JP2519586B2 - 半導体装置の製造方法およびその製造装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体装置の製造方法およびその製造装
置に関し、特に、オゾンと有機ソースのガスを反応させ
て、CVD法により基板表面上に酸化膜を形成する半導体
装置の製造方法およびその製造装置に関するものであ
る。

［従来の技術］ オゾンと有機ソースのガスとを反応させて、CVD法に
より基板上に酸化膜を形成する従来の装置として、第４
図に示すものがあった（たとえば「電気化学協会発行
電気化学 56.No.7,1988」P.527〜P.532）。

この従来の装置は、第４図を参照して、原料ガスを供
給するガス供給系１と酸化膜を形成するチャンバー部２
からなる。ガス供給系１においては、流量制御器３で流
量調節された酸素がオゾン発生器４に供給され、発生し
たオゾンは配管５を通ってディスパージョンヘッド９内
に導入される。

また、３種類の有機ソースである、TEOS（Silicon T
etra−Ethoxide:Si（OC₂H₅）_４）,TMPO（Phosphorus T
ri−Methoxide:PO（OCH₃）_３）,TMB（Boron Tri−Meth
oxide:B（OCH₃）_３）がそれぞれハブリング装置6a,6b,6
cに蓄えられ、それぞれ流量制御器7a,7b,7cを介して供
給される窒素によりバブリングされる。それによりこれ
らの有機ソースはガス化されて、配管８を通ってディス
パージョンヘッド９内に導入される。

ディスパージョンヘッド９内に導入されたオゾンと有
機ソースガスは、インジェクター10に設けられた複数の
スリット状流路に、それぞれ別々に、一箇所おきに交互
に流され、ディスパージョンヘッド９のヘッド部11に導
かれる。

ディスパージョンヘッド９のヘッド部11に対向して、
基板12が載置されたサセプタ13が設置されている。この
サセプタ13には、基板12の表面を酸化膜堆積に必要な温
度に加熱するためヒータ14が備えられている。ディスパ
ージョンヘッド９のヘッド部11から吐出するオゾンガス
と有機ソースのガスは、基板12の表面付近で混合され、
気相反応により基板12の表面上に酸化膜が堆積される。
混合ガスはその後矢印Ａ方向へ流れて、排気口15から排
気される。また、サセプタ13が矢印Ｂ方向に移動するこ
とにより、基板に表面での膜厚の均一化を図っている。

なお、リンや硼素をドーピングしないNSG（Non−dope
d Silicate Glass）膜を形成する場合には、有機ソー
スとしてTEOSのみが供給され、リンあるいは硼素をドー
ピングするPSG（Phospho Silicate Glass）,BPSG（Bo
ro Phospho Silicate Glass）膜を形成する場合に
あ、TEOSガスに加えてTMPOガスあるいはTMBガスが供給
される。

第４図に示す従来の装置により、NSG膜を形成したと
きの電界の強さとリーク電流密度の関係を第５図に示す
（「電気化学協会発行 電気化学,56,No.7,1988」P.530
に掲載されたグラフより）。第５図のグラフは、酸化膜
堆積温度すなわち基板表面の温度が400℃の場合におい
て、TEOSガス流量に対するオゾン流量の比を0.14〜2.28
に変えたときの特性が示されている。このグラフによれ
ば、オゾンの流量比ｒが大きいほどリーク電流が減少し
ていることがわかる。

この従来例におけるオゾンとTEOSガスを用いたCVDに
よる膜成長は、上記文献にも記載されているように、次
のように考案される。

CVDにおける膜成長は、ソースガスの気相中での分解
による成膜種の生成、成膜種の基板表面への吸着、成膜
種の基板表面におけるマイグレーション、成膜種の表面
反応の４つの過程に分けて考えられる。このうちO₃/TEO
S系CVDにおいてオゾンが関与するのは、気相中でのTEOS
ガスの分解と、成膜種による表面反応との２つの過程で
ある。オゾンによる気相中でのTEOSガスの分解反応とし
ては、たとえば R:TEOSの場合C₂H₅ が考えられる。またオゾンと関与する主な表面反応とし
ては、膜形成時の結合後に残ったエトキシ基（−OC
₂H₅）をO₃が酸化する反応と、成長途中の膜表面にある
多数のSi−OH基のSi−ＯあるいはＯ−Ｈ結合をO₃が切断
し、H₂Oの形で抜取る脱水反応の２つが考えられる。

