JPH01153511A - 窒化アルミニウムの製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウムの製造方法Info
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- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 35
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 33
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 20
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- -1 aluminum halide Chemical class 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は窒化アルミニウムの製造方法に関する。
従来、窒化アルミニウムは、例えば■Ａｎ金属の直接窒
化法、■ＡｆＬ化合物の炭素還元窒化法。
化法、■ＡｆＬ化合物の炭素還元窒化法。
■気相合成法、により製造されている。
このうち■の気相合成法としては以下のような方法が知
られている。
られている。
（ａ）有機金属化学気相成長法（Ｎｏ−ＣＶＤ）による
方法 ８００〜１３００℃の水素雰囲気で、ＮＨ３とトリメチ
ルアルミニウム（ＴＭＡ）とを供給することにより基板
上にＡ！ＬＮ薄膜を形成する方法（Ｊｐｎ、 Ｊ。
方法 ８００〜１３００℃の水素雰囲気で、ＮＨ３とトリメチ
ルアルミニウム（ＴＭＡ）とを供給することにより基板
上にＡ！ＬＮ薄膜を形成する方法（Ｊｐｎ、 Ｊ。
Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、 ２０．Ｎｏ、１． ｐｐ、１
７〜２３（１１３８１）） 。
７〜２３（１１３８１）） 。
（ｂ）ハロゲン化アルミニウムを使用した化学気相成長
法による方法 ４００〜９００℃のＨ２流通系で、ＡＩＢ ｒ ３とＮ
Ｈ３とを供給することによりＡＪＩＮ薄膜を製造する方
法（Ｊ、ＥＩｅｃｔｒｏｃｈｅ＋ｓ、Ｓｏｃ、、 １２
９．Ｎｏ、５． ｐｐ。
法による方法 ４００〜９００℃のＨ２流通系で、ＡＩＢ ｒ ３とＮ
Ｈ３とを供給することによりＡＪＩＮ薄膜を製造する方
法（Ｊ、ＥＩｅｃｔｒｏｃｈｅ＋ｓ、Ｓｏｃ、、 １２
９．Ｎｏ、５． ｐｐ。
１０４５〜１０５２（１９８２）） 。
しかしながら、（ａ）の方法では、使用される有機アル
ミニウム化合物が高価であるばかりでなく、常温での蒸
気圧が低く、これを安定に供給するためには複雑な制御
系が必要となる。
ミニウム化合物が高価であるばかりでなく、常温での蒸
気圧が低く、これを安定に供給するためには複雑な制御
系が必要となる。
また、（ｂ）の方法では、使用されるハロゲン化アルミ
ニウムが常温で固体であり、これを安定に供給するため
には、導入路を含めて複雑な制御系が必要となる。
ニウムが常温で固体であり、これを安定に供給するため
には、導入路を含めて複雑な制御系が必要となる。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
り、複雑な制御系を必要とする有機アルミこラム化合物
やハロゲン化アルミニウムを原料として供給することな
く窒化アルミニウムを製造することができる方法を提供
することを目的とする。
り、複雑な制御系を必要とする有機アルミこラム化合物
やハロゲン化アルミニウムを原料として供給することな
く窒化アルミニウムを製造することができる方法を提供
することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段と作用〕本発明の窒化ア
ルミニウムの製造方法は、加熱したＡｌ２Ｏ３に、ＮＨ
