JPH01158743A - Ｉｃの実装構造 - Google Patents
Ｉｃの実装構造Info
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- JPH01158743A JPH01158743A JP31770587A JP31770587A JPH01158743A JP H01158743 A JPH01158743 A JP H01158743A JP 31770587 A JP31770587 A JP 31770587A JP 31770587 A JP31770587 A JP 31770587A JP H01158743 A JPH01158743 A JP H01158743A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＣチップと基板との実装構造に関し、特に
フェースダウン実装に関するものである。
フェースダウン実装に関するものである。
従来、７エイスダウンによるＩＣチップと基板との実装
は、例えば、「日経マイクロカバイス」：１９８７年６
月号、Ｐ６１〜７４゜や、「日経エレクトロニクス別冊
マイクロデバイセズＮα２」１９８４年６月、Ｐ４４〜
４６゜中に記載され、第２図に示すような構造が知られ
ていた。１はガラス基板であり、２は工Ｔｏ電極であり
、これは、７のＩＣチップ上の電極５と相対するように
形成されている。ＩＣの被接続物が、液晶パネルや、イ
メージセンサのようにガラス基板を用いるものは、透明
電極が必要であるため、基板上の電極は第２図のように
工ＴＯ電極２であることが多い。ＩＣチップ７上の電極
５とガラス基板１上の電極５とは、Ａｕバンプ４によっ
て接続している。
は、例えば、「日経マイクロカバイス」：１９８７年６
月号、Ｐ６１〜７４゜や、「日経エレクトロニクス別冊
マイクロデバイセズＮα２」１９８４年６月、Ｐ４４〜
４６゜中に記載され、第２図に示すような構造が知られ
ていた。１はガラス基板であり、２は工Ｔｏ電極であり
、これは、７のＩＣチップ上の電極５と相対するように
形成されている。ＩＣの被接続物が、液晶パネルや、イ
メージセンサのようにガラス基板を用いるものは、透明
電極が必要であるため、基板上の電極は第２図のように
工ＴＯ電極２であることが多い。ＩＣチップ７上の電極
５とガラス基板１上の電極５とは、Ａｕバンプ４によっ
て接続している。
ＩＣチップ７の能動面上には、耐湿性を向上させるため
に、パッシベーション膜６がかかっていることが多い。
に、パッシベーション膜６がかかっていることが多い。
また、ＩＣチップ７はガラス基板１に絶縁樹脂３で接着
され、接続信頼性が保たれている。
され、接続信頼性が保たれている。
しかし、従来のＩＣの実装構造では、すべての端子に工
ＴＯ電極を用いねばならず、接続のインピーダンスは非
常に高くなってしまう。（例えば／Ωの面抵抗を持つ工
ＴＯ電極を使用し、幅０．１ｍｍで長さを１０ｒｒｒｒ
ｎとした場合、抵抗値はにΩにも達してしまう。次特に
、電源部にも、この抵抗分が付加されるとすれば、ＩＣ
本体に加わる電圧が低下してしまったり、電流を多く流
せなくなったりするため、実用化は不可能である。この
ため、従来のＩＣの実装構造では、第３図に示すように
、電源部あるいは、低インピーダンスを要求される工Ｔ
Ｏ電極は太く形成し、特にｍ源部はＩＣチップ側の電源
電極１１を複数個使用し、さらにインピーダンスを下げ
るようにしていた。
ＴＯ電極を用いねばならず、接続のインピーダンスは非
常に高くなってしまう。（例えば／Ωの面抵抗を持つ工
ＴＯ電極を使用し、幅０．１ｍｍで長さを１０ｒｒｒｒ
ｎとした場合、抵抗値はにΩにも達してしまう。次特に
、電源部にも、この抵抗分が付加されるとすれば、ＩＣ
本体に加わる電圧が低下してしまったり、電流を多く流
せなくなったりするため、実用化は不可能である。この
ため、従来のＩＣの実装構造では、第３図に示すように
、電源部あるいは、低インピーダンスを要求される工Ｔ
Ｏ電極は太く形成し、特にｍ源部はＩＣチップ側の電源
電極１１を複数個使用し、さらにインピーダンスを下げ
るようにしていた。
第３図は、ＩＣチップ７をガラス基板１に実装した状態
を、ガラス基板側から見た図である。２は工Ｔｏ電極、
５はＩＣ上に形成されている電極である。１１は電源電
極であり、複数個平列に用いられている。１２の電源接
続部、１６０入力信号接続部の工ＴＯ電極２は、太く形
成してあり、インピーダンスが低くなっている。このよ
うな実装方法では、次に示す問題点がある。
を、ガラス基板側から見た図である。２は工Ｔｏ電極、
５はＩＣ上に形成されている電極である。１１は電源電
極であり、複数個平列に用いられている。１２の電源接
続部、１６０入力信号接続部の工ＴＯ電極２は、太く形
成してあり、インピーダンスが低くなっている。このよ
うな実装方法では、次に示す問題点がある。
１、 太い工Ｔｏパターンを低インピーダンスが要求さ
れる部分に用いねばならず、全体の小型。
