JPH01165624A - 耐熱性樹脂の製造方法 - Google Patents
耐熱性樹脂の製造方法Info
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- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims abstract description 27
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(OC=2C=CC(N)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 20
- -1 tetracarboxylic acid dianhydride Chemical class 0.000 abstract description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 12
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 abstract description 3
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 abstract description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 6
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N toluene Substances CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 2
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012024 dehydrating agents Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N sulfonyldimethane Chemical compound CS(C)(=O)=O HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOGFHTGYPKWWRX-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethyloxan-4-one Chemical compound CC1(C)CC(=O)CC(C)(C)O1 NOGFHTGYPKWWRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBLZUSCEBGBILB-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylthiolane 1,1-dioxide Chemical compound CC1(C)CCCS1(=O)=O KBLZUSCEBGBILB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 2,4-diaminotoluene Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1N VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(3-aminopropyl)piperazin-1-yl]propan-1-amine Chemical compound NCCCN1CCN(CCCN)CC1 XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVCOFPOLGHKJQB-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxyphenyl)sulfonylphthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 AVCOFPOLGHKJQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUMUYWBRRIUWHI-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)phosphanylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1PC1=CC=C(N)C=C1 DUMUYWBRRIUWHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZHFIXKRZSJQMY-UHFFFAOYSA-N 4-(4-phenylphenyl)cyclohexa-2,4-diene-1,1-diamine Chemical group C1=CC(N)(N)CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 SZHFIXKRZSJQMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-aminocyclohexyl)methyl]cyclohexan-1-amine Chemical compound C1CC(N)CCC1CC1CCC(N)CC1 DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIEKUGPEYLGWQQ-UHFFFAOYSA-N 5-[4-(4-amino-2-methylpentyl)phenyl]-4-methylpentan-2-amine Chemical compound CC(N)CC(C)CC1=CC=C(CC(C)CC(C)N)C=C1 IIEKUGPEYLGWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- QBLDFAIABQKINO-UHFFFAOYSA-N barium borate Chemical compound [Ba+2].[O-]B=O.[O-]B=O QBLDFAIABQKINO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCAIEATUVJFSMC-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1C(O)=O GCAIEATUVJFSMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- UKJLNMAFNRKWGR-UHFFFAOYSA-N cyclohexatrienamine Chemical group NC1=CC=C=C[CH]1 UKJLNMAFNRKWGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000012772 electrical insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- GBASTSRAHRGUAB-UHFFFAOYSA-N ethylenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C2=C1C(=O)OC2=O GBASTSRAHRGUAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylacetamide Chemical compound CCN(CC)C(C)=O AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KADGVXXDDWDKBX-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,4,5-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C(O)=O)=C21 KADGVXXDDWDKBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=C2C=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC2=C1 DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- RVRYJZTZEUPARA-UHFFFAOYSA-N phenanthrene-1,2,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(O)=O)=C(C(O)=O)C3=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C3C2=C1 RVRYJZTZEUPARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- WYVAMUWZEOHJOQ-UHFFFAOYSA-N propionic anhydride Chemical compound CCC(=O)OC(=O)CC WYVAMUWZEOHJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- RTHVZRHBNXZKKB-UHFFFAOYSA-N pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=NC(C(O)=O)=C(C(O)=O)N=C1C(O)=O RTHVZRHBNXZKKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKWDNEXDHDSTCU-UHFFFAOYSA-N pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1NC(C(O)=O)C(C(O)=O)C1C(O)=O YKWDNEXDHDSTCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002901 radioactive waste Substances 0.000 description 1