３を含むガスを接触させることを特徴とするものである
。
ルミニウムの製造方法は、加熱したＡｌ２Ｏ３に、ＮＨ
３を含むガスを接触させることを特徴とするものである
。
なお、本発明においては、反応炉内を還元気化室と窒化
室とに区分し、還元気化室にＡＪ１２０３を収容して所
定温度に加熱するとともに、窒化室を所定温度に加熱し
た状態で、反応炉内にＮＨ。
室とに区分し、還元気化室にＡＪ１２０３を収容して所
定温度に加熱するとともに、窒化室を所定温度に加熱し
た状態で、反応炉内にＮＨ。
を含むガスを導入し、上記還元気化室でガス状のＡ ｌ
２０ ａ還元反応生成物を生成させた後、これを上記
窒化室で窒化して／ＩＩＮを生成させることが望ましい
、また、この場合Ａ ＩＬ２０３を収容した還元気化室
の温度は１０００〜２０００℃に、窒化室の温度は５０
０〜１８００℃にすることが望ましい。
２０ ａ還元反応生成物を生成させた後、これを上記
窒化室で窒化して／ＩＩＮを生成させることが望ましい
、また、この場合Ａ ＩＬ２０３を収容した還元気化室
の温度は１０００〜２０００℃に、窒化室の温度は５０
０〜１８００℃にすることが望ましい。
本発明において、原料となるＡｌ２Ｏ３は、粉末、粒状
、ブロック状など形状はどのようなものでもよい、また
、結晶状態などの性状も特に限定されない。なお、高純
度なＡｆＬＮを得るためには、原料のＡ１２０３もある
程度高純度であることが好ましい。ただし、原料のＡＩ
Ｌ２０−４を１４００℃程度で前加熱することにより、
アルカリ金属などの不純物は除去することができる。
、ブロック状など形状はどのようなものでもよい、また
、結晶状態などの性状も特に限定されない。なお、高純
度なＡｆＬＮを得るためには、原料のＡ１２０３もある
程度高純度であることが好ましい。ただし、原料のＡＩ
Ｌ２０−４を１４００℃程度で前加熱することにより、
アルカリ金属などの不純物は除去することができる。
本発明において、反応ガスとしてはＮＨ３を含むものが
用いられ、ＮＨ３ガス単独でもよいし。
用いられ、ＮＨ３ガス単独でもよいし。
ＮＨ３ガス分圧を制御する目的でＮＨ３ガスとＡｒ、Ｈ
ｅ、Ｎ２．Ｎ２などの非酸化性ガスとの混合ガスでもよ
い、なお、混合ガスを用いる場合、ＮＨ３の分解を抑制
するために、ＮＨ３ガスとＮ２ガス又はＮ２ガスとの混
合ガスとすることが望、ましい、また、混合ガスを使用
する場合、ＮＨ３ガスはモル比でｌＸｌ０−”以上台ま
れていることが望ましい、また、高純度なＡＩＮを得る
ためには、これらのガスはある程度高純度であることが
望ましい。
ｅ、Ｎ２．Ｎ２などの非酸化性ガスとの混合ガスでもよ
い、なお、混合ガスを用いる場合、ＮＨ３の分解を抑制
するために、ＮＨ３ガスとＮ２ガス又はＮ２ガスとの混
合ガスとすることが望、ましい、また、混合ガスを使用
する場合、ＮＨ３ガスはモル比でｌＸｌ０−”以上台ま
れていることが望ましい、また、高純度なＡＩＮを得る
ためには、これらのガスはある程度高純度であることが
望ましい。
本発明において、反応炉を上述したような構成とした場
合、まず還元気化室においてＡ ｉｔ ２０３とＮＨ３
とが反応してＡ文Ｈ！又はＡ文Ｈｚ Ｏｙで表わされる
ガス状の還元反応生成物が生成する０次に、窒化室にお
いてガス状の還元反応生成物とＮＨ３とが反応してＡ！
；ＬＮが生成する。
合、まず還元気化室においてＡ ｉｔ ２０３とＮＨ３
とが反応してＡ文Ｈ！又はＡ文Ｈｚ Ｏｙで表わされる
ガス状の還元反応生成物が生成する０次に、窒化室にお
いてガス状の還元反応生成物とＮＨ３とが反応してＡ！
；ＬＮが生成する。
本発明において、上述した還元気化室の温度は１０００
〜２０００℃であることが望ましいとしたのは以下のよ
うな理由による。すなわち、Ａ１２０．のＮＨ，による
還元反応の速度は、温度とともに指数関数的に変化する
。このため１反応温度が１０００℃未満では還元反応が
遅く、Ａ１２０．還元反応生成物を供給できなくなる。
