JPH01159613A - 超音波半田パターンの形成方法 - Google Patents
超音波半田パターンの形成方法Info
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- JPH01159613A JPH01159613A JP62318188A JP31818887A JPH01159613A JP H01159613 A JPH01159613 A JP H01159613A JP 62318188 A JP62318188 A JP 62318188A JP 31818887 A JP31818887 A JP 31818887A JP H01159613 A JPH01159613 A JP H01159613A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の１
本発明は、例えば薄膜ＥＬや液晶のマトリクス型デイス
プレィパネルのようにガラス等の非金属基板上に多数の
端子電極や配線パターンを形成する際に用いられる超音
波半田パターンの形成方法に関するものである。
プレィパネルのようにガラス等の非金属基板上に多数の
端子電極や配線パターンを形成する際に用いられる超音
波半田パターンの形成方法に関するものである。
従来夏技逝
薄膜ＥＬや液晶のマトリクス型デイスプレィパネルにお
けるマトリクス型の多数の電極の外部取出しは、フレキ
シブルリードに形成された外部リードを介して行われる
のが一般的であり、その構造例を、第５図乃至第７図の
薄膜ＥＬマトリクス型デイスプレィパネル（以下、薄Ｆ
ｉｆＥＬパネルと称す。）において説明すると、次の通
りである。尚、第５図の右半分はＸ方向の断面図、左半
分はＸ方向と直交するＹ方向の断面図を示す。
けるマトリクス型の多数の電極の外部取出しは、フレキ
シブルリードに形成された外部リードを介して行われる
のが一般的であり、その構造例を、第５図乃至第７図の
薄膜ＥＬマトリクス型デイスプレィパネル（以下、薄Ｆ
ｉｆＥＬパネルと称す。）において説明すると、次の通
りである。尚、第５図の右半分はＸ方向の断面図、左半
分はＸ方向と直交するＹ方向の断面図を示す。
第５図乃至第７図におい°ζ、（１）は透明な絶縁基板
であるガラス基板、（２）はガラス基板（１）上に形成
されたマトリクス型薄ＩＩ！ｉ！ＥＬ素子、（３）はガ
ラス基板（１）上で薄膜ＥＬ素子（２）を気密封止する
逆皿状のカバーガラス、（４）は薄膜ＨＬ素子（２）の
電橋外部取出し用フレキシブルリードである。前記薄膜
ＥＬ素子（２）において、（５）はガラス基板（１）上
に１．Ｔ、Ｏ，等をＭＭ法等でＹ方向に微小な定ピツチ
で多数のストライプ状に形成した透明電極、（６）は透
明電極（５）とガラス基板 （１）上に形成したＹ２Ｏ
，等の透明な第１の絶縁層、（７）は第１の絶縁層（６
）上に形成しＺｎＳ：Ｍｎ等の発光層、（８）は発光層
（７）を覆うＹ２Ｏ３等の透明な第２の絶縁層、（９）
は第２の絶縁層（８）上にＸ方向に微小な定ピツチで多
数のストライプ状に形成したＡ／蒸着膜による背面電極
である。
であるガラス基板、（２）はガラス基板（１）上に形成
されたマトリクス型薄ＩＩ！ｉ！ＥＬ素子、（３）はガ
ラス基板（１）上で薄膜ＥＬ素子（２）を気密封止する
逆皿状のカバーガラス、（４）は薄膜ＨＬ素子（２）の
電橋外部取出し用フレキシブルリードである。前記薄膜
ＥＬ素子（２）において、（５）はガラス基板（１）上
に１．Ｔ、Ｏ，等をＭＭ法等でＹ方向に微小な定ピツチ
で多数のストライプ状に形成した透明電極、（６）は透
明電極（５）とガラス基板 （１）上に形成したＹ２Ｏ
，等の透明な第１の絶縁層、（７）は第１の絶縁層（６
）上に形成しＺｎＳ：Ｍｎ等の発光層、（８）は発光層
（７）を覆うＹ２Ｏ３等の透明な第２の絶縁層、（９）
は第２の絶縁層（８）上にＸ方向に微小な定ピツチで多
数のストライプ状に形成したＡ／蒸着膜による背面電極
である。
薄膜ＥＬ素子（２）のマトリクス配置された上下の各電
