JPH01153567A - 超電導体の製造方法 - Google Patents
超電導体の製造方法Info
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- JPH01153567A JPH01153567A JP62311984A JP31198487A JPH01153567A JP H01153567 A JPH01153567 A JP H01153567A JP 62311984 A JP62311984 A JP 62311984A JP 31198487 A JP31198487 A JP 31198487A JP H01153567 A JPH01153567 A JP H01153567A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は酸化物系超電導体の製造方法に係り特に偏心あ
るいは収縮量を抑制するに好適な超電導体の製造方法に
関する。
るいは収縮量を抑制するに好適な超電導体の製造方法に
関する。
従来の超電導物質の臨界温度を大幅に上回る高温超電導
物質としてＬａ−３ｒ−Ｃｕの酸化物が発見されて以来
、日本経済新聞（昭和６２年３月４日）等で９０に級の
臨界温度を有するＹ−Ｂａ−Ｃｕの酸化物が発表されて
いる。これら高温超電導物質の相次ぐ発見は超電導革命
とも称され。
物質としてＬａ−３ｒ−Ｃｕの酸化物が発見されて以来
、日本経済新聞（昭和６２年３月４日）等で９０に級の
臨界温度を有するＹ−Ｂａ−Ｃｕの酸化物が発表されて
いる。これら高温超電導物質の相次ぐ発見は超電導革命
とも称され。
目下、弱電、強電分野への応用開発が精力的に進められ
ている。しかし、超電導物質バルク体をそのまま強電分
解等の応用までには至っていない。
ている。しかし、超電導物質バルク体をそのまま強電分
解等の応用までには至っていない。
超電導物質バルク体の製造方法に関しては超電導特性の
基礎データを得るために直径約１０〜３０φ、厚さ約１
〜３ｍ程度のペレットを製作し、概念的に報じられてい
るぐらいである。
基礎データを得るために直径約１０〜３０φ、厚さ約１
〜３ｍ程度のペレットを製作し、概念的に報じられてい
るぐらいである。
上記従来技術は酸化物系超電導物質の超電導特性を把握
するための板厚１〜３ｎｗｎの円形状のベレットであり
、現状では成型体の密度、臨界温度、臨界電流密度等を
測定するためのもので、超電導物質バルク体が大きくな
った場合、焼成時にそのバルク体の偏心あるいは収縮等
の問題がある。
するための板厚１〜３ｎｗｎの円形状のベレットであり
、現状では成型体の密度、臨界温度、臨界電流密度等を
測定するためのもので、超電導物質バルク体が大きくな
った場合、焼成時にそのバルク体の偏心あるいは収縮等
の問題がある。
本発明の目的は、円筒、捧あるいは角型形状の超電導物
質バルク体の偏心あるいは収縮量を抑制する製造方法を
提供することにある。
質バルク体の偏心あるいは収縮量を抑制する製造方法を
提供することにある。
上記目的は、超電導特性を有する酸化物系超電導物質バ
ルク体の製造方法において、酸化物系超電導物質からな
る混合粉末をプレスで加圧成型したバルク体のものを酸
素中で焼成温度が８５０℃から９２０ ℃以下で処理を
施した後に９２０°Ｃから９６０℃に上げ再焼成処理を
実施することにより達成される。
ルク体の製造方法において、酸化物系超電導物質からな
る混合粉末をプレスで加圧成型したバルク体のものを酸
素中で焼成温度が８５０℃から９２０ ℃以下で処理を
施した後に９２０°Ｃから９６０℃に上げ再焼成処理を
実施することにより達成される。
超電導特性を有する酸化物系超電導物質は焼成処理工程
で高温になる程酸化物相粒子の焼結反応が促進され、体
積収縮や収縮変形が促進される。
で高温になる程酸化物相粒子の焼結反応が促進され、体
積収縮や収縮変形が促進される。
超電導物質バルク体の焼成処理工程において８５０℃か
ら９２０℃以下の焼成は酸化物粒子の焼結反応が不十分
であるが、超電導物質バルク体自体は焼結前に比較する
と焼結が促進されそれ自体が強固になるように作用する
。これによって、超電導物質バルク体は超電導特性を発
現される焼成処理工程においても、自重による偏心や収
縮変形が抑制される。
ら９２０℃以下の焼成は酸化物粒子の焼結反応が不十分
であるが、超電導物質バルク体自体は焼結前に比較する
と焼結が促進されそれ自体が強固になるように作用する
。これによって、超電導物質バルク体は超電導特性を発
現される焼成処理工程においても、自重による偏心や収
縮変形が抑制される。
以下、本発明の実施例を第１図〜第５図により説明する
。
。
第１図は本発明に係る超電導物質バルク体の製造方法の