- 238000006798 ring closing metathesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N tributyl phosphate Chemical compound CCCCOP(=O)(OCCCC)OCCCC STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は基材との密着性に優れ、吸水性が低く耐湿性が
良好でしかも低温硬化可能な耐熱性樹脂の製造方法に関
するものである。
良好でしかも低温硬化可能な耐熱性樹脂の製造方法に関
するものである。
更に詳しくはイミド化した樹脂が\ポリイミド樹脂とし
ての耐熱性、耐摩耗性、電気絶縁性、被膜形成性、可撓
性、機械特性などが優れ、電子デバイス用材料、電気絶
縁材料被覆剤、塗料、成形品、積層品、繊維あるいはフ
ィルム材料などとして有用な耐熱性樹脂を提供するにあ
るが、中でも特に電子デバイス用の半導体素子の表面保
護膜、眉間絶縁膜、ジャンクション保護膜として有用な
耐熱性樹脂の製造方法を提供するにある。
ての耐熱性、耐摩耗性、電気絶縁性、被膜形成性、可撓
性、機械特性などが優れ、電子デバイス用材料、電気絶
縁材料被覆剤、塗料、成形品、積層品、繊維あるいはフ
ィルム材料などとして有用な耐熱性樹脂を提供するにあ
るが、中でも特に電子デバイス用の半導体素子の表面保
護膜、眉間絶縁膜、ジャンクション保護膜として有用な
耐熱性樹脂の製造方法を提供するにある。
従来ポリイミド樹脂は芳香族テトラカルボン酸二無水物
と芳香族ジアミンとを反応させて得られる、耐熱性、電
気絶縁性、耐薬品性、耐放射線性、機械特性などに優れ
ているため半導体素子の表面保護膜、眉間絶縁膜、ジャ
ンクション保護膜などに用いられている。ところがこの
ように優れた特性を有している反面これまでのポリイミ
ド樹脂には耐湿性が低い、硬化温度が高い、基材への密
着性に劣る等の欠点があった。すなわち無水ピロメリッ
ト酸と4.4゛−ジアミノジフェニルエーテルとを反応
させて得られる典型的なポリイミド樹脂は吸水率(24
hr浸漬)4%、最終キュアー温度:350℃、シリコ
ンウェハーなどに塗布する場合カップリング剤などで前
処理が必要、であった。
と芳香族ジアミンとを反応させて得られる、耐熱性、電
気絶縁性、耐薬品性、耐放射線性、機械特性などに優れ
ているため半導体素子の表面保護膜、眉間絶縁膜、ジャ
ンクション保護膜などに用いられている。ところがこの
ように優れた特性を有している反面これまでのポリイミ
ド樹脂には耐湿性が低い、硬化温度が高い、基材への密
着性に劣る等の欠点があった。すなわち無水ピロメリッ
ト酸と4.4゛−ジアミノジフェニルエーテルとを反応
させて得られる典型的なポリイミド樹脂は吸水率(24
hr浸漬)4%、最終キュアー温度:350℃、シリコ
ンウェハーなどに塗布する場合カップリング剤などで前
処理が必要、であった。
本発明はかかる欠点を克服すべく検討した結果、テトラ
カルボン酸二無水物成分としてジフェニルスルホン−3
,3°、4.4’−テトラカルボン酸二無水物を、 ジ
アミン成分として2.2−ビス(4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕プロパンを必須成分として有機極性
溶媒中で0〜80″Cの温度で反応させることにより耐
熱性、耐湿性、密着性が良好で低温硬化可能な樹脂が得
られることを見出し本発明を完成するに至ったものであ
る。
カルボン酸二無水物成分としてジフェニルスルホン−3
,3°、4.4’−テトラカルボン酸二無水物を、 ジ
アミン成分として2.2−ビス(4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕プロパンを必須成分として有機極性
溶媒中で0〜80″Cの温度で反応させることにより耐
熱性、耐湿性、密着性が良好で低温硬化可能な樹脂が得
られることを見出し本発明を完成するに至ったものであ
る。
本発明はテトラカルボン酸二無水物とジアミンよりなる
ポリイミド樹脂において、ジフェニルスルホン−3,3
°−4,4’〜テトラカルボン酸二無水物を20モル%
以上含有するテトラカルボン酸二無水物成分と、2.2
−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロ
パンを50モル%以上含有するジアミン成分とを有機極
性溶媒中で0〜80℃の温度で反応させることを特徴と
する耐熱性樹脂の製造方法に関するものである。
ポリイミド樹脂において、ジフェニルスルホン−3,3
°−4,4’〜テトラカルボン酸二無水物を20モル%
以上含有するテトラカルボン酸二無水物成分と、2.2
−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロ
パンを50モル%以上含有するジアミン成分とを有機極
性溶媒中で0〜80℃の温度で反応させることを特徴と
する耐熱性樹脂の製造方法に関するものである。
必須成分であるジフェニルスルホン−3,3°4.4’
−テトラカルボン酸二無水物の使用量は、全酸蕪水物成
分に対して20モル%以上が好ましい。
−テトラカルボン酸二無水物の使用量は、全酸蕪水物成
分に対して20モル%以上が好ましい。
これは本発明の樹脂を半導体素子の表面保z隻膜、眉間
絶縁膜、ジャンクション保護膜などに用いる場合、Si
、 5Iot、プラズマ窒化珪素膜等の無機物に対する
密着性を向上させ、半導体素子の耐湿信鎖性を維持する
ために必要な成分であり、20モル%未満ではその密着
性向上効果が不充分であるからである。この密着性向上
効果は上記酸無水物のスルホン基によるもので無機物と
の間で水素結合ができ易くなるためと考えられる。
絶縁膜、ジャンクション保護膜などに用いる場合、Si
、 5Iot、プラズマ窒化珪素膜等の無機物に対する
密着性を向上させ、半導体素子の耐湿信鎖性を維持する
ために必要な成分であり、20モル%未満ではその密着
性向上効果が不充分であるからである。この密着性向上
効果は上記酸無水物のスルホン基によるもので無機物と
の間で水素結合ができ易くなるためと考えられる。
またジフェニルスルホン−3,3’4.4“−テトラカ
ルボン酸二無水物と併用するものとして用いられるテト
ラカルボン酸二無水物としてはピロメリット酸二無水物
、3.3’、4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物、2,3,6.7−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、3,3”4.4”−ジフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、2,2°、3,3°−ジフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、2,3.3’,4゛−ジフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4.4”−
p−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、1.2,
5.6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2.2
−ビス(3,4−ジカルボキシジフェニル)−プロパン
ニ無水物、3゜4.9.10−ペリレンテトラカルボン
酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシジフェニル)
エーテルニ無水物、エチレンテトラカルボン酸二無水物
、ナフタレン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無
水物、ナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸
二無水物、4.8−ジメチル−1,2,3,5,6,7
−へキサヒドロナフタレン−1,2,5,6−テトラカ
ルボン酸二無水物、2.6−シクロロナフタレンー1.