〜２０００℃であることが望ましいとしたのは以下のよ
うな理由による。すなわち、Ａ１２０．のＮＨ，による
還元反応の速度は、温度とともに指数関数的に変化する
。このため１反応温度が１０００℃未満では還元反応が
遅く、Ａ１２０．還元反応生成物を供給できなくなる。
しかし、反応温度が２０００℃を超えると還元反応が速
すぎてＡｆＬ２０３還元反応生成物の適切な制御ができ
なくなる。なお、還元気化室の温度は１２００〜１８０
０℃とすることがより好ましい、また、還元反応速度は
、原料であるＡ１２０３の表面積や各種性状により変化
するが、ＡＪＩ２０．還元反応生成物を安定的に供給す
るにはそれに応じて反応温度を制御すればよい。
すぎてＡｆＬ２０３還元反応生成物の適切な制御ができ
なくなる。なお、還元気化室の温度は１２００〜１８０
０℃とすることがより好ましい、また、還元反応速度は
、原料であるＡ１２０３の表面積や各種性状により変化
するが、ＡＪＩ２０．還元反応生成物を安定的に供給す
るにはそれに応じて反応温度を制御すればよい。
本発明において、上述した窒化室の温度は５００〜１８
００＠Ｏであることが望ましいとしたのは、５００℃未
満ではＡｌ２Ｏ３還元反応生成物が完全に窒化されず、
一方１８００℃を超えると生成したＡＩＮが団粒化し、
更に高温になるとＡ！ＬＮが分解するためである。なお
、窒化室の温度は８００〜１８００℃とすることがより
好ましい。
００＠Ｏであることが望ましいとしたのは、５００℃未
満ではＡｌ２Ｏ３還元反応生成物が完全に窒化されず、
一方１８００℃を超えると生成したＡＩＮが団粒化し、
更に高温になるとＡ！ＬＮが分解するためである。なお
、窒化室の温度は８００〜１８００℃とすることがより
好ましい。
本発明において、窒化室には基板を設置して基板上にＡ
ｆＬＮ薄膜を堆積させてもよいし、窒化室に何も設置せ
ずに窒化室にＡｉＮ粉末を析出させてもよい。
ｆＬＮ薄膜を堆積させてもよいし、窒化室に何も設置せ
ずに窒化室にＡｉＮ粉末を析出させてもよい。
また、反応炉内の圧力は目的とするＡＩＮの形状との関
係で適当に設定されるが、上記のようにＡｆＬＮ粉末を
製造する場合には減圧でもよいし常圧でもよく、ＡＪＩ
Ｎ薄膜を製造する場合には減圧とすることが望ましい。
係で適当に設定されるが、上記のようにＡｆＬＮ粉末を
製造する場合には減圧でもよいし常圧でもよく、ＡＪＩ
Ｎ薄膜を製造する場合には減圧とすることが望ましい。
更に、還元気化室と窒化室との間に、ケイ素化合物ガス
又はホウ素化合物ガスの供給管（非還元性ガスを同時に
供給する場合もある）を設け、これらをＡ！２．２０３
還元反応生成物ともに窒化室へ導入すれば、Ａ文ＮＳｉ
３Ｎ４又はＡ文Ｎ−ＢＮの複合薄膜又は複合粉末を製造
することもできる。
又はホウ素化合物ガスの供給管（非還元性ガスを同時に
供給する場合もある）を設け、これらをＡ！２．２０３
還元反応生成物ともに窒化室へ導入すれば、Ａ文ＮＳｉ
３Ｎ４又はＡ文Ｎ−ＢＮの複合薄膜又は複合粉末を製造
することもできる。
このような方法によれば、Ａｌ源となるガス（Ａ ｌ
２０ ａ還元反応生成物）の窒化室への導入量は、還元
気化室の温度とＮＨ３を含むガスの流量によって容易に
制御することができる。したがって、従来の気相成長法
のように有機アルミニウム化合物やハロゲン化アルミニ
ウムを用いる必要がなく、複雑な制御系が不要となる。
２０ ａ還元反応生成物）の窒化室への導入量は、還元
気化室の温度とＮＨ３を含むガスの流量によって容易に
制御することができる。したがって、従来の気相成長法
のように有機アルミニウム化合物やハロゲン化アルミニ
ウムを用いる必要がなく、複雑な制御系が不要となる。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１
第１図はＡｆＬＮ薄膜を形成するために用いられる反応
装置の構成図である。第１図において、反応炉１の外周
の２個所にはヒータ２，３が設置され、これらヒータ２