上記従来例において、O₃/TEOS流量比（＝ｒ）の増加
に従ってリーク電流が減少しているのは、この脱水反応
によってOH基が減少し、Si−Ｏのボンドネットワークの
生成が進むためであると考えられる。

しかしながら、上記従来のCVD装置により形成された
堆積膜では、第５図からわかるように低電界においても
高いリーク電流値を示し、必ずしも十分な絶縁特性を有
するとは言えない。

これは、上記従来のCVD装置が基板表面の近傍におい
て初めてオゾンとTEOSガスを混合するため、オゾンが関
与するエトキシ基の酸化反応あるいは脱水反応が十分に
は進行せず、Si−Ｏボンドネットワークの生成が不完全
であることによるものと考えられる。

これらの問題点を解決するために本発明者らは、すで
に出願した特願平１−255584号において、第６図に示す
装置を提案した。この装置が第４図に示す装置と共通す
る構成要素については、同一の番号を付して説明を省略
する。第６図に示す装置が第４図に示す装置と異なるの
は、第６図を参照して、次のとおりである。配管５と配
管８はディスパージョンヘッド９内に入る前の位置にお
いて合流点41を有する。したがってオゾンと有機ソース
ガスは合流点41において供給され、混合ガスとなってデ
ィスパージョンヘッド９の内部に設けたバッファ領域42
内に導入される。このバッファ領域42内に導入された混
合ガスは、分散板43によって整流されて、ディスパージ
ョンヘッド９のヘッド部11に導かれる。その他の動作
は、第４図に示す装置と同様である。

この装置を用いた製造方法によれば、オゾンと有機ソ
ースガスが成膜に必要な温度より低い温度の位置で混合
されるため、混合直後から基板表面近傍に至る前の間に
おいて、有機ソースのうちのシリコン系アルコラートガ
スのオゾンによる分解と重合による２量体の生成反応が
起こる。この反応は次式で表わされる。

分解反応 気相重合による２量体生成 オゾンは、成膜に必要な温度である約200℃以上では
極めて寿命が短く、400℃では99.99％以上が分解する。
したがってこの温度より十分低い温度、すなわち高くと
も200℃以下でオゾンと有機ソースガスを混合すること
により、むしろ上記反応が容易に進行する。その結果、
２量体のみでなく、それ以上の重合が進んで３量体以上
の多量体も生成しているものと考えられる。

上記２量体以上の多量体が基板表面近傍に吐出される
と、成膜に必要な温度に加熱されているため、この多量
体が基板表面に吸着されて表面重合し、酸化膜が形成さ
れる。その後オゾン雰囲気でのアニールによる酸化およ
び脱水重合が進行する。

このように第６図の装置を用いた場合には成膜位置近
傍に至る前の低温位置において予めオゾンと有機ソース
ガスを混合することにより、基板表面に至る前において
既に成膜重合の前段階である２量体あるいはそれ以上の
多量体が生成されている。そのため、成膜後のアニール
において酸化脱水反応がより進行しやすく、第４図の装
置を用いた場合に比べてより完全なSi−Ｏボンドネット
ワークが生成される。

［発明が解決しようとする課題］ 上述したように、シリコン材料として用いるシリコン
系アルコラートの代表としてのTEOSは、250〜450℃の温
度領域では通常分解しないため、成膜反応は行なえない
が、オゾンを導入することによりその温度領域でも分解
し、重合反応が進んで成膜を行なうことができる。また
オゾンの寿命は高温では短いため、低温の領域で混合し
TEOSとオゾンを成膜領域以前で混合することにより、成
膜領域で混合する方法より反応がより完全に行なわれ、
良質なシリコン酸化膜が得られる。