4,5.6−テトラカルボン酸二無水物、2.7−シク
ロロナフタレンー1.4,5.8−テトラカルボン酸二
無水物、2.3.4.7−テトラクロロナフタレンー1
.4.5.8−テトラカルボン酸二無水物、フェナンス
レン−1,2,9,10−テトラカルボン酸二無水物、
シクロペンクン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二
無水物、ピロリジン−2,3,4,5−テトラカルボン
酸二無水物、ピラジン2.3,5.6−テトラカルボン
酸二N水’lh、2.2−ビス(2,5−ジヵルボキシ
フエニ/L’ ) 7” C1ハンニ無水物、1.1−
ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタンニ無水物
、l、1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタ
ンニ無水物、ビス(2゜3−ジカルボキシフェニル)メ
タンニ無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)
スルホンニ無水物、ベンゼン−1,2,3,4−テトラ
カルボン酸二無水物、1.2.3.4−ブタンテトラカ
ルボン酸二無水物、チオフェン−2,3,4,5−テト
ラカルボン酸二無水物などである。
ルボン酸二無水物と併用するものとして用いられるテト
ラカルボン酸二無水物としてはピロメリット酸二無水物
、3.3’、4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物、2,3,6.7−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、3,3”4.4”−ジフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、2,2°、3,3°−ジフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、2,3.3’,4゛−ジフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4.4”−
p−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、1.2,
5.6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2.2
−ビス(3,4−ジカルボキシジフェニル)−プロパン
ニ無水物、3゜4.9.10−ペリレンテトラカルボン
酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシジフェニル)
エーテルニ無水物、エチレンテトラカルボン酸二無水物
、ナフタレン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無
水物、ナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸
二無水物、4.8−ジメチル−1,2,3,5,6,7
−へキサヒドロナフタレン−1,2,5,6−テトラカ
ルボン酸二無水物、2.6−シクロロナフタレンー1.
4,5.6−テトラカルボン酸二無水物、2.7−シク
ロロナフタレンー1.4,5.8−テトラカルボン酸二
無水物、2.3.4.7−テトラクロロナフタレンー1
.4.5.8−テトラカルボン酸二無水物、フェナンス
レン−1,2,9,10−テトラカルボン酸二無水物、
シクロペンクン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二
無水物、ピロリジン−2,3,4,5−テトラカルボン
酸二無水物、ピラジン2.3,5.6−テトラカルボン
酸二N水’lh、2.2−ビス(2,5−ジヵルボキシ
フエニ/L’ ) 7” C1ハンニ無水物、1.1−
ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタンニ無水物
、l、1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタ
ンニ無水物、ビス(2゜3−ジカルボキシフェニル)メ
タンニ無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)
スルホンニ無水物、ベンゼン−1,2,3,4−テトラ
カルボン酸二無水物、1.2.3.4−ブタンテトラカ
ルボン酸二無水物、チオフェン−2,3,4,5−テト
ラカルボン酸二無水物などである。
一方の必須成分である2、2−ビス(4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル]プロパンの使用量はジアミン成
分として50モル%以上に好ましい。これは最終キュア
に必要な温度200℃以下、飽和吸水率1.5%以下を
達成するためにはどうしても必要な最低の量である。上
記ジアミンは分子fft410.52であり、4.4’
−ジアミノジフェニルエーテルの200゜24などに比
べると約2倍である。このためこのジアミンをポリイミ
ド樹脂成分として用いると吸湿の原因である極性の高い
イミド環の密度を下げることができ、結果としてポリイ
ミド樹脂自身の吸水率を低下させることができる。また
可撓性を有するエーテル基を分子内に2個含むために得
られるポリイミド骨格もフレキシブル性が増しポリアミ
ック酸を加熱して脱水閉環する際の分子の自由度も大き
くなり動き易さが増して、より低温でも容易にイミド環
を形成することができるようになる。このようにして、
ジアミン成分として2.2−ビス(4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕プロパンを50モル%以上使用す
ると最終キュアー温度が、200℃で吸水率1.5以下
のポリイミド樹脂を得ることができるのである。
フェノキシ)フェニル]プロパンの使用量はジアミン成
分として50モル%以上に好ましい。これは最終キュア
に必要な温度200℃以下、飽和吸水率1.5%以下を
達成するためにはどうしても必要な最低の量である。上
記ジアミンは分子fft410.52であり、4.4’
−ジアミノジフェニルエーテルの200゜24などに比
