JPH01173337A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH01173337A JPH01173337A JP62330915A JP33091587A JPH01173337A JP H01173337 A JPH01173337 A JP H01173337A JP 62330915 A JP62330915 A JP 62330915A JP 33091587 A JP33091587 A JP 33091587A JP H01173337 A JPH01173337 A JP H01173337A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は音声、画像、電気信号を記録、再生するための
記録媒体に関する。
記録媒体に関する。
(従来技術および問題点)
音声、画像、電気信号を記録、再生、消去するために従
来から磁気および光記録方式がとられているが、光記録
方式のものは磁気記録材料に較べて記録密度が高く出来
ることから最近注目されてきている。これには、種々の
方法があり、例えばレーザー光の熱エネルギーにより記
録層にピットやホールを形成する方式や、相変化を起こ
さしめる方式があり、いずれも要するに書込みにより反
射光に変化を起こさせ信号を書き込むのである。
来から磁気および光記録方式がとられているが、光記録
方式のものは磁気記録材料に較べて記録密度が高く出来
ることから最近注目されてきている。これには、種々の
方法があり、例えばレーザー光の熱エネルギーにより記
録層にピットやホールを形成する方式や、相変化を起こ
さしめる方式があり、いずれも要するに書込みにより反
射光に変化を起こさせ信号を書き込むのである。
しかして、相変化を利用した光記録方式としては、テル
ル系の薄膜すなわちTe0g巻からなる記録層ににレー
ザー光を照射して、熱モードで非晶質−晶質の変化を行
わせ光反射率の異なる状態を作る方式が一般的である。
ル系の薄膜すなわちTe0g巻からなる記録層ににレー
ザー光を照射して、熱モードで非晶質−晶質の変化を行
わせ光反射率の異なる状態を作る方式が一般的である。
しかしながら、テルル及びテルル合金薄膜には、酸化安
定性が低いこと及び毒性が高いなどの大きな欠点がある
。
定性が低いこと及び毒性が高いなどの大きな欠点がある
。
酸化インジウム膜は、透明導電膜や選択透過膜として知
られており、液晶デイスプレィ用電極、赤外線反射膜等
に利用されている。該膜の導電性や赤外線反射率を向上
する目的から、スズ等をドープしたものや、作製温度を
上げることにより結晶性を良くしたものが用いられてい
る。
られており、液晶デイスプレィ用電極、赤外線反射膜等
に利用されている。該膜の導電性や赤外線反射率を向上
する目的から、スズ等をドープしたものや、作製温度を
上げることにより結晶性を良くしたものが用いられてい
る。
しかしながら、光記録媒体としての利用は、これまで全
くなされていなかった。
くなされていなかった。
本発明は、毒性が低くかつ安定性の良好な光記録媒体を
提供することを目的とするものである。
提供することを目的とするものである。
本発明者らは、酸化インジウム薄膜の非晶質−晶質の相
変化を行わせることにより、光線反射率または光線透過
率を変化させることが出来ることを見出した。本発明は
かかる知見にもとづいてなされるに到ったものである。
変化を行わせることにより、光線反射率または光線透過
率を変化させることが出来ることを見出した。本発明は
かかる知見にもとづいてなされるに到ったものである。
本発明は、非晶質を主成分とする酸化インジウム薄膜を
記録層として基板上に形成してなる光記録媒体、であり
、好ましくは、 850〜350nmの波長領域の光線透過率が30%以
下である光記録媒体、であり、また好ましくは、非晶質
を主成分とする酸化インジウム薄膜が、150°C以下
の基板温度において形成されたものである光記録媒体、
である。
記録層として基板上に形成してなる光記録媒体、であり
、好ましくは、 850〜350nmの波長領域の光線透過率が30%以
下である光記録媒体、であり、また好ましくは、非晶質
を主成分とする酸化インジウム薄膜が、150°C以下
の基板温度において形成されたものである光記録媒体、
である。
すなわち、本発明の要旨は、
基板上に非晶質を主成分とする酸化インジウム薄膜(以