，３によって加熱される反応炉１内の領域がそれぞれ還
元気化室４及び窒化室５となっている。還元気化室４に
はＡ文２０３６が収容される。また、窒化室５にはサセ
プタ７が設置され、このサセプタ７上に基板８が載せら
れる。また、反応炉１には、還元気化室４側に供給管９
が接続され、一方窒化室５側に排気管１０が接続され更
に図示しないロータリーポンプ等に接続されている。こ
の供給管９からＮＨ３含有ガスが供本合される。
装置の構成図である。第１図において、反応炉１の外周
の２個所にはヒータ２，３が設置され、これらヒータ２
，３によって加熱される反応炉１内の領域がそれぞれ還
元気化室４及び窒化室５となっている。還元気化室４に
はＡ文２０３６が収容される。また、窒化室５にはサセ
プタ７が設置され、このサセプタ７上に基板８が載せら
れる。また、反応炉１には、還元気化室４側に供給管９
が接続され、一方窒化室５側に排気管１０が接続され更
に図示しないロータリーポンプ等に接続されている。こ
の供給管９からＮＨ３含有ガスが供本合される。
上記装置を用い、炉内圧力を２．０Ｔｏｒｒとし、ヒー
タ２及び３に通電して、Ａｌ２Ｏ，６が収容された還元
気化室４の温度を１４００℃に、窒化室５の温度を１２
００℃に設定し、供給管９からモル比で１：１（いずれ
も流量は０．３０Ｊｌ ／ ｗｉｎ ）のＮＨ，−Ｎ２
混合ガスを供給したところ、基板８上にＡ交Ｎ薄１１１
１が形成された。
タ２及び３に通電して、Ａｌ２Ｏ，６が収容された還元
気化室４の温度を１４００℃に、窒化室５の温度を１２
００℃に設定し、供給管９からモル比で１：１（いずれ
も流量は０．３０Ｊｌ ／ ｗｉｎ ）のＮＨ，−Ｎ２
混合ガスを供給したところ、基板８上にＡ交Ｎ薄１１１
１が形成された。
得られたＡＪＩＮ薄膜は、密度３．２ｇ ／ ａｒｍ３
． ビッカース硬度（Ｈｖ）１０００、酸素量０．Ｅ
１ｗｔ％であった。
． ビッカース硬度（Ｈｖ）１０００、酸素量０．Ｅ
１ｗｔ％であった。
実施例２
第２図において、第１図と異なるのは、窒化室５に基板
８（及びサセプタ７）を設置していないことである。こ
の装置を用い、炉内圧力を３０．０Ｔｏｒｒとし、それ
ぞれ還元気化室４の温度を１４００℃に、窒化室５の温
度を１８００℃に設定し、供給管９からモル比で１＝１
（いずれも流量は０．４５Ｊ１ ／＋ｏｉｎ ）のＮＨ
３−Ｎ２混合ガスを供給したところ、窒化室５にＡｕＮ
粉末１２が析出した。
８（及びサセプタ７）を設置していないことである。こ
の装置を用い、炉内圧力を３０．０Ｔｏｒｒとし、それ
ぞれ還元気化室４の温度を１４００℃に、窒化室５の温
度を１８００℃に設定し、供給管９からモル比で１＝１
（いずれも流量は０．４５Ｊ１ ／＋ｏｉｎ ）のＮＨ
３−Ｎ２混合ガスを供給したところ、窒化室５にＡｕＮ
粉末１２が析出した。
実施例３
第３図において、第１図と異なるのは、還元気化室４と
窒化室５との間に別系統の供給管１３が設けられている
ことだけである。この装置を用い、炉内圧力を３．０Ｔ
ｏｒｒとし、それぞれ還元気化室４の温度を１３５０℃
に、窒化室５の温度を１４００℃に設定し、それぞれ供
給管９からモル比でｌ：１（いずれも流量は０．８０１
／ ｗｉｎ ）のＮＨ３−Ｎ２混合ガスを、供給管１
３からモル比でｌ：１（いずれも流量は０．１８１ ／
ｓｉｎ ）の５ｉＣ９，４−Ｎ２混合ガスを供給した
ところ、基板８上にＡｌＮ−Ｓｉ３Ｎ４複合薄膜１４が
形成された。
窒化室５との間に別系統の供給管１３が設けられている
ことだけである。この装置を用い、炉内圧力を３．０Ｔ
ｏｒｒとし、それぞれ還元気化室４の温度を１３５０℃
に、窒化室５の温度を１４００℃に設定し、それぞれ供
給管９からモル比でｌ：１（いずれも流量は０．８０１
／ ｗｉｎ ）のＮＨ３−Ｎ２混合ガスを、供給管１
３からモル比でｌ：１（いずれも流量は０．１８１ ／
ｓｉｎ ）の５ｉＣ９，４−Ｎ２混合ガスを供給した
