JPS5869705A - 超硬高純度窒化珪素の製造装置とその製造方法 - Google Patents
超硬高純度窒化珪素の製造装置とその製造方法Info
- Publication number
- JPS5869705A JPS5869705A JP16639981A JP16639981A JPS5869705A JP S5869705 A JPS5869705 A JP S5869705A JP 16639981 A JP16639981 A JP 16639981A JP 16639981 A JP16639981 A JP 16639981A JP S5869705 A JPS5869705 A JP S5869705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- tube
- deposition source
- gas
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は超硬高純度窒化珪素の製造装置ならびにその製
造方法に＠するものである。
造方法に＠するものである。
本発明者らの一人は％願昭５１−２４６８号（％開昭５
２−９６９９９号公報）により、←硬筒純慢窒化珪素と
その製造方法ならひにその製造装置を発明して特許出願
した。
２−９６９９９号公報）により、←硬筒純慢窒化珪素と
その製造方法ならひにその製造装置を発明して特許出願
した。
両目ピ発明した超硬高純度窒化珪素は配向結晶質のもの
と、微粒結晶質のものと、非晶質のものとの３棟であり
、配向結晶質の窒化珪素は六方晶系よりカリ、その結晶
面は（ｈｋｏ 、 （ｈｏｔ）、あるいは（ｂ ｋ ｔ
）のうちから選ばれる何れか１つの面、あるいは２つ
以との面がそれぞれ平行に配向された構造を有し、マイ
クロビッカース硬度が荷１ｃ１００ｔのときの値で３０
００ Ｆ−９７ｗｇ”以上で結晶粒の大きさが１〜５０
μｍであり、微粒結晶質の窒化珪素は結晶粒の大きさが
平均１μｍ以下であり、−火縄組織が微粒結晶で構成さ
れてお沙、マイクロビッカース硬度が荷＊ｔｏｏｒのと
きの値で３５００Ｋｙ／１１１１”であり、非晶質の窒
化珪素はマイクロビッカース硬度が荷重１００？のとき
の値で２０００ Ｋシー２以上である。
と、微粒結晶質のものと、非晶質のものとの３棟であり
、配向結晶質の窒化珪素は六方晶系よりカリ、その結晶
面は（ｈｋｏ 、 （ｈｏｔ）、あるいは（ｂ ｋ ｔ
）のうちから選ばれる何れか１つの面、あるいは２つ
以との面がそれぞれ平行に配向された構造を有し、マイ
クロビッカース硬度が荷１ｃ１００ｔのときの値で３０
００ Ｆ−９７ｗｇ”以上で結晶粒の大きさが１〜５０
μｍであり、微粒結晶質の窒化珪素は結晶粒の大きさが
平均１μｍ以下であり、−火縄組織が微粒結晶で構成さ
れてお沙、マイクロビッカース硬度が荷＊ｔｏｏｒのと
きの値で３５００Ｋｙ／１１１１”であり、非晶質の窒
化珪素はマイクロビッカース硬度が荷重１００？のとき
の値で２０００ Ｋシー２以上である。
前記特開昭５２−９６９９９によれば、前記３種の窒化
珪素は１０００〜約１９００ Ｇの混度縫囲内に加熱し
た基体上に窒素沈積源ガスと珪素沈積源ガスとを組合せ
管を用いてそれぞれ吹付け、前記基体上に吹付けられる
窒素沈積源ガス流束の周囲を珪素沈積源ガスにより包囲
し、前記両ガスの気相分解反応を基体上あるいは基体近
傍で生起させて窒化珪素を生成させ、かつ前記窒化珪素
を基体上に沈積させることによって製造され、また、製
造装置としては、容器と前記容器内に封入される基体を
肥持し、かつ加熱する手段と、前記電体上に窒素沈積源
ガス並びに珪素沈積源がスとをそれぞれ吹付ける吹付は
管とからなる窒化珪素の製造装置において、前記吹付は
管を組合せ管となし、かつ窒素沈積源ガス吹付は管を珪
素沈積源ガス吹付は管をもって包囲し、前記窒素沈積源
ガス吹付は管の開口端と基体との距離を前記珪素沈積源
ガス吹付は管の開口端と基体との距離より短くしたこと
を％徴とする超硬高純度窒化珪素の製造装置を提案した
。
珪素は１０００〜約１９００ Ｇの混度縫囲内に加熱し
た基体上に窒素沈積源ガスと珪素沈積源ガスとを組合せ
管を用いてそれぞれ吹付け、前記基体上に吹付けられる
窒素沈積源ガス流束の周囲を珪素沈積源ガスにより包囲
し、前記両ガスの気相分解反応を基体上あるいは基体近
傍で生起させて窒化珪素を生成させ、かつ前記窒化珪素
を基体上に沈積させることによって製造され、また、製
造装置としては、容器と前記容器内に封入される基体を
肥持し、かつ加熱する手段と、前記電体上に窒素沈積源
ガス並びに珪素沈積源がスとをそれぞれ吹付ける吹付は
管とからなる窒化珪素の製造装置において、前記吹付は
管を組合せ管となし、かつ窒素沈積源ガス吹付は管を珪
素沈積源ガス吹付は管をもって包囲し、前記窒素沈積源
ガス吹付は管の開口端と基体との距離を前記珪素沈積源
ガス吹付は管の開口端と基体との距離より短くしたこと
を％徴とする超硬高純度窒化珪素の製造装置を提案した
。
本＠明者らは前記発明を特許出願した後、前記容器内に
封入される基体を加熱する手段として、直接加熱手段と
間接加熱手段を試みた。基体が導電性のものである場合
には直接通電による直接加熱手段を用いることができる
が、非導電性のものである場合は間接加熱手段を用いざ
るを得なかったつ また、超硬高純度窒化珪素を工業的に製造するためには
、基体の材質、形状の制限を大巾に緩和し、かつ生産性
を向上させるために間接加熱手段によることが有利であ
ると本発明者らは考えて、。
封入される基体を加熱する手段として、直接加熱手段と
間接加熱手段を試みた。基体が導電性のものである場合
には直接通電による直接加熱手段を用いることができる
が、非導電性のものである場合は間接加熱手段を用いざ
るを得なかったつ また、超硬高純度窒化珪素を工業的に製造するためには
、基体の材質、形状の制限を大巾に緩和し、かつ生産性
を向上させるために間接加熱手段によることが有利であ
ると本発明者らは考えて、。
間接加熱手段による超硬高純度窒化珪素の製造ωを叱を
試みた。しかしながら、間接加熱手段によれば、前記窒
化珪素な基体に析出させるための製造条件の許容範囲が