れる部分に用いねばならず、全体の小型。
細密化が要求される実装には適用が困難である。
２、 ＩＣの電極を低インピーダンスが要求される部分
に複数個用いるため、同じ数だけ能動端子（液晶パネル
で言えば、出力端子に相当する端子）を得ようとすれば
、ＩＣのチップサイズが、低インピーダンスを要求され
る部分にＩＣ電極が１個で良い通常のＩＣに比較してそ
のサイズが大きくなる。ＩＣは、その面積も価格に比例
的に影響するため、結果的に高価なＩＣとなってしまう
。
に複数個用いるため、同じ数だけ能動端子（液晶パネル
で言えば、出力端子に相当する端子）を得ようとすれば
、ＩＣのチップサイズが、低インピーダンスを要求され
る部分にＩＣ電極が１個で良い通常のＩＣに比較してそ
のサイズが大きくなる。ＩＣは、その面積も価格に比例
的に影響するため、結果的に高価なＩＣとなってしまう
。
このような問題点を解決するため、本発明では、より小
型・細密な実装を行なえ、かつ、１人出力に対して１電
極の通常の小型・安価のＩＣを用いることのできるＩＣ
の実装手段を提供することを目的としている。
型・細密な実装を行なえ、かつ、１人出力に対して１電
極の通常の小型・安価のＩＣを用いることのできるＩＣ
の実装手段を提供することを目的としている。
上記問題点を解決するため、本発明のＩＣの実装構造で
は、ＩＣチップ上に形成された接続電極と、基板上に形
成された前記ＩＣチップ上に形成された接続電極に相対
する電極とは、前記ＩＣチップがフェースダウンにて実
装されているＩＣの実装構造において、少くとも前記Ｉ
Ｃチップ上に形成された接続電極のうちＩＣへ供給する
電源端子に相対する前記基板上に形成された電極が、少
なくとも一層の金属膜で形成されていることを特徴とす
る。
は、ＩＣチップ上に形成された接続電極と、基板上に形
成された前記ＩＣチップ上に形成された接続電極に相対
する電極とは、前記ＩＣチップがフェースダウンにて実
装されているＩＣの実装構造において、少くとも前記Ｉ
Ｃチップ上に形成された接続電極のうちＩＣへ供給する
電源端子に相対する前記基板上に形成された電極が、少
なくとも一層の金属膜で形成されていることを特徴とす
る。
本発明では、工ＯＫ電源を供給する基板側の電極を金属
とした。例えば、Ｎ１を金属電極とすれば、その面抵抗
は Ω／であり、工Ｔｏのそれの約１／ である。こ
のため、幅０．２１ｒｒＩｎで長さ１０ｒＩｒＩｎの配
線を形成した場合、工Ｔｏでは約Ωであったのに対し、
Ｎ１金属電極では約 Ωとなり、１ ＤＶｌ ００７
７ＬＡ供給時の工ＴＯによる電圧降下は約 Ｖに対して
、Ｎ１金属電極では約■となる。ＩＣへかかる実効電圧
が工ＴＯで約■になり供給電圧の約 ％となってしま
うのに対して、Ｎ１のそれは、約 ■であり約％とな
る。一般にＩＣの電圧マージンは士 ％であるため、工
Ｔｏ電極では実用不可能となるが、Ｎ１では何ら問題と
ならない。
とした。例えば、Ｎ１を金属電極とすれば、その面抵抗
は Ω／であり、工Ｔｏのそれの約１／ である。こ
のため、幅０．２１ｒｒＩｎで長さ１０ｒＩｒＩｎの配
線を形成した場合、工Ｔｏでは約Ωであったのに対し、
Ｎ１金属電極では約 Ωとなり、１ ＤＶｌ ００７
７ＬＡ供給時の工ＴＯによる電圧降下は約 Ｖに対して
、Ｎ１金属電極では約■となる。ＩＣへかかる実効電圧
が工ＴＯで約■になり供給電圧の約 ％となってしま
うのに対して、Ｎ１のそれは、約 ■であり約％とな
る。一般にＩＣの電圧マージンは士 ％であるため、工
Ｔｏ電極では実用不可能となるが、Ｎ１では何ら問題と
ならない。
以下に、本発明の実施例を図面に基づき、詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の工ａの実装構造の断面図である。１は
ガラス基板であり、１２の電源接続部から１０の金属電
極が形成されている。１ｏの金属電極上にはさらに２の
工Ｔｏ電極が形成されており、４のＡｕバンプを通して
７のＩＣチップ上に形成されている１１の電源電極へ接
続されている。ＩＣチップ７０表面には、耐湿性を向上
させるために、−船釣にはパッシベーション膜６が付い
ている。電源に関係しない１！極５は、Ａｕバンブ４に
よって、ガラス基板１上の１ＴＯ電極２へ接続している
。７のＩＣチップは、１のガラス基板に絶縁樹脂６で接
着している。乙の絶縁樹脂はＩＣチップ７とガラス基板
１を接着できるものであれば何でもよく、エポキシ糸、
アクリル系、ゴム系あるいはペースト等何でもかまわな
い。
ガラス基板であり、１２の電源接続部から１０の金属電
極が形成されている。１ｏの金属電極上にはさらに２の
工Ｔｏ電極が形成されており、４のＡｕバンプを通して
７のＩＣチップ上に形成されている１１の電源電極へ接
続されている。ＩＣチップ７０表面には、耐湿性を向上
させるために、−船釣にはパッシベーション膜６が付い
ている。電源に関係しない１！極５は、Ａｕバンブ４に
よって、ガラス基板１上の１ＴＯ電極２へ接続している
。７のＩＣチップは、１のガラス基板に絶縁樹脂６で接
着している。乙の絶縁樹脂はＩＣチップ７とガラス基板