極（５）（９）の一端部は、第６図に示すように、−本
おきにガラス基板（１）の反対方向の周辺部まで延設さ
れて、ガラス基板（１）の周辺部に微小な定ピンチで形
成された多数のストライプ状の端子（１０） （１１
）の対応するものに重畳されて接続される。
極（５）（９）の一端部は、第６図に示すように、−本
おきにガラス基板（１）の反対方向の周辺部まで延設さ
れて、ガラス基板（１）の周辺部に微小な定ピンチで形
成された多数のストライプ状の端子（１０） （１１
）の対応するものに重畳されて接続される。
上記端子（１０） （１１）は、第６図に示すように
、例えばガラス基板（１）となじみの良い全屈、例えば
Ｎｉ層等をガラス基板（１）上の周辺部に透明電極（５
）と背面電極（９）にそれぞれ対応して、かつ、透明電
極（５）を形成後第５図に示すように、端子（１０）は
透明電極（５）上に重なり、背面電極（９）は端子（１
１）上に重なる。又、端子（１０） （１１）はＮｉ
の単一層で形成する他、ガラスとなじみのよいＴｉ等の
最下層と、ＡＩ！等の中間層と、半田となじみのよいＮ
ｉ等の最上層とからなる３層構造にしてもよい。
、例えばガラス基板（１）となじみの良い全屈、例えば
Ｎｉ層等をガラス基板（１）上の周辺部に透明電極（５
）と背面電極（９）にそれぞれ対応して、かつ、透明電
極（５）を形成後第５図に示すように、端子（１０）は
透明電極（５）上に重なり、背面電極（９）は端子（１
１）上に重なる。又、端子（１０） （１１）はＮｉ
の単一層で形成する他、ガラスとなじみのよいＴｉ等の
最下層と、ＡＩ！等の中間層と、半田となじみのよいＮ
ｉ等の最上層とからなる３層構造にしてもよい。
カバーガラス（３）は各電極（５）（９）の延設端部を
横切る位置に絶縁性接着剤（１２）を介してガラス基板
（１）上に固着され、このカバーガラス（３）と薄膜Ｅ
Ｌ素子（２）間にはシリコンオイル等の絶縁性保護流体
（２１）が封入される〔特公昭５７−４７５５９号公報
〕。フレキシブルリード（４）はポリイミド等のフレキ
シブルな絶縁性フィルム（１３）の片面に多数の銅箔等
よりなる外部リード（１４）を被着形成したもので、外
部リード（１４）の一端部は上記端子（１０）（１１）
と対応するピンチ及び１陥を持ち、この外部リード（１
４）の一端部が端子（１０） （１１）に半田（１５
）にて電気的及び機械的に接続されて、第７図に示すよ
うに、薄膜ＥＬ素子（２）周辺に貼り合わされ、その電
極外部取出が行われる。
横切る位置に絶縁性接着剤（１２）を介してガラス基板
（１）上に固着され、このカバーガラス（３）と薄膜Ｅ
Ｌ素子（２）間にはシリコンオイル等の絶縁性保護流体
（２１）が封入される〔特公昭５７−４７５５９号公報
〕。フレキシブルリード（４）はポリイミド等のフレキ
シブルな絶縁性フィルム（１３）の片面に多数の銅箔等
よりなる外部リード（１４）を被着形成したもので、外
部リード（１４）の一端部は上記端子（１０）（１１）
と対応するピンチ及び１陥を持ち、この外部リード（１
４）の一端部が端子（１０） （１１）に半田（１５
）にて電気的及び機械的に接続されて、第７図に示すよ
うに、薄膜ＥＬ素子（２）周辺に貼り合わされ、その電
極外部取出が行われる。
上記端子（１０） （１１）と、対応するフレキシブ
ルリード（４）の外部リード（１４）の半田付けは、第
８図に示すように行われる。先ず、外部リード（１４）
の一端部上に定量の予備半田（１５ａ）を電気メツキ法
等で付着しておく。次に、ガラス基板（１）上の端子（
１０）に対応する外部リード（１４）の一端部を予備半
田（１５ａ）を介して重ね合わせて押圧（静圧）し、そ
のまま外部から予備半田（１５ａ）を赤外線加熱して溶
融させる〔特公昭５９−２１５７号公報〕。
ルリード（４）の外部リード（１４）の半田付けは、第
８図に示すように行われる。先ず、外部リード（１４）
の一端部上に定量の予備半田（１５ａ）を電気メツキ法
等で付着しておく。次に、ガラス基板（１）上の端子（
１０）に対応する外部リード（１４）の一端部を予備半
