかる
ように、ＢＰＳＧ膜形成時におけるウェハ処理ごとの再
現性の向上およびＢＰＳＧ膜形成後にＮＳＣ膜を形成す
る場合のクロスコンダミが減少するなどの成膜特性の向
上が達成されていることがわかる。
次に、第１図に示す本実施例の装置を用いたＣＶＤ法に
よる成膜の具体的用途について、第３図に基づいて説明
する。
よる成膜の具体的用途について、第３図に基づいて説明
する。
第３図は、４メガのＤＲＡＭ （Ｄｙｎａｍｉ ｃＲａ
ｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）に本発明
の製造装置を適用して成膜した場合の、形成されたＤＲ
ＡＭの断面構造を示している。同図に示すＤＲＡＭは、
まずシリコン半導体基板２１上に厚い酸化絶縁膜からな
る分離領域２２、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ−Ｄｏｐｅｄ
Ｄｒａｉｎ）構造を持つトランジスタのゲート電極
２３とサイドウオール２４が形成されている。その上に
は、電荷を蓄積するストレージノード２５とセルプレー
ト２６が誘電体２７を挾んで設けられ、さらにその上を
覆うように層間絶縁膜２８を介してビット線２９が形成
されている。またビット線２９の表面全面は、第１図に
示す本発明の製造装置のＴＥＯＳ／オゾン系ガスのみに
よって成膜されたシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜３
０ａで覆われ、さらにその上に、ＴＥＯ３／オゾン系ガ
スに加えて、ＴＭＰＯおよびＴＭＰガス化して供給し、
ＢＰＳＧ膜３０ｂが形成され、その上にアルミニウム導
伝線３１が配置されている。その後さらに層間絶縁膜３
２を介してアルミニウム導伝線３３が形成されている。
ｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）に本発明
の製造装置を適用して成膜した場合の、形成されたＤＲ
ＡＭの断面構造を示している。同図に示すＤＲＡＭは、
まずシリコン半導体基板２１上に厚い酸化絶縁膜からな
る分離領域２２、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ−Ｄｏｐｅｄ
Ｄｒａｉｎ）構造を持つトランジスタのゲート電極
２３とサイドウオール２４が形成されている。その上に
は、電荷を蓄積するストレージノード２５とセルプレー
ト２６が誘電体２７を挾んで設けられ、さらにその上を
覆うように層間絶縁膜２８を介してビット線２９が形成
されている。またビット線２９の表面全面は、第１図に
示す本発明の製造装置のＴＥＯＳ／オゾン系ガスのみに
よって成膜されたシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜３
０ａで覆われ、さらにその上に、ＴＥＯ３／オゾン系ガ
スに加えて、ＴＭＰＯおよびＴＭＰガス化して供給し、
ＢＰＳＧ膜３０ｂが形成され、その上にアルミニウム導
伝線３１が配置されている。その後さらに層間絶縁膜３
２を介してアルミニウム導伝線３３が形成されている。
以上のような工程で製造される４メガのＤＲＡＭにおい
て、酸化絶縁膜で形成されるサイドウオール２４１層間
絶縁膜２８．３２も、いずれも第１図に示すＣＶＤ装置
の適用により形成することができる。たとえばサイドウ
オール２４は、ゲート電極２３が形成された後に、その
上を覆うように上記ＣＶＤ装置によって５ｉ０２膜を堆
積させ、反応性イオンエツチングなどをほどこすことに
よって形成される。また層間絶縁膜２８．３２は、上記
ＣＶＤ装置により５ｉ０２膜を堆積させた後、平坦化な
どのための熱処理をほどこすことによって形成される。
て、酸化絶縁膜で形成されるサイドウオール２４１層間
絶縁膜２８．３２も、いずれも第１図に示すＣＶＤ装置
の適用により形成することができる。たとえばサイドウ
オール２４は、ゲート電極２３が形成された後に、その
上を覆うように上記ＣＶＤ装置によって５ｉ０２膜を堆