ところ、基板８上にＡｌＮ−Ｓｉ３Ｎ４複合薄膜１４が
形成された。
実施例４
第４図において、第３図と異なるのは、窒化室５に基板
８（及びサセプタ７）を設置していないことである。こ
の装置を用い、炉内圧力を３０．０Ｔｏｒｒとし、それ
ぞれ還元気化室４の温度を１３５０°Ｃに、窒化室５の
温度を１７００℃に設定し、それぞれ供給管９からモル
比で１：１（いずれも流量はＱ、９０Ｊ１ ／ ａｋｉ
ｎ ）のＮＨ３−Ｎ２混合ガスを、供給管１３からモル
比で１：１（いずれも流量は０．１８１／ｗｉｎ）のＳ
ｉＣ交。−Ｎ２混合ガスを供給したところ、基板８上に
ＡｆＬＮ−３ｉ ３ Ｎ４複合粉末１５が析出した。
８（及びサセプタ７）を設置していないことである。こ
の装置を用い、炉内圧力を３０．０Ｔｏｒｒとし、それ
ぞれ還元気化室４の温度を１３５０°Ｃに、窒化室５の
温度を１７００℃に設定し、それぞれ供給管９からモル
比で１：１（いずれも流量はＱ、９０Ｊ１ ／ ａｋｉ
ｎ ）のＮＨ３−Ｎ２混合ガスを、供給管１３からモル
比で１：１（いずれも流量は０．１８１／ｗｉｎ）のＳ
ｉＣ交。−Ｎ２混合ガスを供給したところ、基板８上に
ＡｆＬＮ−３ｉ ３ Ｎ４複合粉末１５が析出した。
実施例５
第５図の装置は、構成的には第３図の装置と全く同一で
ある。この装置を用い、炉内圧力を３．０Ｔｏｒｒとし
、それぞれ還元気化室４の温度を１３５０℃に、窒化室
５の温度を１６００℃に設定し、それぞれ供給管９から
モル比でｌ：１（いずれも流量は０．８０１ ／ｗｉｎ
）のＮＨ３−Ｎ ２混合ガスを、供給管１３からモル
比で１＝１（いずれも流量は０．１０Ｊ１／ｗｉｎ）の
ＢＣｌ３ Ｎ２混合ガスを供給したところ、基板８上に
Ａ文Ｎ−ＢＮ複合薄膜１６が形成された。
ある。この装置を用い、炉内圧力を３．０Ｔｏｒｒとし
、それぞれ還元気化室４の温度を１３５０℃に、窒化室
５の温度を１６００℃に設定し、それぞれ供給管９から
モル比でｌ：１（いずれも流量は０．８０１ ／ｗｉｎ
）のＮＨ３−Ｎ ２混合ガスを、供給管１３からモル
比で１＝１（いずれも流量は０．１０Ｊ１／ｗｉｎ）の
ＢＣｌ３ Ｎ２混合ガスを供給したところ、基板８上に
Ａ文Ｎ−ＢＮ複合薄膜１６が形成された。
実施例６
第６図の装置は、構成的には第４図の装置と全く同一で
ある。この装置を用い、炉内圧力を３０．０Ｔａｒｒと
し、それぞれ還元気化室４の温度を１３５０℃に、窒化
室５の温度を１８００°Ｃに設定し、それぞれ供給管９
からモル比で１：１（いずれも流量は０．９０Ｊ１ ／
ｗｉｎ ）のＮＨ３−Ｎ２混合ガスを、供給管１３か
らモル比で１：１（いずれも流量は０．１０ｆＬ／ｍ１
ｎ）のＢＣＩ ３−Ｎ２混合ガスを供給したところ、基
板８上にＡＪＩＮ−ＢＮ複合粉末１７が析出した。
ある。この装置を用い、炉内圧力を３０．０Ｔａｒｒと
し、それぞれ還元気化室４の温度を１３５０℃に、窒化
室５の温度を１８００°Ｃに設定し、それぞれ供給管９
からモル比で１：１（いずれも流量は０．９０Ｊ１ ／
ｗｉｎ ）のＮＨ３−Ｎ２混合ガスを、供給管１３か
らモル比で１：１（いずれも流量は０．１０ｆＬ／ｍ１
ｎ）のＢＣＩ ３−Ｎ２混合ガスを供給したところ、基
板８上にＡＪＩＮ−ＢＮ複合粉末１７が析出した。
以上詳述したように本発明方法によれば、複雑な制御系
を必要とせず、低コストで窒化アルミニウムを製造する
ことができる。
を必要とせず、低コストで窒化アルミニウムを製造する
ことができる。
第１図〜第６図はそれぞれ本発明の実施例１〜実施例６
において用いられた反応装置の構成図である。 １・・・反応炉、２，３・・・ヒータ、４・・・還元気
化室、５・・・窒化室、６・・・Ａ立２０３．７・・・
サセプタ、８・・・基板、９・・・供給管、ｌＯ・・・
排気管、１３・・・供給管。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
において用いられた反応装置の構成図である。 １・・・反応炉、２，３・・・ヒータ、４・・・還元気