べると約2倍である。このためこのジアミンをポリイミ
ド樹脂成分として用いると吸湿の原因である極性の高い
イミド環の密度を下げることができ、結果としてポリイ
ミド樹脂自身の吸水率を低下させることができる。また
可撓性を有するエーテル基を分子内に2個含むために得
られるポリイミド骨格もフレキシブル性が増しポリアミ
ック酸を加熱して脱水閉環する際の分子の自由度も大き
くなり動き易さが増して、より低温でも容易にイミド環
を形成することができるようになる。このようにして、
ジアミン成分として2.2−ビス(4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕プロパンを50モル%以上使用す
ると最終キュアー温度が、200℃で吸水率1.5以下
のポリイミド樹脂を得ることができるのである。
2.2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
〕プロパンと併用して使用するジアミン成分としては上
記のジアミンの他に各種特性を付与する為に次の様な芳
香族ジアミンも勿論併用することができる。
〕プロパンと併用して使用するジアミン成分としては上
記のジアミンの他に各種特性を付与する為に次の様な芳
香族ジアミンも勿論併用することができる。
例えばトフェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン
、4.4’−ジアミノジフェニルプロパン、4゜41−
ジアミノジフェニルメタン、ベンジジン、4゜4′−ジ
アミノジフェニルスルフィド、4.4’−ジアミノジフ
ェニルスルホン、3,3°−ジアミノジフェニルスルホ
ン、4.4’−ジアミノジフェニルエーテル、3.3°
−ジアミノジフェニルエーテル、4.4−ジアミノ−p
−テルフェニル、3.6−ジアミツピリジン、 ビス(
4−アミノフェニル)ホスフィンオキシト、 ビス(4
−アミノフェニル)−N〜メチルアミン、1.5− ジ
アミノナフタレン、3.3′−ジメチル−4,4’−ジ
アミノビスフェニル、3.3゛−ジメトキシベンジジン
、2.4−ビス(β−アミノ−1−ブチル)−トルエン
、ビス(p−β−アミノ−1−ブチルフェニル)エーテ
ル、p−ビス(2−メチル−4−アミノペンチル) ベ
ンゼン、p−ビス(1,1−ジメチル−5−アミノペン
チル)ベンゼン、2.4−ジアミノトルエン、トキシリ
レンジアミン、p−キシリレンジアミン、ビス(p−ア
ミノシクロヘキシル)メタンなどである。
、4.4’−ジアミノジフェニルプロパン、4゜41−
ジアミノジフェニルメタン、ベンジジン、4゜4′−ジ
アミノジフェニルスルフィド、4.4’−ジアミノジフ
ェニルスルホン、3,3°−ジアミノジフェニルスルホ
ン、4.4’−ジアミノジフェニルエーテル、3.3°
−ジアミノジフェニルエーテル、4.4−ジアミノ−p
−テルフェニル、3.6−ジアミツピリジン、 ビス(
4−アミノフェニル)ホスフィンオキシト、 ビス(4
−アミノフェニル)−N〜メチルアミン、1.5− ジ
アミノナフタレン、3.3′−ジメチル−4,4’−ジ
アミノビスフェニル、3.3゛−ジメトキシベンジジン
、2.4−ビス(β−アミノ−1−ブチル)−トルエン
、ビス(p−β−アミノ−1−ブチルフェニル)エーテ
ル、p−ビス(2−メチル−4−アミノペンチル) ベ
ンゼン、p−ビス(1,1−ジメチル−5−アミノペン
チル)ベンゼン、2.4−ジアミノトルエン、トキシリ
レンジアミン、p−キシリレンジアミン、ビス(p−ア
ミノシクロヘキシル)メタンなどである。
本発明におけるジアミン類とテトラカルボン酸二無水物
類との反応は、出来る限り等モルで行なう方が好ましく
、重合度も大きくなる。何れか一方の原料が5モル%以
上多くなると、重合度が著しく低下し、皮膜形成性の悪
い低分子量物が出来る様になるので注意を要する0通常
、一方の原料を0〜3モル%多く用いることが、作業性
・加工性を良くする上で良く行なわれる。
類との反応は、出来る限り等モルで行なう方が好ましく
、重合度も大きくなる。何れか一方の原料が5モル%以
上多くなると、重合度が著しく低下し、皮膜形成性の悪
い低分子量物が出来る様になるので注意を要する0通常
、一方の原料を0〜3モル%多く用いることが、作業性
・加工性を良くする上で良く行なわれる。
本発明における反応系の溶媒はその官能基がテトラカル
ボン酸二無水物またはジアミン類と反応しない有機極性
溶媒である。系に対して不活性であり、かつ生成物に対
して溶媒であること以外に、このを機種性溶媒は反応成
分の少なくとも一方、好ましくは両者に対して良溶媒で
なければならない。
ボン酸二無水物またはジアミン類と反応しない有機極性
溶媒である。系に対して不活性であり、かつ生成物に対
して溶媒であること以外に、このを機種性溶媒は反応成
分の少なくとも一方、好ましくは両者に対して良溶媒で
なければならない。
この種の溶媒として代表的なものは、N、N−ジメチル
ホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N
−ジエチルホルムアミド、N、N−ジエチルアセトアミ
ド、N、N−ミメチルメトキキシアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、ヘイサメチルフオスホアミド、N−メ
チル−2−ピロリドン、ピリジン、ジメチルスルホン、
テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスル
ホン等がありこれらの溶媒は単独又は組合せて使用され
る。
ホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N
−ジエチルホルムアミド、N、N−ジエチルアセトアミ
ド、N、N−ミメチルメトキキシアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、ヘイサメチルフオスホアミド、N−メ
チル−2−ピロリドン、ピリジン、ジメチルスルホン、
テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスル
ホン等がありこれらの溶媒は単独又は組合せて使用され
る。
この他にも溶媒として組合せて用いられるものとしてベ
ンゼン、ベンゾニトリル、ジオキサン、ブチロラクトン