儲ので狭く、またＳｉ収率が悪く、さらに前記両沈積源
ガス吹付は管の開口端がし１１しば閉塞する現象が生起
して操業が不ｉ」能となるという欠点があった。
試みた。しかしながら、間接加熱手段によれば、前記窒
化珪素な基体に析出させるための製造条件の許容範囲が
儲ので狭く、またＳｉ収率が悪く、さらに前記両沈積源
ガス吹付は管の開口端がし１１しば閉塞する現象が生起
して操業が不ｉ」能となるという欠点があった。
本発明は前８ピ特開昭５２−９６９９９号にｇｌｔ載の
発明の製造装置と製造方法において、間接加熱手段を用
いて基体を加熱するときに生起する前記欠点ン味去、改
善することができ、さらに基体の材饗、形状の制限を大
巾に緩和でき、かつ効率の良い製造装置と製造方法を提
供することを目的とするものであり、特許請求の範囲記
載の製造装置と製造方法を提供することによって前記目
的を達成することができる。
発明の製造装置と製造方法において、間接加熱手段を用
いて基体を加熱するときに生起する前記欠点ン味去、改
善することができ、さらに基体の材饗、形状の制限を大
巾に緩和でき、かつ効率の良い製造装置と製造方法を提
供することを目的とするものであり、特許請求の範囲記
載の製造装置と製造方法を提供することによって前記目
的を達成することができる。
次に本発明の詳細な説明する。
本発明者らは上記間接加熱手段により基体を加熱する場
合に、両沈積源がス吹付は管の開口端が閉塞する現象が
生起するという原因を詳細に検討した結果、９素沈積源
ガスおよび珪素沈積源がスが、間接加熱手段によって加
熱された両沈積源がス吹付は管の管内でそれぞれ加熱さ
れて分解変質し、かつ活性化され、それぞれの吹付は管
の開口端で合流した瞬間に急速な反応が生起して、珪素
と窒素と水素の各種化合物が固体となって析出し、前記
ガス吹付は管の開口端部分に付着して前記ガス吹付は管
の開口端が閉塞されることが主たる原因であることを知
艶するとともに、かかるそれぞれのガスの分解変質、あ
るいは活性化によって超硬高純度窒化珪素の製造条件の
許容範囲も非常に秋〈制限され、かつＳｉ収率も低下す
ることになるという原因をも究明することができた。
合に、両沈積源がス吹付は管の開口端が閉塞する現象が
生起するという原因を詳細に検討した結果、９素沈積源
ガスおよび珪素沈積源がスが、間接加熱手段によって加
熱された両沈積源がス吹付は管の管内でそれぞれ加熱さ
れて分解変質し、かつ活性化され、それぞれの吹付は管
の開口端で合流した瞬間に急速な反応が生起して、珪素
と窒素と水素の各種化合物が固体となって析出し、前記
ガス吹付は管の開口端部分に付着して前記ガス吹付は管
の開口端が閉塞されることが主たる原因であることを知
艶するとともに、かかるそれぞれのガスの分解変質、あ
るいは活性化によって超硬高純度窒化珪素の製造条件の
許容範囲も非常に秋〈制限され、かつＳｉ収率も低下す
ることになるという原因をも究明することができた。
本発明者らは窒素沈積源ガスおよび珪素沈積源ガスが、
ガス吹付は管の管内でυ０熱されて分解変ｌ−１あるい
は油性化されることを防止するため、ガス吹付は管を基
体を間接ｎ１熱手段によって加熱する際の高温から遮断
することに嶽到して本発明の製造Ｍ置を完成した。すな
わち本発明の装置にあっては、基体加熱手段によって副
次的に生起するガス吹付は管の加熱を防止するため、強
制的にがス吹付は管を冷却する手段を配設して、両沈積
源ガスがガス吹付は管を流れる過程において、加熱され
て生ずる分解変質ならびに活性化を抑制することによっ
てガス吹付は管の開口端の閉塞を防止するとともに、製
造条件の許容範囲を拡大し、併せて８ｉ収率な向上させ
ることができるに至った。
ガス吹付は管の管内でυ０熱されて分解変ｌ−１あるい
は油性化されることを防止するため、ガス吹付は管を基
体を間接ｎ１熱手段によって加熱する際の高温から遮断
することに嶽到して本発明の製造Ｍ置を完成した。すな
わち本発明の装置にあっては、基体加熱手段によって副
次的に生起するガス吹付は管の加熱を防止するため、強
制的にがス吹付は管を冷却する手段を配設して、両沈積
源ガスがガス吹付は管を流れる過程において、加熱され
て生ずる分解変質ならびに活性化を抑制することによっ
てガス吹付は管の開口端の閉塞を防止するとともに、製
造条件の許容範囲を拡大し、併せて８ｉ収率な向上させ
ることができるに至った。
次に本発明の製造装置を１つの実施態様を示す装置の図
面について説明する。
面について説明する。
縞１図は上記装置の縦断面図であり、容器１内に基体把
持手段２によって把持された基体３が封入されている。
持手段２によって把持された基体３が封入されている。
容器１には窒素沈積源ガス吹付は管４を内管とし、珪素
沈積源がヌ吹付は管５を外管とし、前記外管５の外周面
に流体による冷却ジャケット６を設けた二重吹付は管が
配設されている。前記二重吹付は管の内管４の開口端は
基体３の外周面に近接しており、一方二重吹付は管の外
管５の開口端は前記内管４の開口端に比し基体からより
広く離隔している。さらに基体３を上下方向に囲繞して
発熱体７が配設されている。
沈積源がヌ吹付は管５を外管とし、前記外管５の外周面
に流体による冷却ジャケット６を設けた二重吹付は管が
配設されている。前記二重吹付は管の内管４の開口端は
基体３の外周面に近接しており、一方二重吹付は管の外
管５の開口端は前記内管４の開口端に比し基体からより
広く離隔している。さらに基体３を上下方向に囲繞して
発熱体７が配設されている。
発熱体７によって基体３が所定温度に間接加熱されたの
ち、二重吹付は管よりそれぞれのがヌを基体３に吹付け
ると基体３の外周面上あるいはその近傍で気相分解反応
が生起して基体３の外周Ｌｉ上に超硬高純度窒化珪素が
析出する。気相分解反応によって銅生じたガスは排気管
８を経て容器外に排出される。容器１は流体による冷却
が可能なように二重壁で製作されており、容器ｌと発熱
体７の間には熟達閉手段９を設けて熱効率の向上をはか
り、加えて容器１を高温から遮断している。
ち、二重吹付は管よりそれぞれのがヌを基体３に吹付け
ると基体３の外周面上あるいはその近傍で気相分解反応
が生起して基体３の外周Ｌｉ上に超硬高純度窒化珪素が
析出する。気相分解反応によって銅生じたガスは排気管
