JPH05175274A - チップ部品 - Google Patents
チップ部品Info
- Publication number
- JPH05175274A JPH05175274A JP34432191A JP34432191A JPH05175274A JP H05175274 A JPH05175274 A JP H05175274A JP 34432191 A JP34432191 A JP 34432191A JP 34432191 A JP34432191 A JP 34432191A JP H05175274 A JPH05175274 A JP H05175274A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminals
- chip
- chip component
- same function
- glass substrate
- Prior art date
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はチップ部品をフェースダウンで実装
した工法、とりわけ液晶駆動用のＩＣ等の多端子を有す
るチップ部品を基板に直接実装する場合に、熱膨張によ
る応力の影響を受けにくく、あるいは応力の影響を受け
てもＩＣの動作に支障をきたさない様に動作余裕を持た
せることを目的とする。 【構成】 ガラス基板１２上には、金属突起１３を配置
したＬＳＩチップ１１をフェースダウンで実装してい
る。１４ａからｇはそれぞれ同一機能の端子であり、Ｉ
Ｃの中心部から離れた端子（１４ｇ等）は、同一機能の
端子数を多くし、かつ配置する密度を高くしている。中
心部近くの端子（１４ｃ等）は同一機能の端子数を減ら
し、十分間隔を取った配置にしている。
した工法、とりわけ液晶駆動用のＩＣ等の多端子を有す
るチップ部品を基板に直接実装する場合に、熱膨張によ
る応力の影響を受けにくく、あるいは応力の影響を受け
てもＩＣの動作に支障をきたさない様に動作余裕を持た
せることを目的とする。 【構成】 ガラス基板１２上には、金属突起１３を配置
したＬＳＩチップ１１をフェースダウンで実装してい
る。１４ａからｇはそれぞれ同一機能の端子であり、Ｉ
Ｃの中心部から離れた端子（１４ｇ等）は、同一機能の
端子数を多くし、かつ配置する密度を高くしている。中
心部近くの端子（１４ｃ等）は同一機能の端子数を減ら
し、十分間隔を取った配置にしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップ部品をフェースダ
ウンで実装した工法、とりわけ液晶駆動用のＩＣチップ
をガラス基板上に直接実装する工法（ＣＯＧ工法）等に
よって実装されるチップ部品に関するものである。
ウンで実装した工法、とりわけ液晶駆動用のＩＣチップ
をガラス基板上に直接実装する工法（ＣＯＧ工法）等に
よって実装されるチップ部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にマトリクス型の表示デバイスを駆
動する場合、マトリクス配線それぞれに駆動用の信号を
供給する必要がある。特に、液晶パネルのようにガラス
基板を用いるデバイスにおいては、ＩＣ等のチップ部品
を直接ガラス基板上に実装するＣＯＧ工法が一般的にな
ってきた。この方式には、ＩＣチップをフェースアップ
でガラス基板に搭載した後、ＩＣチップの端子とガラス
基板上の端子を金属線で接続する方法や、ＩＣチップの
端子上に金属突起を形成した後、導電性接着剤を介し、
フェースダウンでガラス基板上の端子と接続する方法が
ある。現在では、実装面積が小さくできる事からＣＯＧ
実装方式としては、後者の方法が多く用いられるように
なってきた。
動する場合、マトリクス配線それぞれに駆動用の信号を
供給する必要がある。特に、液晶パネルのようにガラス
基板を用いるデバイスにおいては、ＩＣ等のチップ部品
を直接ガラス基板上に実装するＣＯＧ工法が一般的にな
ってきた。この方式には、ＩＣチップをフェースアップ
でガラス基板に搭載した後、ＩＣチップの端子とガラス
基板上の端子を金属線で接続する方法や、ＩＣチップの
端子上に金属突起を形成した後、導電性接着剤を介し、
フェースダウンでガラス基板上の端子と接続する方法が
ある。現在では、実装面積が小さくできる事からＣＯＧ
実装方式としては、後者の方法が多く用いられるように
なってきた。
【０００３】図２はこの工法でガラス基板上にＩＣチッ
プを実装した部分の断面図である。１１はＩＣチップ、
１２はガラス基板、２１はＩＣチップに形成された金属
突起（バンプ）である。２２は導電性接着剤、２３はＩ
Ｃチップを封止する保護樹脂である。液晶パネルの場合
は、液晶画面以外の周辺部品・回路等は、小型化が要望
されており、同時にパネルの画素密度はさらに高密度の
ものが要望されている。従って、パネルを駆動するＩＣ
チップ１個当たりの端子数はより多くなり、液晶画面周
辺の額縁状の領域が小さくなる傾向にある。よって、Ｉ
Ｃチップの形状は、より縦横比の大きな細長い形状へと
移行しつつある。
プを実装した部分の断面図である。１１はＩＣチップ、
１２はガラス基板、２１はＩＣチップに形成された金属
突起（バンプ）である。２２は導電性接着剤、２３はＩ