１を接着できるものであれば何でもよく、エポキシ糸、
アクリル系、ゴム系あるいはペースト等何でもかまわな
い。
また、１０の金属電極上の工ＴＯ電極はあっても無くと
も良い。存在していれば、金属の酸化防止にもなる。１
０の金属％極は、メツキ、あるいはスパッタ等でＮ１を
成膜すれば良いが、何もＮ１だけでな（Ｏｒ等でもかま
わないし、多層の膜２合金の膜としても良い。
も良い。存在していれば、金属の酸化防止にもなる。１
０の金属％極は、メツキ、あるいはスパッタ等でＮ１を
成膜すれば良いが、何もＮ１だけでな（Ｏｒ等でもかま
わないし、多層の膜２合金の膜としても良い。
第４図は、本発明によるＩＣの実装構造をガラス基板側
から見た図である。１０が金属電極であり、１２の電源
接続部と７のＩＣチップ上の電源１！極１１とを低イン
ピーダンスで接続している。
から見た図である。１０が金属電極であり、１２の電源
接続部と７のＩＣチップ上の電源１！極１１とを低イン
ピーダンスで接続している。
さらに、ガラス基板１上には、工Ｔｏ電極２が形成され
、他のＩＣチップ７上の電極５と接続している。さらに
工Ｔｏ電極２は液晶セルへと接続している。１３０入力
信号接続部には、多少インピーダンスが低いことが要求
されることが多いため、■Ｔｏ電極２が太く形成されて
いる。′さらに低インピーダンスが要求される場合は、
ここも金属電極で形成すれば良い。他の工ＴＯ電極につ
いても同様で、たまたま、液晶セルは低インピーダンス
が要求されないため、第４図では工ＴＯ電極となってい
るが、イメージセンサ、あるいはＴＰＴパネルのように
、配線に低インピーダンスが要求される場合は、ここに
も金属電極を用いれば良いまた、使用する基板は何もガ
ラスに限らず、セラミクスや、ガラスエポキシでもかま
わない。
、他のＩＣチップ７上の電極５と接続している。さらに
工Ｔｏ電極２は液晶セルへと接続している。１３０入力
信号接続部には、多少インピーダンスが低いことが要求
されることが多いため、■Ｔｏ電極２が太く形成されて
いる。′さらに低インピーダンスが要求される場合は、
ここも金属電極で形成すれば良い。他の工ＴＯ電極につ
いても同様で、たまたま、液晶セルは低インピーダンス
が要求されないため、第４図では工ＴＯ電極となってい
るが、イメージセンサ、あるいはＴＰＴパネルのように
、配線に低インピーダンスが要求される場合は、ここに
も金属電極を用いれば良いまた、使用する基板は何もガ
ラスに限らず、セラミクスや、ガラスエポキシでもかま
わない。
本発明によれば、ＩＣ電源配線部の電極を金属としたの
で以下の効果を有する。
で以下の効果を有する。
１、 配線のインピーダンスを低くできるので、高電流
を流す場合でも配線が細密化でき、実装部に必要な面積
を最小にすることができる。
を流す場合でも配線が細密化でき、実装部に必要な面積
を最小にすることができる。
２゜ ＩＣの電極は１配線につき１個で済むため、１配
線につき、複数個必要としていた従来のＩＣよりも小型
・安価なＩＣを利用することができ、システム全体の価
格を低下させることができる＆ ＩＣの微細化、高集積
化が進めば、当然、単価面積当りの発熱量も増加するが
、金属電極は工ＴＯ電極よりも熱伝導係数が大きいため
、放熱構造を兼ねて使用できる。
線につき、複数個必要としていた従来のＩＣよりも小型
・安価なＩＣを利用することができ、システム全体の価
格を低下させることができる＆ ＩＣの微細化、高集積
化が進めば、当然、単価面積当りの発熱量も増加するが
、金属電極は工ＴＯ電極よりも熱伝導係数が大きいため
、放熱構造を兼ねて使用できる。
４、 特に電源部は常時電流が流れるが、工ＴＯは一般
的によく知られているように電流が流れていると電蝕に
よって工ＴＯ自身が消失してしまうが、金属電極を用い
るとこの問題を解決することができる。
的によく知られているように電流が流れていると電蝕に
よって工ＴＯ自身が消失してしまうが、金属電極を用い
るとこの問題を解決することができる。
＆ バンプによく用いられる金との接触抵抗を最少にす
るために、金を金属電極として用いれば、さらに接続信
頼性は向上する。
るために、金を金属電極として用いれば、さらに接続信
頼性は向上する。
第１図は、本発明によるＩＣの実装構造の断面図であり
、第２図は、従来のＩＣの実装構造の断面図である。第
３図は、従来のＩＣの実装構造を基板側から見た正面図
であり、第４図は、本発明のＩＣの実装構造を基板から
見た正面図である。 １・・・・・・・・・ガラス基板 ２・・・・・・・・・ＩＴＯ１！極 ３・・・・・・・・・絶縁樹脂 ４・・・・・・・・・Ａｕバンプ ５・・・・・・・・・電 極 ６・・・・・・・・・パッシベーション膜７・・・・・
・・・・ＩＣチップ １０・・・・・・金属電極 １１・・・・・・電源電極 １２・・・・・・電源接続部 １３・・・・・・入力信号接続部 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
、第２図は、従来のＩＣの実装構造の断面図である。第
