JP2006503185A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 銅層を基板上に形成する方法であって、
   フッ素を含まない銅前駆体から酸化銅層を前記基板上に形成し、
   前記酸化銅層を還元して銅層を前記基板上に形成する、方法。
2. 酸化銅層の形成、及び前記酸化銅層の還元の工程を、ほぼ同じ温度で行う、請求項１記載の方法。
3. 酸化銅層の形成、及び前記酸化銅層の還元の工程を、約100〜300℃の温度で行う、請求項２記載の方法。
4. 前記酸化銅層を形成する工程が、前記酸化銅層を、約200℃未満の温度において、前記基板の表面をフッ素を含まない銅前駆体と、酸素含有ガスとの、どちらか一方と反応させる工程を含む原子層沈着による沈着工程を含む、請求項１記載の方法。
5. 前記フッ素を含まない銅前駆体が、銅アルコキシド、銅β-ジケトネート、又は銅ジアルキルアミドである、請求項４記載の方法。
6. 前記銅アルコキシドが[Cu(t-BuO)]₄を含み、前記銅β-ジケトネートがCu(テトラメチルヘプタジオネート)₂を含み、及び前記銅ジアルキルアミドが式[Cu(NR₂)₄]（Rはアルキルを表す）を有する、請求項５記載の方法。
7. 前記酸素含有ガスが、オゾン、酸素、水、又はそれら任意の混合物である、請求項４記載の方法。
8. 前記酸化銅層を還元する工程が、酸化銅層を、約200℃未満の温度において、水素含有ガスと接触させることによって還元する工程を含む、請求項１記載の方法。
9. 銅薄膜を基板上に形成する方法であって、
   フッ素を含まない銅前駆体のガスをチャンバー内に用意されている基板周辺に導入し、
   過剰な銅前駆体ガスを前記チャンバーから除去し、
   酸素含有ガスを前記チャンバー内に導入して酸化銅の層を前記基板上に形成し、
   過剰なオゾンを前記チャンバーから除去し、及び
   水素含有ガスを前記チャンバー内に導入して前記酸化銅層を還元して銅層を形成する工程を含む、方法。
10. 前記酸化銅層の形成及び前記酸化銅層の還元の工程を、約200℃未満の温度で行う、請求項９記載の方法。
11. 前記酸化銅層の形成及び前記酸化銅層の還元の工程を、約100mTorr〜10Torrの圧力下で行う、請求項９記載の方法。