Ｃチップを封止する保護樹脂である。液晶パネルの場合
は、液晶画面以外の周辺部品・回路等は、小型化が要望
されており、同時にパネルの画素密度はさらに高密度の
ものが要望されている。従って、パネルを駆動するＩＣ
チップ１個当たりの端子数はより多くなり、液晶画面周
辺の額縁状の領域が小さくなる傾向にある。よって、Ｉ
Ｃチップの形状は、より縦横比の大きな細長い形状へと
移行しつつある。
【０００４】また、画素数を増やす事でＩＣチップに入
力されるクロック等の信号周波数をより高くする必要が
出てきた。これはガラス基板上の端子に、直接ＩＣチッ
プの端子を接続した場合、従来のＣＯＧ工法では構成材
料の熱膨張係数の違いなどから、接続抵抗が不安定にな
る要素をもっているため、十分な接続信頼性を確保する
ことが必要となってきている。
力されるクロック等の信号周波数をより高くする必要が
出てきた。これはガラス基板上の端子に、直接ＩＣチッ
プの端子を接続した場合、従来のＣＯＧ工法では構成材
料の熱膨張係数の違いなどから、接続抵抗が不安定にな
る要素をもっているため、十分な接続信頼性を確保する
ことが必要となってきている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したようにＩＣチ
ップへ供給する信号が高周波になればなるほど、信号線
の抵抗成分は、信号伝達を阻害する大きな要因となって
くる。しかも、ＩＣチップがより縦横比の大きな細長い
形状であればあるほど、ＩＣチップの端子と、基板上の
端子との接続抵抗が温度、湿度の影響を受け易くなる。
それは、ＩＣチップ（シリコンチップ）と、ＩＣチップ
を実装する基板（液晶パネルの場合はガラス基板）の熱
膨張係数の違い、またはＩＣチップと、ＩＣチップを固
定する樹脂の熱膨張係数の違いによる応力の影響を受け
易くなるためである。
ップへ供給する信号が高周波になればなるほど、信号線
の抵抗成分は、信号伝達を阻害する大きな要因となって
くる。しかも、ＩＣチップがより縦横比の大きな細長い
形状であればあるほど、ＩＣチップの端子と、基板上の
端子との接続抵抗が温度、湿度の影響を受け易くなる。
それは、ＩＣチップ（シリコンチップ）と、ＩＣチップ
を実装する基板（液晶パネルの場合はガラス基板）の熱
膨張係数の違い、またはＩＣチップと、ＩＣチップを固
定する樹脂の熱膨張係数の違いによる応力の影響を受け
易くなるためである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、ＩＣチップまたはその他のチップ部品の端子
の位置を等間隔に配置するのではなく、接続抵抗が安定
するように配置しようとするものである。チップ部品の
中心部からの距離が離れれば、それだけ熱膨張等による
影響を受け易く、逆にチップ部品の中心部に近い端子は
熱膨張による影響を受けにくい。従って、熱膨張の影響
を受け易い位置にある端子は、同一端子を複数設ける等
で、端子密度（単位面積当たりの端子数）を増やし、端
子の接着力を大きくする事で熱膨張による応力の影響を
受けにくくすることができる。
するため、ＩＣチップまたはその他のチップ部品の端子
の位置を等間隔に配置するのではなく、接続抵抗が安定
するように配置しようとするものである。チップ部品の
中心部からの距離が離れれば、それだけ熱膨張等による
影響を受け易く、逆にチップ部品の中心部に近い端子は
熱膨張による影響を受けにくい。従って、熱膨張の影響
を受け易い位置にある端子は、同一端子を複数設ける等
で、端子密度（単位面積当たりの端子数）を増やし、端
子の接着力を大きくする事で熱膨張による応力の影響を
受けにくくすることができる。
【０００７】また、たとえ応力の影響を受け、端子１個
当たりの接続抵抗が増加しても、同一端子を複数設けて
いる事から、トータルとしての接続抵抗の増加を抑える
ことができ、動作余裕を保証することができる。
当たりの接続抵抗が増加しても、同一端子を複数設けて
いる事から、トータルとしての接続抵抗の増加を抑える
ことができ、動作余裕を保証することができる。
【０００８】
【作用】本発明は上記した方法により、接続抵抗が熱膨
張による応力の影響を受けにくく、あるいは応力の影響
を受けても、ＩＣチップの動作に支障をきたさない動作
余裕が確保できる。
張による応力の影響を受けにくく、あるいは応力の影響
を受けても、ＩＣチップの動作に支障をきたさない動作
余裕が確保できる。
【０００９】
【実施例】図１（ａ）は本発明の一実施例におけるマト
リクス型液晶駆動用のＬＳＩのパターン面を示したもの
である。また同図（ｂ）は前記ＬＳＩをＣＯＧ実装工法
を用いてガラス基板上に実装した状態におけるＡ−Ａ′
の断面図である。１１はＬＳＩチップ、１２はＬＳＩチ
ップが実装されたガラス基板、１３はＬＳＩの突起状端
子である。１４ａ〜１４ｇは入力端子群であり、機能別
にａ〜ｇに区分している。１４ａには６つの端子を設け
ており、この６端子は電気的には導通している同機能の
端子である。同様に１４ｂには４つの端子を設けてお
り、４つの端子は同機能である。１４ｃ，１４ｅ，１４
ｆ，１４ｇの端子群もそれぞれ同じ機能の端子を有して
いる。１４ｄは１端子のみを有する。１４ａ〜１４ｇの
うち、１４ａおよび１４ｇはＩＣ中心部から最も離れた
場所に配置されているため、同一機能の端子を６端子ず