田（１５ａ）を介して重ね合わせて押圧（静圧）し、そ
のまま外部から予備半田（１５ａ）を赤外線加熱して溶
融させる〔特公昭５９−２１５７号公報〕。
そして、必要に応じて、上記半田付は後、接続部をシリ
シン樹脂（１６）にて機械的に補強する。
シン樹脂（１６）にて機械的に補強する。
発１届）ｌ決↓２Ｌｔ≧シＬ灸３１１恵ところで、上述
した薄膜ＥＬパネルにおいて薄膜ＥＬ素子（２）の電極
外部取出し用の端子（１０）（１１）を形成するに際し
ては、ガラス基板（１）の周辺部上にＮｉの単一層を蒸
着にて形成しているが、旧とガラスとの接続強度が−弱
く接続構造に難点がある。そこで、Ｎｉ藻着後、加熱し
て付着強度を上げたり、ガラスとのなじみの良いＴｉを
最下層にしてＡｌＮｉの３層構造にしたりしているが未
だ充分でなくまた、８５蒸着のためコストアップしやす
い。
した薄膜ＥＬパネルにおいて薄膜ＥＬ素子（２）の電極
外部取出し用の端子（１０）（１１）を形成するに際し
ては、ガラス基板（１）の周辺部上にＮｉの単一層を蒸
着にて形成しているが、旧とガラスとの接続強度が−弱
く接続構造に難点がある。そこで、Ｎｉ藻着後、加熱し
て付着強度を上げたり、ガラスとのなじみの良いＴｉを
最下層にしてＡｌＮｉの３層構造にしたりしているが未
だ充分でなくまた、８５蒸着のためコストアップしやす
い。
従来ガラス基板、セラミック基板等に直接半田付する方
法として超音波半田が使われていたが、微細なピッチの
パターンで精度良く超音波半田層を設けることはできな
かった。同種基板上に設けたＡ ｊ！ 、、Ｔ＋ ＳＮ
ｉなど全屈薄膜は、ホトソゲラフイーとエツチング技術
を用いてパターニングが可能だが、この超音波半田は、
フレキシブルリード側との加熱接続時に半田が食われて
極端に接着強度が低下するのを防ぐため１００μｍ以上
の厚みが必要であることと、表面の凹凸が通常の金属膜
と比べて大きく、従来のホトリソグラフィー技術では超
音波半田を微細ピッチにパターニングすることはできな
かった。
法として超音波半田が使われていたが、微細なピッチの
パターンで精度良く超音波半田層を設けることはできな
かった。同種基板上に設けたＡ ｊ！ 、、Ｔ＋ ＳＮ
ｉなど全屈薄膜は、ホトソゲラフイーとエツチング技術
を用いてパターニングが可能だが、この超音波半田は、
フレキシブルリード側との加熱接続時に半田が食われて
極端に接着強度が低下するのを防ぐため１００μｍ以上
の厚みが必要であることと、表面の凹凸が通常の金属膜
と比べて大きく、従来のホトリソグラフィー技術では超
音波半田を微細ピッチにパターニングすることはできな
かった。
ロワ１ ゛るための
本発明は、非金庫基板上に超音波半田が付着しない耐熱
性の感光性樹脂を全面に塗布する工工程と、上記感光性
樹脂を露光し現象してパターニングする工程と、上記感
光性樹脂の窓明は部分に超音波半田を付着して超音波半
田パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする。
性の感光性樹脂を全面に塗布する工工程と、上記感光性
樹脂を露光し現象してパターニングする工程と、上記感
光性樹脂の窓明は部分に超音波半田を付着して超音波半
田パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする。
作朋
上記技術的手段によれば、ガラス、セラミック等の非金
属基板上に超音波半田が付着しない耐熱性の感光性樹脂
を塗布してパターニングする。そして、感光性樹脂塗布
面を溶融超音波半田の槽に部分的にデイツプし上記パタ
ーニングの窓明は部分にのみ超音波半田を付着して超音
波半田パターンを形成する。
属基板上に超音波半田が付着しない耐熱性の感光性樹脂
を塗布してパターニングする。そして、感光性樹脂塗布
面を溶融超音波半田の槽に部分的にデイツプし上記パタ
ーニングの窓明は部分にのみ超音波半田を付着して超音
波半田パターンを形成する。
災ル皿
本発明に係る超音波半田パターンの形成方法の一適用例