化室、５・・・窒化室、６・・・Ａ立２０３．７・・・
サセプタ、８・・・基板、９・・・供給管、ｌＯ・・・
排気管、１３・・・供給管。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (1)
- 加熱したＡｌ＿２Ｏ＿３に、ＮＨ＿３を含むガスを接触
させることを特徴とする窒化アルミニウムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62313428A JP2619888B2 (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 窒化アルミニウムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62313428A JP2619888B2 (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 窒化アルミニウムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01153511A true JPH01153511A (ja) | 1989-06-15 |
| JP2619888B2 JP2619888B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=18041179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62313428A Expired - Lifetime JP2619888B2 (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 窒化アルミニウムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2619888B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022073351A1 (zh) * | 2020-10-10 | 2022-04-14 | 浙江宇耀新材料有限公司 | 一种纳米氮化铝粉体合成生产线 |
| CN115181923A (zh) * | 2022-06-16 | 2022-10-14 | 浙江兴昌风机有限公司 | 一种铝材基底离子氮化制备氮化铝薄膜的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5884107A (ja) * | 1982-09-24 | 1983-05-20 | Shunpei Yamazaki | プラズマ窒化法 |
-
1987
- 1987-12-11 JP JP62313428A patent/JP2619888B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5884107A (ja) * | 1982-09-24 | 1983-05-20 | Shunpei Yamazaki | プラズマ窒化法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022073351A1 (zh) * | 2020-10-10 | 2022-04-14 | 浙江宇耀新材料有限公司 | 一种纳米氮化铝粉体合成生产线 |
| CN115181923A (zh) * | 2022-06-16 | 2022-10-14 | 浙江兴昌风机有限公司 | 一种铝材基底离子氮化制备氮化铝薄膜的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2619888B2 (ja) | 1997-06-11 |
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