下、非晶質酸化インジウム薄膜)を形成し、該薄膜をレ
ーザー照射等により結晶化し、非晶質−晶質の光線反射
率または光線透過率の変化を利用する光記録媒体である
。
下、非晶質酸化インジウム薄膜)を形成し、該薄膜をレ
ーザー照射等により結晶化し、非晶質−晶質の光線反射
率または光線透過率の変化を利用する光記録媒体である
。
本発明において、非晶質を主体とするとは、少なくとも
非晶質部分が30%以上、好ましくは、50%以上、さ
らに好ましくは70%以上、更に好ましくは90%以上
、最も好ましくは、実質的に100%である。なお、こ
の割合は、X線のピーク強度で算出する。
非晶質部分が30%以上、好ましくは、50%以上、さ
らに好ましくは70%以上、更に好ましくは90%以上
、最も好ましくは、実質的に100%である。なお、こ
の割合は、X線のピーク強度で算出する。
本発明の非晶質酸化インジウム薄膜を形成する方法とし
ては、反応性真空蒸着法、プラズマCvD法、スパッタ
リング法、イオンブレーティング法、イオンベーパー蒸
着法、イオンビームアシスト法、イオンクラスタービー
ム法等が挙げられる。これらの中で好ましくは、反応性
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法、イオンペーパー蒸着法、イオンクラスタービーム法
等が採用される。
ては、反応性真空蒸着法、プラズマCvD法、スパッタ
リング法、イオンブレーティング法、イオンベーパー蒸
着法、イオンビームアシスト法、イオンクラスタービー
ム法等が挙げられる。これらの中で好ましくは、反応性
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法、イオンペーパー蒸着法、イオンクラスタービーム法
等が採用される。
本発明で用いられる酸化インジウム薄膜は、低温プロセ
スで作製することにより得られる。得られる薄膜は、非
晶質を主成分とする膜であり、光線透過率が30%以下
と低いものである。
スで作製することにより得られる。得られる薄膜は、非
晶質を主成分とする膜であり、光線透過率が30%以下
と低いものである。
薄膜を作製する場合、形成温度を変えることにより、非
晶質成分の量を変化させることができる。形成温度を変
更することにより、酸化インジウムの非晶質成分の量を
変化させることが出来、光線透過率や光線反射率を意図
的に変更した薄膜を得ることが可能になる。
晶質成分の量を変化させることができる。形成温度を変
更することにより、酸化インジウムの非晶質成分の量を
変化させることが出来、光線透過率や光線反射率を意図
的に変更した薄膜を得ることが可能になる。
すなわち、本発明の非晶質酸化インジウム薄膜を形成す
るには150°C以下、好ましくは100 ℃以下の温
度の基体上に、インジウムを含む材料を蒸着するのであ
る。
るには150°C以下、好ましくは100 ℃以下の温
度の基体上に、インジウムを含む材料を蒸着するのであ
る。
基板温度が150°Cを越える場合、序々に薄膜中の結
晶質成分が増加し、光線透過率も増し、本発明の目的に
は、そぐわない。
晶質成分が増加し、光線透過率も増し、本発明の目的に
は、そぐわない。
本発明の非晶質酸化インジウム薄膜は、書込みおよび読
みだしのレーザー光の波長である850nm〜350n
mの波長領域において、エネルギを吸収して相変化を起
こすためにある程度の吸収が必要である。光線透過率が
少なくとも30%以下、好ましくは10%以下であるこ
とが好ましい。一方、酸化インジウム薄膜はこのように
非晶質状態においては、光線の吸収が非常に高いのであ
るが、これに該波長のレーザー光を照射せしめ、照射部
分を非晶質→結晶質に変化せしめると、該照射部の反射
率が高くなるのでこの差を生じさせかつ検出することに
より、信号の書込みおよび読みたしが行われるのである
。
みだしのレーザー光の波長である850nm〜350n
mの波長領域において、エネルギを吸収して相変化を起
こすためにある程度の吸収が必要である。光線透過率が
少なくとも30%以下、好ましくは10%以下であるこ
とが好ましい。一方、酸化インジウム薄膜はこのように
非晶質状態においては、光線の吸収が非常に高いのであ
るが、これに該波長のレーザー光を照射せしめ、照射部
分を非晶質→結晶質に変化せしめると、該照射部の反射
率が高くなるのでこの差を生じさせかつ検出することに
より、信号の書込みおよび読みたしが行われるのである