を第１図乃至第４図を参照して以下説明する。図におい
て、（１７）はガラス、セラミック等の非金属基板、（
１８）は超音波半田パターン形成予定部分に対応する部
分で、例えば基板（１７）上に形成した透明型ｍ （５
）等の電極パターン、（１９）は基板（１７）上に塗布
した超音波半田が付着しない耐熱性の感光性樹脂、例え
ば感光性ポリイミド樹脂、（２０）は感光性ポリイミド
樹脂（１９）のパターニング後に基板（１７）上に被着
した超音波半田パターンである。
を第１図乃至第４図を参照して以下説明する。図におい
て、（１７）はガラス、セラミック等の非金属基板、（
１８）は超音波半田パターン形成予定部分に対応する部
分で、例えば基板（１７）上に形成した透明型ｍ （５
）等の電極パターン、（１９）は基板（１７）上に塗布
した超音波半田が付着しない耐熱性の感光性樹脂、例え
ば感光性ポリイミド樹脂、（２０）は感光性ポリイミド
樹脂（１９）のパターニング後に基板（１７）上に被着
した超音波半田パターンである。
上記構成に基づき本発明の動作を次に示す。
まず、第２図に示すように、ガラス、セラミック等の基
板（１７）上に、超音波半田パターン（２０）の形成予
定部分に対応する部分１３例えば薄膜ＥＬ素子の電極パ
ターン（１８）を形成した後、第３図に示すように、基
板（１７）上に超音波半田パターン形成予定部分の全面
に感光性ポリイミド樹脂（１９）を塗布する。上記感光
ポリイミド樹脂（１９）は紫外線照射によって不溶化し
、更に２００〜４００°Ｃの温度まで耐える耐熱性を持
つと共に超音波半田が付着しない特性を持つ。そこで、
第４図に示すように、電極パターン（１８）の端部付近
の超音波半田パターン（２０）の形成予定部分に対応す
る部分を除いて紫外線を照射した後、未照射部分を溶解
・除去してパターニングする。そして、感光性ポリイミ
ド樹脂（１９）のパターニング面を熔融超音波半田の槽
内に１〜２秒間、部分的にデイツプすると、溶融超音波
半田は約３００″Ｃの高温であるが、感光性ポリイミド
樹脂（１９）はそれに耐えて、かつ、超音波半田が付着
しないため、第４図及び第１図に示すように、そのパタ
ーニングの窓明は部分（１９ａ）にのみ超音波半田が付
着してそのパターン（２０）が形成される。上記超音波
半田（商品各セラソルザ）は、電気用普通半田であるＰ
ｂ−５ｎ合金に、ＺｎＳＳｂ、 Ｔｉ、 Ｓｉ。
板（１７）上に、超音波半田パターン（２０）の形成予
定部分に対応する部分１３例えば薄膜ＥＬ素子の電極パ
ターン（１８）を形成した後、第３図に示すように、基
板（１７）上に超音波半田パターン形成予定部分の全面
に感光性ポリイミド樹脂（１９）を塗布する。上記感光
ポリイミド樹脂（１９）は紫外線照射によって不溶化し
、更に２００〜４００°Ｃの温度まで耐える耐熱性を持
つと共に超音波半田が付着しない特性を持つ。そこで、
第４図に示すように、電極パターン（１８）の端部付近
の超音波半田パターン（２０）の形成予定部分に対応す
る部分を除いて紫外線を照射した後、未照射部分を溶解
・除去してパターニングする。そして、感光性ポリイミ
ド樹脂（１９）のパターニング面を熔融超音波半田の槽
内に１〜２秒間、部分的にデイツプすると、溶融超音波
半田は約３００″Ｃの高温であるが、感光性ポリイミド
樹脂（１９）はそれに耐えて、かつ、超音波半田が付着
しないため、第４図及び第１図に示すように、そのパタ
ーニングの窓明は部分（１９ａ）にのみ超音波半田が付
着してそのパターン（２０）が形成される。上記超音波
半田（商品各セラソルザ）は、電気用普通半田であるＰ
ｂ−５ｎ合金に、ＺｎＳＳｂ、 Ｔｉ、 Ｓｉ。
ＡＮＳＣｕ等の酸化物と強固な結合をもたらす合金元素
を微量添加したもので、ガラスやセラミック等の酸化物
にも信頼のおける強度で接着する特殊半田である。
を微量添加したもので、ガラスやセラミック等の酸化物
にも信頼のおける強度で接着する特殊半田である。
上記超音波半田パターンの形成方法を用いて例えば薄膜
ＥＬ素子（２）の電極外部取出し用端子（１０） （