しかしながら、ドーピング材料を含む有機ソースとし
て用いるTMBやTEB（Tri Ethyl Borate）などの硼素の
アルコキシレートや、TMPO,TMPI（Tri Methyl Phosph
ite）などのリンのアルコキシレートは、TEOSに比べて
反応性が高く、低温の領域でもオゾンまたは酸素と反応
し、リンガラスや硼素ガラスを形成する。このリンガラ
スや硼素ガラスは吸湿性が大きく、水と反応してリン酸
や硼酸となって、配管の内壁などに付着しやすくなる。
配管などのガス供給経路に付着したリンガラス，硼酸ガ
ラスやリン酸，硼酸は、１枚ごとに成膜処理を行なうウ
ェハの膜厚や、ドーピング材料の濃度の再現性を低下さ
せ、また、BPSG膜の形成後にNSG膜の形成工程に変更し
たときに、いわゆるクロスコンタミを引起こす。このク
ロスコンタミとは、一般に、複数の異なる材料を用いて
別々のプロセスを行なう場合に、工程を切換えたとき
に、前の工程に用いた材料が後の工程の材料に混入する
ことを言う。BPSG膜形成後にNSG膜を形成する場合に
は、NSG膜中に硼素やリンが混入する。このような混入
がなくなって純粋のNSG膜が成長するまで時間を要し、
その間、硼素やリンなどのドーピング材料の混入量をモ
ニタするために、何枚かのウェハのダミーランが必要に
なる。また、このダミーランを減らすためには、N₂キャ
リアガスによるパージまたは洗浄により、硼素やリンの
混入を排除しなければならないという問題があった。こ
のような従来の技術の問題点を具体的に示すため、第7A
図には、BPSG膜の形成を枚葉式でウェハ上に行なった場
合の、１枚目のウェハから始まって10枚目のウェハの処
理が終わるまでの、膜の成長速度と不純物濃度の変化を
示している。このグラフによれば、処理ウェハの枚数が
４枚目を超えたときは初めて成膜処理の再現性が安定し
ていることがわかる。また第7B図には、BPSG膜形成後に
NSG膜を成膜させたときの第7A図と同様のグラフを示し
ている。このグラフから、処理ウェハの枚数が10枚目の
段階でも、成膜の成長速度が安定せず、またNSG膜中の
不純物濃度も０にはなっていないことがわかる。

この発明は上記従来の問題点を解消するため、成膜特
性の再現性を早期に安定させることによってダミーラン
に必要なウェハの枚数を減らすとともに、クロスコンタ
ミを抑制することのできる半導体装置の製造装置を提供
することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決する本発明の半導体装置の製造方法
は、オゾンと、少なくともシリコン系アルコラートを含
む有機ソースのガスとを反応させて、CVD法により基板
表面上にシリコン酸化膜を形成する半導体装置の製造方
法において、基板表面近傍のみを成膜に必要な温度に加
熱し、この成膜に必要な温度に達していない、基板表面
から離れた位置において、予めシリコン系アルコラート
からなる有機ソースのガスのみとオゾンとを混合してこ
の混合ガスを基板表面上に供給し、さらに、形成するシ
リコン酸化膜にドーピング材料を含ませる場合には、そ
のドーピング材料を含む有機ソースのガスを、シリコン
系アルコラートからなる有機ソースのガスとは別の経路
により、基板表面近傍までオゾンと混合しないように供
給し、形成するシリコン酸化膜にドーピング材料を含ま
せない場合には、ドーピング材料を含む有機ソースのガ
スの供給を停止することを特徴とする。

また、本発明の半導体装置の製造装置は、オゾン発生
器と、シリコン系アルコラートからなる有機ソースをガ
ス化する手段と、ドーピング材料を含む有機ソースをガ
ス化する手段と、基板を載置し、この基板表面近傍を成
膜反応に必要な温度に加熱する手段を有するサセプタ
と、基板表面に対向し混合ガスを吹出すヘッド部とから
なるディスパージョンヘッドと、オゾン発生器で発生し
たオゾンとガス化されたシリコン系アルコラートからな
る有機ソースとを途中で混合してディスパージョンヘッ
ドへ供給する第１の配管手段と、ドーピング材料を含む
有機ソースのガスをディスパージョンヘッドに供給する
ための、第１の配管手段とは別系統の第２の配管手段
と、ドーピング材料を含む有機ソースのガスを、ディス
パージョンヘッドの内部においても、オゾンおよびシリ
コン系アルコラートからなる有機ソースとは別系統の経
路で供給し、ヘッド部から吹出させる手段と、基板に形
成される膜にドーピング材料を含ませる場合と含ませな
い場合とに応じて、ディスパージョンヘッドへのドーピ
ング材料を含む有機ソースのガスの供給と供給停止とを
切換える手段とを備えている。