。
薄着材料は、有機インジウム化合物、酸化インジウム、
金属インジウムのいずれでもよいが、好ましくは金属イ
ンジウムを用い、10−”mmm1(以下、好ましくは
10−”mmHg以下の真空度の酸素雰囲気中で反応性
蒸着を行う。
金属インジウムのいずれでもよいが、好ましくは金属イ
ンジウムを用い、10−”mmm1(以下、好ましくは
10−”mmHg以下の真空度の酸素雰囲気中で反応性
蒸着を行う。
記録層の膜厚は、用途に応じて決められるが、通常約1
00〜10000人、好ましくは200〜2000人の
範囲である。
00〜10000人、好ましくは200〜2000人の
範囲である。
本発明において、記録層の支持体である基板としては、
ガラス、マイカ、アルミニウム合金等の無機材料または
ポリエステル、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポ
リ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、ポリメチル
メタクリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン
等のポリマー、あるいはこれらの変性ポリマー、コポリ
マー、ブレンド物等の有機材料から成るフィルムまたは
板を挙げることが出来る。
ガラス、マイカ、アルミニウム合金等の無機材料または
ポリエステル、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポ
リ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、ポリメチル
メタクリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン
等のポリマー、あるいはこれらの変性ポリマー、コポリ
マー、ブレンド物等の有機材料から成るフィルムまたは
板を挙げることが出来る。
本発明の光記録媒体は、作製後並びに情報記録後も通常
の環境下では極めて安定であり、特に保護層を設ける必
要はないが、機械的衝撃等に対する保護や、塵芥等の付
着により記録再生に支障を生じるのを防ぐことを目的と
して保護層を記録層の上に設けることが可能である。保
護層としては、 5iOz、、AIN 、 MgF2等
の無機材料およびアクリル系樹脂、エポキシ樹脂等の有
機高分子材料が用いられる。
の環境下では極めて安定であり、特に保護層を設ける必
要はないが、機械的衝撃等に対する保護や、塵芥等の付
着により記録再生に支障を生じるのを防ぐことを目的と
して保護層を記録層の上に設けることが可能である。保
護層としては、 5iOz、、AIN 、 MgF2等
の無機材料およびアクリル系樹脂、エポキシ樹脂等の有
機高分子材料が用いられる。
本発明の光記録媒体は以上の構成を有するものであるが
、これに、レーザー光線等を照射することにより、光線
透過率や光線反射率を変化させいわば光学的ピットを形
成することにより情報の書込みが行われる。
、これに、レーザー光線等を照射することにより、光線
透過率や光線反射率を変化させいわば光学的ピットを形
成することにより情報の書込みが行われる。
本発明に用いられる照射光としては、半導体レーザー、
キセノンフラッシュランプ、アルゴンガスレーザー、そ
の他850〜350nm程度の可視領域、近赤外領域に
発振波長をも9レーザーや各種ランプを使用することが
できる。記録用部材に情報を記録する方法としては、レ
ーザー光線をスポット、あるいは連続的に照射する方法
および適当なコントラストを有するマスクを通して、高
強度のレーザー光線またはキセノンフラッシュランプの
短パルス光線などで照射して画家を形成する方法などが
あげられる。
キセノンフラッシュランプ、アルゴンガスレーザー、そ
の他850〜350nm程度の可視領域、近赤外領域に
発振波長をも9レーザーや各種ランプを使用することが
できる。記録用部材に情報を記録する方法としては、レ
ーザー光線をスポット、あるいは連続的に照射する方法
および適当なコントラストを有するマスクを通して、高
強度のレーザー光線またはキセノンフラッシュランプの
短パルス光線などで照射して画家を形成する方法などが
あげられる。
〔発明を実施するための好ましい形態〕150 ℃以下
の温度の基板上に、真空度10−2mmHg以下の酸素
雰囲気中で、金属インジウムを蒸着材料として、反応性