、キシレン、トルエン、シクロヘキサン等の非溶媒が、
原料の分散媒、反応調節剤、あるいは生成物からの溶媒
の揮散調節剤、皮膜平滑剤などとして使用される。
ンゼン、ベンゾニトリル、ジオキサン、ブチロラクトン
、キシレン、トルエン、シクロヘキサン等の非溶媒が、
原料の分散媒、反応調節剤、あるいは生成物からの溶媒
の揮散調節剤、皮膜平滑剤などとして使用される。
本発明は一般に無水の条件下で行うことが好ましい。
これはテトラカルボン酸二無水物が水により開環し不活
性化し反応を停止させる恐れがあるためである。
性化し反応を停止させる恐れがあるためである。
このため仕込原料中の水分も溶媒中の水分も除去する必
要がある。
要がある。
しかし一方反応の進行を調節し、樹脂重合度をコントロ
ールするためにあえて水を添加することも行なわれる。
ールするためにあえて水を添加することも行なわれる。
また本発明は不活性ガス雰囲気中で行なわれることが好
ましい。
ましい。
これはジアミン類の酸化防止と空気中の炭酸ガスとの反
応を防ぐためである。
応を防ぐためである。
不活性ガスとしては一般に乾燥窒素ガスが使用される。
本発明における反応の方法は、次の様な種々の方法で行
なわれる。
なわれる。
(1)ジアミン類とテトラカルボン酸二無水物を予め混
合し、その混合物を少量づつ有機溶媒中に撹拌しながら
添加する。この方法は、ポリイミド樹脂の様な発熱反応
においては比較的有利である。
合し、その混合物を少量づつ有機溶媒中に撹拌しながら
添加する。この方法は、ポリイミド樹脂の様な発熱反応
においては比較的有利である。
(2)これとは逆に、ジアミン類とテトラカルボン酸二
無水物の混合物に、撹拌しながら溶剤を添加する方法も
ある。
無水物の混合物に、撹拌しながら溶剤を添加する方法も
ある。
(3)一般によく行なわれる方法はジアミン類だけを溶
剤にとかしておき、これに反応速度をコントロールでき
る割合でテトラカルボン酸二無水物を加える方法である
。
剤にとかしておき、これに反応速度をコントロールでき
る割合でテトラカルボン酸二無水物を加える方法である
。
(4)またジアミン類とテトラカルボン酸二無水物を別
々に溶剤にとかしておき、ゆっくりと反応器中で二つの
溶液を加えることもできる。
々に溶剤にとかしておき、ゆっくりと反応器中で二つの
溶液を加えることもできる。
(5)更には予めジアミン類過剰のボリアミンク酸生成
物とテトラカルボン酸二無水物過剰のポリアミック酸生
成物を作っておき、これを反応中で更に反応させること
もできる。
物とテトラカルボン酸二無水物過剰のポリアミック酸生
成物を作っておき、これを反応中で更に反応させること
もできる。
(6)またジアミン類の内、1部のジアミン化合物とテ
トラカルボン酸二無水物をはしめに反応させた後残りの
ジアミン化合物を反応させる方法あるいはこれの逆の方
法もある。
トラカルボン酸二無水物をはしめに反応させた後残りの
ジアミン化合物を反応させる方法あるいはこれの逆の方
法もある。
(7)この他、ジアミン類の内の1部のジアミン化合物
とテトラカルボン酸二無水物を反応させたものと、残り
のジアミン化合物とテトラカルボン酸二無水物を反応さ
せたものとを、使用前に混合する方法もある。
とテトラカルボン酸二無水物を反応させたものと、残り
のジアミン化合物とテトラカルボン酸二無水物を反応さ
せたものとを、使用前に混合する方法もある。
反応温度は0℃〜80℃で行なう、0゛C以下だと反応
が遅く、また80℃以上で反応を行なうと、加水分解等
の副反応が活発となり、重合度の高いものが得られなく
なる。
が遅く、また80℃以上で反応を行なうと、加水分解等
の副反応が活発となり、重合度の高いものが得られなく
なる。
ポリアミック酸の重合度は計画的にコントロールできる
。
。
重合度をコントロールするために、フタル酸無水物やア
ニリンで末端封鎖したり、水を添加して酸無水物基の一
方を開環し不活性化することもできる。
ニリンで末端封鎖したり、水を添加して酸無水物基の一
方を開環し不活性化することもできる。
本発明の方法により製造されるポリアミック酸生成物は
、使用するにあたって各種のシランカップリング剤、ボ
ランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、ア
ルミニウム系カップリング剤その他キレート系の接着性
・密着性向上剤や各種溶剤、フローエージェントを加え
てもよく、又これらに加えて通常の酸硬化剤、アミン硬
化剤、ポリアミド硬化剤及びイミダゾール、3級アミン
等の硬化促進剤の少量を加えてもよく、又ゴムやポリサ
ルファイド、ポリエステル、低分子エポキシ等の可撓性
賦与剤及び粘度調整剤、タルク、クレー、マイカ、長石
粉末、石英粉末、酸化マグネシウム等の充填剤、カーボ
ンブラック、フクロシアニンブルー等の着色剤、テトラ
ブロモフェニルメタン、トリブチルフォスフェート等の
難燃剤、三酸化アンチモン、メタ硼酸バリウム等の難燃
助剤の少量を加えてもよく、これらを添加することによ
り多くの用途が開かれる。
、使用するにあたって各種のシランカップリング剤、ボ
ランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、ア
ルミニウム系カップリング剤その他キレート系の接着性
・密着性向上剤や各種溶剤、フローエージェントを加え
てもよく、又これらに加えて通常の酸硬化剤、アミン硬
化剤、ポリアミド硬化剤及びイミダゾール、3級アミン
等の硬化促進剤の少量を加えてもよく、又ゴムやポリサ
ルファイド、ポリエステル、低分子エポキシ等の可撓性
賦与剤及び粘度調整剤、タルク、クレー、マイカ、長石
粉末、石英粉末、酸化マグネシウム等の充填剤、カーボ
ンブラック、フクロシアニンブルー等の着色剤、テトラ
ブロモフェニルメタン、トリブチルフォスフェート等の
難燃剤、三酸化アンチモン、メタ硼酸バリウム等の難燃
助剤の少量を加えてもよく、これらを添加することによ
り多くの用途が開かれる。
本発明の方法によって製造された樹脂フェスは、加熱あ
るいは脱水剤によりイミド化を完結し硬化する。加熱温
度は通常50℃〜200℃の範囲で行なうが、徐々に昇
温しても良いし、80℃1150℃1220℃でそれぞ
れ数分から数十分保持する等のステップ加熱法にするこ
ともできる。
るいは脱水剤によりイミド化を完結し硬化する。加熱温