概略を示す。まず、ＹｚＯａｔ Ｂ ａ Ｃ０３及びＣ
ａＯの原料粉末をＹ、Ｂａ、Ｃｕの原子モル数がそれぞ
れ１：２：３となるように秤量した。
概略を示す。まず、ＹｚＯａｔ Ｂ ａ Ｃ０３及びＣ
ａＯの原料粉末をＹ、Ｂａ、Ｃｕの原子モル数がそれぞ
れ１：２：３となるように秤量した。
次にこれらの原料粉末に純水を加え、遠心ボールミルに
より１時間混合粉砕した。得られた混合粉末は１５０℃
で脱水した後、酸素雰囲気中で９４０℃で５時間の仮焼
成で実施した。仮焼成を経た粉末状の粉を更に摺潰機で
１５分間混合粉砕したのち、金型プレスによりφ３０ｒ
ｒｎｘｔ２ＩＩＷｌに成型し酸素雰囲気中で９４０℃で
５時間の本焼をした。
より１時間混合粉砕した。得られた混合粉末は１５０℃
で脱水した後、酸素雰囲気中で９４０℃で５時間の仮焼
成で実施した。仮焼成を経た粉末状の粉を更に摺潰機で
１５分間混合粉砕したのち、金型プレスによりφ３０ｒ
ｒｎｘｔ２ＩＩＷｌに成型し酸素雰囲気中で９４０℃で
５時間の本焼をした。
以上の工程で得られたペレットは液体窒素による冷却で
、超電導物質の反磁性効果により浮上することが確認さ
れた。これらのペレットを摺潰機により１５分間粉砕し
たのち、第２図の（ａ）に示す外径４０ ｒｔｎ 、内
径３０ｎｗｎで高さＳｏｗｎの円筒状のものを金型プレ
スにより成型した。成型したバルク体を、第１表に示す
条件で焼成処理した。
、超電導物質の反磁性効果により浮上することが確認さ
れた。これらのペレットを摺潰機により１５分間粉砕し
たのち、第２図の（ａ）に示す外径４０ ｒｔｎ 、内
径３０ｎｗｎで高さＳｏｗｎの円筒状のものを金型プレ
スにより成型した。成型したバルク体を、第１表に示す
条件で焼成処理した。
第１焼成処理条件だけでは超電導特性の発現が不十分な
ので、更に第２焼成処理を酸素雰囲気中で実施した。得
られたバルク体の一部を破壊して、液体窒素による冷却
で反磁性効果を確認したところ超電導特性の発現が十分
であった。
ので、更に第２焼成処理を酸素雰囲気中で実施した。得
られたバルク体の一部を破壊して、液体窒素による冷却
で反磁性効果を確認したところ超電導特性の発現が十分
であった。
第３図は本実施例によって得られた超電導物質トルク体
の偏心率に及ぼす第１焼成処理条件を示す。偏心率は第
１焼成処理後のバルク体の半径方向において、最大偏心
量から最小偏心量を差引いたものを最大偏心量で除した
値を用いた。図で明らかなように第１焼成処理において
バルク体の偏心率は９２０℃以上から著しく増大する傾
向を示した。また、バルク体の長さ方向の収縮量も温度
の上昇に伴なって同様の傾向を示した。
の偏心率に及ぼす第１焼成処理条件を示す。偏心率は第
１焼成処理後のバルク体の半径方向において、最大偏心
量から最小偏心量を差引いたものを最大偏心量で除した
値を用いた。図で明らかなように第１焼成処理において
バルク体の偏心率は９２０℃以上から著しく増大する傾
向を示した。また、バルク体の長さ方向の収縮量も温度
の上昇に伴なって同様の傾向を示した。
第４図は本実施例によって得られた超電導物質バルク体
の偏心率に及ぼす第２焼成処理条件の関係を示した。偏
心率は上記と同様に第２焼成処理後のバルク体の半径方
向において、最大偏心量から最小偏心量を差し引いた差
を最大偏心量で除した値を用いた。第１焼成処理温度８
００℃の偏心率は第３図の第１焼成処理を施したものと
同様の傾向を示したが、第１焼成処理８５０℃以上で第
２焼成処理を施したものでは、焼成温度が上昇してもバ
ルク体そのものの偏心率は減少する傾向にあり、第１焼
成処理温度が９００℃から９２０℃の範囲のものでは、
第２焼成処理温度が上昇しても第３図の偏心率に比較す
ると１／２以下に抑制できた。
の偏心率に及ぼす第２焼成処理条件の関係を示した。偏
心率は上記と同様に第２焼成処理後のバルク体の半径方
向において、最大偏心量から最小偏心量を差し引いた差
を最大偏心量で除した値を用いた。第１焼成処理温度８
００℃の偏心率は第３図の第１焼成処理を施したものと
同様の傾向を示したが、第１焼成処理８５０℃以上で第
２焼成処理を施したものでは、焼成温度が上昇してもバ
ルク体そのものの偏心率は減少する傾向にあり、第１焼
成処理温度が９００℃から９２０℃の範囲のものでは、
第２焼成処理温度が上昇しても第３図の偏心率に比較す
ると１／２以下に抑制できた。
第５図は本実施例によって得られた超電導物質バルク体
の超電導特性の一例を示す。測定方法はインダクタンス
法で９３に以下でマイスナー効果を示すことが確認され
た。
の超電導特性の一例を示す。測定方法はインダクタンス
法で９３に以下でマイスナー効果を示すことが確認され
た。
本発明は上記した実施例の他に第２図の（ｂ）。
（ｃ）に示す棒状あるいは角型形状を、第１焼成処理を