［作用］ 本発明の半導体装置の製造方法および装置によれば、
シリコン系アルコラートからなる有機ソースのガスとオ
ゾンとを混合したガスと、ドーピング材料を含む有機ソ
ースのガスとをそれぞれ別系統の経路でディスパージョ
ンヘッドのヘッド部まで供給するため、ドーピング材料
を含む有機ソースとシリコン系アルコラートとがウェハ
表面近傍において初めて混合し、反応する。したがっ
て、シリコン系アルコラートに比べてより低い温度で反
応しやすいドーピング物質を含む有機ソースが酸素と反
応して、供給経路の内壁に付着しやすい物質を生成する
という不都合な現象の発生を抑制することがでる。その
結果、特にドーピング材料を含むシリコン酸化膜を形成
した後にドーピングしないシリコン酸化膜を形成する際
に生じやすい、いわゆるクロスコンタミの発生を防止す
ることができる。

また、ガス供給経路内壁への反応物質の吸着とその剥
離を繰返す現象も抑制されるため、成膜速度がいち早く
安定するとともに、処理するウェハ毎に形成される膜の
厚さのばらつきも低減される。

さらに、本発明によれば、ドーピング材料を含む有機
ソースガスの供給を停止することによって、ドーピング
材料を含まないシリコン酸化膜も同一の装置を用いて基
板上に形成することができる。

［実施例］ 以下本発明の一実施例を、第１図に基づいて説明す
る。

本実施例の半導体装置の製造装置は、第１図を参照し
て、原料ガスを供給するガス供給系１と酸化膜を形成す
るチャンバー部２からなる。ガス供給系１においては、
流量制御器３で流量調節された酸素がオゾン発生器４に
供給され、発生したオゾンは配管5aに導かれる。

また、３種類の有機ソースである、TEOS,TMPO,TMBが
それぞれバブリング装置6a,6b,6cに蓄えられ、それぞれ
流量制御器7a,7b,7cを介して供給される窒素によりバブ
リングされる。バブリング装置6aでバブリングされたTE
OSガスと、配管5aに導かれたオゾンおよび酸素は、流量
制御器17aによって流量調節されるパージ用の窒素キャ
リアとともに合流点41aで合流し、さらに配管8aを通っ
てディスパージョンヘッド９内に導かれる。またバブリ
ング装置6bおよびバブリング装置6cでバブリングされ
た、ドーピング材料（リン，硼素）を含むTMPOガスおよ
びTMBは、流量制御器17bによって流量制御されて配管5b
に導かれる窒素キャリアと合流点41bに合流し、配管8b
を通ってディスパージョンヘッド９内に導かれる。配管
8aを通ってディスパージョンヘッド９内に導かれるTEOS
/オゾン系のガスと、配管8bを通ってディスパージョン
ヘッド内に導かれるドーピング材料を含むガスとは、イ
ンジェクタ10に設けられた複数のスリット状流路に、そ
れぞれ別々に、１箇所おきに交互に流され、ディスパー
ジョンヘッド９のヘッド部11に導かれる。

ディスパージョンヘッド９のヘッド部11に対向して、
基板12が載置されたサセプタ13が接地されている。この
サセプタ13には、基板12の表面を酸化膜堆積に必要な温
度に加熱するため、ヒータ14が備えられている。ディス
パージョンヘッド９のヘッド部11から突出する、TEOS/
オゾン系のガスと、ドーピング材料を含む有機ソースの
ガスは、基板12の表面付近で混合され、気相反応により
基板12の表面上にリンあるには硼素をドーピングしたPS
G,BPSG膜が形成される。

なお、この実施例における装置によってNSG膜を形成
するときには、TEOS/オゾン系のガスのみを上記のよう
に供給し、流量制御器7b,7cを流れる窒素キャリアの流
量を０にすることによって、TMPOガスおよびTMBガスの
供給を停止する。

以上述べたように、本実施例の装置によって基板12表
面にBPSG膜を形成する場合には、TEOS/オゾン系のガス
と、ドーピング材料を含む有機ソースとガスとを別系統
の経路で成膜領域である半導体基板12表面近傍に供給す
るため、TMPOガスやTMPガスが酸素やオゾンと反応し、
リンガラスや硼素ガラスとなって供給経路の内壁に付着
するという現象が防止される。また、BPSG膜を形成した
後に、さらにNSG膜を形成する場合にも、ガス供給経路
の内壁に付着する不純物の量を極めて少量に抑えること
ができるため、NSG膜に不純物が混入するいわゆるクロ
スコンタミの発生も防止される。