積させ、反応性イオンエツチングなどをほどこすことに
よって形成される。また層間絶縁膜２８．３２は、上記
ＣＶＤ装置により５ｉ０２膜を堆積させた後、平坦化な
どのための熱処理をほどこすことによって形成される。
なお、最上層のアルミニウム導伝線３３を保護するため
、その上にパッシベーション膜が形成される場合があり
、これにも上記ＣＶＤ装置が適用可能である。パッジベ
ージシン膜としては、ＰＳＧ膜やＢＰＳＧ膜もよく用い
られ、その場合には、ＢＰＳＧ膜３０ｂと同様に、有機
ソースとしてＴＥＯＳに加えてＴＭＰＯやＴＭＢが供給
される。
、その上にパッシベーション膜が形成される場合があり
、これにも上記ＣＶＤ装置が適用可能である。パッジベ
ージシン膜としては、ＰＳＧ膜やＢＰＳＧ膜もよく用い
られ、その場合には、ＢＰＳＧ膜３０ｂと同様に、有機
ソースとしてＴＥＯＳに加えてＴＭＰＯやＴＭＢが供給
される。
ＴＥＯ５／オゾン系ガスで成膜したシリコン酸化膜は、
段差被覆性がＳ ｉ Ｌ ／ Ｏ系に比べてよく、有機
材料で形成した２層膜は、従来の膜に比べて大幅に段差
被覆性が改善できる。そのため、リフローと呼ばれる平
坦化のための熱処理温度を、従来の９００℃以上から１
００℃程度低くすることが可能になる。それにより、微
細デバイスのための成膜処理にも適用可能となる。
段差被覆性がＳ ｉ Ｌ ／ Ｏ系に比べてよく、有機
材料で形成した２層膜は、従来の膜に比べて大幅に段差
被覆性が改善できる。そのため、リフローと呼ばれる平
坦化のための熱処理温度を、従来の９００℃以上から１
００℃程度低くすることが可能になる。それにより、微
細デバイスのための成膜処理にも適用可能となる。
また上記各実施例では、シリコン系アルコラートとして
はＴＥＯＳを、ドーピング材料であるリンを含む有機ソ
ースとしてＴＭＰＯを、硼素を含む有機ソースとして、
ＴＭＢを用いた場合について説明しタカ、ＴＭＯＳまた
はＴＰＯ８（Ｓ ｉ １ｉｃｏｎ Ｔｅｔｒａ Ｐ
ｒｏｐｏｘｉｄｅ）、シラノールの２量体やサイクリッ
ク４量体を用いることもできる。またリン材料として、
ＴＭＰを、硼素材料としてＴＥＢ（Ｔｒｉ−Ｅｔｈｙｌ
Ｂｏｒａｔｅ）、ＴＰＢ （Ｔｒｉ−Ｐｒｏｐｙ
ｌＢｏｒａｔｅ）、ＴＢＢ （Ｔｒｉ−ＢｕｔｙｌＢ
ｏｒａｔｅ）などの異性体を用いてもよい。
はＴＥＯＳを、ドーピング材料であるリンを含む有機ソ
ースとしてＴＭＰＯを、硼素を含む有機ソースとして、
ＴＭＢを用いた場合について説明しタカ、ＴＭＯＳまた
はＴＰＯ８（Ｓ ｉ １ｉｃｏｎ Ｔｅｔｒａ Ｐ
ｒｏｐｏｘｉｄｅ）、シラノールの２量体やサイクリッ
ク４量体を用いることもできる。またリン材料として、
ＴＭＰを、硼素材料としてＴＥＢ（Ｔｒｉ−Ｅｔｈｙｌ
Ｂｏｒａｔｅ）、ＴＰＢ （Ｔｒｉ−Ｐｒｏｐｙ
ｌＢｏｒａｔｅ）、ＴＢＢ （Ｔｒｉ−ＢｕｔｙｌＢ
ｏｒａｔｅ）などの異性体を用いてもよい。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、ドーピング材料を含
む有機ソースのガスの供給経路を、シリコン系アルコラ
ートとオゾンを混合したガスの供給経路とを別系統にし
たため、クロスコンダミが抑制され、ウェハ１枚１枚の
処理ごとの成膜特性の安定性および成膜厚さの均一性を
改善することのできる半導体装置の製造装置を得ること
ができる。この装置を種々のデバイスの成膜に適用する
ことにより、従来装置を用いた場合に比べてより低温で
膜の平坦化が実現され、しかも高い処理能力を得ること
ができるという効果がある。
む有機ソースのガスの供給経路を、シリコン系アルコラ
ートとオゾンを混合したガスの供給経路とを別系統にし
たため、クロスコンダミが抑制され、ウェハ１枚１枚の
処理ごとの成膜特性の安定性および成膜厚さの均一性を
改善することのできる半導体装置の製造装置を得ること
ができる。この装置を種々のデバイスの成膜に適用する
ことにより、従来装置を用いた場合に比べてより低温で
膜の平坦化が実現され、しかも高い処理能力を得ること
ができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の製造装
置のシステム全体を示す図である。 第２Ａ図は、本発明の実施例の装置を用いて、ＢＰＳＧ
膜を形成した場合の、１枚１枚のウェハ処理ごとの膜の
成長速度と不純物濃度の変化を示す図、第２Ｂ図は、同
実施例の装置により、ＢＰＳＧ膜形成後にＮＳＣ膜を形
成した場合の成長速度および不純物濃度の変化を示す図
である。 第３図は、同実施例の装置を用いて２層の層間絶縁膜を
形成した、ＤＲＡＭのスタックドキャパシタを有するメ
モリセルの断面構造を示す図である。 第４ｖ！Ｊは、従来のデイスパージョンヘッドを用いた
成膜装置のシステム全体を示す図である。 第５図は、第４図に示す従来の装置により形成された酸
化絶縁膜のリーク電流密度特性を示す図である。 第６図は、第４図に示す従来の装置の問題点を解消する
ための本発明者らがすでに提案した成膜装置のシステム
全体を示す図である。 第７Ａ図は、第４図あるいは第６図に示す成膜装置によ
ってＢＰＳＧ膜を形成した場合の、１枚１枚のウェハの
処理ごとの膜成長速度および不純物濃度の変化を示す図
、第７Ｂ図は、これらの装置によってＢＰＳＧ膜を形成
した後にさらにＮＳＧ膜を形成した場合の、ウェハ処理
ごとの膜成長速度および不純物濃度の変化を示す図であ
る。 図において、１はガス供給系、２はチャンバー部、４は
オゾン発生器、５ｇ、５ｂは配管、６ａ。 ６ｂ、６ｃはバブリング装置、９はディスバージジンヘ
ッド、１２は基板、１３はサセプタ、１４はヒータ（加
熱手段） 、４１ａ、４１ｂは合流点である。 なお、図中同一番号を付した部分は、同一または相当の
要素を示す。 恥１図 島２Ａ図 処理ウニへブ回数 第２Ｂ図 入り！ウェハ帽（（ 第３図 第４図 ＼ 第５図 電芋 ［ＭＶＡｍ） 嶌７へ図 処王！７エへ１国数 スフＢ図 刈理つニへイ圓饗（
置のシステム全体を示す図である。 第２Ａ図は、本発明の実施例の装置を用いて、ＢＰＳＧ
膜を形成した場合の、１枚１枚のウェハ処理ごとの膜の
成長速度と不純物濃度の変化を示す図、第２Ｂ図は、同
実施例の装置により、ＢＰＳＧ膜形成後にＮＳＣ膜を形
成した場合の成長速度および不純物濃度の変化を示す図
である。 第３図は、同実施例の装置を用いて２層の層間絶縁膜を
形成した、ＤＲＡＭのスタックドキャパシタを有するメ
モリセルの断面構造を示す図である。 第４ｖ！Ｊは、従来のデイスパージョンヘッドを用いた
成膜装置のシステム全体を示す図である。 第５図は、第４図に示す従来の装置により形成された酸
化絶縁膜のリーク電流密度特性を示す図である。 第６図は、第４図に示す従来の装置の問題点を解消する
ための本発明者らがすでに提案した成膜装置のシステム
全体を示す図である。 第７Ａ図は、第４図あるいは第６図に示す成膜装置によ
ってＢＰＳＧ膜を形成した場合の、１枚１枚のウェハの
処理ごとの膜成長速度および不純物濃度の変化を示す図
、第７Ｂ図は、これらの装置によってＢＰＳＧ膜を形成
した後にさらにＮＳＧ膜を形成した場合の、ウェハ処理
ごとの膜成長速度および不純物濃度の変化を示す図であ
る。 図において、１はガス供給系、２はチャンバー部、４は
オゾン発生器、５ｇ、５ｂは配管、６ａ。 ６ｂ、６ｃはバブリング装置、９はディスバージジンヘ
ッド、１２は基板、１３はサセプタ、１４はヒータ（加
熱手段） 、４１ａ、４１ｂは合流点である。 なお、図中同一番号を付した部分は、同一または相当の
要素を示す。 恥１図 島２Ａ図 処理ウニへブ回数 第２Ｂ図 入り！ウェハ帽（（ 第３図 第４図 ＼ 第５図 電芋 ［ＭＶＡｍ） 嶌７へ図 処王！７エへ１国数 スフＢ図 刈理つニへイ圓饗（
Claims (2)
- （１）オゾンと、少なくともシリコン系アルコラートを
含む有機ソースのガスとを反応させて、ＣＶＤ法により
基板表面上にシリコン酸化膜を形成する半導体装置の製
造方法において、 前記基板表面近傍のみを成膜に必要な温度に加熱し、 この成膜に必要な温度に達していない、前記基板表面か