度は通常50℃〜200℃の範囲で行なうが、徐々に昇
温しても良いし、80℃1150℃1220℃でそれぞ
れ数分から数十分保持する等のステップ加熱法にするこ
ともできる。
この場合の雰囲気は空気中でもさしつかえない場合もあ
るが、減圧ないしは不活性ガスといった非酸化性状態下
の方が好ましい場合が多い。後者の脱水剤としては、無
水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸などの無水カ
ルボン酸がよく用いられるが、これらは特にピリジン、
キノリン等の塩基性物質の共存下に使用すると効果が大
きい。又、固形の脱水剤としてはゼオライト系のモレキ
ュラーシーブやシリカゲル、活性アルミナなどがあり、
これ等は少々加温して使用する方が効果的である。
るが、減圧ないしは不活性ガスといった非酸化性状態下
の方が好ましい場合が多い。後者の脱水剤としては、無
水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸などの無水カ
ルボン酸がよく用いられるが、これらは特にピリジン、
キノリン等の塩基性物質の共存下に使用すると効果が大
きい。又、固形の脱水剤としてはゼオライト系のモレキ
ュラーシーブやシリカゲル、活性アルミナなどがあり、
これ等は少々加温して使用する方が効果的である。
〔発明の効果]
本発明による重合体は耐熱性、耐湿性、密着性、低温硬
化性などに優れた耐熱性樹脂である。
化性などに優れた耐熱性樹脂である。
すなわち本発明のポリアミド樹脂は酸無水物成分として
ジフェニルスルホン−3,3’、4.4’−テトラカル
ボン酸二無水物を20モル%以上使用することによりS
i+ SXJm プラズマ窒化珪素等の無機物への接着
性に優れた樹脂とすることが可能となった。
ジフェニルスルホン−3,3’、4.4’−テトラカル
ボン酸二無水物を20モル%以上使用することによりS
i+ SXJm プラズマ窒化珪素等の無機物への接着
性に優れた樹脂とすることが可能となった。
またジアミン成分として2.2−ビス(4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル)プロパンを50モル%以上使
用することにより飽和吸水率を1.5%以下に、最終キ
ュアー温度を200℃以下にすることが可能となった。
ノフェノキシ)フェニル)プロパンを50モル%以上使
用することにより飽和吸水率を1.5%以下に、最終キ
ュアー温度を200℃以下にすることが可能となった。
本発明が用いられる用途を具体的にあげると、先ず各種
電子機材の表面を保護するコート用途膜として、又その
上に多層配線を行う耐熱絶縁膜として用いられる。
電子機材の表面を保護するコート用途膜として、又その
上に多層配線を行う耐熱絶縁膜として用いられる。
例えば半導体、トランジスター、リニアーIC、ハイブ
リットIC,発光ダイオード、LSI 、超LSIなど
の電子回路用配線構造体である。
リットIC,発光ダイオード、LSI 、超LSIなど
の電子回路用配線構造体である。
その他高温用のコーティングクロスとして、電線被覆、
マグネットワイヤ、各種電気部品の浸漬コーティング、
金属部品の保護コーティングなどとして用いられると共
に含浸ワニスとしても、ガラスクロス、溶融石英クロス
、グラファイト繊維やボロン繊維の含浸に使用し、レー
ダードーム、プリント基板、放射性廃棄物収納容器、タ
ービン翼、高温性能と優れた電気特性を要する宇宙船、
その他の構造部品に使われ、またマイクロ波の防止用放
射線の防止用としてコンピューターなどの導波管、原子
機器、レントゲン機器の内装材としても使用される。
マグネットワイヤ、各種電気部品の浸漬コーティング、
金属部品の保護コーティングなどとして用いられると共
に含浸ワニスとしても、ガラスクロス、溶融石英クロス
、グラファイト繊維やボロン繊維の含浸に使用し、レー
ダードーム、プリント基板、放射性廃棄物収納容器、タ
ービン翼、高温性能と優れた電気特性を要する宇宙船、
その他の構造部品に使われ、またマイクロ波の防止用放
射線の防止用としてコンピューターなどの導波管、原子
機器、レントゲン機器の内装材としても使用される。
また成形材料としてもグラファイト粉末、グラファイト
繊維、二硫化モリブデンやポリ四フッ化エチレンを添加
して自己潤滑性の摺動面の製作に用い、ピストンリング
、弁座、ベアリング、シール用などに用いられまた、ガ
ラス繊維、グラファイト繊維もボロン繊維を添加して、
ジェットエンジン部品、高強度の構造用成形部品などが
作られる。
繊維、二硫化モリブデンやポリ四フッ化エチレンを添加
して自己潤滑性の摺動面の製作に用い、ピストンリング
、弁座、ベアリング、シール用などに用いられまた、ガ
ラス繊維、グラファイト繊維もボロン繊維を添加して、
ジェットエンジン部品、高強度の構造用成形部品などが
作られる。
(実施例1)
温度計、撹拌機、原料仕込口及び乾燥窒素ガス導入口を
備えた四ツロセパラプルフラスコに2゜2−ビス(4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン16.4
3g(80モル%) 、 4.4’−ジアミノジフェニ
ルエーテル2.00 g (20モル%)をとり、これ
に無水のN−メチル−2−ピロリドンを全仕込原料中の
固形分割合が15重量%になるだけの量を加えて溶解し
た。ついで0〜50℃の水浴中にフラスコを浸漬し、発
熱を抑制しながらジフェニルスルホン−3,3°、4,
4’−テトラカルボン酸二無水物を8.95g、(50
モル%)無水ピロメリット酸を5.45 g (50モ
ル%)を投入した。テトラカルボン酸二無水物が溶解し
た後、系の温度を20℃に保ち、10時間反応を続けた
。尚乾燥窒素ガスは反応の準備段階より生成物の取り出
すまでの全行程にわたり流しておいた。
備えた四ツロセパラプルフラスコに2゜2−ビス(4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン16.4
3g(80モル%) 、 4.4’−ジアミノジフェニ
ルエーテル2.00 g (20モル%)をとり、これ
に無水のN−メチル−2−ピロリドンを全仕込原料中の
固形分割合が15重量%になるだけの量を加えて溶解し
た。ついで0〜50℃の水浴中にフラスコを浸漬し、発