以上述べた本実施例の作用効果を実証するため、従来
技術における第7A図に対応する本実施例のグラフを第2A
図に、従来技術の第7B図に対応する本実施例のグラフを
第2B図に示す。本実施例における実験条件は、下記の表
に示すとおりである。これらのグラフからわかるよう
に、BPSG膜形成時におけるウェハ処理ごとの再現性の向
上およびBPSG膜形成後にNSG膜を形成する場合のクロス
コンタミが減少するなどの成膜特性の向上が達成されて
いることがわかる。

次に、第１図に示す本実施例の装置を用いたCVD法に
よる成膜の具体的用途について、第３図に基づいて説明
する。

第３図は、４メガのDRAM（Dynamic Random Access
Memory）に本発明の製造装置を適用して成膜した場合
の、形成されたDRAMの断面構造を示している。同図に示
すDRAMは、まずシリコン半導体基板21上に厚い酸化絶縁
膜からなる分離領域22、LDD（Lightly−Doped Drain）
構造を持つトランジスタのゲート電極23とサイドウォー
ル24が形成されている。その上には、電荷を蓄積するス
トレージノード25とセルプレート26が誘電体27を挾んで
設けられ、さらにその上を覆うように層間絶縁膜28を介
してビット線29が形成されている。またビット線29の表
面全面は、第１図に示す本発明の製造装置のTEOS/オゾ
ン系ガスのみによって成膜されたシリコン酸化膜からな
る層間絶縁膜30aで覆われ、さらにその上に、TEOS/オゾ
ン系ガスに加えて、TMPOおよびTMPガス化して供給し、B
PSG膜30bが形成され、その上にアルミニウム導伝線31が
配置されている。その後さらに層間絶縁膜32を介してア
ルミニウム導伝線33が形成されている。

以上のような工程で製造される４メガのDRAMにおい
て、酸化絶縁膜で形成されるサイドウォール24,層間絶
縁膜28,32も、いずれも第１図に示すCVD装置の適用によ
り形成することができる。たとえばサイドウォール24
は、ゲート電極23が形成された後に、その上を覆うよう
に上記CVD装置によってSiO₂膜を堆積させ、反応性イオ
ンエッチングなどをほどこすことによって形成される。
また層間絶縁膜28,32は、上記CVD装置によりSiO₂膜を堆
積させた後、平坦化などのための熱処理をほどこすこと
によって形成される。

なお、最上層のアルミニウム導伝線33を保護するた
め、その上にパッシベーション膜が形成される場合があ
り、これにも上記CVD装置が適用可能である。パッシベ
ーション膜としては、PSG膜やBPSG膜もよく用いられ、
その場合には、BPSG膜30bと同様に、有機ソースとしてT
EOSに加えてTMPOやTMBが供給される。

TEOS/オゾン系ガスで成膜したシリコン酸化膜は、段
差被覆性がSiH₄/O系に比べてよく、有機材料で形成した
２層膜は、従来の膜に比べて大幅に段差被覆性か改善で
きる。そのため、リフローと呼ばれる平坦化のための熱
処理温度を、従来の900℃以上から100℃程度低くするこ
とが可能になる。それにより、微細デバイスのための成
膜処理にも適用可能となる。