ら離れた位置において、予めシリコン系アルコラートか
らなる有機ソースのガスのみとオゾンとを混合してこの
混合ガスを前記基板表面上に供給し、 さらに、形成するシリコン酸化膜にドーピング材料を含
ませる場合には、そのドーピング材料を含む有機ソース
のガスを、前記シリコン系アルコラートからなる有機ソ
ースガスとは別の経路により、前記基板表面近傍までオ
ゾンと混合しないように供給すること を特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）オゾン発生器と、 シリコン系アルコラートからなる有機ソースをガス化す
る手段と、 ドーピング材料を含む有機ソースをガス化する手段と、 基板を載置し、この基板表面近傍を成膜反応に必要な温
度に加熱する手段を有するサセプタと、前記基板表面に
対向し混合ガスを吹出すヘッド部とからなるディスパー
ジョンヘッドと、 前記オゾン発生器で発生したオゾンとガス化されたシリ
コン系アルコラートからなる有機ソースとを途中で混合
して前記ディスパージョンヘッドへ供給する第１の配管
手段と、 前記ドーピング材料を含む有機ソースのガスを前記ディ
スパージョンヘッドに供給するための、前記第１の配管
手段とは別系統の第２の配管手段と、 前記ドーピング材料を含む有機ソースのガスを、前記デ
ィスパージョンヘッドの内部においても、オゾンおよび
前記シリコン系アルコラートからなる有機ソースとは別
系統の経路で供給し、前記ヘッド部から吹出させる手段
と を備えた半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2185510A JP2519586B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2185510A JP2519586B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472623A true JPH0472623A (ja) | 1992-03-06 |
| JP2519586B2 JP2519586B2 (ja) | 1996-07-31 |
Family
ID=16172049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2185510A Expired - Fee Related JP2519586B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2519586B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62166529A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Nec Corp | 薄膜の形成方法 |
| JPH01179423A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-17 | Nec Corp | 絶縁薄膜の製造方法 |
-
1990
- 1990-07-12 JP JP2185510A patent/JP2519586B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62166529A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Nec Corp | 薄膜の形成方法 |
| JPH01179423A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-17 | Nec Corp | 絶縁薄膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2519586B2 (ja) | 1996-07-31 |
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