８を経て容器外に排出される。容器１は流体による冷却
が可能なように二重壁で製作されており、容器ｌと発熱
体７の間には熟達閉手段９を設けて熱効率の向上をはか
り、加えて容器１を高温から遮断している。
第１図において、二重吹付は管を強制冷却する手段とし
て外管５の外周面に流体による冷却ジャケット６が配設
されているが、第２図に示したように内管４と外管５の
隔壁に冷却ジャケット６を設けても良く、あるいは第３
図に示したように内管４の軸線部に冷却管筒ｌＯを設け
ても良く、−まだそれらを組合せたものを使用すること
ができる。
て外管５の外周面に流体による冷却ジャケット６が配設
されているが、第２図に示したように内管４と外管５の
隔壁に冷却ジャケット６を設けても良く、あるいは第３
図に示したように内管４の軸線部に冷却管筒ｌＯを設け
ても良く、−まだそれらを組合せたものを使用すること
ができる。
なお、前記冷却ジャケット用の冷媒としては水ならびに
他の液体あるいは気体を用いることかできる。
他の液体あるいは気体を用いることかできる。
第１図において、二重成句は青の開口端は４１３の下面
に近接するように取付けられてい４）か。
に近接するように取付けられてい４）か。
かかる取付は方式および二重吹付は管の開口方向のほか
に、基体な把持する（巴持手段を容器の下方から容器中
央領域に伸長させて基体を把持し、かつ二車吹付は管を
下向きあるいは横向きに開口させることもできる。さら
に前記基体把持手段は基体を把持しながら、基体をＥ下
移動、水平移動、回転移動を行なわせることができる。
に、基体な把持する（巴持手段を容器の下方から容器中
央領域に伸長させて基体を把持し、かつ二車吹付は管を
下向きあるいは横向きに開口させることもできる。さら
に前記基体把持手段は基体を把持しながら、基体をＥ下
移動、水平移動、回転移動を行なわせることができる。
これらの前記二車吹付は管の開口端と基体との配役方式
の選択、また茎体の前記各後軸を行々うことにより窒化
珪素を基体外周面上の所定の場所に効率良く。
の選択、また茎体の前記各後軸を行々うことにより窒化
珪素を基体外周面上の所定の場所に効率良く。
均質かつ均一に析出させることが可能となる。
本発明の製造装置において、発熱体７は発熱体の電気抵
抗によって発熱させて、それによる輻射熱によって基体
３を加熱するが、かかる発熱体７のかわゆに赤外線発生
装置、あるいはレーデ−光線発生装置による間接加熱手
段、または高周波誘導加熱を用いて発熱体７を誘導加熱
することもできる。また発熱体７はカーざン系発熱体、
珪化モリブデン糸発熱体、炭化珪素系発熱体、ランタン
クロマイト系４＠熱体を使用することができる。
抗によって発熱させて、それによる輻射熱によって基体
３を加熱するが、かかる発熱体７のかわゆに赤外線発生
装置、あるいはレーデ−光線発生装置による間接加熱手
段、または高周波誘導加熱を用いて発熱体７を誘導加熱
することもできる。また発熱体７はカーざン系発熱体、
珪化モリブデン糸発熱体、炭化珪素系発熱体、ランタン
クロマイト系４＠熱体を使用することができる。
なお、第１図において発熱体７は容器１のなかに収納さ
れているが、かならずしも収納する必要はなく、例えば
容器をアルミナ製管となし、この管内に基体を収納して
前記管の外部を発熱体をもって囲繞させて基体を加熱す
る手段も採用することができる。
れているが、かならずしも収納する必要はなく、例えば
容器をアルミナ製管となし、この管内に基体を収納して
前記管の外部を発熱体をもって囲繞させて基体を加熱す
る手段も採用することができる。
次に本発明の製造方法について説明する。
本発明は、容器と、＠記容器内に封入さＩＬる基体を把
持する手段と、前記基体を間接加熱する手反と、窒素沈
積源がスと必要によりこのがスを愉送するキャリアーガ
スとの混合力スを貼体１１Ｃ吠イ１けるための吹付は管
を、珪素沈積源ガスと必をによりこのガスを搬送するキ
ャリアーガスとの混合ガスを本体に吹付けるだめの吹付
は官をもって包囲し、前記窒素沈積源ガス吹付は管の開
口端と基体との距離を、前記珪素沈積源ガス吹付は管の
開口端と基体との距離より短かくした外管と内實より成
る二重吹付は管とし、前記二重吹付は管のうち少なくと
も外管を強制冷却する流体による冷却ジャケットを有す
る冷却手段とを具備した装置を用いて、前記容器内に基
体を把持し、つぎに容器内をＩ Ｑ−”ｓｍＨｇ ｉＪ
下まで減圧したのち、間接加熱手段を用いて基体を１０
００−１６００ Ｃの温度範囲内に加熱し、かつ二重吹
付は管の少なくとも外管を流体により強制冷却しつつ、
窒素沈積源ガスと珪素沈積源ガス、あるいは必要により
前記両がスとキャリアーガスとの混合ガスを基体に吹付
け、前記両沈積源ガスの接触によって気相分解反応を前
記基体外周面あるいは基体外周面近傍において生起させ
て窒化珪素を生成させ、前記窒化珪素を基体外周ｌｌ１
ｌ七に沈積させるとともに、前記二重吹付は管の開口端
の閉塞を防止したことを特徴とする超硬高純度窒化珪素
の製造方法に係るものである。
持する手段と、前記基体を間接加熱する手反と、窒素沈
積源がスと必要によりこのがスを愉送するキャリアーガ
スとの混合力スを貼体１１Ｃ吠イ１けるための吹付は管
を、珪素沈積源ガスと必をによりこのガスを搬送するキ
ャリアーガスとの混合ガスを本体に吹付けるだめの吹付
は官をもって包囲し、前記窒素沈積源ガス吹付は管の開
口端と基体との距離を、前記珪素沈積源ガス吹付は管の
開口端と基体との距離より短かくした外管と内實より成
る二重吹付は管とし、前記二重吹付は管のうち少なくと
も外管を強制冷却する流体による冷却ジャケットを有す
る冷却手段とを具備した装置を用いて、前記容器内に基
体を把持し、つぎに容器内をＩ Ｑ−”ｓｍＨｇ ｉＪ
下まで減圧したのち、間接加熱手段を用いて基体を１０
００−１６００ Ｃの温度範囲内に加熱し、かつ二重吹
付は管の少なくとも外管を流体により強制冷却しつつ、
窒素沈積源ガスと珪素沈積源ガス、あるいは必要により
前記両がスとキャリアーガスとの混合ガスを基体に吹付
け、前記両沈積源ガスの接触によって気相分解反応を前
記基体外周面あるいは基体外周面近傍において生起させ
て窒化珪素を生成させ、前記窒化珪素を基体外周ｌｌ１