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法、イオンペーパー蒸着法、イオンクラスタービーム法
により反応性蒸着をする。作製する非晶質酸化インジウ
ム薄膜の膜厚は、200〜2000人の範囲で形成され
る。
の温度の基板上に、真空度10−2mmHg以下の酸素
雰囲気中で、金属インジウムを蒸着材料として、反応性
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法、イオンペーパー蒸着法、イオンクラスタービーム法
により反応性蒸着をする。作製する非晶質酸化インジウ
ム薄膜の膜厚は、200〜2000人の範囲で形成され
る。
本発明の薄膜への記録書込みは、レーザー照射等を用い
結晶質成分を増やすことにより、光線透過率や光線反射
率を、所望の値に変化させることで可能となる。こうし
て、毒性の全くない光記録材料を提供することが可能と
なる。
結晶質成分を増やすことにより、光線透過率や光線反射
率を、所望の値に変化させることで可能となる。こうし
て、毒性の全くない光記録材料を提供することが可能と
なる。
キャスト法によって作製した、表面平滑性の良いポリメ
チルメタクリレートの基板を直径30cmのディスクに
加工し真空薫着機槽内にセットする。
チルメタクリレートの基板を直径30cmのディスクに
加工し真空薫着機槽内にセットする。
ディスクは、装置の中央において回転できるようになっ
ている。装置内には、6つのルツボを持つ電子ビーム装
置を備え、ルツボ内には、金属インジウムを入れた。装
置内を5*10− ’Torrの真空度とした後、s本
io−’Torrになるように02ガスを導入し、基板
回転を20rpmとし、膜厚1000人の酸化インジウ
ムを形成するように、基板温度70°Cで蒸着した。膜
厚のモニターは水晶振動子法で行った。
ている。装置内には、6つのルツボを持つ電子ビーム装
置を備え、ルツボ内には、金属インジウムを入れた。装
置内を5*10− ’Torrの真空度とした後、s本
io−’Torrになるように02ガスを導入し、基板
回転を20rpmとし、膜厚1000人の酸化インジウ
ムを形成するように、基板温度70°Cで蒸着した。膜
厚のモニターは水晶振動子法で行った。
このサンプルについて発振波長830nm半導体レーザ
ーにより記録評価を行ったところ、記録闇値・は4.0
1であった。このC/N比は48dBであった。
ーにより記録評価を行ったところ、記録闇値・は4.0
1であった。このC/N比は48dBであった。
また記録孔光学的形状も良好であり光学的ビット周囲に
ついて乱れなく形成された。
ついて乱れなく形成された。
本発明により、毒性の全くない、しかも安定性にも優れ
た光記録媒体の提供が可能になる。この光記録媒体は、
記録再生用光ディスクとして画像ファイル、文書ファイ
ル、データファイル及ヒコンピュータの外部メモリとし
て用いられるばかりでなく、レーザー光で直接記録再生
が可能なテープ、マイクロフィッシュ等として用いるこ
とができる。
た光記録媒体の提供が可能になる。この光記録媒体は、
記録再生用光ディスクとして画像ファイル、文書ファイ
ル、データファイル及ヒコンピュータの外部メモリとし
て用いられるばかりでなく、レーザー光で直接記録再生
が可能なテープ、マイクロフィッシュ等として用いるこ
とができる。
特許出願人 三井東圧化学株式会社
Claims (3)
- (1)非晶質を主成分とする酸化インジウム薄膜を記録
層として基板上に形成してなる光記録媒体。 - (2)850〜350nmの波長領域の光線透過率が3
0%以下である特許請求の範囲第1項に記載の光記録媒
体。 - (3)非晶質を主成分とする酸化インジウム薄膜が、1
50℃以下の基板温度において形成されたものである特
許請求の範囲第1項に記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62330915A JP2557922B2 (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP62330915A JP2557922B2 (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | 光記録媒体 |
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