また上記各実施例では、シリコン系アルコラートとし
てはTEOSを、ドーピング材料であるリンを含む有機ソー
スとしてTMPOを、硼素を含む有機ソースとして、TMBを
用いた場合について説明したが、TMOSまたはTPOS（Sili
con Tetra Propoxide）、シラノールの２量体やサイ
クリック４量体を用いることもできる。またリン材料と
して、TMPを、硼素材料としてTEB（Tri−Ethyl Borat
e）,TPB（Tri−Propyl Borate）,TBB（Tri−Butyl Bo
rate）などの異性体を用いてもよい。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、ドーピング材料を
含む有機ソースのガスの供給経路を、シリコン系アルコ
ラートとオゾンを混合したガスの供給経路とを別系統に
したため、クロスコンタミが抑制され、ウェハ１枚１枚
の処理ごとの成膜特性の安定性および成膜厚さの均一性
を改善することのできる半導体装置の製造装置を得るこ
とができる。この装置を種々のデバイスの成膜に適用す
ることにより、従来装置を用いた場合に比べてより低温
で膜の平坦化が実現され、しかも高い処理能力を得るこ
とができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における半導体装置の製造装
置のシステム全体を示す図である。 第2A図は、本発明の実施例の装置を用いて、BPSG膜を形
成した場合の、１枚１枚のウェハ処理ごとの膜の成長速
度と不純物濃度の変化を示す図、第2B図は、同実施例の
装置により、BPSG膜形成後にNSG膜を形成した場合の成
長速度および不純物濃度の変化を示す図である。 第３図は、同実施例の装置を用いて２層の層間絶縁膜を
形成した、DRAMのスタックドキャパシタを有するメモリ
セルの断面構造を示す図である。 第４図は、従来のディスパージョンヘッドを用いた成膜
装置のシステム全体を示す図である。 第５図は、第４図に示す従来の装置により形成された酸
化絶縁膜のリーク電流密度特性を示す図である。 第６図は、第４図に示す従来の装置の問題点を解消する
ための本発明者らがすでに提案した成膜装置のシステム
全体を示す図である。 第7A図は、第４図あるいは第６図に示す成膜装置によっ
てBPSG膜を形成した場合の、１枚１枚のウェハの処理ご
との膜成長速度および不純物濃度の変化を示す図、第7B
図は、これらの装置によってBPSG膜を形成した後にさら
にNSG膜を形成した場合の、ウェハ処理ごとの膜成長速
度および不純物濃度の変化を示す図である。 図において、１はガス供給系、２はチャンバー部、４は
オゾン発生器、5a,5bは配管、6a,6b,6cはバブリング装
置、９はディスパージョンヘッド、12は基板、13はサセ
プタ、14はヒータ（加熱手段）、41a,41bは合流点であ
る。 なお、図中同一番号を付した部分は、同一または相当の
要素を示す。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】オゾンと、少なくともシリコン系アルコラ
   ートを含む有機ソースのガスとを反応させて、CVD法に
   より基板表面上にシリコン酸化膜を形成する半導体装置
   の製造方法において、 前記基板表面近傍のみを成膜に必要な温度に加熱し、 この成膜に必要な温度に達していない、前記基板表面か
   ら離れた位置において、予めシリコン系アルコラートか
   らなる有機ソースのガスのみとオゾンとを混合してこの
   混合ガスを前記基板表面上に供給し、 さらに、形成するシリコン酸化膜にドーピング材料を含
   ませる場合には、そのドーピング材料を含む有機ソース
   のガスを、前記シリコン系アルコラートからなる有機ソ
   ースのガスとは別の経路により、前記基板表面近傍まで
   オゾンと混合しないように供給し、形成するシリコン酸
   化膜にドーピング材料を含ませない場合には、ドーピン
   グ材料を含む有機ソースのガスの供給を停止すること を特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】オゾン発生器と、 シリコン系アルコラートからなる有機ソースをガス化す
   る手段と、 ドーピング材料を含む有機ソースをガス化する手段と、 基板を載置し、この基板表面近傍を成膜反応に必要な温
   度に加熱する手段を有するサセプタと、 前記基板表面に対向し混合ガスを吹出すヘッド部とから
   なるディスパージョンヘッドと、 前記オゾン発生器で発生したオゾンとガス化されたシリ
   コン系アルコラートからなる有機ソースとを途中で混合
   して前記ディスパージョンヘッドへ供給する第１の配管
   手段と、 前記ドーピング材料を含む有機ソースのガスを前記ディ
   スパージョンヘッドに供給するための、前記第１の配管
   手段とは別系統の第２の配管手段と、 前記ドーピング材料を含む有機ソースのガスを、前記デ
   ィスパージョンヘッドの内部においても、オゾンおよび
   前記シリコン系アルコラートからなる有機ソースとは別
   系統の経路で供給し、前記ヘッド部から吹出させる手段
   と、 前記基板に形成される膜にドーピング材料を含ませる場
   合と含ませない場合とに応じて、前記ディスパージョン
   ヘッドへのドーピング材料を含む有機ソースのガスの供
   給と供給停止とを切換える手段と を備えた半導体装置の製造装置。