ｌ七に沈積させるとともに、前記二重吹付は管の開口端
の閉塞を防止したことを特徴とする超硬高純度窒化珪素
の製造方法に係るものである。
本発明の窒化珪素製造用出発原料の１つである珪素沈積
源化合物としては、珪素のハロゲン化物（５ｉｃｔ４
、 ＳｉＦ４ 、 ＳｉＢｒ４ 、 ＳｉＩ４ 、５ｉ
２Ｃｔ６．８ｉ２Ｂｒ６ 。
源化合物としては、珪素のハロゲン化物（５ｉｃｔ４
、 ＳｉＦ４ 、 ＳｉＢｒ４ 、 ＳｉＩ４ 、５ｉ
２Ｃｔ６．８ｉ２Ｂｒ６ 。
５ｉ２Ｉ６ 、 Ｓｉ ＢｒＣｔ３ 、５ｉＢｒ２（２
２、８ｉＢｒ３Ｃ６，Ｓｉ ＩＣ６３）、水素化物（８
ｉＨ４＊ ８ｉ２Ｈ６＋ ８ｉａＨｓ ＊ ８ｉ４Ｈ１
Ｇ ）、水素ノ・Ｃ２）ｆ ン化物（８ｉＨＣ６３、８
ｉＨＢｒ３ 、８ｉＨＦ３ 、８ｉＨＩ３ 。
２、８ｉＢｒ３Ｃ６，Ｓｉ ＩＣ６３）、水素化物（８
ｉＨ４＊ ８ｉ２Ｈ６＋ ８ｉａＨｓ ＊ ８ｉ４Ｈ１
Ｇ ）、水素ノ・Ｃ２）ｆ ン化物（８ｉＨＣ６３、８
ｉＨＢｒ３ 、８ｉＨＦ３ 、８ｉＨＩ３ 。
８ｉＨ３Ｂｒ）のうちから選ばれる何れか１種または２
掘以トな用いることができ、好適には室温でガス状であ
る８ｉＨ４、あるいは室温における蒸気圧が高い５ｉＨ
ｃｔ３ 、５ｉＣ６４を有利に使用することができる。
掘以トな用いることができ、好適には室温でガス状であ
る８ｉＨ４、あるいは室温における蒸気圧が高い５ｉＨ
ｃｔ３ 、５ｉＣ６４を有利に使用することができる。
また窒素沈積源化合物としては窒素の水素化物（ＨＮｓ
、 ＮＨａ ＋ Ｎ２Ｈ４）、アンモニウムハロゲン
化物（ＮＨ４Ｃｊ、 ＮＨ４Ｆ’ 、 Ｎ）１４ＨＦｆ
ｉ 、 ＮＨ４Ｉ ）のうちから選ばれる何れか１種４
んは２種以上を用いることがで色、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４は
比較的安価であり、また入手が容易であるために好適に
使用することができる。
、 ＮＨａ ＋ Ｎ２Ｈ４）、アンモニウムハロゲン
化物（ＮＨ４Ｃｊ、 ＮＨ４Ｆ’ 、 Ｎ）１４ＨＦｆ
ｉ 、 ＮＨ４Ｉ ）のうちから選ばれる何れか１種４
んは２種以上を用いることがで色、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４は
比較的安価であり、また入手が容易であるために好適に
使用することができる。
珪素沈積源化合物と窒素沈積源化合物から窒化珪素が得
られる主な反応式は次の（ａ）、 （ｂ） 、 （Ｃ）
、 （ｄ）の通りである。
られる主な反応式は次の（ａ）、 （ｂ） 、 （Ｃ）
、 （ｄ）の通りである。
（ａ）四塩化珪素とアンモニアを原料とした場合３８ｉ
Ｃｔ４＋４ＮＨａ→５ｉｘＮ４＋ １２ＨＣｔ（ｂ）四
水素化珪素とアンモニアを原料とした場合３ ＳｉＨ４
＋ ４ ＮＨ３→Ｓｉ３Ｎ４ ＋１２Ｈ２（Ｃ）四水素
化珪素とアンモニアを原料とした場合３ＳｉＦ４ ＋
４ＮＨ３→８ｉ３Ｎ４ ＋ １２ＨＦ（ｄ）四塩化珪素
とヒドラジンを原料とした場合３８ｉ Ｃ１４＋ ２
Ｎ２Ｈ４→Ｓｉ３Ｎ ４ ＋８ＨＣｔ＋ ２Ｃｔ２Ｌ記
反応を生起させ窒化珪素を得る基体の温度は１０００〜
１６００ Ｃの温度範囲内にする必要がある。
Ｃｔ４＋４ＮＨａ→５ｉｘＮ４＋ １２ＨＣｔ（ｂ）四
水素化珪素とアンモニアを原料とした場合３ ＳｉＨ４
＋ ４ ＮＨ３→Ｓｉ３Ｎ４ ＋１２Ｈ２（Ｃ）四水素
化珪素とアンモニアを原料とした場合３ＳｉＦ４ ＋
４ＮＨ３→８ｉ３Ｎ４ ＋ １２ＨＦ（ｄ）四塩化珪素
とヒドラジンを原料とした場合３８ｉ Ｃ１４＋ ２
Ｎ２Ｈ４→Ｓｉ３Ｎ ４ ＋８ＨＣｔ＋ ２Ｃｔ２Ｌ記
反応を生起させ窒化珪素を得る基体の温度は１０００〜
１６００ Ｃの温度範囲内にする必要がある。
なお、前記窒素沈積源および珪素沈積源化合物の１種ま
たは２種以１を搬送するためＮ２ ＋ Ｈ２＊ Ａｒｔ
Ｈｅ 、の何れか１棟または２種以上をキャリアーガス
として必要により使用することができる。キャリアーガ
スは基体を収容せる容器内の全ガス圧の調節、９素およ
び珪素沈積源化合物の蒸気の混合比の調節、二重吹付は
管によって吹付けられるガスの流速の調節に用いられ、
またキャリアーガスを使用し彦〈ても窒化珪素を生成さ
せることができる。
たは２種以１を搬送するためＮ２ ＋ Ｈ２＊ Ａｒｔ
Ｈｅ 、の何れか１棟または２種以上をキャリアーガス
として必要により使用することができる。キャリアーガ
スは基体を収容せる容器内の全ガス圧の調節、９素およ
び珪素沈積源化合物の蒸気の混合比の調節、二重吹付は
管によって吹付けられるガスの流速の調節に用いられ、
またキャリアーガスを使用し彦〈ても窒化珪素を生成さ
せることができる。
次Ｋ ＮＨｓとＳ ｉ Ｃ１４を沈積源原料とし、かつ
Ｈ２をキャリアーガスとして用いる場合の窒化珪素の製
造方法につ−で説明する。
Ｈ２をキャリアーガスとして用いる場合の窒化珪素の製
造方法につ−で説明する。
前記容器内に基体を把持し、二重吹付は管を所定の位置
に配設したのち、容器内を１０ ｍＨｇ以下に減圧す
る。つぎに冷却ジャケットに水を流して二重吹付は管を
冷却しながら、間接加熱手段を用いて基体を１０００〜
１６００ｔ：’の温度範囲内に加熱する。所定温度に到
達したのち二重吹付は管の冷却をつづけながら、前記Ｎ
Ｈ３とＳｉ Ｃ７０を二重吹付は管を経てそれぞれ容器
内基体に吹付ける。この際８ｉＣ６４は室温で液体であ
るため、８ｉＣ６４の蒸気圧を利用してキャリアーがス
としてＨ２を用いて搬送し、キャリアーがスとともに前
記基体に吹付ける。前記ＮＨ３とＳ ｉ Ｃ１０は基体
外周面上あるいは基体外周面近傍において気相分解反応
を生起してＳｉ３Ｎ４を生成して等体外局面上に沈積す
る。
に配設したのち、容器内を１０ ｍＨｇ以下に減圧す
る。つぎに冷却ジャケットに水を流して二重吹付は管を
冷却しながら、間接加熱手段を用いて基体を１０００〜
１６００ｔ：’の温度範囲内に加熱する。所定温度に到
達したのち二重吹付は管の冷却をつづけながら、前記Ｎ
Ｈ３とＳｉ Ｃ７０を二重吹付は管を経てそれぞれ容器
内基体に吹付ける。この際８ｉＣ６４は室温で液体であ
るため、８ｉＣ６４の蒸気圧を利用してキャリアーがス
としてＨ２を用いて搬送し、キャリアーがスとともに前
記基体に吹付ける。前記ＮＨ３とＳ ｉ Ｃ１０は基体