３図は、従来のＩＣの実装構造を基板側から見た正面図
であり、第４図は、本発明のＩＣの実装構造を基板から
見た正面図である。 １・・・・・・・・・ガラス基板 ２・・・・・・・・・ＩＴＯ１！極 ３・・・・・・・・・絶縁樹脂 ４・・・・・・・・・Ａｕバンプ ５・・・・・・・・・電 極 ６・・・・・・・・・パッシベーション膜７・・・・・
・・・・ＩＣチップ １０・・・・・・金属電極 １１・・・・・・電源電極 １２・・・・・・電源接続部 １３・・・・・・入力信号接続部 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- ＩＣチップ上に形成された接続電極と、基板上に形成
された前記ＩＣチップ上に形成された接続電極に相対す
る電極とは、前記ＩＣチップがフェースダウンにて実装
されているＩＣの実装構造において、少くとも前記ＩＣ
チップ上に形成された接続電極のうちＩＣへ供給する電
源端子に相対する前記基板上に形成された電極が、少な
くとも一層の金属膜で形成されていることを特徴とする
ＩＣの実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31770587A JPH01158743A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | Ｉｃの実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31770587A JPH01158743A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | Ｉｃの実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01158743A true JPH01158743A (ja) | 1989-06-21 |
Family
ID=18091110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31770587A Pending JPH01158743A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | Ｉｃの実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01158743A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05175274A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ部品 |
| US5804882A (en) * | 1995-05-22 | 1998-09-08 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device having a semiconductor chip electrically connected to a wiring substrate |
| US7122896B2 (en) * | 2003-08-21 | 2006-10-17 | Seiko Epson Corporation | Mounting structure of electronic component, electro-optic device, electronic equipment, and method for mounting electronic component |
-
1987
- 1987-12-16 JP JP31770587A patent/JPH01158743A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05175274A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ部品 |
| US5804882A (en) * | 1995-05-22 | 1998-09-08 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device having a semiconductor chip electrically connected to a wiring substrate |
| US7122896B2 (en) * | 2003-08-21 | 2006-10-17 | Seiko Epson Corporation | Mounting structure of electronic component, electro-optic device, electronic equipment, and method for mounting electronic component |
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