９００°Ｃで５時間行ない第２焼成処理を９５０℃で５
時間の保持を施したものは、第１焼成処理だけのものよ
り偏心率はかなり小さくなり、どの形状にも適用される
ことが確認された。
９００°Ｃで５時間行ない第２焼成処理を９５０℃で５
時間の保持を施したものは、第１焼成処理だけのものよ
り偏心率はかなり小さくなり、どの形状にも適用される
ことが確認された。
また、本実施例では表１の焼成処理条件を採用したが、
焼成処理方法を第１焼成処理温度８５０℃から９２０℃
を５時間保持したのち、連続して次の工程の第２焼成処
理を温度９５０℃を実施しても、超電導物質バルク体の
偏心率は本実施例と同様に抑制されていることが確認さ
れた。
焼成処理方法を第１焼成処理温度８５０℃から９２０℃
を５時間保持したのち、連続して次の工程の第２焼成処
理を温度９５０℃を実施しても、超電導物質バルク体の
偏心率は本実施例と同様に抑制されていることが確認さ
れた。
以上の説明で明らかなように、本発明によれば第１焼成
処理を施すことにより超電導物質バルク体を強固に製造
できるので、超電導特性を発現させる第２焼成処理を実
施しても、バルク体の偏心あるいは収縮を抑制する効果
がある。
処理を施すことにより超電導物質バルク体を強固に製造
できるので、超電導特性を発現させる第２焼成処理を実
施しても、バルク体の偏心あるいは収縮を抑制する効果
がある。
第１図は本発明の一実施例の超電導物質バルク体の製造
方法を示す流れ図、第２図は本発明で実施した超電導物
質バルク体の正面図、第３図及び第４図は本発明で実施
した第１焼成処理及び第１゜第２焼成処理を施した超電
導物質バルク体の偏心率を示す線図、第５図は本発明の
１実施例の超電導１図 率２０ （ＣＬ）（ｂ）（ｃ） 来年図 躬Ｚ虎へ刈理鼻Ａ（・Ｃン
方法を示す流れ図、第２図は本発明で実施した超電導物
質バルク体の正面図、第３図及び第４図は本発明で実施
した第１焼成処理及び第１゜第２焼成処理を施した超電
導物質バルク体の偏心率を示す線図、第５図は本発明の
１実施例の超電導１図 率２０ （ＣＬ）（ｂ）（ｃ） 来年図 躬Ｚ虎へ刈理鼻Ａ（・Ｃン
Claims (3)
- １．超電導特性を有する酸化物系超電導体の製造方法に
おいて、酸化物系超電導物質からなる混合粉末を加圧成
形した後、酸素中で８５０〜９２０℃で焼成し、次いで
９２０〜９６０℃で加熱焼成することを特徴とする超電
導体の製造方法。 - ２．特許請求の範囲第１項において、超電導体の形状が
棒、円筒若しくは角型形状である超電導体の製造方法。 - ３．特許請求の範囲第１項又は第２項において、酸化物
系超電導物質がイットリウム・バリウム・銅酸化物であ
る超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62311984A JPH01153567A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62311984A JPH01153567A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01153567A true JPH01153567A (ja) | 1989-06-15 |
Family
ID=18023799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62311984A Pending JPH01153567A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01153567A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013136816A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Fujikura Ltd | 超電導薄膜作製用ターゲットの製造方法、超電導薄膜作製用ターゲット、酸化物超電導導体の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-11 JP JP62311984A patent/JPH01153567A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013136816A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Fujikura Ltd | 超電導薄膜作製用ターゲットの製造方法、超電導薄膜作製用ターゲット、酸化物超電導導体の製造方法 |
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