外周面上あるいは基体外周面近傍において気相分解反応
を生起してＳｉ３Ｎ４を生成して等体外局面上に沈積す
る。
［述の方法においてＮｕ３と５ｉＣｔ４の組成比が窒素
と珪素の原子比で０．６〜２．０の範囲を外れると両ガ
スの何れか過剰に含まれている方のガスは窒化珪素の生
成反応に関与せず分解変質するのみで容器外へ排出され
、工業的に超硬高純度窒化珪素を製造しようとする場合
すこぶる経済的でない。
と珪素の原子比で０．６〜２．０の範囲を外れると両ガ
スの何れか過剰に含まれている方のガスは窒化珪素の生
成反応に関与せず分解変質するのみで容器外へ排出され
、工業的に超硬高純度窒化珪素を製造しようとする場合
すこぶる経済的でない。
すなわち比較的＾価な５ｉＣｔ４が多すぎると８ｉ収率
が洛ちて特に好ましくない。ＮＨ３は８ ｉ ｃｚ４
に比較して安価であるが、５ｉＣ６４が少なすぎると９
化珪素の析出速度がおそくなり、一定の析出層を得るた
めに長時間を要して電力費の損失をまねきやはり経済的
でない。実験の結果前記ＮＨ３と５ｉｃｚ４の組成比は
窒素と珪素の原子比で０．６〜２０の範囲内とする必要
があり、特に０．８〜１，２の範囲内で最も高い８ｉ収
率が得られた。
が洛ちて特に好ましくない。ＮＨ３は８ ｉ ｃｚ４
に比較して安価であるが、５ｉＣ６４が少なすぎると９
化珪素の析出速度がおそくなり、一定の析出層を得るた
めに長時間を要して電力費の損失をまねきやはり経済的
でない。実験の結果前記ＮＨ３と５ｉｃｚ４の組成比は
窒素と珪素の原子比で０．６〜２０の範囲内とする必要
があり、特に０．８〜１，２の範囲内で最も高い８ｉ収
率が得られた。
また前記二重吹付は管の開口端において、Ｎ１（３を吹
き出ず内管の開口端と８ｉＣ６４とＲ２の混合ガスを吹
き出す外骨の開口端との単位面積当りの流速比か０．５
〜２．０の範囲内にあるとき、前記二重吹付は管の開口
端が閉基されず、均質かつ均一な窒化珪素が基体外周面
上に析出する。特に前記両ガス流速が一致している場合
、すなわち流速比が１の場合が最も好適である。なお前
記流速比の調整はキャリアーガスを用いて行なうことが
できる。
き出ず内管の開口端と８ｉＣ６４とＲ２の混合ガスを吹
き出す外骨の開口端との単位面積当りの流速比か０．５
〜２．０の範囲内にあるとき、前記二重吹付は管の開口
端が閉基されず、均質かつ均一な窒化珪素が基体外周面
上に析出する。特に前記両ガス流速が一致している場合
、すなわち流速比が１の場合が最も好適である。なお前
記流速比の調整はキャリアーガスを用いて行なうことが
できる。
すなわち、二重吹き付は管の内管開口端におけるＮｕ−
１３の単位面積当りの流量（ｍ１３／ｕ−ＣｒＲ２）に
対し、そのＮＨ３とはソ窒化珪素の化学量論量に近い５
ｉｃｔ４とキャリアーガスであるＲ２の混合ガスの外管
開口端における単位面積当りの流量を上記範囲内にする
。前記流速比が０．５未満あるいは２．０を越える場合
はガス吹付は管を冷却しても長時間使用すると吹付は管
の開口端の閉塞が起りやすい。この理由は流速の大きい
方のガスが流速の小さい方のがス吹出し口にまわり込み
、吹出しを制限し、吹付は管の開口端附近で反応が生起
して珪素と窒素と水素の各種化合物が固体となって析出
し、吹付は管の開口端附近に沈積することによって閉塞
するものと考えられる。したがって前記流速比が０．５
未満ではＮＨ３流速が小さいため二重吹付は管の内管が
閉塞しやすく、一方２．０を越える場合はＳ＋Ｃ１４と
１１２の流速が小さいため二重吹付は管の夕ｉ管が閉塞
しやすい。
１３の単位面積当りの流量（ｍ１３／ｕ−ＣｒＲ２）に
対し、そのＮＨ３とはソ窒化珪素の化学量論量に近い５
ｉｃｔ４とキャリアーガスであるＲ２の混合ガスの外管
開口端における単位面積当りの流量を上記範囲内にする
。前記流速比が０．５未満あるいは２．０を越える場合
はガス吹付は管を冷却しても長時間使用すると吹付は管
の開口端の閉塞が起りやすい。この理由は流速の大きい
方のガスが流速の小さい方のがス吹出し口にまわり込み
、吹出しを制限し、吹付は管の開口端附近で反応が生起
して珪素と窒素と水素の各種化合物が固体となって析出
し、吹付は管の開口端附近に沈積することによって閉塞
するものと考えられる。したがって前記流速比が０．５
未満ではＮＨ３流速が小さいため二重吹付は管の内管が
閉塞しやすく、一方２．０を越える場合はＳ＋Ｃ１４と
１１２の流速が小さいため二重吹付は管の夕ｉ管が閉塞
しやすい。
次に加熱方法として間接加熱手段を用いる方法において
、第１図に示す冷却ジャケットをｊＬ備しないガス吹付
は管を用いて超硬高純度窒化珪素の製〃１を行なった結
果、第４図に示したように前記超硬高純度窒化珪素が均
質に析出したのは基体温度１５００Ｃ１容器内圧力１０
Ｔｏｒｒ附近の極〈狭い範囲内にすぎず、またその条件
でもがス吹付は管の開口端には多くの固形物の付着が認
められた。本発明の冷却ジャケットを具備したガス吹付
は管を用いて、前記ガス吹付は管を冷却しつつ両沈積源
Ｉスを吹付けることによって、第５図に示しだように製
造条件の範囲が大きく広がり、容器内圧力は５〜５０’
ｒｏｒｒの範囲内で、かつ基体の温度は１０００〜１６
００ Ｃの範囲内で超硬高純度窒化珪素の製造が可能と
なった。その際、基体の温度が１０００〜１３５０Ｃ未
満の範囲内で非晶質のもの、１３５０〜１６００ Ｃの
範囲内で配向結晶質のものが生成する。
、第１図に示す冷却ジャケットをｊＬ備しないガス吹付
は管を用いて超硬高純度窒化珪素の製〃１を行なった結
果、第４図に示したように前記超硬高純度窒化珪素が均
質に析出したのは基体温度１５００Ｃ１容器内圧力１０
Ｔｏｒｒ附近の極〈狭い範囲内にすぎず、またその条件
でもがス吹付は管の開口端には多くの固形物の付着が認
められた。本発明の冷却ジャケットを具備したガス吹付
は管を用いて、前記ガス吹付は管を冷却しつつ両沈積源
Ｉスを吹付けることによって、第５図に示しだように製
造条件の範囲が大きく広がり、容器内圧力は５〜５０’
ｒｏｒｒの範囲内で、かつ基体の温度は１０００〜１６
００ Ｃの範囲内で超硬高純度窒化珪素の製造が可能と
なった。その際、基体の温度が１０００〜１３５０Ｃ未
満の範囲内で非晶質のもの、１３５０〜１６００ Ｃの