１１）を形成すると、ガラス基板（１１）と端子（１０
） （１１）との接着強度が強固になり、フレキシブ
ルリード（４）とガラス基板（１）との接着構造も強固
になると共に感光性ポリイミド樹脂（１９）を残してお
くと、保護膜をして機能する。更に、蒸着装置のように
高価で複雑な装置、酸などによるエツチング工程を必要
とせず工程が簡略化させる。また、超音波半田パターン
ニングの工程は薄Ｂ’Ａ Ｅ Ｌ Ｍ造工程の中でパン
シベーションを行った後にもってくることも可能である
。すなわち最も耐圧不良の要因につながる発光エリアを
保護した状態で端子パターンを形成することができ、歩
留りが向上する。
ＥＬ素子（２）の電極外部取出し用端子（１０） （
１１）を形成すると、ガラス基板（１１）と端子（１０
） （１１）との接着強度が強固になり、フレキシブ
ルリード（４）とガラス基板（１）との接着構造も強固
になると共に感光性ポリイミド樹脂（１９）を残してお
くと、保護膜をして機能する。更に、蒸着装置のように
高価で複雑な装置、酸などによるエツチング工程を必要
とせず工程が簡略化させる。また、超音波半田パターン
ニングの工程は薄Ｂ’Ａ Ｅ Ｌ Ｍ造工程の中でパン
シベーションを行った後にもってくることも可能である
。すなわち最も耐圧不良の要因につながる発光エリアを
保護した状態で端子パターンを形成することができ、歩
留りが向上する。
尚、上記超音波半田パターンの形成方法は、薄膜Ｅしパ
ネルの他、プラズマデイスプレィや蛍光表示管に適用で
き、更に上記端子パターン以外に配線パターン等を超音
波半田パターンにて形成する際にも本発明を適用できる
。
ネルの他、プラズマデイスプレィや蛍光表示管に適用で
き、更に上記端子パターン以外に配線パターン等を超音
波半田パターンにて形成する際にも本発明を適用できる
。
上里皇肱来
本発明によれば、非金属基板上に超音波半田パターンを
形成できるようになり、５ＮＡＩＥＬパネル等に適用し
た場合、ぞのガラス基板とフレキシブルリードとの接続
強度の改善を図ることができ、かつ、微細な超音波半田
パターンを正確に形成でき、薄膜ＥＬ素子の電極数の増
加に対応できる。更に、パターン形成に必要な設備も簡
便となり、工程数が減ってコスト低減を図ることができ
る。
形成できるようになり、５ＮＡＩＥＬパネル等に適用し
た場合、ぞのガラス基板とフレキシブルリードとの接続
強度の改善を図ることができ、かつ、微細な超音波半田
パターンを正確に形成でき、薄膜ＥＬ素子の電極数の増
加に対応できる。更に、パターン形成に必要な設備も簡
便となり、工程数が減ってコスト低減を図ることができ
る。
第１図乃至第４図は第２図、第３図、第４図及び第１図
の順に本発明に係る超音波半田パターンの形成方法の一
通用例を示す各工程におけるパネルの斜視図である。 第５図と第６図と第７図は薄膜Ｅしパネルの一具体例を
示す断面図と部分平面図と概略斜視図、第８図は第５図
の薄膜ＥＬパネル断面の要部断面図である。 （１７） −非金属基板、（１９） −感光性樹脂、（
１９ａ）−・窓明は部分、 第１図 第４図 第５図 第６図
の順に本発明に係る超音波半田パターンの形成方法の一
通用例を示す各工程におけるパネルの斜視図である。 第５図と第６図と第７図は薄膜Ｅしパネルの一具体例を
示す断面図と部分平面図と概略斜視図、第８図は第５図
の薄膜ＥＬパネル断面の要部断面図である。 （１７） −非金属基板、（１９） −感光性樹脂、（
１９ａ）−・窓明は部分、 第１図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- （１）非金属基板上に超音波半田が付着しない耐熱性の
感光性樹脂を全面に塗布する工程と、上記感光性樹脂を
露光し現象してパターニングする工程と、 上記感光性樹脂の窓明け部分にのみ超音波半田を付着し
て超音波半田パターンを形成する工程とを含むことを特