つ設け、かつ端子間距離を小さくし端子密度を高めてい
る。１４ｄについては、ＩＣ中心部に最も近い端子であ
るため、端子は１つのみ設けてある。１４ｂ，１４ｃに
ついては、１４ａと１４ｄの中間に位置するので、端子
数を３または４端子とし、端子間距離を１４ａより大き
くしている。１４ｅ，１４ｆも同様である。
リクス型液晶駆動用のＬＳＩのパターン面を示したもの
である。また同図（ｂ）は前記ＬＳＩをＣＯＧ実装工法
を用いてガラス基板上に実装した状態におけるＡ−Ａ′
の断面図である。１１はＬＳＩチップ、１２はＬＳＩチ
ップが実装されたガラス基板、１３はＬＳＩの突起状端
子である。１４ａ〜１４ｇは入力端子群であり、機能別
にａ〜ｇに区分している。１４ａには６つの端子を設け
ており、この６端子は電気的には導通している同機能の
端子である。同様に１４ｂには４つの端子を設けてお
り、４つの端子は同機能である。１４ｃ，１４ｅ，１４
ｆ，１４ｇの端子群もそれぞれ同じ機能の端子を有して
いる。１４ｄは１端子のみを有する。１４ａ〜１４ｇの
うち、１４ａおよび１４ｇはＩＣ中心部から最も離れた
場所に配置されているため、同一機能の端子を６端子ず
つ設け、かつ端子間距離を小さくし端子密度を高めてい
る。１４ｄについては、ＩＣ中心部に最も近い端子であ
るため、端子は１つのみ設けてある。１４ｂ，１４ｃに
ついては、１４ａと１４ｄの中間に位置するので、端子
数を３または４端子とし、端子間距離を１４ａより大き
くしている。１４ｅ，１４ｆも同様である。
【００１０】すなわち、ＩＣ中心付近の端子は、端子密
度を低くし同一機能の端子数を少なくし、ＩＣ中心部か
ら離れた端子は、端子密度を上げるとともに同一機能の
端子数を増やした配置にしている。
度を低くし同一機能の端子数を少なくし、ＩＣ中心部か
ら離れた端子は、端子密度を上げるとともに同一機能の
端子数を増やした配置にしている。
【００１１】
【発明の効果】本発明により、ＬＳＩ等の多端子を有す
るチップ部品を基板に直接実装する場合に、熱膨張によ
る応力の影響を受けにくく、あるいは応力の影響を受け
ても動作に支障をきたさない様に動作余裕を持たせるこ
とができる。なお、今回の実施例は液晶パネルについて
説明したが、ＰＣＢ等にも適用できる事は言うまでもな
い。
るチップ部品を基板に直接実装する場合に、熱膨張によ
る応力の影響を受けにくく、あるいは応力の影響を受け
ても動作に支障をきたさない様に動作余裕を持たせるこ
とができる。なお、今回の実施例は液晶パネルについて
説明したが、ＰＣＢ等にも適用できる事は言うまでもな
い。
【図１】（ａ）本発明の一実施例におけるマトリクス型
液晶駆動用のＩＣチップのパターン面を示す平面図 （ｂ）前記ＩＣチップをＣＯＧ実装工法を用いてガラス
基板上に実装した状態におけるＡ−Ａ′の断面図
液晶駆動用のＩＣチップのパターン面を示す平面図 （ｂ）前記ＩＣチップをＣＯＧ実装工法を用いてガラス
基板上に実装した状態におけるＡ−Ａ′の断面図
【図２】ＩＣチップをフェースダウンでガラス基板上に
実装した場合のＩＣチップの断面図
実装した場合のＩＣチップの断面図
１１ ＩＣチップ １２ ガラス基板 １３ 突起状端子 １４ 出力端子群 １５ａ〜ｄ 入力端子群 ２１ 金属突起（バンプ） ２２ 導電性接着剤 ２３ 保護樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】多端子を有するチップ部品を、該チップ部
品のそれぞれの端子に対応する端子を有する基板上に直
接実装するにおいて、 前記チップ部品の端子および、前記基板の端子は、前記
チップ部品の端子の配置される面における端子の位置に
より、端子密度が異なることを特徴とするチップ部品。 - 【請求項２】端子の配置される面における端子の位置に
より、同一機能の端子数が異なることを特長とする請求
項１記載のチップ部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3344321A JP2626389B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | チップ部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3344321A JP2626389B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | チップ部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175274A true JPH05175274A (ja) | 1993-07-13 |
| JP2626389B2 JP2626389B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=18368340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3344321A Expired - Lifetime JP2626389B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | チップ部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2626389B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07199208A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