範囲内で配向結晶質のものが生成する。
またガス吹付は管の開口端の閉塞もなくなった。
次に本発明を実施例について説明する。
実施例
第１図に示す装置を用いて、ＮＨ３ガスを吹付は管４よ
り流出させ、同時に８ｉＣＬ４とＲ２との混合がスを吹
付は管５より流出させ、その際のＮＨ３と８ｉＣ６４＋
Ｈ２との流速比を０．８とし、下記第１表に示す温度、
圧力ならびに時間の実験条件の下で窒化珪゛素を炭素成
形体からなる基体表面に析出させた。結果は第１表の実
験＆１〜５に示した。
り流出させ、同時に８ｉＣＬ４とＲ２との混合がスを吹
付は管５より流出させ、その際のＮＨ３と８ｉＣ６４＋
Ｈ２との流速比を０．８とし、下記第１表に示す温度、
圧力ならびに時間の実験条件の下で窒化珪゛素を炭素成
形体からなる基体表面に析出させた。結果は第１表の実
験＆１〜５に示した。
こσ）結果によれば、実験Ａ１〜５に示す本発明による
ものではＳ１収率がＪ〜ｔｉｂ ％と高い値で窒化ｆＡ
素が析出し、従来方法と異なり吹付は管の閉塞は全然紹
められなかった。なお、基体として非導電性の焼結窒化
珪素板−アルミナ板などの種々のセラミックス板を用い
た場合にも同様の結果が得られた。第１表の実験Ａ ｌ
ｔ ３ ｅ ４ ｅ ５のマイクロビッカース硬度を
荷重１００１１で測定したところ、ツレ（’ し３ｙｏ
ｏ １１９／ｗ２、Ｊ３ｊＯＪ９／ ■２ ｓ ｊ ／
！ｒＯψ−１３１００に９１−であり、超硬高純度窒化
珪素であることを示した。
ものではＳ１収率がＪ〜ｔｉｂ ％と高い値で窒化ｆＡ
素が析出し、従来方法と異なり吹付は管の閉塞は全然紹
められなかった。なお、基体として非導電性の焼結窒化
珪素板−アルミナ板などの種々のセラミックス板を用い
た場合にも同様の結果が得られた。第１表の実験Ａ ｌ
ｔ ３ ｅ ４ ｅ ５のマイクロビッカース硬度を
荷重１００１１で測定したところ、ツレ（’ し３ｙｏ
ｏ １１９／ｗ２、Ｊ３ｊＯＪ９／ ■２ ｓ ｊ ／
！ｒＯψ−１３１００に９１−であり、超硬高純度窒化
珪素であることを示した。
比較のため冷却ジャケット６を具備しない従来の吹付は
管を用いて、上記実施例と同一条件で窒化珪素を析出さ
せた結果を第１表の実験Ａ６〜１０に示した。この結果
によれば基体温度が７ｓ００℃で、かつ容器内の圧力が
１０Ｔｏｒｒの場合においてのみ超硬高純度窒化珪素が
析出したが、Ｓｉ収率は３〜６％と極めて低く、また吹
付は管の開口端は多鎚の付着物が認められ、短時間０．
２〜３時間で閉塞し、操業ができなくなった。
管を用いて、上記実施例と同一条件で窒化珪素を析出さ
せた結果を第１表の実験Ａ６〜１０に示した。この結果
によれば基体温度が７ｓ００℃で、かつ容器内の圧力が
１０Ｔｏｒｒの場合においてのみ超硬高純度窒化珪素が
析出したが、Ｓｉ収率は３〜６％と極めて低く、また吹
付は管の開口端は多鎚の付着物が認められ、短時間０．
２〜３時間で閉塞し、操業ができなくなった。
本発明によれば基体の加熱手段として間接加熱手段と、
流体による強制冷却のための冷却ジャケットを具備した
二重吹付は管とからなる製造装置を用い、ざらに冨素沈
梼源ガスと珪素沈積源ガスの組成比を窒化珪素の化学Ｉ
Ｉｋ論比附近とし、両ガスの流速比をは寸同じにするこ
とによって超硬高純度窒化珪素の！ｌｌｌ１ｌ造条件範
囲が広がり、Ｓｉ収率が大幅に上昇し、二重吹付は管の
開口端の閉塞がなくなり、その効果が絶大であることは
明らかである。
流体による強制冷却のための冷却ジャケットを具備した
二重吹付は管とからなる製造装置を用い、ざらに冨素沈
梼源ガスと珪素沈積源ガスの組成比を窒化珪素の化学Ｉ
Ｉｋ論比附近とし、両ガスの流速比をは寸同じにするこ
とによって超硬高純度窒化珪素の！ｌｌｌ１ｌ造条件範
囲が広がり、Ｓｉ収率が大幅に上昇し、二重吹付は管の
開口端の閉塞がなくなり、その効果が絶大であることは
明らかである。
なお本発明の間接加熱手段とした製造装置では従来の？
ｉＥ１加熱法にくらべて、 （１）基体材質は導電性であることを必要としない。
ｉＥ１加熱法にくらべて、 （１）基体材質は導電性であることを必要としない。
（２）基体形状は平板はむろん、ルツヴ型、パイプ状な
どかなり複雑な形状のものを使用することができる。
どかなり複雑な形状のものを使用することができる。
（３）複数個の基体上への超硬高純度窒化珪素の析出を
同時に行なうことができる。
同時に行なうことができる。
などの工業的に製造する場合に優れた効果が得られる。
第１図は本発明の装置の縦断面説明図、第２−６図はそ
れぞれ内管と外管のｗ１壁、内管の軸線部に冷却ジャケ
ットを設けた二重吹付は管の縦断面図、第４．５図はそ
れぞれガス吹付は管を冷却した場合と冷却しない場合の
容器内圧力と基体温度とが、窒化珪素の生成におよぼす
影暢を示す図である。 １・・・容器、２・・・基体把持手段、６・・・基体、
４・・・二重吹付は管の内管、５・・・二重吹付は管の
外管、６０１．冷却ジャケット、７・・・発熱体、８・
・・排気口、９・・・断熱材、１０・・・内管の軸線部
の冷却管筒。 特許出願人 日本重化学工業株式金社 代理人弁理士 村 １） 政 治第４図 宕是内周／’７ （Ｔｏｙｙ） ・； ｋ吉Ａ ％ｉ ｉ亡イヒ１吏→１ｏ ： １
￥ 謬−Ｖ 望イヒ珪鼻容】【内／Ｉ・力 （ｌｏγど
）
れぞれ内管と外管のｗ１壁、内管の軸線部に冷却ジャケ
ットを設けた二重吹付は管の縦断面図、第４．５図はそ
れぞれガス吹付は管を冷却した場合と冷却しない場合の
容器内圧力と基体温度とが、窒化珪素の生成におよぼす
影暢を示す図である。 １・・・容器、２・・・基体把持手段、６・・・基体、
４・・・二重吹付は管の内管、５・・・二重吹付は管の
外管、６０１．冷却ジャケット、７・・・発熱体、８・
・・排気口、９・・・断熱材、１０・・・内管の軸線部
の冷却管筒。 特許出願人 日本重化学工業株式金社 代理人弁理士 村 １） 政 治第４図 宕是内周／’７ （Ｔｏｙｙ） ・； ｋ吉Ａ ％ｉ ｉ亡イヒ１吏→１ｏ ： １
￥ 謬−Ｖ 望イヒ珪鼻容】【内／Ｉ・力 （ｌｏγど
）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／ 容器と、前記容器内に封入される基体を把持する手
段と、前記基体を加熱する手段と、窒素沈積源ガス゛を