徴とする超音波半田パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62318188A JPH01159613A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | 超音波半田パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62318188A JPH01159613A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | 超音波半田パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01159613A true JPH01159613A (ja) | 1989-06-22 |
Family
ID=18096433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62318188A Pending JPH01159613A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | 超音波半田パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01159613A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH056652U (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-29 | 岡谷電機産業株式会社 | 表示パネル |
| JP2016177857A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | Tdk株式会社 | 磁気ヘッド装置 |
| JP2016177856A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | Tdk株式会社 | 磁気ヘッド装置 |
| WO2017209178A1 (ja) * | 2016-06-02 | 2017-12-07 | 富士フイルム株式会社 | パターン製造方法、半導体装置の製造方法および積層体 |
-
1987
- 1987-12-16 JP JP62318188A patent/JPH01159613A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH056652U (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-29 | 岡谷電機産業株式会社 | 表示パネル |
| JP2016177857A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | Tdk株式会社 | 磁気ヘッド装置 |
| JP2016177856A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | Tdk株式会社 | 磁気ヘッド装置 |
| WO2017209178A1 (ja) * | 2016-06-02 | 2017-12-07 | 富士フイルム株式会社 | パターン製造方法、半導体装置の製造方法および積層体 |
| KR20190003680A (ko) * | 2016-06-02 | 2019-01-09 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴 제조 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 적층체 |
| JPWO2017209178A1 (ja) * | 2016-06-02 | 2019-03-22 | 富士フイルム株式会社 | パターン製造方法、半導体装置の製造方法および積層体 |
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