熱を抑制しながらジフェニルスルホン−3,3°、4,
4’−テトラカルボン酸二無水物を8.95g、(50
モル%)無水ピロメリット酸を5.45 g (50モ
ル%)を投入した。テトラカルボン酸二無水物が溶解し
た後、系の温度を20℃に保ち、10時間反応を続けた
。尚乾燥窒素ガスは反応の準備段階より生成物の取り出
すまでの全行程にわたり流しておいた。
得られた生成物は褐色の粘稠な溶液であり、N−メチル
−2−ピロリドン0.5重量%溶液の固を粘度2.25
(30℃)であった、この溶液をガラス基板上に塗布
した後80℃、150℃、200℃で各30分間加熱処
理してポリイミド皮膜を形成し、赤外吸収スペクトルを
測定したところ、720 cm−’及び1780C11
−’にイミド基に基づく吸収が認められた。さらに25
0℃、300℃と加熱処理を加えた場合でもこれらの吸
収強度は変化せず、最終キュアー温度は200゛Cで充
分であることがわかった。
−2−ピロリドン0.5重量%溶液の固を粘度2.25
(30℃)であった、この溶液をガラス基板上に塗布
した後80℃、150℃、200℃で各30分間加熱処
理してポリイミド皮膜を形成し、赤外吸収スペクトルを
測定したところ、720 cm−’及び1780C11
−’にイミド基に基づく吸収が認められた。さらに25
0℃、300℃と加熱処理を加えた場合でもこれらの吸
収強度は変化せず、最終キュアー温度は200゛Cで充
分であることがわかった。
またこのクロスから同様の加熱処理を経て、厚さ約20
u−フィルムを形成し引張り試験と吸水性試験を実施し
、第2表の結果を得た。
u−フィルムを形成し引張り試験と吸水性試験を実施し
、第2表の結果を得た。
また上記クロスをN、N−ジメチルアセトアミド溶液で
12重量%溶液に希釈したものをSiウェハー及びアル
ミ配線を有するモデル素子上にそれぞれスピンナーを用
いて塗布し、80℃、150’C1200°cで各30
分間ずつ加熱し、厚さ3μの皮膜を形成した。
12重量%溶液に希釈したものをSiウェハー及びアル
ミ配線を有するモデル素子上にそれぞれスピンナーを用
いて塗布し、80℃、150’C1200°cで各30
分間ずつ加熱し、厚さ3μの皮膜を形成した。
5iウエハー上に塗布したものについてはセロテープに
よる基盤目引き剥しテスト(JIS−D−0202)
ヲ実施し、樹脂の密着性を評価し第2表の結果を得た。
よる基盤目引き剥しテスト(JIS−D−0202)
ヲ実施し、樹脂の密着性を評価し第2表の結果を得た。
樹脂を塗布したモデル素子についてはリードフレームに
マウントし金線ボンディング後エポキシ樹脂成形材料で
16 pin DIPの形にモールドした。
マウントし金線ボンディング後エポキシ樹脂成形材料で
16 pin DIPの形にモールドした。
二のサンプルについて腐食性試験を実施し第2表の結果
を得た。腐食性試験はCI’T (プレッシャークッカ
ーテス) ;125 ”C,2,3気圧下飽和水蒸気中
の試験)500時間を行ない、テスターによりアルミ配
線の腐食によるオーブン不良を調べた。試験はサンプル
パターン数20で行ない、1000時間後のオープン不
良のパターン率を表わした。
を得た。腐食性試験はCI’T (プレッシャークッカ
ーテス) ;125 ”C,2,3気圧下飽和水蒸気中
の試験)500時間を行ない、テスターによりアルミ配
線の腐食によるオーブン不良を調べた。試験はサンプル
パターン数20で行ない、1000時間後のオープン不
良のパターン率を表わした。
〔実施例2〜4および比較例1〜3〕
酸無水物、ジアミンの反応組成並びに反応条件は第1表
のように設定し、実施例1と同様の装置並びに操作で反
応を実施した。これらの反応によって得られたポリイミ
ド前駆体フェスの樹脂分濃度、溶液粘度、固有粘度等の
特性は第1表記載の通りであった。またこれらのフェス
を実施例1と同様の加熱処理を施した後各種特性試験を
して得られた結果は第2表に示した通りであった。
のように設定し、実施例1と同様の装置並びに操作で反
応を実施した。これらの反応によって得られたポリイミ
ド前駆体フェスの樹脂分濃度、溶液粘度、固有粘度等の
特性は第1表記載の通りであった。またこれらのフェス
を実施例1と同様の加熱処理を施した後各種特性試験を
して得られた結果は第2表に示した通りであった。
第2表の結果からも明らかな様に、本発明により得られ
る実施例1〜4の耐熱性樹脂は吸水率が小さく、また密
着力も大きいため素子のAjl!回路の腐食を防止する
効果が極めて大きく信幀性の高い半導体装置が得られる
。
る実施例1〜4の耐熱性樹脂は吸水率が小さく、また密
着力も大きいため素子のAjl!回路の腐食を防止する
効果が極めて大きく信幀性の高い半導体装置が得られる
。
比較例1は無水ピロメリット酸と4,4“−ジアミノジ
フェニルエーテルとを反応させて得られる樹脂であるが
最終キュア温度200℃ではかなり未閉環のポリアミッ
ク酸が残っておりこのため吸水率も大きく、密着力に乏
しいので腐食性試験でも不良が多発した。比較例2では
酸成分として無水ピロメリット酸のみを用いているので
密着性が不充分であり、吸水率が1%程度と低いにも拘
らず腐食試験では不良が発生している。比較例3ではD
SDAを50モル%使用しているがBAPPは40モル
%と少なく、充分な密着性はありながら吸水率が大きい
ので腐食性試験でも良好な結果が得られていない。
フェニルエーテルとを反応させて得られる樹脂であるが
最終キュア温度200℃ではかなり未閉環のポリアミッ
ク酸が残っておりこのため吸水率も大きく、密着力に乏
しいので腐食性試験でも不良が多発した。比較例2では
酸成分として無水ピロメリット酸のみを用いているので
密着性が不充分であり、吸水率が1%程度と低いにも拘
らず腐食試験では不良が発生している。比較例3ではD
SDAを50モル%使用しているがBAPPは40モル
%と少なく、充分な密着性はありながら吸水率が大きい
ので腐食性試験でも良好な結果が得られていない。
第1表
反応条件:20℃,5hr
傘1: ジフヱニルスJレホン−3,3’4.4″−テ