基体に吹付けるだめの吹付は管を珪素沈積源ガスを基体
に吹付けるだめの吹付は管をもって包囲し、前記覧素沈
積源ガス吹付は管の開口端と基体との距離を、前記珪素
沈積源ガス吹付は管の開口端と基体との距離より短かく
した内管と外管より成る二重吹付は管とし、前記両沈積
源ガスの気相分解反応によって、基体Ｅに窒化珪素を沈
積させる超硬高純度窒化珪素の製造装置において、前記
基体を加熱するための間接加熱手段と、前記二重吹付は
管のうち、少なくとも外管を強制冷却する流体による冷
却ジャケットを有する冷却手段とを具備したことを特徴
とする超硬高純度窒化珪素の製造装置。 −特許請求の範囲第１項記載の製造装置において、二重
吹付は管の外周に冷却ジャケットを設けて、二重吹付は
管を強制冷却する冷却手段を具備する製造装置。 ３・ 特許請求の範囲第１項あるいは第２項記載の製造
装置において、二重吹付は管の外管と内管の隔壁を冷却
ジャケットとして二重吹付は管を強制冷却する冷却手段
を具備する製造装置。 参、特許請求の範囲第１〜３項の何れかに記載の製造装
置において、二重吹付は管の内管の軸線部に冷却管筒な
設けて、二重吹付は管を強制冷却する冷却手段を具備す
る製造装置。 よ 特許請求の範囲第１〜４項の何れかに記載の製造装
置において、齢記二重吹付は管の開口端は基体の上面、
下面、側面のなかから選ばれる何れか１つの面に近接し
ている製造装置。 ６、特許請求の範囲第１〜５項の何れかに記載の製造装
置において、基体把持手段は基体を把持しながら基体を
上下移動、水平移動、回転移動のなかから選ばれる何れ
か少なくとも１種の移動をさせることができる手段であ
る製造装置。 ７、％ｒｌ＋８％求の範囲第１〜６項の何れかに記載の
製造装置において、前記基体を加熱する間接加熱手段は
基体を主として水平かつ求心方向に加熱する電気抵抗に
よる発熱体を用いる間接加熱手段、菌周波篩導加熱で発
熱体を加熱することによる間接加熱手段、赤外線あるい
はレーデ−光線による間接加熱手段の何れかである製造
装置、ｇ、特許請求の範囲第７項記載の製造装置におい
て、電気抵抗による発熱体はカーボン糸発熱体、珪化モ
リプデ／系発熱体、炭化珪素系発熱体、ランタン・クロ
マイト未発１体の（”Ｉれかである製造装置。 タ 特許請求の範囲第１項記載の製造装置において、容
器と、基体を加熱する間接加熱手段との間に前記間接加
熱手段を囲繞して、セラミック質断熱材、金楓質反射板
の何れか少なくとも１つを設け、熱効率の向上と容器保
謙を特徴とした製造装置。 ＩＯ容器と、前記容器内に封入される基体を把持する手
段と、前記基体を間接加熱する手段と、窒素沈積源がス
と必要によりこのがスを搬送するキャリアーガスとの混
合ガスを吹付けるだめの吹付は管を、珪素沈積源ガスと
必要によりこのガスを搬送するキャリアーガスとの混合
ガスを基体に吹付けるだめの吹付は管をもって包囲し、
前記窒素沈積源ガス吹付は管の開口端と基体との距離を
、ｌ１ｉＪ紀珪素沈積源ガス吹付は管の開口端と基体と
の距離より短かくした内管と外管より成る二重吹付は管
とし、前記二重吹付は管のうち少なくとも外管を強制冷
却する電体による冷却ジャケットを有する冷却手段とを
具備した装置を用いて、前記容器内に基体を把持する手
段によって基体を把持し、つぎに容器内を１０−”１１
１１ Ｈｇ以下まで減圧したのち、間接加熱手段を用い
て基体を１０００〜１６００ Ｃの温度範囲内に加熱し
、かつ前記二重吹付は管の少なくとも外管を流体により
強制冷却しつつ、窒素沈積源ガスと珪素沈積源ガス、あ
るいは必要により前記両ガスとキャリアーガスとの混合
ガスを基体に吹付け、前記両沈積源ガスの接触によって
気相分解反応な前記基体外周面あるいは基体外周面近傍
において生起させて窒化珪素を生成させ、前記室体珪素
を基体外周面上に沈積させるとともに、前ｄビニ重吹付
は管の開口端の閉塞を防止したことを特徴とする超硬高
純度窒化珪素の製造方法。 ／／、 ％詐請求の範囲第１θ項記載の製造方法におい
て、窃素沈槓源ガスと珪素沈積源ガスの接触によって気
相分解反応を生起させるための両ガスの組成比は窒素と
珪素の原子比で０．６〜２．０の範囲内である製造方法
。 ／ｊ、特許請求の範囲＠ １０あるいは１１項記載の製
造方法において、前記二重吹付は管の開口端における内
管と外管の卑位面槓当りの流速比は０．５〜２．０の範
囲内である製造方法。 ／３．特許請求の範囲第１０〜１２項の何れかに記載の
製造方法において、容器内の圧力を５〜５０Ｔｏｒｒの
範囲内とし、かつ基体の温度を１３５０〜１６００ Ｃ
の範囲内とする結晶質超硬高純度窒化珪素の製造方法。 ｌｖ、特許請求の範囲第１０〜１２川の何れかに記載の
製造方法において、容器内の圧力を５〜５０’［’ｏｒ
ｒの範囲内とし、かつ基体の渦電を１０００〜１３５０
Ｃ未満の範囲内とする非茜質超硬高純度窒化珪素の製
造方法。 ／よ 特許請求の範囲第１０〜１４項の何れかに記載の
製造方法において、窒素沈積源ガスは穿索の水素化物（
ＨＮａ 、 ＮＨａ ＋ ＮｚＨ＋ ）、アンモニウム
ノ・ロデン化物（ＮＨ４Ｃｔ、 ＮＨ４Ｆ、 Ｎ）ｌ、
ＨＦ２ 、 ＮＨ４Ｉ ）のうちから選ばれる倒れか１
ＩＩｌまたは２種以上であり、珪素沈積源ガスは珪素の
Ｉ・ロデン化物（８ｉＣ６４゜８ｉＦ４ 、８ｉＢｒ４
、８ｉＩ４ 、 ｓ：３ｃｚｓ 、 ８ｉ２Ｂｒ６
、８ｉ２Ｉ６ 、５ｉＢｒＣｔａ 。 ８ｉＢｒ２Ｃｊ２ 、８ｉＢｒ３ＣＡ、 ８ｉＩＣｔ３
）、水素化物（ＳｉＨ４。 ８ｉ＋Ｈ１ｏ ＋ ８ｉａＨｓ ｔ ８ｉｚ）Ｉｇ ）
、水素Ｉ・ロデン化物（８ｉＨＣｔ３ 、８ｉＨＢｒ３
、８ｉＨＦ１ 、８ｉＨ１１、８ｉＨ３Ｂｒ）のうち
から選ｄれる何れか１種または２種以上であり、キャリ
アーガスはＮ２．Ｈｇ、Ａｒ、ｉ（ｅのうちから選ばれ
る倒れか少なくとも１種である製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16639981A JPS6057507B2 (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 超硬高純度窒化珪素の製造装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16639981A JPS6057507B2 (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 超硬高純度窒化珪素の製造装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5869705A true JPS5869705A (ja) | 1983-04-26 |