| US6882169B2 (en) | 1997-09-19 | 2005-04-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor testing device |
| JP2005191248A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、電子回路装置、及びこれらの製造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5521191A (en) * | 1978-08-03 | 1980-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing barium titanate semiconductor porcelain |
| JPS5643787A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser beam isolator |
| JPS56123551U (ja) * | 1980-02-22 | 1981-09-19 | ||
| JPS5927539A (ja) * | 1982-08-05 | 1984-02-14 | Ricoh Co Ltd | サーマルヘッド用ｉｃチップのパッド配列方法 |
| JPS60142783A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-27 | Fujitsu Ltd | スキヤナ装置 |
| JPS6251742U (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-31 | ||
| JPH01158743A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-21 | Seiko Epson Corp | Ｉｃの実装構造 |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP3344321A patent/JP2626389B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5521191A (en) * | 1978-08-03 | 1980-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing barium titanate semiconductor porcelain |
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| JPS60142783A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-27 | Fujitsu Ltd | スキヤナ装置 |
| JPS6251742U (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-31 | ||
| JPH01158743A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-21 | Seiko Epson Corp | Ｉｃの実装構造 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07199208A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
| US6882169B2 (en) | 1997-09-19 | 2005-04-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor testing device |
| US7161370B2 (en) | 1997-09-19 | 2007-01-09 | Fujitsu Limited | Semiconductor testing device |
| JP2005191248A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、電子回路装置、及びこれらの製造方法 |
| JP4608208B2 (ja) * | 2003-12-25 | 2011-01-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電子回路装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2626389B2 (ja) | 1997-07-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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