トラカルボン酸二無水物 傘2: ピロメリット酸二無水物 、3: 3.3°、4.4’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物 *4: 3,3’、4,4’−ジフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物 傘5: 2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)
フェニル〕プロパン *5:4.4’−ジアミノジフェニルエーテル傘’7:
1.3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジ
シロキサン 第2表
トラカルボン酸二無水物 傘2: ピロメリット酸二無水物 、3: 3.3°、4.4’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物 *4: 3,3’、4,4’−ジフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物 傘5: 2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)
フェニル〕プロパン *5:4.4’−ジアミノジフェニルエーテル傘’7:
1.3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジ
シロキサン 第2表
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 テトラカルボン酸二無水物とジアミンよりなるポリイミ
ド樹脂において、ジフェニルスルホン−3,3’,4,
4’−テトラカルボン酸二無水物を20モル%以上含有
するテトラカルボン酸二無水物成分と、2,2−ビス〔
4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパンを5
0モル%以上含有するジアミン成分とを有機極性溶媒中
で0〜80℃の温度で反応させることを特徴とする耐熱
性樹脂の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32370187A JPH01165624A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 耐熱性樹脂の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32370187A JPH01165624A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 耐熱性樹脂の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01165624A true JPH01165624A (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=18157634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32370187A Pending JPH01165624A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 耐熱性樹脂の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01165624A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008087163A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Fujifilm Corp | ガスバリア性積層フィルム、およびそれを用いた画像表示素子 |
WO2012102121A1 (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-02 | 住友電工ウインテック株式会社 | ポリイミド樹脂ワニス及びそれを用いた絶縁電線、電機コイル、モータ |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63199239A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-17 | New Japan Chem Co Ltd | 新規な溶剤可溶性ポリイミド及びその製造方法 |
JPS64121A (en) * | 1987-02-13 | 1989-01-05 | New Japan Chem Co Ltd | Polyimide resin composition and its production |
JPH01131240A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-24 | Toa Nenryo Kogyo Kk | 芳香族ポリスルホンイミドの製法 |
JPH01149830A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Toray Ind Inc | 熱可塑性芳香族ポリイミド重合体 |
JPH01165623A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光透過性が高いポリイミドおよびその前駆体 |
-
1987
- 1987-12-23 JP JP32370187A patent/JPH01165624A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63199239A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-17 | New Japan Chem Co Ltd | 新規な溶剤可溶性ポリイミド及びその製造方法 |
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WO2012102121A1 (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-02 | 住友電工ウインテック株式会社 | ポリイミド樹脂ワニス及びそれを用いた絶縁電線、電機コイル、モータ |
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