| JPS6057507B2 JPS6057507B2 (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=15830691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16639981A Expired JPS6057507B2 (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 超硬高純度窒化珪素の製造装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057507B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60190564A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 窒化珪素作製方法 |
| JPS6223856U (ja) * | 1985-07-27 | 1987-02-13 | ||
| US5075091A (en) * | 1986-04-11 | 1991-12-24 | Bayer Aktiengesellschaft | Process for the preparation of silicon nitride |
-
1981
- 1981-10-20 JP JP16639981A patent/JPS6057507B2/ja not_active Expired
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60190564A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 窒化珪素作製方法 |
| JPH0239593B2 (ja) * | 1984-03-12 | 1990-09-06 | Handotai Energy Kenkyusho | |
| JPS6223856U (ja) * | 1985-07-27 | 1987-02-13 | ||
| US5075091A (en) * | 1986-04-11 | 1991-12-24 | Bayer Aktiengesellschaft | Process for the preparation of silicon nitride |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6057507B2 (ja) | 1985-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6047202B2 (ja) | 超硬高純度の配向多結晶質窒化珪素 | |
| KR100345079B1 (ko) | 화학기상증착 장치 및 이를 이용한 탄소나노튜브 합성 방법 | |
| US4632849A (en) | Method for making a fine powder of a metal compound having ceramic coatings thereon | |
| JPH0673401A (ja) | 微粒子金属粉 | |
| CN103290387B (zh) | 化学气相沉积反应器过程室清洁方法 | |
| JP2001081564A (ja) | 化学気相蒸着装置およびこれを用いたカーボンナノチューブ合成方法 | |
| JPH06206718A (ja) | 超高純度炭化ケイ素とそれによって作製した高温半導体加工用器具 | |
| EP1560945A2 (en) | Method and apparatus for providing and integrating a general metal delivery source (gmds) with atomic layer deposition (ald) | |
| JPH03126870A (ja) | 低温ｃｖｄによる銅薄膜の形成方法 | |
| US20040091630A1 (en) | Deposition of a solid by thermal decomposition of a gaseous substance in a cup reactor | |
| JPS5869705A (ja) | 超硬高純度窒化珪素の製造装置とその製造方法 | |
| JP5057523B2 (ja) | 窒化物膜の堆積方法 | |
| GB1570131A (en) | Manufacture of silicon | |
| JPH02233509A (ja) | 粉末状金属窒化物の製造方法 | |
| JPH0542364B2 (ja) | ||
| JPH01197309A (ja) | 粒状シリコンの製造方法 | |
| JPH035310A (ja) | 窒化アルミニウムの製造方法およびその製造用連続炉 | |
| JPS60116776A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPH01230779A (ja) | 窒化アルミニウムの製造方法 | |
| JP4804354B2 (ja) | クロロシラン類の反応装置 | |
| JPH01153511A (ja) | 窒化アルミニウムの製造方法 | |
| JPS5891018A (ja) | 窒化物微粉末の製造方法 | |
| JPH08208207A (ja) | 窒化ホウ素の気相合成法 | |
| JP2003002627A (ja) | シリコンの製造方法 | |
| JPS5976802A (ja) | 気相反応法による窒化チタン超微粉体の製造方法 |